【課題】エミッタ層にまでシリサイド化反応が進入するのを抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置（バイポーラトランジスタ１００）は、拡散層７と、拡散層７の表面上に形成され、金属と半導体との金属半導体化合物からなるコバルトシリサイド膜９ａと、拡散層７とコバルトシリサイド膜９ａとの間に形成され、コバルトシリサイド膜９ａから拡散される金属の透過を抑制する反応抑制層８とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ベース−コレクタ間容量をさらに減少させると同時に、カーク効果も遅延させ、かつコレクタ抵抗も低減させるＨＢＴデバイスを提供すること。
【解決手段】 バイポーラ・トランジスタ構造体は、コレクタ層の上に形成された真性ベース層と、真性ベース層の上に形成されたエミッタと、真性層の上に、エミッタに隣接して形成された外因性ベース層とを含む。リング状コレクタ注入構造体が、コレクタ層の上部分内に形成され、このリング状コレクタ注入構造体は、エミッタの周縁部分の下方に位置合わせされるように配置される。 （もっと読む）

【課題】厚膜化しない場合であっても格子不整合を０．０８５％未満に緩和することが可能であり、これによりデバイス特性を向上させることの可能なメタモルフィックデバイスを提供する。
【解決手段】メタモルフィックバッファ層１２が基板１１（ＧａＡｓ基板）とトランジスタ動作部２０との間に設けられている。メタモルフィックバッファ層１２は基板１１上にＩｎＰ層（図示せず）を結晶成長させると共にそのＩｎＰ層の全体にＡｓをドープすることにより形成されたＡｓドープＩｎＰ層１２Ａである。 （もっと読む）

複数のベース端子リングのうちの如何なる２つのベース端子リングの間にもエミッタ端子リングを有するような複数のベース端子リングと、上記複数のベース端子リング及びエミッタ端子リングを囲むコレクタ端子リングとを含むバイポーラ接合トランジスタ、及びその製造方法の実施形態が開示される。
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【課題】表示装置を含む絶縁基板上に、ＭＯＳトランジスタとバイポーラトランジスタを同時に集積してなる画素制御回路を形成する。
【解決手段】絶縁基板（１０１）上に設けられ所定の方向に結晶化された半導体薄膜（１０５）に形成された半導体薄膜を用いて形成された複数の半導体素子を有する電子装置または表示装置であって、複数の半導体素子は、ＭＯＳトランジスタ（３００）と、少なくともラテラルバイポーラ薄膜トランジスタ（１００）またはＭＯＳ−バイポーラハイブリッド薄膜トランジスタ（２００）のいずれかを含む電子装置または表示装置。 （もっと読む）

【課題】 微少な電極とコンタクト層との間のコンタクト抵抗を低くできる化合物半導体素子およびそのような半導体素子を工程数を増やすことなく製造する方法を提供する。
【解決手段】 ＧａＡｓ基板１上に、所定の半導体層２，３，４，５を形成した後、ＩｎＧａＡｓから構成されるオーミックコンタクト層６を、その表面が凹凸となるように、ＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法によって形成する。そして、オーミックコンタクト層６の凹凸表面上に、横幅が１０μｍ以下である金属電極９を形成する。オーミックコンタクト層６と金属電極９の界面における凹凸状の構造は、高低差が０．１μｍから０．５μｍの範囲内にあり、かつ、隣り合う山と山との間隔が０．１μｍから０．５μｍの範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】多重型トランジスタ半導体構造を提供すること。
【解決手段】半導体構造が２つの異なった部分を用いて形成される。第１の部分は第１のトランジスタを形成し、第２の部分は第２のトランジスタを形成する。第１のトランジスタの複数の部分が第２のトランジスタの複数の部分をも構成する。すなわち、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタの両方が、同一の構造における複数の部分により構成される。 （もっと読む）

【課題】良好なアバランシェ耐量を維持しつつ、オン抵抗を低減することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１半導体領域１０と、第１半導体領域１０の表面に形成された第２導電型の第２半導体領域１１と、第２半導体領域１１の内部に形成された第１導電型の第３半導体領域１４と、第２半導体領域１１の下方に位置するように、第１半導体領域１０の内部に形成された第２導電型の第４半導体領域１２と、第２半導体領域１１の側方に位置するように、第４半導体領域１２に隣接して第１半導体領域１０の表面に形成された第２導電型の第５半導体領域１３とを備え、第４半導体領域１２は、第５半導体領域１３と同電位である。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードと共に形成したバイポーラ接合トランジスタを提供する。
【解決手段】第２導電型基板に第１導電型のイオンを注入して第１コレクタ領域２０２を形成し、該基板上に第１エピ層２００を形成し、第１エピ層に第１導電型のイオンを注入し、第１コレクタ領域と連結された第１コレクタ連結領域を形成し、第１エピ層に第１導電型のイオンを注入し、エミッタ領域２１４を形成し、第１エピ層の上に第２エピ層を形成し、ＳＴＩ領域２６０を形成し、第２エピ層２１０にＰ−ウェルを形成し、第１コレクタ連結領域と連結された第２コレクタ連結領域２１２、エミッタ領域と連結されたエミッタ連結領域を形成し、第２エピ層に第１導電型のイオンを注入して第２コレクタ領域及びこれと連結されたコレクタコンタクト領域、エミッタ連結領域上にエミッタコンタクト領域を形成し、第２エピ層に第２導電型のイオンを注入し、ベースコンタクト領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】ELO（エピタキシャルリフトオフ）を用いた半導体装置の製造方法において、短時間で確実に半導体基板と支持基板（デバイス層側）との分離を行うこと。
【解決手段】本発明は、半導体基板１に犠牲層２を介して成長させたデバイス層４に所定のデバイスを形成し、そのデバイス層４側に支持基板１０を貼り合わせた状態で犠牲層２をエッチングにより除去して半導体基板１とデバイス層４とを分離する工程を備えた半導体装置の製造方法であり、犠牲層２を除去するにあたり、予めデバイス層４から犠牲層２まで溝ｄを形成しておき、この溝ｄを介してエッチング液を犠牲層２まで浸透させる方法である。 （もっと読む）

【課題】高温アニーリングにより、キャリア捕獲中心を効果的に減少または除去するＳｉＣ層の質を向上させる方法、および該方法により作製されたＳｉＣ半導体素子を提供する。
【解決手段】（ａ）最初のＳｉＣ結晶層（Ｅ）における浅い表面層（Ａ）に炭素原子(Ｃ)、珪素原子、水素原子、またはヘリウム原子をイオン注入して、注入表面層に余剰な格子間炭素原子を導入する工程と、（ｂ）当該層を加熱することにより、注入表面層（Ａ）からバルク層（Ｅ）へ格子間炭素原子（Ｃ）を拡散させるとともにバルク層における電気的に活性な点欠陥を不活性化する工程と、を含む、幾つかのキャリア捕獲中心を除去または減少することによりＳｉＣ層の質を向上させる方法および該方法により作製された半導体素子。上記工程の後、表面層（Ａ）を、エッチングするかまたは機械的に除去してもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体装置において、装置の性能を向上できるようにすることを最も主要な特徴とする。
【解決手段】たとえば、Ｓｉ基板１１の主表面上には、その垂直方向に対し、板状（あるいは、棒状）のＳｉポスト１１ａが形成されている。Ｓｉポスト１１ａでのキャリア移動度を向上させるために、Ｓｉポスト１１ａの各側面には、Ｓｉ基板１１の主表面と直交する垂直方向に伸び応力を与えるための、ストレス印加層２１が設置されてなる構成となっている。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの半導体素子を備える半導体本体（１）を備える半導体デバイス（１０）を製造する方法に関し、半導体本体（１）の上には、メサ形状半導体領域（２）が形成され、マスキング層（３）が、メサ形状半導体領域（２）の上に蒸着され、その頂部でメサ形状半導体領域（２）の側面と境界を接するマスキング層（３）の一部（３Ａ）が取り除かれ、導電性接続領域（４）が、結果として得られる構造の上に形成され、メサ形状半導体領域（２）のための接点を形成する。本発明によれば、マスキング層（３）の部分（３Ａ）の除去後、導電性接続領域（４）の形成前に、メサ形状半導体領域（２）が、マスキング層（３）の部分（３Ａ）の除去によって自由にされるメサ形状半導体領域（２）の側面で追加的半導体領域（５）によって広げられる。このようにして、極めて低い接触抵抗を有するデバイス（１０）が簡単な方法で得られる。好ましくは、メサ形状半導体領域（２）は、ＶＬＳのようなさらなるエピタキシアル成長プロセスによってナノワイヤによって形成される。追加的領域（５）は、例えば、ＭＯＶＰＥによって得られ得る。

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【課題】従来の方法では、アノードの拡散層とカソードの拡散層との間に蓄積されたマイノリティキャリアの再結合速度を高めることができない。
【解決手段】半導体基板１０上には、層間絶縁膜２０が形成されている。層間絶縁膜２０には、開口２２（第１の開口）、開口２４（第２の開口）および開口２６が形成されている。開口２２および開口２６は、それぞれＰ型拡散層１６およびＮ型拡散層１８の上部に形成されている。開口２４は、Ｐ型拡散層１６とＮ型拡散層１８との間の領域である間隔領域の上部に形成されている。これらの開口２２、開口２４および開口２６中には、それぞれ、コンタクトプラグ３２、コンタクトプラグ３４およびコンタクトプラグ３６が埋め込まれている。半導体基板１０のうち開口２２の下部に位置する領域および開口２４の下部に位置する領域の双方に、IV価の不純物が注入されている。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上にＭＯＳトランジスタと、バイポーラトランジスタを同時に集積できる素子構造および製法を提供する。
【解決手段】絶縁基板（１０１）上に形成された半導体薄膜（１０５）に形成されたエミッタ（１０２）、ベース（１０３）、およびコレクタ（１０４）を有するラテラルバイポーラトランジスタ（１００）において、半導体薄膜（１０５）が所定の方向に結晶化された半導体薄膜であるラテラルバイポーラトランジスタ。また、絶縁基板上に形成された半導体薄膜に形成されたＭＯＳ−バイポーラハイブリッドトランジスタ（２００）において、半導体薄膜（２０５）は所定の方向に結晶化された半導体薄膜であるＭＯＳ−バイポーラハイブリッドトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】トレンチ構造のトランジスタの形状及び電極構造に関して自由に設計を行なうことができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０の表面には複数の凹部１０ａ，１０ａ，…が設けられ、各凹部１０ａには、表面からエミッタ領域ＲＥとベース領域ＲＢとがこの順序で配置されている。その他の領域がコレクタ領域ＲＣとなってトランジスタを構成する。基板全面に電極としての導電体を設ける場合、凹部１０ａによる段差のため、ベース領域ＲＢ上のベース電極１２Ｂとエミッタ領域ＲＥ上のエミッタ電極１２Ｅとは分離された状態で形成される。そして、エミッタ電極１２Ｅ及びベース電極１２Ｂを被覆する層間絶縁膜１３を形成し、層間絶縁膜１３を介してエミッタ電極１２Ｅ及びベース電極１２Ｂとそれぞれコンタクトを取るためのボンディングパッド１４Ｅ及び１４Ｂをデバイスの上層に形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面をトレンチ構造にしてエミッタ領域及びエミッタ電極を設け、デバイスサイズを小型化、高集積化することができる半導体装置及び該半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０は、Ｎ型不純物としてのアンチモンが含有され、コレクタ領域ＲＣを形成している。シリコン基板１０の表面には、複数の凹部１０ａ、１０ａ、…を形成している。各凹部１０ａの略階段状の表面には、エミッタ領域ＲＥを形成してあり、エミッタ領域ＲＥの下側及び各凹部１０ａを除くシリコン基板１０の表面には、ベース領域ＲＢを形成してある。エミッタ領域ＲＥにはＮ型不純物としてのリンが、ベース領域ＲＢにはＰ型不純物としてのボロンが含有されている。 （もっと読む）

【課題】基板の表面をトレンチ構造にしてエミッタ領域及びエミッタ電極を設け、デバイスサイズを小型化、高集積化することができる半導体装置及び該半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０は、Ｎ型不純物（例えばアンチモンＳｂ）が含有され、コレクタ領域ＲＣを形成している。シリコン基板１０の表面には、複数の凹部１０ａ、１０ａ、…を形成している。各凹部１０ａの底面及び側面には、エミッタ領域ＲＥを形成してあり、エミッタ領域ＲＥの下側及び各凹部１０ａを除くシリコン基板１０の表面には、ベース領域ＲＢを形成してある。エミッタ領域ＲＥにはＮ型不純物としてのリンが、ベース領域ＲＢにはＰ型不純物としてのボロンが含有されている。 （もっと読む）

【課題】トレンチ構造のトランジスタの電極を確実に分離することができる半導体装置及び該半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】各凹部１０ａの側面及び各凹部１０ａ周辺のシリコン基板１０上面には、シリコン酸化膜１１が形成してあり、さらに、シリコン酸化膜１１の上面には、シリコン窒化膜１３が形成されている。シリコン窒化膜１３の縁辺は、シリコン酸化膜１１の縁辺より突出させてオーバハング形状（庇状）にしてある。また、各凹部１０ａの開口部周りのシリコン酸化膜１１は、等方性エッチングによってオーバハング形状にしてある。すなわち、各凹部１０ａの開口部周りは、シリコン窒化膜１３によるオーバハングとシリコン酸化膜１１によるオーバハングが形成されている。 （もっと読む）

【課題】２次元正孔ガス層をｐ型ベースとし且つ窒化物系半導体からなり高速に動作するバイポーラトランジスタを実現できるようにする。
【解決手段】バイポーラトランジスタは、窒化物半導体からなる第１の半導体層１４を含むエミッタ層と、第１の半導体層１４と比べてバンドギャップが小さい窒化物半導体からなり且つ第１の半導体層１４と接して形成された第２の半導体層１５を含むベース層と、第２の半導体層１５における第１の半導体層１４とは反対側の面と接して形成された窒化物半導体からなる第３の半導体層１６を含むコレクタ層とを備えている。第２の半導体層１５における第１の半導体層１５と第２の半導体層１４との界面領域には、２次元正孔ガス層が発生し、ベース層の一部と接するように選択的に形成されたベース電極１９は、２次元正孔ガス層とオーミック接続している。 （もっと読む）