【課題】ウエハの周辺へ誘導される反応ガスの圧力にバラツキが生じることなく、その圧力を均一に保持することができ、プラズマによるガス分配板の汚染を最小化することができるプラズマエッチングチャンバを提供する。
【解決手段】ウエハの周縁へ反応ガスを誘導するガス分配板と、上記ガス分配板から離間して配設されるプレートと、上記ガス分配板とプレートとの互いに対向する面のうちの少なくとも一方の面に突設され、上記ウエハの周縁に流れていく反応ガスの圧力を均一にする緩衝部と、を提供する。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体のような被エッチング材料の表裏両面へのプラズマ処理を行う際、基板の材質に関わらず被エッチング材料両表面に効率よくバイアスを印加し、両面処理ができるプラズマエッチング装置及びその方法を提供する。
【解決手段】略円環状の被エッチング材料に高周波電力を印加する一対の導電体を有し、略円環状の被エッチング材料の内縁を一対の導電体で挟持することで、略円環状の被エッチング材料の両面をエッチングするプラズマエッチング装置において、前記一対の導電体の一方に設置された導電体接続部材により、該略円環状の被エッチング材料の両面が電気的に導通するようにした。 （もっと読む）

【課題】保持枠付きの処理対象物についてプラズマ処理をする場合にプラズマが保持枠に集中することを防止して処理性能を向上させることができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】処理対象物であるウェハ２が保持枠６に保持された粘着シート７の上面に貼着された状態でステージ３上に載置され、ステージ３を覆う真空チャンバ５内にプラズマを発生させてステージ３上に載置されたウェハ２にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置１において、ウェハ２にプラズマ処理が施されている間、ステージ３の上方の所定位置に位置決めされて保持枠６を覆い、中央部に設けられた開口部４０ａからウェハ２を露出させる誘電体製のカバー部材４０を備える。 （もっと読む）

本発明は、概して、静電チャックベース、静電チャックアセンブリ及び静電チャックアセンブリのためのパックを含む。プラズマチャンバ内での基板の精密なエッチングは難題であるが、これはチャンバ内のプラズマによって基板全体の温度が不均一になるからである。基板全体に亘って温度勾配があることから、基板の縁の温度は、基板の中心の温度とは異なってしまう。基板の温度が均一でないと、基板上に配置された構造体の様々な層に特徴部が均一にエッチングされない。デュアルゾーン静電チャックアセンブリは、基板表面全体での温度勾配を相殺する。
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二重ゾーンプラズマ処理チャンバが提供される。プラズマ処理チャンバは、処理チャンバ内で第１の基板を支持するように構成された第１の支持表面を有する第１の基板支持体と、処理チャンバ内で第２の基板を支持するように構成された第２の支持表面を有する第２の基板支持体とを含む。１つまたは複数のガス分配部材と流体連結する１つまたは複数のガス供給源が、第１の基板支持体に隣接する第１のゾーンおよび第２の基板支持体に隣接する第２のゾーンに処理ガスを供給する。高周波（ＲＦ）アンテナは、ＲＦエネルギーを処理チャンバの内部に誘導結合し、第１および第２のゾーンにおいて処理ガスにエネルギーを与えてプラズマ状態にするように構成される。アンテナは第１の基板支持体と第２の基板支持体との間に配置される。 （もっと読む）

【課題】滑りにくく作業性に優れ、半導体製造装置用部材として使用可能な炭素複合部材を提供する。
【解決手段】炭素複合部材１は、炭素基材１０上に、熱分解炭素層１１が形成されている。熱分解炭素層１１の表面には突起１２が形成されており、この突起１２は、炭素系粉末１３を核とし、その周りに熱分解炭素を結晶成長させることにより形成される。突起１２の短径は５〜３０００μｍの範囲であり、その面密度は１０^２〜１０^８個／ｍ^２の範囲である。 （もっと読む）

【課題】基板正面がチャンバ内で露出するような基板用の受け面を有する基板支持体を備える処理チャンバ内で基板を処理する。
【解決手段】励起させた処理ガスを用いて基板正面を処理する。基板を基板支持体の受け面上方の上昇位置へと上昇させ、基板の背面を励起させたクリーニングガスに曝露することで基板背面周縁部をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】 導電体でない基板でも効率よくバイアスを印加し、かつ、基板の表裏両面に形成されたパターンに損傷を与えずに両面処理ができるプラズマエッチング装置を実現する。
【解決手段】 基板支持部材が被エッチング基板面鉛直方向に可動する可動式基板支持部材を備える。
【効果】 被エッチング基板を保持した可動式基板支持部材を、バイアス電圧を出力する電極側に密着させることで、バイアス電圧が印加される電極と基板の間の距離を縮め、基板に効率よくバイアスを印加できる。 （もっと読む）

【課題】保護基板と、貼り合わせ面に凹部を有する基板とを樹脂を介して貼り合わせる際に、貼り合わせ面の凹部に気泡が混入することを防ぎ、後のパターン形成工程において高い加工特性をだすことができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】保護基板２０との貼り合わせ面に１つ以上の凹部１１を有する加工基板１０と、凹部１１に対応して開口部２１が設けられた保護基板２０を接着樹脂層３０を介して貼り合わせる第１の工程と、開口部２１から樹脂を注入し、凹部１１と開口部２１を埋め込み樹脂３１で充填する第２の工程と、加工基板１０の貼り合わせ面とは反対側の面にパターン形成処理を施す第３の工程と、接着樹脂層３０と凹部１１と開口部２１に充填した埋め込み樹脂３１を除去し、保護基板２０を剥離する第４の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】パーティクル発生が抑制され、優れた耐食性および耐久性を有するセラミックコーティング部材を提供する。また、複雑な形状の基材や大型の基材にパーティクル発生が少なく耐食性および耐久性に優れたセラミック膜を容易に形成することを可能とするセラミックコーティング部材の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックコーティング部材は、基材表面に、純度が９８％以上、膜厚が０．０５μｍ以上１０μｍ以下、平均粒径が５０ｎｍ以下のセラミック膜が形成された構造を有する。セラミック膜は、基材の表面に、金属アルコキシド，有機金属錯体，酸化物ナノ粒子または非酸化物ナノ粒子の少なくとも一種以上を含む溶液を用いて塗布膜を湿式成膜し、この塗布膜を乾燥し、３００℃以上１０００℃以下の温度で熱処理することにより、形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の同一の反応室で複数の工程を連続して行う一括加工において、反応室内の堆積物に起因する基板削れや寸法変動を防止する。
【解決手段】基板Ｓを反応室１１内の基板載置台（カソード）１３に設置し、フルオロカーボン系の第１のガスを用いてドライエッチング処理を行った後に、プッシャーピン２１で持ち上げることにより基板Ｓを基板載置台（カソード）１３から離隔させ、第２のガスを用いて反応室１１内のフルオロカーボン系の堆積物を除去するとともに基板Ｓに第２のドライエッチング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置に於ける搬送機構の搬送精度が経時的に低下しても、基板保持プレートとリフタピン間の干渉を防止し、基板の破損を防止する。
【解決手段】基板１６を処理する処理室２４と、該処理室に設けられ処理する基板が載置される基板載置台３７と、基板保持プレート１４，１５に基板を載置して前記処理室に搬入出する基板搬送装置３５と、該基板搬送装置と前記基板載置台との間で基板を受３８は昇降可能なロッド４と該ロッド４の上端に設けられたリフタピン６５を有し、該リフタピン６５は基板が載置される基板支持面６８と、該基板支持面６８に隣接して座刳り面６９が形成され、前記リフタピン６５の上面と前記座刳り面６９と前記基板支持面６８とは順次低く形成された。 （もっと読む）

【課題】ワークのうちの製品または部品として使用する部分に、意図しない放電が生じるのを確実に防止しつつ、良好なプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置、および、かかるプラズマ処理装置を用いて行うプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ワーク１０を収納するチャンバー２と、第１の電極３と、ワーク１０を介して第１の電極３と対向配置された第２の電極４と、各電極３、４間に高周波電圧を印加する電源回路５と、チャンバー２内にガスを供給するガス供給部６と、チャンバー２内のガスを排気する排気ポンプ７とを備えている。また、プラズマ処理装置１は、ワーク１０の縁部を挿入可能な凹部２５３を備え、この凹部２５３にワーク１０を載置することにより、ワーク１０を第１の電極３から離間させた状態で支持する枠部材２５と、枠部材２５を第１の電極３から離間させた状態に支持する脚部２６とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置で、それには設置できない小さい基板に大きい基板と同様の処理を施せ、反りや撓みを防止および静電チャックの消耗を抑制し、精度の良い基板処理を実現できる基板保持トレーを提供することにある。
【解決手段】基板処理装置で処理可能な大きさの基板より小さい基板Ｗｓを、前記基板処理装置で処理する際に保持する基板保持トレー１であって、該基板保持トレー１は、小さい基板Ｗｓを保持するためのザグリ２を基板保持トレー１の上面に具備する皿形状であり、基板保持トレー１の材質はシリコン、炭化珪素、窒化珪素、及びアルミナのいずれかであり、基板保持トレー１の大きさは、小さい基板Ｗｓを保持したまま前記基板処理装置に設置できる大きさであり、基板保持トレー１は、前記基板処理装置で処理可能な大きさの基板と同様の処理を、前記基板処理装置で小さい基板Ｗｓに施すことができるものであることを特徴とする基板保持トレー１。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食性ガスおよびそのプラズマに対する耐食性に優れており、パーティクルやダストの発生を抑制することができ、半導体・液晶製造装置等、特に、プラズマ処理装置部材として好適に使用することができるイットリアセラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】平均粒径Ｄ₅₀が２μｍ以下のタングステンまたは酸化タングステンがイットリアに対して５重量％以上５０重量％以下分散し、２０〜４００℃での体積抵抗率が１０⁶Ω・ｃｍ以上１０¹³Ω・ｃｍ未満であり、開気孔率が０．２％以下であり、かつ、ハロゲン系腐食性ガスまたはそのプラズマが直に接触する部分の表面粗さＲａが１μｍ以下であり、ハロゲンプラズマ処理による反応生成物が付着堆積する部分の表面粗さＲａが１μｍより大きく３μｍ未満であるイットリアセラミックス焼結体を用いる。 （もっと読む）

【課題】 基板処理装置の処理室にウエーハ等の基板を水平に保持する構造の基板支持装置であって、加熱処理による基板の貼付きがなく、しかも、加熱した際の基板の温度分布をより均一にすることが出来る基板支持装置を提供する。
【解決手段】 基板支持装置は、表面が略平坦に形成された支持装置本体と、支持装置本体の表面に取り付けられたフローティングピンとから成り、フローティングピンは、一直線上に並ばない少なくとも３箇所に支持装置本体の表面から突出する状態で配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、リフトピンの材料種に導電率の観点からの制約を加えることなく、リフトピン用の挿通孔の部分で電磁界が弱化することを矯正（強化）し、その結果、被処理物に面内均一性のよいプラズマ処理ができるプラズマ処理装置を提供することである。
【解決手段】本発明のプラズマエッチング装置１０１は、下部電極６に設けられたリフトピン１１を挿通させる挿通孔１０の周縁に、下部電極６を構成する材料よりも高い導電率を有するリング体１０２を配設した。 （もっと読む）

【課題】ウェハを低圧状態で処理する場合であっても，ウェハに対するパーティクルの付着や損傷の発生を防止しながら，ウェハの温度を効率的に調節できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。また，かかる基板処理装置及び基板処理方法に用いられる記録媒体を提供する。
【解決手段】基板Ｗを処理室３２に搬入し，載置台４０の上面に設けられた当接部材４２に基板Ｗの下面を当接させ，基板Ｗと載置台４０との間に隙間Ｇを形成した状態で，載置台４０に基板Ｗを載置させる。そして，処理室３２を所定の圧力にした状態で，載置台４０の温度を調節することにより，基板Ｗの温度を調節する。その後，処理室３２を所定の圧力より低い圧力の処理雰囲気にして，基板Ｗに所定の処理を施す。 （もっと読む）

【課題】板状基板の基板載置部からの剥離を安定して容易に行うことが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】真空チャンバ内で板状基板を基板載置部の載置面に保持した状態でプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、吸着圧力Ｐｂ１にて基板を下部電極に吸着保持し処理圧力Ｐａ２の条件でプラズマ処理を行った後、第１回目のチャンバー内ベント（Ｔ７〜Ｔ８）によって処理空間の圧力をＰａ４まで上昇させた状態で下部電極の吸着孔からエアブローを行い（Ｔ１０〜１１）、これにより基板を下部電極から剥離させた後、第２回目のチャンバー内ベント（Ｔ１２〜）によって真空チャンバ内を大気圧に昇圧する。これにより、板状基板の基板載置部からの剥離を安定して容易に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】下部電極を構成する電極部材を長寿命化して部品消耗コストを低減するとともに、飛散物付着による装置内部の汚染を防止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置用の電極部材ならびに電極部材の製造方法およびリサイクル方法を提供することを目的とする。
【解決手段】板状のワークを対象としてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置においてワークの下面に当接する電極部材４６を、複数の貫通孔４５ａが形成された板状の吸着部材４５と冷却プレート４４とをろう付けして構成し、吸着部材４５の上面にアルミナを溶射した溶射膜６５を形成するとともに、貫通孔４５ａが開口した孔部４５ｄのエッジを溶射膜６５によって覆うようにする。これにより、電極部材のスパッタリングによる消耗を低減させて長寿命化し部品消耗コストを低減するとともに、飛散物による装置内部の汚染を防止することができる。 （もっと読む）