【課題】 小型であり、スライドによる短絡を防止することができる絶縁ゲートトランジスタを提供する。
【解決手段】 絶縁ゲートトランジスタであって、半導体基板と、第１金属層と、第２金属層と、絶縁層と、メッキ層を有している。第１金属層は、半導体基板の上面に形成されている。第２金属層は、半導体基板の上面に形成されており、第１金属層の側方に間隔を空けて配置されている。第１金属層の下の半導体基板には第１半導体領域と第１ゲート電極を含む第１アクティブ領域が形成されている。絶縁層は、第２金属層と、第１アクティブ領域上の第１金属層の第２金属層側の一部分を覆っている。メッキ層は、絶縁層に覆われていない範囲の第１金属層の表面に形成されている。第１アクティブ領域の上部の絶縁層には、開口部が形成されている。メッキ層は、さらに、開口部内の第１金属層の表面にも形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板表面を活性化するための溶液及びプロセスの提供。
【解決手段】本発明は、その後の工程で無電解法により金属層を堆積させて被覆できるように、ポリマーから形成される少なくとも１つの領域を含む基板表面を活性化するための溶液及びプロセスに関する。また、本発明によれば、この組成物は、Ａ）１以上のパラジウム錯体から形成される活性化剤と；Ｂ）少なくとも２つのグリシジル官能基及び少なくとも２つのイソシアネート官能基を含む各化合物から選択される１以上の有機化合物から形成される結合剤と；Ｃ）上記活性化剤及び上記結合剤を溶解可能な１以上の溶媒から形成される溶媒系とを含有する。用途：特に集積回路、とりわけ３次元集積回路、などの電子デバイスの製造。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、Ａｕ配線との密着性が強く、より高い熱的安定性を有するバリアメタル層を実現し、更なる特性向上、歩留まり向上を実現する。
【解決手段】半導体装置を、Ａｌ層８を含む電極９，１０と、Ａｕ配線１２と、Ａｌ層８とＡｕ配線１２との間に設けられ、Ａｌ層８の側から順に第１Ｔａ層１４、第１ＴａＮ層１５、第１Ｐｔ層１６を積層した構造を有するバリアメタル層１１とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウエハが反るのを防止できる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、互いに対向する第１及び第２の主面を有するＧａＡｓ基板と、前記ＧａＡｓ基板の前記第１の主面上に形成され、Ｐｄ、Ｔａ、Ｍｏの少なくとも１つから構成された第１の金属層と、前記第１の金属層上に形成され、Ｎｉ系合金又はＮｉから構成された第２の金属層と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線の設計自由度が高く、ゲート電極及びソース／ドレイン領域に接続されるコンタクト部の形成に問題が生じ難く、微細化プロセスに適した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、（ａ）基体２１上にゲート電極３１を形成し、基体にソース／ドレイン領域３７及びチャネル形成領域３５を形成し、ソース／ドレイン領域３７上にゲート電極３１の頂面と同一平面内に頂面を有する第１層間絶縁層４１を形成した後、（ｂ）第１層間絶縁層４１に溝状の第１コンタクト部４３を形成し、（ｃ）全面に第２層間絶縁層５１を形成した後、（ｄ）第１コンタクト部４３の上の第２層間絶縁層５１の部分に孔状の第２コンタクト部５３を形成し、その後、（ｅ）第２層間絶縁層５１上に、第２コンタクト部５３と接続された配線６１を形成する各工程から成る。 （もっと読む）

【課題】基板とめっき層との密着性に優れた積層体、その製造方法、積層体を備える薄膜トランジスタ、積層体を備えるプリント配線基板を提供する。
【解決手段】
積層体１では、基板２上にシリカ層３および有機層４を介し、めっき層５が形成されている。シリカ層３はポリシラザンを前駆体として形成されているので、基板２との密着性が良好で、上面に無数の微細な凹凸が存在するシリカ層３が形成される。有機層４は、シリカ層３の上面の凹凸によって発現するアンカー効果により、シリカ層３と強固に結合する。また、有機層４の上面には、シリカ層３の上面の無数の微細な凹凸を反映して凹凸が形成されるので、めっき層５と有機層４とは、化学的もしくは電気的な結合に加え、アンカー効果により強固に結合される。よって、シリカ層３および有機層４を介して基板２上に形成されるめっき層５の基板２に対する密着性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域を構成する有機半導体材料層と良好なオーミック・コンタクトを形成することができるソース／ドレイン電極を備えた電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】電界効果型トランジスタは、ゲート電極１２と、ゲート絶縁層１３と、ソース／ドレイン電極２１と、チャネル領域１５を構成する有機半導体材料層１４とを備え、ソース／ドレイン電極２１は、金属から成る導体部２２、及び、導体部２２を少なくとも部分的に被覆し、不純物がドーピングされた有機導電材料層２３から成り、有機導電材料層２３を介して、チャネル領域１５と導体部２２との間の電気的接続が形成される。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を抑え、微小電流が流れる領域で電圧降下を低くすることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ｎ型半導体層の一方の表面近傍に、微小電流が流れる領域で電圧降下が生じるように濃度設定されたｐ型半導体層を形成してｐｎ接合を形成し、ｐ型半導体層の表面に、アルミニウムの膜を形成し、アルミニウムとｐ型半導体層のシリコンを、焼結処理により反応させてアルミニウム・シリサイド膜を生成し、アルミニウム・シリサイド膜の上部に存在するアルミニウムであって、シリコンとは未反応のアルミニウムを、エッチングにより除去して表面を粗面化し、粗面化されたアルミニウム・シリサイド膜の上に、ニッケル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に積層構造からなる複数の金属膜を無電解めっき法により形成する半導体装置の製造方法において、遮光環境下に位置させるめっき槽を少なくする方法を提供する。
【解決手段】金属膜を形成する工程は、第１めっき槽を用いた還元反応を含む無電解めっき工程（ステップＳ５２）と、第２めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程（ステップＳ５４）と、第３めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程（ステップＳ５６）を含む。第１めっき槽を用いた還元反応を含む無電解めっき工程は遮光環境下で行われ、第２めっき槽および第３めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程は非遮光環境下で行われる。 （もっと読む）

【課題】過電圧に伴う破壊を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の一態様には、互いに並列に接続され、ゲート電極１０、ソース電極９及びドレイン電極１５を備えた複数の縦型トランジスタ３２と、前記複数の縦型トランジスタ３２を個別に取り囲むダイオード３１と、が設けられている。前記ソース電極９に前記ダイオード３１のアノード１１が接続され、前記ドレイン電極１５に前記ダイオードのカソード１が接続されている。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の第２の金属を含む第２金属含有膜を形成する際に、下地膜としてＲｕ等の第１の金属を含む第１金属含有膜を介在させることにより上記第２金属含有膜を効率的に形成する。
【解決手段】底面に金属層３が露出する凹部２を有する絶縁層１が表面に形成された被処理体に対して成膜処理を施す成膜方法において、第１の金属を含む第１金属含有膜を形成する第１金属含有膜形成工程と、前記第１金属含有膜形成工程の後に行われ、前記凹部に埋め込まれる埋め込み金属に対してバリヤ性を有する第２の金属を含む第２金属含有膜を形成する第２金属含有膜形成工程とを有する。これにより、下地膜としてＲｕ等の第１の金属を含む第１金属含有膜を介在させて上記第２金属含有膜を効率的に形成する。 （もっと読む）

【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現すること
【解決手段】この半導体製造方法は、複数の基板に連続してめっき処理を施す半導体製造方法であって、１枚の基板処理に必要なｐＨ調整剤を含む所定量のめっき液を温度調節用容器に収容し、温度調節用容器に収容しためっき液を、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じた所定の温度に調節し、基板を１枚ずつ所定位置に保持し、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じたタイミングで、保持された基板１枚毎に温度調節用容器に収容され温度調節されためっき液全量を、保持された基板の処理面に吐出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電極に関するもの又は接合工程を有する半導体装置の作製方法に関し、（１）Ａｌ電極を用いることにより高抵抗になること、（２）ＡｌとＳｉとが合金を形成すること、（３）スパッタ法により形成する膜が高抵抗になること、（４）接合工程では、それぞれの面の表面に凹凸が大きいと接合不良が生じること、が課題である。
【解決手段】金属基板又は金属膜が形成された基板を有し、金属基板上又は金属膜上の銅（Ｃｕ）メッキ膜を有し、Ｃｕメッキ膜上のバリア膜と、バリア膜上の単結晶シリコン膜と、単結晶シリコン膜上の電極層と、を有する半導体装置を用いる。Ｃｕメッキ膜と金属基板又は金属膜とを接合する際に熱圧着法を用いる。 （もっと読む）

【課題】薄型化されたウェハにめっき処理をする際にウェハ裏面への金属析出やウェハの反り及び損傷を抑制すると共に、ウェハのめっき処理効率が良好な半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハを薄型化する工程１、薄型化された前記ウェハの裏面をダイシングテープでリングフレーム内にマウントする工程２、及び、前記リングフレーム内にマウントされた前記ウェハの表面にめっき処理を行う工程３を備えた半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ低抵抗の半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成され、該半導体層の表面方向における幅が該半導体層の表面と垂直方向における高さ以上である櫛歯状の電極と、を備える。また、基板上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層上に、前記半導体層の表面方向における幅が該半導体層の表面と垂直方向における高さ以上である櫛歯状の電極を形成する電極形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】貫通シリコンビア形成時におけるビア内側壁の銅シード層のカバレッジが良好で均一な銅配線層を有するめっき物を提供することを目的とする。
【解決手段】基材上にバリア層として形成された、タングステン及びタングステンと合金化した際に銅に対するバリア性を有する金属（Ａ）との合金薄膜、その上に無電解置換銅めっきにより銅シード層、さらに前記無電解置換銅めっきを実施したのと同一のめっき液を用いた電気銅めっきにより銅配線層がこの順番で形成されてなる、貫通シリコンビアを有するめっき物。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れた半導体装置の製造方法、半導体装置、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板７の一方の面側に、トランジスタ４のゲート絶縁体層４４を形成する第１の工程と、ゲート絶縁体層４４上に、厚さ方向に貫通する貫通部９１を備える絶縁体層９を形成する第２の工程と、貫通部９１内の底部付近のゲート絶縁体層４４上、および、貫通部９１の周囲の絶縁体層９上に、気相成膜法により同時にかつ互いに接触しないようにそれぞれ電極を形成し、ゲート絶縁体層４４上に形成された電極を用いて、ゲート電極４５を形成するとともに、絶縁体層９上に形成された電極を用いて、画素電極６を形成する第３の工程とを有する。また、平面視で、貫通部９１の開口部の縁が、当該貫通部９１の底部の縁より内側に位置する。 （もっと読む）

【課題】膜厚のばらつき及び表面の平坦性に優れ、基材との十分な密着性を有する導電膜パターンを、複雑、高価な設備、工程を必要とせずに形成する導電膜パターン及びその形成方法を提供する。
【解決手段】金属微粒子含有インクを基材上に配置し、焼成することにより形成される導電膜パターンにおいて、前記基材のインク被配置面に、有機塩あるいは無機塩の含有されたプライマー層が形成されているものであることを特徴とする導電膜パターン。 （もっと読む）

半導体材料の１つの面上に化学的無電解プロセスによって所望の接点材料の酸化物を堆積させる工程と、所望の接点材料の接点を製造するために化学的無電解プロセスによって酸化物を還元する工程とを含む、半導体材料上に電気接点構造を製造する方法が記載される。このような電気接点構造を組み込んでいる半導体素子およびこのような電気接点構造を組み込んでいる半導体素子を製造する方法も記載される。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比が維持され、電流性能を向上させることができる太陽電池セルの受光面電極を提供する。
【解決手段】半導体基板１１と導通する電極であって、平均粒径１０μｍ以上の粒子を５０〜８０質量％の割合で含有する銀粒子１２及びガラスフリットを含む焼結体を電解又は無電解めっきして、上記焼結体内に存在する空隙１４を充填すると共に、焼結体全体を覆うようめっき皮膜１３を形成してなることを特徴とする電極。スクリーン印刷法を用いることにより低コスト化が可能となる。 （もっと読む）