【課題】大入熱エッチング処理時における半導体ウエハの温度を、高速かつ面内均一に制御するための手段を提供する。
【解決手段】処理ガスをプラズマ化し、該プラズマにて試料台１に載置された被加工試料Ｗの表面処理を行うプラズマ処理装置において、試料台に設けられ冷却サイクルの蒸発器を構成する冷媒流路２を有し、前記冷媒流路２内に供給される冷媒のエンタルピを制御することで冷媒流路２すなわち試料台内の流動様式を気液二相流に保つことにより、被加工試料の温度を面内均一に制御する。プラズマの入熱量等が増加するなどして冷媒流路２内で冷媒のドライアウトが発生するような場合には、圧縮機７の回転数を増加させ、冷媒流路２内におけるドライアウトの発生を抑制する。また、冷媒流路２に供給される冷媒が液状になっていた場合には、熱交換水用の流量弁１６及び温度制御水槽１７の制御により、冷媒流路２内に供給される冷媒を気液二相状態に保つ。 （もっと読む）

本発明の基板作製方法は、基板上に隔置された第１のフィーチャー及び隔置された第２のフィーチャーを形成する工程を含む。隔置された第１のフィーチャーは、隔置された第２のフィーチャーの縦方向の最外領域とは異なる組成である縦方向の最外領域を持つ。隔置された第１のフィーチャー及び隔置された第２のフィーチャーは、互いに交互になっている。隔置された第１のフィーチャーは１つおきに基板から除去され、第２のフィーチャーに直に隣接する対は、第１のフィーチャーの個々の残留部と交互になって形成される。このような除去工程が行われた後、基板は、第１のフィーチャーの個々の残留部と交互になった第２のフィーチャーの直に隣接する対から構成されているマスクパターンを通して処理される。他の実施形態が開示されている。 （もっと読む）

【課題】 処理対象物を所望の面内処理分布でプラズマ処理する。
【解決手段】 処理対象物の面内温度分布が処理結果に影響を与えるため、処理中の処理対象物に、予め定められた特定の面内温度分布を与える事ができる機構を提案する。処理対象物を載置する載置台に電磁波吸収発熱素材を組み込む。プラズマ生成用のマイクロ波発振器を使用し、第一の工程ではプラズマを発生させず、電磁波吸収発熱素材が組み込まれた載置台を加熱して予め定められた特定の面内温度分布を付与する。載置台に第二の工程では処理容器に処理対象物を入れ、処理対象物を予め定められた特定の面内温度分布まで加熱した後、通常のプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工形状の疎密に因らず同じ深さと同じ形状でプラズマエッチングすることのできるプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】処理容器１０１と、載置台１０５と、マイクロ波供給手段と、ガス供給手段１１６と、排気装置２４と、載置台１０５に交流バイアス電力を供給するバイアス電力供給手段１１３ｂと、交流バイアス電力を制御するバイアス電力制御手段１１３ｄとを備えるプラズマエッチング装置１００を用いたプラズマエッチング方法であって、バイアス電力制御手段１１３ｄは、交流バイアス電力の載置台１０５への供給と停止を交互に繰り返し、交流バイアス電力を供給する期間と、交流バイアス電力を停止する期間との合計期間に対する交流バイアス電力を供給する期間の比が０．１以上０．５以下になるように、交流バイアス電力を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム製の支持板を使用したものであっても、高温時の剛性を確保し、高温の下で反りや曲がりが無く、しかもアルミニウム製の支持板としての諸特性（耐食性の優れた絶縁皮膜いわゆるアルマイト処理）を満足することが出来る基板加熱プレートヒータを得る。
【解決手段】基板加熱プレートヒータは、金属製の板体からなる支持板１と、この支持板１の中に埋設されたヒータ線３とを有する。支持板１にヒータ線３に沿って同支持板１より剛性の高い補強部材４が埋め込まれ、この補強部材４が支持板１と同じ材質の蓋体７により覆われている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】プラズマ処理装置の反応チャンバ内で用いる基板支持体が開示されている。基板支持体は、ベース部材と、ベース部材の上に位置する熱伝導部材とを備える。熱伝導部材は、複数の領域を有しており、熱伝導部材の各領域は、個別に加熱および冷却される。熱伝導部材の上には、静電チャックが配置される。静電チャックは、プラズマ処理装置の反応チャンバ内で基板を支持するための支持面を有する。冷液源および温液源が、各領域の流路と流体連通している。バルブ構成は、流路内を循環する温液および冷液の混合比を調節することにより、液体の温度を独立的に制御するよう動作可能である。別の実施形態では、供給ラインおよび移送ラインに沿って配置された加熱素子が、液体源からの液体を、流路に循環する前に加熱する。 （もっと読む）

【課題】基板を加熱する際のエネルギー効率を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ＭＭＴ装置１００は、ウエハ２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内に設けられ、ウエハ２００を保持するサセプタ３００と、サセプタ３００内に設けられ、ウエハ２００を加熱するヒータ３１０と、サセプタ３００とヒータ３１０との間に空間が形成されるように配置されたスペーサ３２０とを有する。スペーサ３２０は、例えば石英からなる。また、スペーサ３２０は、サセプタ３００よりも熱容量の小さい材料からなるものとすることが好適である。 （もっと読む）

【課題】自然酸化膜であるシリコン酸化膜を、２つの処理装置を用いることなく１つの処理装置で効率的に除去することが可能なシリコン酸化膜の除去方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４内にて、被処理体Ｗの表面に形成されているシリコン酸化膜を除去するための除去方法において、ＨＦガスとＮＨ_３ ガスとを用いると共に、処理温度の設定範囲として１５０〜２００℃の範囲内に設定することによりシリコン酸化膜を除去する除去工程を行うようにした。これにより、自然酸化膜であるシリコン酸化膜を、２つの処理装置を用いることなく１つの処理装置で効率的に除去する。 （もっと読む）

【課題】載置台に大きな熱応力が発生することを防止して、この載置台自体が破損することを防止することができると共に、腐食防止用のパージガスの供給量を抑制することができる載置台構造を提供する。
【解決手段】排気可能になされた処理容器２２内に設けられて処理すべき被処理体Ｗを載置するための載置台構造において、被処理体を載置するために少なくとも加熱手段６４が設けられた誘電体よりなる載置台５８と、処理容器の底部側より起立させて設けられると共に、上端部が載置台の下面に接合されて載置台を支持する誘電体よりなる複数の保護支柱管６０と、保護支柱管内に挿通されて上端が載置台に届くように設けられた機能棒体６２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 基板載置台への基板の異常載置状態を早期に発見できる方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置においてヒーターを有する基板載置台に基板を載置して加熱しながら処理を行う際に、１枚の基板を処理する間の全体もしくは一部分の時間において、ヒーターへの供給電力、供給電流もしくは供給電圧または基板載置台の計測温度について、最大値および最小値もしくは積算値を算出し、検出された最大値および最小値もしくは積算値をもとに基板の異常載置状態を検知する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内の膜厚均一性を高める装置と方法を提供する。
【解決手段】処理ガスをウエハ１に供給してウエハ１の上に膜をＣＶＤ法によって形成する成膜装置は、複数のウエハ１を互いに上下方向に離間して保持するボート２と、ウエハ１およびボート２を収容する処理室１２と、ウエハ１を加熱するホットウオール形構造のヒータ１４と、処理室１２内に処理ガスを供給するガス供給管２１と、処理室１２内の雰囲気を排気する排気管１６と、ウエハ１の処理中にウエハを回転させるためにボート２を回転させる回転軸１９とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマ生成物の生成効率を向上させるとともに、プラズマから放出される光による被処理物の損傷を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧手段と、前記処理容器の内部に設けられ、被処理物を載置する載置台と、前記処理容器から離隔された位置に設けられた第１のプラズマ発生装置と、前記処理容器から離隔された位置に設けられた第２のプラズマ発生装置と、前記第１のプラズマ発生装置と、前記第２のプラズマ発生装置と、を連通させる第１のガス搬送管と、前記第２のプラズマ発生装置と、前記処理容器と、を連通させる第２のガス搬送管と、前記第１のプラズマ発生装置にプロセスガスを導入するガス導入手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】突入電流やノイズを発生させずに加熱ランプを昇温させる。
【解決手段】加熱ランプ１５を室温から昇温させる場合、室温から変更温度までは位相制御で昇温させ、変更温度から処理温度まではサイクル制御で昇温させる。処理温度から変更温度よりも低い最低温度まで降温した場合、サイクル制御によって処理温度まで上昇させる。加熱ランプのフィラメントが低抵抗の室温のときは、位相制御を用いているので突入電流が発生せず、変更温度以上のときは、サイクル制御を用いているのでノイズが発生しない。 （もっと読む）

【課題】ロットの切り替わりにおいても適切なクリーニング条件，かつ適切なタイミングでクリーニングを実行するクリーニング方法を提供する。
【解決手段】各ロットのプロセス条件とこれらプロセス条件にそれぞれ設定されたクリーニング条件とを予め記憶しておき，各処理室においてプロセス処理を実行する前に，クリーニング条件が異なるロットの切り替わりか否かを判断しＳ１１０，クリーニング条件が異なるロットの切り替わりであると判断した場合には，その処理室にクリーニング用基板を割込み搬送して，切り替わり前のロットのクリーニング条件を読み出してＳ１２０，その条件に基づいてクリーニング処理を実行しＳ１４０，クリーニング条件が同じロットの切り替わりであると判断した場合には，その処理室に対するクリーニング処理は実行しない。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】大型基板を均一に酸化処理できるアッシング装置を提供する。
【解決手段】
ラジカル生成室３の内部に、誘電体ドーム２４の内部に配置されたアンテナ２５を突き出させ、各アンテナ２５をそれぞれマグネトロン発振器１３に接続し、９１５ＭＨｚの励起周波数の高周波電圧をアンテナ２５に印加し、マイクロ波を放射させる。ラジカル生成室３の内部に導入した酸化性ガスをマイクロ波によってプラズマ化し、生成された酸素ラジカルを反応室４内に移動させ、処理対象物２２の表面に接触させ、有機物等をアッシング処理する。 （もっと読む）

本明細書では、シリコン及び窒素を含む誘電体層をエッチングする方法が提供される。いくつかの実施形態では、このような方法は、シリコン及び窒素を含む誘電体層がその上に配置された基板を用意すること、リモートプラズマを使用して、水素（Ｈ_２）及び三フッ化窒素（ＮＦ_３）を含むプロセスガスから反応性種を形成すること、ならびにそれらの反応性種を使用して誘電体層をエッチングすることを含むことができる。いくつかの実施形態では、誘電体層に隣接して酸化物層が配置されている。いくつかの実施形態では、酸化物層及び基板のうちの少なくとも一方に対する誘電体層のエッチング選択性が約０．８から約４になるように、プロセスガスの流量比を調整することができる。
（もっと読む）

【課題】大型基板を均一にエッチング処理できるエッチング装置を提供する。
【解決手段】ラジカル生成室３の内部に、プラズマ形成装置１２を突き出させ、プラズマ形成装置１２の内側ドーム２４と外側ドーム２６との間にエッチングガスを導入し、内側ドーム２４の内側に配置したアンテナ２５から９１５ＭＨｚのマイクロ波を照射し、プラズマ化して外側ドーム２６の小孔２７から放出させ、ラジカル形成室３の内部でエッチングガスのラジカルを生成し、エッチング室４に導入し、処理対象物２２のエッチングを行う。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】ラジカルによる高速エッチングを行なえる技術を提供する。
【解決手段】フィルタ３０ａによって真空槽１１の内部をラジカル生成室３とエッチング室４とに区分けし、ラジカル生成室３内に二重ドームを突出させ、二重ドームの隙間２７に還元性ガスと酸化性ガスを含有するエッチングガスを導入し、アンテナ２４からマイクロ波を放射してプラズマを形成し、生成されたラジカルを放出孔２８からラジカル生成室３の内部に放出させる。ラジカルはフィルタ３０ａの小孔３２ａを通してエッチング室４に移動し、エッチング対象物２２の犠牲層をエッチング除去する。エッチング対象物２２の表面上に還元性ガスのプラズマを形成しておき、酸化性ガスのラジカルによって形成された犠牲層上の酸化物を還元除去すると、高速のエッチングを行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンのエッチング加工において、マイクロトレンチの発生を防止し、更には垂直加工形状およびマスク選択比の向上をも図ること。
【解決手段】真空可能なチャンバ１０内に配置されたサセプタ１２上にシリコン基板Ｗを載置し、チャンバ１０内でエッチングガスを放電させてプラズマを生成し、サセプタ１２にイオンを引き込むための第１の高周波ＲＦ_Lを印加する。エッチングガスには、Ｃｌ₂ガスおよびＯ₂ガスを含む混合ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】カバーの破壊等を生じさせることなく、載置された被処理基板の汚染を少なくすることができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置は、処理容器内において被処理基板Ｗを載置する基板載置台５を備えている。基板載置台５は、ＡｌＮからなる載置台本体５１と、載置台本体５１内に設けられた基板加熱用の発熱体５６と、載置台本体５１の表面を覆う石英製の第１のカバー５４と、被処理基板Ｗを昇降させる複数の昇降ピン５２と、載置台本体５１内で昇降ピン５２が挿通される複数の挿通孔５３と、第１のカバー５４の挿通孔５３に対応する位置に形成された複数の開口部５４ａと、開口部５４ａに露出する部分および挿通孔５３内面の一部または全部を覆うように、第１のカバー５４とは別体として設けられた石英製の第２のカバー５５とを有する。 （もっと読む）