【課題】接着剤が金属ベース基板の放熱面にはみ出すことを防止しつつ、シール性および接着強度を向上させる。
【解決手段】一実施形態に係るパワーモジュールは、金属ベース基板１０と、金属ベース基板１０の実装面に実装された発熱電子部品１１と、第１の面２１と、第１の面２１の反対面となる第２の面２２と、第１の面２１から第２の面２２へと貫通する開口２３とを有する樹脂フレーム２０と、樹脂フレーム２０の基板収納部２４に塗布され金属ベース基板１０と樹脂フレーム２０とを接着させ、金属ベース基板１０の辺端と基板収納部２４の側面２６との間の空間を満たす接着剤４０とを備える。樹脂フレーム２０は、開口２３に沿って第１の面２１から凹設された基板収納部２４と、基板収納部２４の側面２６から凸設され、金属ベース基板１０の辺端と当接する複数のリブ２７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の熱伝導性及び接着性が高いパワー半導体モジュール用部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るパワー半導体モジュール用部品１１の製造方法では、熱伝導体２と無機フィラーを含む第１，第２の絶縁層３，４とを備える積層体１であって、第１，第２の絶縁層３，４が、同一の硬化性組成物を用いて形成されており、第１，第２の絶縁層３，４がそれぞれ、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーを含み、第１の絶縁層３の硬化率が５０％以上であり、第２の絶縁層４の硬化率が８０％未満であり、上記硬化性組成物が、２５℃での粘度が１５０００ｍＰａ・ｓ以下である液状エポキシ化合物又は融点が１４０℃未満である結晶性エポキシ化合物を含む積層体１を用いる。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクルにおいてアルミニウム回路層の電子素子搭載面に発生するしわが抑制される電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板（11）の少なくとも一方の面に電子素子（18）を搭載するアルミニウム回路層（12）がろう付された電子素子搭載用基板（1）であって、前記アルミニウム回路層（12）は、母材（20）の電子素子搭載面側に高強度層（21）が一体に積層された積層材で構成され、前記高強度層（21）の引張強さＸ（Ｎ／ｍｍ^２）と母材（20）の引張強さＹ（Ｎ／ｍｍ^２）とがＸ／Ｙ≧１．１の関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】放熱特性を維持しながらも、金属層及び素子に静電気や電圧ショックなどが伝達されることを防止する放熱基板の製造方法を提供する。
【解決手段】放熱基板１００の製造方法は、（Ａ）金属層１１１の一面に絶縁層１１２を形成し、前記絶縁層１１２に回路層１１３を形成することで、ベース基板１１０を準備する段階、（Ｂ）前記ベース基板１１０に厚さ方向に加工部１４０を形成する段階、（Ｃ）前記金属層１１１の他面及び側面の少なくとも一方に陽極酸化層１５０を形成する段階及び（Ｄ）前記加工部１４０に連結手段１３０を挿入し、前記金属層１１１の前記他面に放熱層１２０を連結する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】制御基板上の発熱電子部品の放熱性を向上させる。
【解決手段】ステアリングシャフトに操舵補助力を付与する電動モータと、該電動モータの出力軸とは反対側に配置され電動モータを制御するコントロールユニットとにより構成され、該コントロールユニットは、電動モータに底部が結合された有底筒形状のＥＣＵハウジングと、該ＥＣＵハウジングの内部に収容され電動モータを駆動制御するためのＭＯＳＦＥＴ１７を実装した金属基板１６と、該ＭＯＳＦＥＴ１７を制御するためのマイコン２４を実装したプリント基板１６とを有し、金属基板１６をＥＣＵハウジング内の底面の近傍に配置する一方、プリント基板１６をＥＣＵハウジング内における金属基板１６の開口部側に配置し、該プリント基板１６の金属基板１６と対向する面にマイコン２４を実装し、該マイコン２４と金属基板１６とを熱伝達部材２６を介して接続した。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れる発熱デバイス組立体、および、かかる発熱デバイス組立体を製造する方法を提供すること。
【解決手段】発熱デバイス組立体１０は、板状をなし金属材料で構成された金属板２１と金属板２１の上面２１１に形成された絶縁層２２とを有するベース基板２と、絶縁層２２上に配置され、通電により発熱する発熱体４と備える発熱デバイス１と、発熱デバイス１が搭載され、板状をなす搭載用基板９とを有している。そして、ベース基板２は、その平面視での面積Ｓ_１が搭載用基板９の平面視での面積Ｓ_２よりも小さいものである。 （もっと読む）

【課題】薄型化を図ることができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】ベース基板２と、該ベース基板の上面側に形成された回路パターン部３、４と、該回路パターン部上に搭載された半導体チップ５と、回路パターン部上に取り付けられ、該回路パターン部を介して半導体チップに電気接続された端子部材６、７と、ベース基板の上面に成形され、回路パターン部、半導体チップ及び端子部材を内部に封入したモールド樹脂８と、を備え、端子部材は、上端面がモールド樹脂の外面に露出していると共に該上端面に開口したねじ孔６ａ、７ａを有する筒状に形成されている半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、放熱性及び耐久性に優れた電気絶縁層を有し、しかもコスト性及びプロセス性に優れた絶縁回路基板並びに半導体モジュール及びその製造方法の提供。
【解決手段】有機材絶縁層及び有機材絶縁層上に形成された配線を有する基板、並びに、基板の表面に形成された無機材絶縁層を備え、半導体チップが搭載される絶縁回路基板であって、基板は少なくとも表面が金属であり、基板表面の少なくとも一部にナノ化されたＳｉＯ_２粒子およびアルミナコートされた熱伝導率が１３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の導電粒子を含む液材を塗布し、焼成することにより無機材絶縁層を形成したことを特徴とする絶縁回路基板、並びに、当該絶縁回路基板を用いた半導体モジュール及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】回路層上に搭載された電子部品等からの熱を効率よく放散できるとともに、冷熱サイクル負荷時における絶縁基板の割れの発生を抑制できるパワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の一方の面に形成された回路層１２と、を備えたパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２は、絶縁基板１１の一方の面に銅板が接合されて構成されており、前記銅板は、接合される前において、少なくとも、アルカリ土類元素、遷移金属元素、希土類元素のうちの１種以上を合計で１ｍｏｌｐｐｍ以上１００ｍｏｌｐｐｍ以下、又は、ボロンを１００ｍｏｌｐｐｍ以上１０００ｍｏｌｐｐｍ以下のいずれか一方を含有し、残部が銅及び不可避不純物とされた組成とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放熱効果及び層間熱膨張係数の差から発生する反り現象を防止できるとともに、層間熱膨張係数の差による内部変形率の差から発生する内部クラックを防止できる半導体パッケージ基板を提供する。
【解決手段】ベース基板１１０と、ベース基板１１０の上部に実装される実装材１２０と、ベース基板１１０と実装材１２０との間に形成される接着層１４０と、を含み、接着層１４０は、熱伝導性接着剤１４１と、熱伝導性接着剤１４１の外周に形成される軟性接着剤１４３と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子との接合に融点の低い半田を用いる必要がなく、かつ高い動作温度域でもその形状を保持することができる、高温で動作するパワー半導体装置用の絶縁基板を提供する。
【解決手段】パワー半導体用絶縁基板１１は、Ａｌめっき鋼板のＡｌめっき表面に、軟化点が５００℃以下のＳｉＯ_２系ガラスフリット又はＰ_２Ｏ_５系ガラスフリットを軟化点以上７００℃未満の温度で焼成して得られる絶縁層が形成されていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、絶縁樹脂層の金属板への密着度を上げ、放熱効率を向上させることを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明の絶縁放熱基板は、金属板６と、この金属板６の上面に設けられた絶縁樹脂層７と、この絶縁樹脂層７の上面に少なくとも一部が露出するように設けられた配線パターン８とを備え、絶縁樹脂層７の端部における厚み方向となる端面９の上部に傾斜面を形成するテーパ部１０を設けたことを特徴としたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パワーモジュールパッケージ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のパワーモジュールパッケージ１００は、メタル材質からなるベース基板１１０と、ベース基板１１０の内部に冷却物質が流れるように形成された冷却チャンネル２００と、ベース基板１１０の外面に形成された陽極酸化層１２０と、陽極酸化層１２０を有するベース基板１１０の第１の面に形成された回路及び接続パッドを含むメタル層１３０と、メタル層１３０上に実装された半導体素子１４０と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】はんだのボイドの発生を抑制し、パワー素子と基材との密着性を高めることができるパワーモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】固相状態の金属粉末を圧縮された搬送ガスと共に吹き付けることにより、パワー素子１５をはんだ付けするための金属皮膜を、基材１１の表面に成膜する成膜工程は、搬送ガスが内包されるような吹き付け圧で基材１１の表面に金属粉末を吹き付けることにより、基材１１の表面に、金属粉末からなる第１の金属皮膜１２を成膜する第１成膜工程と、第１成膜工程における前記金属粉末の吹き付け圧よりも低い吹き付け圧で、金属粉末を前記第１の金属皮膜１２の表面に吹き付けることにより、第１の金属皮膜の表面に、前記金属粉末からなる第２の金属皮膜１３を成膜する第２成膜工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子で発生した熱を、簡易な構成で更に効率良く外部に放散させることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体装置１０は、一方の主面１２ｐが大気に露出している金属板１２と、金属板１２の他方の主面１２ｑ上に形成され、高熱伝導絶縁樹脂で構成される絶縁層１４と、絶縁層１４上に形成された導体パターン１６と、導体パターン１６に実装された半導体素子２０と、導体パターン１６に接合されたリードピン２２と、金属板１２の他方の主面１２ｑ側を覆う樹脂部２４と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】。セラミック基板１１を挟む配置で、表裏面に放熱用金属部材３１と回路用金属層２１が、それぞれロウ付けされてなる接合構造を有する放熱部品で、構造の複雑化や電気的絶縁の問題もなく、セラミックと、放熱用金属部材金属又は回路用金属層との接合面の外周端縁において、その接合面を挟む両部材の剥離や開口の発生を防ぐ。
【解決手段】セラミック基板１１と放熱用金属部材３１とを、この２部材の接合面の外周端縁１４ａ、又は外周端縁寄り部位で、厚み方向に樹脂で挟む樹脂製挟み付け体４１を形成した。この樹脂製挟み付け体４１がある分、熱サイクルで剥離等を起こすのが抑制される。 （もっと読む）

【課題】 支持基板と金属からなる回路部材および放熱部材との接合強度が高い回路基板を提供する
【解決手段】 支持基板１の第１主面に回路部材２を、第２主面に放熱部材３をそれぞれ直接接合により設けてなる回路基板10であって、支持基板１は、窒化珪素質焼結体からなり、第１主面および第２主面に珪素を含む多数の粒状体１ｂが一体化しており、粒状体１ｂの一部から、窒化珪素を主成分とする針状結晶１ｃまたは柱状結晶１ｄが複数伸びている回路基板である。 （もっと読む）

【課題】放熱性を向上させることが可能で、且つ、種々の形状に変形可能な実装基板を提供する。
【解決手段】実装基板２は、第１金属板により形成され電子部品を一面側に搭載可能な伝熱板２１と、第２金属板により形成されてなり伝熱板２１の他面側に配置され電子部品を電気的に接続可能な配線パターン２２と、伝熱板２１と配線パターン２２との間に介在する絶縁層２３と、を備えている。そして、実装基板２は、配線パターン２２が、電子部品を電気的に接続可能な複数の単位パターン２２ｕと、単位パターン２２ｕの並設方向に直交する規定方向の一端側において単位パターン２２ｕどうしを連結し且つ電気的に接続する連結片２２ｃと、上記規定方向の他端側が開放され連結片２２ｃに至る第１スリット２２ｄと、を有し、伝熱板２１が、第１スリット２２ｄに重なる第２スリット２１ｄを有している。 （もっと読む）

【課題】放熱性を向上させることが可能で、且つ、種々の形状に変形可能な実装基板を提供する。
【解決手段】実装基板２は、第１金属板により形成され電子部品を一面側に搭載可能な伝熱板２１と、第２金属板により形成されてなり伝熱板２１の他面側に配置され電子部品を電気的に接続可能な配線パターン２２と、伝熱板２１と配線パターン２２との間に介在する絶縁層２３と、を備えている。実装基板２は、配線パターン２２が、電子部品を電気的に接続可能な複数の単位パターン２２ｕと、単位パターン２２ｕの並設方向に直交する規定方向の一端側において単位パターン２２ｕどうしを連結し且つ電気的に接続する連結片２２ｃと、上記規定方向の他端側が開放され連結片２２ｃに至る第１スリット２２ｄと、を有し、伝熱板２１が、第１スリット２２ｄに重なる第２スリット２１ｄを有している。絶縁層２３は、第１スリット２２ｄに重なる第３スリット２３ｄを有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板の割れを防止し、かつ従来に比べて放熱性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】ネジ止めされる方形状の金属製ベース板１００の主面１００ａには、発熱性の半導体素子５，６を実装した絶縁基板２が接合される半導体装置１１０であって、金属製ベース板は、対向する二辺１００ｂ、１００ｃにそれぞれ隣接して、当該金属製ベース板を貫通するネジ止め用貫通穴１０１ａ、１０１ｂを有するとともに、一方のネジ止め用貫通穴１０１ａと絶縁基板との間に１本の凹状の溝１０２を有し、該溝は、金属製ベース板の対向する二辺に沿った絶縁基板の一辺２ｂに沿って直線状に延在する。 （もっと読む）