【課題】 汎用性が高く、低コストで省資源である方法で、任意の場所、任意の形状を持ち、導電性と透明性を両立したグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス膜が形成された半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明のグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス膜は、レーザー照射により、様々な炭素材料基板もしくは炭素材料塗布基板から、それに対面して配置される様々な基板上に形成される。レーザーはアブレーション作用と黒鉛化作用を同時に担う。また、レーザーの相対的な走査により、任意の場所、任意の形状のグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス炭素膜が形成され、これら炭素膜からなる配線、電極、チャネルを備えた半導体装置が製造される。 （もっと読む）

【課題】デュアル仕事関数半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上に、これと接触するゲート誘電体層１０４を形成する工程と、ゲート誘電体層の上に、これと接触する金属層１０５を形成する工程と、金属層の上に、これと接触するゲート充填材料の層１０６を形成する工程と、ゲート誘電体層、金属層、およびゲート充填層をパターニングして、第１ゲートスタックと第２ゲートスタックとを形成する工程と、半導体基板中に、ソースおよびドレイン領域１０９を形成する工程と、第１および第２ゲートスタックの少なくとも片側の第１および第２領域中に誘電体層を形成する工程と、その後に第２ゲートスタックのみからゲート充填材料を除去し、下層の金属層を露出させる工程と、露出した金属層を金属酸化物層１０５１に変える工程と、第２ゲートスタックを他のゲート充填材料１１５を用いて再形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 導電性微粒子膜を用いた現実的なバンプ電極構造の形成方法を実現すること。
【解決手段】半導体基板上に設けられた第１の電極と、この第１の電極上に設けられ、導電性微粒子からなる導電性微粒子膜と、この導電性微粒子膜上に設けられた第２の電極としての半田で形成されたバンプ電極とから構成された電極構造を具備してなる。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタにおいて、バンク層をガイドとして半導体溶液を塗布する方法を用いて、精度良く確実にチャネル部に半導体を形成するための電界効果型トランジスタ構造を提供することを目的とする。また、その構造を用いた電界効果型トランジスタの製造方法、及びそれを用いた画像表示装置を提供すること。
【解決手段】ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、ソース電極と、下部画素電極と、前記下部画素電極に接続されたドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に形成された半導体と、半導体を挟むように形成されたバンク層より構成された電界効果型トランジスタにおいて、前記バンク層がストライプ状に形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】製造工程におけるエピタキシャル結晶層への熱的負荷を低減することのできる半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体基板上に第１のゲート絶縁膜を介して形成された第１のゲート電極、前記半導体基板中の前記第１のゲート絶縁膜下に形成された第１のチャネル領域、前記半導体基板中の前記第１のチャネル領域の両側に形成された第１の結晶からなる第１のエピタキシャル結晶層、を含む第１のトランジスタと、前記半導体基板上に第２のゲート絶縁膜を介して形成された第２のゲート電極、前記半導体基板中の前記第２のゲート絶縁膜下に形成された第２のチャネル領域、前記半導体基板中の前記第２のチャネル領域の両側に形成された第２の結晶からなる第２のエピタキシャル結晶層、前記第２のエピタキシャル結晶層上に形成された前記第１の結晶からなる第３のエピタキシャル結晶層、を含む、前記第１のトランジスタと異なる導電型を有する第２のトランジスタと、を有する。 （もっと読む）

【課題】動作特性の劣化を抑えつつ、それぞれ適切な閾値電圧を設定された、メタルゲート電極を用いたｎ型およびｐ型のＭＩＳＦＥＴを混載する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に第１のゲート絶縁膜を介して形成された、第１の金属層および前記第１の金属層上の第１の導電層を含む第１のゲート電極を含むｎ型トランジスタと、半導体基板上に第２のゲート絶縁膜を介して形成された、前記第１の金属層よりも厚さが厚く、前記第１の金属層と構成元素の同一な材料からなる第２の金属層、および前記第２の金属層上の第２の導電層を含む第２のゲート電極を含むｐ型トランジスタと、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体上のバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】方法は、高い光透過性を有する相変換レジストを誘電体上に選択的に堆積させてパターンを形成すること、そのレジストで覆われていない誘電体の部分をエッチング除去すること、並びにその誘電体のエッチングされた部分上に金属シード層を堆積させることを含む。次いで、光誘導めっきによって、その金属シード層上に金属層が堆積させられる。 （もっと読む）

【課題】ＮＭＯＳＦＥＴ及びＰＭＯＳＦＥＴ等のＮＭＯS及びＰＭＯSを有する半導体装置において、ゲート電極の実効仕事関数を、Ｓｉバンドギャップのmid-gap付近の値に安定的に設定することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】素子分離膜によって分離されてなる、ｐ型拡散層及びｎ型拡散層を有する半導体基板と、前記半導体基板の、前記ｐ型拡散層及びｎ型拡散層それぞれの上に形成されてなるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された金属膜を含むゲート電極と、前記ゲート絶縁膜と前記金属膜との界面に形成されたＧｅ介在物と、前記金属膜上に形成されたシリコン含有層と、を具えるようにして半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 銅等の金属配線の電気抵抗低減および安定化を実現し、銅等の金属配線の信頼性を向上させることが可能な金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供することである。また、配線構造を形成する過程で配線あるいはデバイス構成材料中に取り込まれた不純物を除去し、配線膜の比抵抗値の上昇を防止し、信頼性を高めることのできる金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供する。
【解決手段】 半導体ウエハー上にめっき法あるいは気相堆積法により形成された金属配線膜を常圧より高圧の二酸化炭素または不活性の気体ないし流体中に一定時間曝して処理する金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された配線およびこの配線を有するデバイスとした。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスター中間体および薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】ｎ⁻アモルファスＳｉ半導体膜４の上に形成されたｎ^＋アモルファスＳｉオーミック膜４´と、ｎ^＋アモルファスＳｉオーミック膜４´の上に形成されたバリア膜１１と、バリア膜１１の上に形成されたドレイン電極膜５およびソース電極膜６を有する薄膜トランジスター中間体であって、ドレイン電極膜およびソース電極膜は、バリア膜１１に接して形成されているＳｒ：０．２〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕからなる酸素−ストロンチウム含有銅合金下地層１２と、酸素−ストロンチウム含有銅合金下地層１２の上に形成されたＣｕ層１３とからなる複合銅合金膜１４が形成されている薄膜トランジスター中間体、並びにこの薄膜トランジスター中間体をプラズマ水素処理して得られた薄膜トランジスター。 （もっと読む）

【課題】 金属相互接続のための共形接着促進材ライナを提供すること
【解決手段】 誘電体層を少なくとも１つのライン・トラフ及び／又は少なくとも１つのビア・キャビティを有するようにパターン化する。金属窒化物ライナをパターン化誘電体層の表面上に形成する。金属ライナを金属窒化物ライナの表面上に形成する。共形銅窒化物層を、原子層堆積（ＡＬＤ）又は化学気相堆積（ＣＶＤ）によって、金属ライナの直接上に形成する。Ｃｕシード層を共形銅窒化物層の直接上に形成する。少なくとも１つのライン・トラフ及び／又は少なくとも１つのビア・キャビティは、電気めっき材料で充填される。共形銅窒化物層とＣｕシード層との間の直接接触は、強化された接着強度を与える。共形銅窒化物層をアニールして、露出した外側部分を連続的なＣｕ層に変換することができ、このことはＣｕシード層の厚さを減すのに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】仕事関数金属膜と低抵抗膜とで構成されたゲート電極をプラズマエッチングする際に、膜質に応じたエッチングステップの切り替えの遅延を防ぐ。
【解決手段】低抵抗膜６中であって、仕事関数金属膜４との界面の近傍に、プラズマ発光モニタに感度のある、窒素を含む進捗モニタ層５を設けることで、エッチング中のプラズマ発光の変化を検知し、エッチングの進捗をモニタすることでエッチングステップ切り替えの遅延を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】高誘電体材料を含むゲート絶縁膜とメタルゲート電極とを有する半導体装置の製造中にポリシリコンからなる残渣が素子分離領域上に生じる虞があり、不良の原因であった。
【解決手段】半導体基板１０の第１の活性領域１０ａ上には、高誘電体材料と第１の金属とを含有する第１のゲート絶縁膜１３ａと、下層導電膜１５ａと第１の導電膜１８ａと第１のシリコン膜１９ａとを有する第１のゲート電極３０ａとを備えた第１導電型の第１のトランジスタが形成されている。半導体基板１０の第２の活性領域１０ｂ上には、高誘電体材料と第２の金属とを含有する第２のゲート絶縁膜１３ｂと、第１の導電膜１８ａと同一の材料からなる第２の導電膜１８ｂと第２のシリコン膜１９ｂとを有する第２のゲート電極３０ｂとを備えた第２導電型の第２のトランジスタが形成されている。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法を提供する。また、層間絶縁膜、平坦化膜、ゲート絶縁膜等の絶縁膜、配線、電極、端子等の導電膜、半導体膜等の半導体素子の各部位の膜を形成する方法を提供する。また、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ガリウムと亜鉛を含む液滴を吐出して、基板上に膜パターンを形成する。または、印刷法により、基板上にガリウムと亜鉛を含む材料を用いて膜パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】金属ゲート電極を有する二重仕事関数半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】該製造方法は、第１領域１０１及び第２領域１０２を有する基板１００を設けること、第１領域に第１半導体トランジスタ１０７を作製すること、第２領域に第２半導体トランジスタ１０８を作製すること、第１サーマルバジェットを第１半導体トランジスタに備わる少なくとも第１ゲート誘電体キャッピング層１１４ａに作用し、第２サーマルバジェットを第２半導体トランジスタに備わる少なくとも第２ゲート誘電体キャッピング層１１４ｂに作用すること、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子又は半導体装置の閾値電圧を補正し、かつ製造の途中で該半導体素子又は半導体装置の良否を判別することによって、完成品の歩留まりを向上させ、製造コストの低減を実現する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも半導体を構成要素として有する半導体素子又は半導体装置の製造方法であって、前記半導体素子又は半導体装置を製造する途中に、前記半導体に該半導体の吸収端波長より長波長の光を照射して、該半導体素子又は半導体装置の閾値電圧を変化させる工程と、前記光の照射後又は照射中に該半導体素子又は半導体装置の閾値電圧を調べ、該閾値電圧があらかじめ決められた範囲内にあるかどうかを判別する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を介して隣接する複数のＳｉ系結晶上に、絶縁膜上での短絡のおそれを回避しつつ、それぞれ十分かつほぼ等しい厚さを有するシリサイド層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に、絶縁膜を介して隣接し、前記絶縁膜よりも上面の高さが低い複数のＳｉ系結晶部を形成する工程と、前記複数のＳｉ系結晶部の上面、ならびに前記絶縁膜の上面および露出した側面に金属膜を形成する工程と、前記金属膜をシード膜として金属層を形成する工程と、熱処理により前記複数のＳｉ系結晶部と、前記金属膜および前記金属層とを反応させてシリサイド層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜特性及び接着性が改善が可能な基板構造形成方法及びこれを用いて形成された基板構造を提供する
【解決手段】基板構造を形成する方法は、基板１０をエッチングして垂直面５１を有するエッチング部５０を形成する段階と、基板１０の全面上にまたは基板１０に部分的に拡散物質層６０を形成する段階と、拡散物質層６０を熱処理して、一部が上記エッチング部５０の表面の下へと拡散したシード層６０’を形成する段階、及びシード層６０’上に金属層７０を形成する段階とを含む。上記方法によれば、シード層６０’によって基板１０のエッチング部５０の表面特性が改善されることもあるので、エッチング部５０の垂直面５１に接着性に優れ且つ均一な厚さの金属層７０を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗でかつ信頼性の高いコンタクトプラグを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、コンタクトホール１０３が設けられた半導体基板１００上に絶縁膜１０２を形成する工程と、基板全面上に第１の導電膜１０４を形成する工程と、第１の導電膜１０４上に窒化金属膜１０６を形成する工程と、窒化金属膜１０６上にコンタクトホール１０３を埋める第２の導電膜１０７を形成する工程と、第２の導電膜１０７、窒化金属膜１０６、および第１の導電膜１０４の一部を除去することで、コンタクトプラグ１０９を形成する工程（ｅ）とを備える。（コンタクトホールの底面上に設けられた窒化金属膜の膜厚）／（コンタクトホールの底面上に設けられた第１の導電膜の膜厚）の値は０．８より大きく２．５より小さい。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタにおいて、表面平滑性及び低表面エネルギーを有するゲート絶縁層を用いて作製された電界効果型トランジスタに十分高いチャージキャリア伝導性能を与える電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供すること。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に形成された有機半導体、ソース電極及びドレイン電極と、を備え、ゲート絶縁層は、二層以上の積層体であり、かつ前記有機半導体と接するゲート絶縁層表面との算術平均粗さＲａまたは二乗平均粗さＲＭＳが０．３ｎｍ未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）