【課題】ヒートシンクが設置された半導体装置の冷却効率を向上させる。
【解決手段】半導体装置１００は、配線基板１２０、半導体チップ１４０、封止樹脂１８０、及びヒートシンク２００を有する。配線基板１２０は、本実施形態では金属性のリードフレームである。半導体チップ１４０は、電極パッドが上を向いている状態で、配線基板１２０上に搭載されている。封止樹脂１８０は、配線基板１２０と半導体チップ１４０を封止するための樹脂である。また、ヒートシンク２００は、封止樹脂１８０の半導体チップ１４０側に設けられている。ヒートシンク２００は、ベース板部２２０と、少なくとも一つ以上のフィン２４０を備える。ベース板部２２０は、封止樹脂１８０上面とは重なっていない延出領域２０２を有し、フィン２４０は、少なくとも延出領域２０２に設置されている。 （もっと読む）

【課題】ＷＬＰのヒートスプレッダによる放熱効率を高める。
【解決手段】半導体装置１が、集積回路を主面１１ａ側に有した半導体基板１１と、パッシベーション膜１３上の被覆した絶縁膜１４上に形成された配線２３、及び電極２５と、電極２５以外を覆う遮光性の封止層２６と、半導体基板１１の裏面１１ｂに設けられたヒートスプレッダ３０と、を備える。ヒートスプレッダ３０の縁寄り部分３３が半導体基板１１の裏面１１ｂの縁からはみ出ている。 （もっと読む）

【課題】バリの発生や突出を抑えること。
【解決手段】放熱板５の方向Ｙのライン５ａの幅の中心５ｃは、配線基板１の方向Ｙのライン１ａの幅の中心１ｃに対して、方向Ｘに設定距離ＳＬだけずれている。工程（Ｓ５）では、ブレード６により方向Ｙのライン５ａを切断し、ブレード６により方向Ｘとは逆方向に向かって、方向Ｘのライン５ａを切断する。工程（Ｓ７）では、その厚みがブレード６の厚みよりも薄いブレード９により、方向Ｘ、Ｙのライン１ａに従って樹脂封止体（１〜５）を切断する。本発明では、工程（Ｓ５、Ｓ７）により、配線基板１から放熱板５へのバリやその逆のバリの発生を抑えることができ、ブレード９の厚みをブレード６の厚みよりも薄くして、中心５ｃを中心１ｃに対して方向Ｘに設定距離ＳＬだけずらすことにより、配線基板からバリが突出するのを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】レーザー光による熱的ダメージを半導体素子に与えないようにする。
【解決手段】基材４１上に形成された絶縁膜１１にレーザー光を照射することによってビアホール１２を形成し、半導体素子３に形成された電極４をビアホール１２に位置合わせして、半導体素子３及び電極４を接着剤層１３によって絶縁膜１１に接着し、基材４１を絶縁膜１１から除去し、ビアホール１２に向けてレーザー光を照射することによって、電極４まで通じる第２ビアホール１４を接着剤層１３に形成し、絶縁膜１１に配線１５をパターニングして、配線１５の一部をビアホール１２及び第２ビアホール１４に埋めて電極４に接触させる。 （もっと読む）

【課題】
小型機器中で性能向上または維持の核となる小型ＣＰＵ，ＡＳＩＣなどの比較的駆動電力の高い半導体集積回路のコア又はパッケージに例えばアルミ板や銅板などの高い熱伝導率を有する伝熱用金属板を介して、赤外領域での高い放射率を有する固体アルミナ材料を接触させ、熱エネルギーを赤外光に変換して放出する放射冷却を利用した冷却装置を提供する。
【解決手段】
半導体集積回路のコア又はパッケージの表面に載置する伝熱用金属板と、前記伝熱用金属板に更に載置する放射冷却用の放射率０．８以上のアルミナ材を主成分とするアルミナ板とから構成される冷却装置であり、前記伝熱板の面積及び前記アルミナ板の面積が、前記コア又はパッケージの表面の面積よりも大きいことを特徴とする半導体集積回路の冷却装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの一方の板面にヒートシンクを熱的に接続し、半導体チップの他方の板面にて半導体チップを基板に接続してなる半導体装置において、放熱性の向上を図る。
【解決手段】ダイシングライン２で区画されるチップ形成領域１を一面に複数個有する半導体ウェハ２００を用意し、チップ形成領域１と同じ平面形状をなし、外周端部にて板面直交方向に突起部２１を有する板状のヒートシンク２０を用意し、半導体ウェハ２００におけるダイシングライン２を跨ぐ位置に穴部１１を形成し、各チップ形成領域１および穴部１１の内面に、同時にはんだ濡れ性を有する金属膜１０ａを配置し、その上に、はんだ６０を配置し、各チップ形成領域１に対して、突起部２１を穴部１１に挿入した状態でヒートシンク２０を搭載した後、はんだ６０を溶融させてヒートシンク２０をはんだ付けし、次に、半導体ウェハ２００をダイシングする。 （もっと読む）

【課題】 回路基板に実装された電子部品を外部応力から保護することができる。
【解決手段】 筐体２０Ａと、前記筐体に収容された回路基板２０１と、複数の半田ボール２１０が設けられた一方の面２０２ａと、この一方の面とは反対側の他方の面２０２ｂとを有し、前記半田ボール２１０を介して前記回路基板２０１に電気的に接続された半導体パッケージ２０２と、前記半導体パッケージ２０２の前記他方の面２０２ｂを覆った保護カバー２０３と、前記半導体パッケージ２０２の周囲に設けられたことで前記回路基板２０１と前記保護カバー２０３とに接合した、柔軟性を有する粘着部材２０４と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体チップへのダメージを回避し、放熱特性の劣化を防止し、カバーフィルム剥離を容易化する半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板の第１の面上に、バンプを介して接合された半導体チップと、上記基板の第１の面上で上記半導体チップの一部を囲うリング部材と、上記リング部材の上面及び下面に配置された第１接着用テープ及び第２接着用テープと、上記リング部材及び第１接着用テープの上部に積層され上記半導体チップの裏面上部の一部を覆うヒートスプレッダー板と、上記半導体チップ裏面と上記ヒートスプレッダー板との間を充填する放熱性樹脂を有する。上記リング部材は、上記第２接着用テープにより上記基板の第１の面上に接着され、上記半導体チップは中空部内に配置され、上記第１接着用テープに一箇所のみ設けられたスリットを介して上記中空部が外部に開放される。 （もっと読む）

【課題】良好な熱伝導性を示すとともに、低コストで製造可能な金属層間に挟まれたダイを有することを特徴とする半導体装置用のフリップチップ型パッケージを提供する。
【解決手段】一方の金属層２２４は、ハンダボール接点を介してダイ２０２（例えば、ＩＣパッドあるいはＭＯＳＦＥＴのゲートまたはソースパッド）の第１の表面で種々のパッドに電気的かつ熱的に接続されるように構成されたリードフレームの部分を有する。他方の金属層２２６は、ダイ２０２の反対側と少なくとも熱的に接続される。本発明に係るパッケージの実施形態は、優れた放熱特性を示し、その上、ワイヤボンドにかかる費用を抑制している。本発明の実施形態は、特に、パワーデバイスのパッケージに適する。 （もっと読む）

【課題】 高温時のウェーハ反りを抑制し、チッピングや欠けを回避した自己発熱を半導体基板裏面から放熱できる放熱特性改善がされた薄型半導体装置及び製造が容易なその製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の素子領域及び当該素子領域を区画する素子分離領域１４を有する半導体基板９と、素子領域に形成された半導体素子とを有する。素子分離領域は、ＤＴＩ(Deep Trench Isolation) 構造であり、その底面は半導体基板９裏面に露出し、その内部は空洞になっている。この半導体基板は半導体素子を形成後に半導体基板裏面を素子分離領域１４の底面が露出するまで研磨もしくはエッチングして半導体基板９を薄くすると共に素子分離領域１４内部を空洞にする。 （もっと読む）

半導体アセンブリは、ヒートシンクおよびヒートシンクの表面に配置されて、第１の表面の露出部分を画定する第１のパターンポリマー層を備えた第１のサブアセンブリを含む。第１の表面の露出部分は、第１の層からヒートシンク表面に沿って半径方向内側に延びる。サブアセンブリは、第１のパターンポリマー層の半径方向外側部分に配置された第２のパターンポリマー層も含む。第１および第２の層は、パワー半導体ダイを収容するためのセルを画定する。はんだ材料が、セル内のヒートシンク表面の露出部分上に配置される。パワー半導体ダイが、セル内の第１の層の半径方向内側部分に配置され、はんだ材料によりヒートシンクに熱的に結合される。 （もっと読む）

【課題】高放熱性を実現しながら、モールド樹脂の流動による隣接ワイヤの相互接触を防止し、さらに、ワイヤの高さバラツキによるワイヤと放熱板の接触によるショートを防止することを目的とする。
【解決手段】放熱板１０の半導体素子３と対向する面に絶縁樹脂９を設け、グラウンドだけでなく、電源や信号端子に接続するワイヤ８を絶縁樹脂９を介して放熱板１０と熱的に接触させることにより、高い放熱性を実現することができる。この際、樹脂封止の前にワイヤ８を包含した状態で絶縁樹脂９を硬化させることにより、ワイヤ８を固定することができ、半導体素子３のパッド４のピッチが狭い場合であっても、モールド樹脂１２の流動時に、隣接するワイヤ８が相互に接触してショートに到ることを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】放熱のための構成（ヒートシンク）を採用することによる製造工程数の増加を少なく抑えることができる、半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ２の裏面に、銅ナノペーストを用いたインクジェット印刷により形成されるヒートシンク４を備えている。したがって、半導体チップ２からの発熱は、ヒートシンク４の全体に速やかに拡散し、ヒートシンク４の表面から放出される。また、ヒートシンク４は、凹凸形状に形成されることにより表面積の拡大が図られている。そのため、ヒートシンク４に拡散（伝播）する熱をヒートシンク４の表面から効率よく放出することができる。よって、半導体装置１は、半導体チップ２からの発熱に対する優れた放熱性を発揮することができる。 （もっと読む）

【課題】内蔵された半導体チップで発生する熱を外部へ効率的に放熱できる構造を備えた部品内蔵多層回路基板を提供する。
【解決手段】コア基板上に複数の配線層と絶縁層とを交互に積層して成り、回路部品として少なくとも半導体チップを内蔵する部品内蔵多層回路基板において、
半導体チップはその回路面を積層方向に対して順方向である上向きにして配置されており、
（１）半導体チップの裏面が伝熱層により直下の層に接合されている構造と、
（２）半導体チップの回路面上に形成された伝熱ビアが、回路基板の上面に露出して設けられた放熱板と熱的に接続されている構造および（３）半導体チップの回路面上に形成された伝熱ビアが、回路基板の側面に露出して設けられた放熱板と熱的に接続されている構造のうちの少なくとも一方と
を組み合わせた構造を備えている。 （もっと読む）

【課題】高い放熱性があり、表面実装型で発熱を伴う高速ＭＰＵチップを実装するＩＣパッケージと電子回路基板の端子を接続させるための異方導電性ゴムコネクタ及びこれを用いた電気接続方法を提供する。
【解決手段】回路基板(3)の電極(10)とボールグリッド形状(6)の電極構造の半導体(2)とを圧接接続するための異方導電性ゴムコネクタ(1)であって、ゴムコネクタ(1)は導電ゴム層と電気絶縁ゴム層からなる積層部、及び前記積層部の間に存在する電気絶縁ゴムからなるサポート部を含み、前記電気絶縁ゴム層又は前記電気絶縁ゴムからなるサポート部は、電気絶縁性の熱伝導性粒子を含み、半導体(2)からの発熱を前記電気絶縁ゴム層又は前記電気絶縁ゴムからなるサポート部から放熱する。 （もっと読む）

【課題】本発明はプリント板放熱装置に関し、放熱フィン拡大やファン高回転処理をせずに、プリント板ユニット構造で放熱方法を工夫することにより、放熱効率を上げ、且つ低コスト、低騒音を実現することができるプリント板放熱装置を提供することを目的としている。
【解決手段】高発熱ＬＳＩ３の上部に接着された第１の放熱フィン４と、高発熱ＬＳＩ３がその上に搭載されているプリント板１の内部に高発熱ＬＳＩ３の熱を逃がす内層パターンと、該内層パターンから伝達された熱を放熱するために、プリント板１上に接着された第２の放熱フィン２５と、を設けて構成される。この結果、高発熱用ＬＳＩの十分な放熱が可能となる。 （もっと読む）

【課題】放熱性が向上された半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体基板１１と、半導体基板１１の上面（第２主面）に搭載されたヒートシンク（放熱体）と、半導体基板１１の下面（第１主面）に形成された配線１４等を具備している。ヒートシンク１７は、半導体基板１１の上面に搭載され、その平面的な大きさは半導体基板１１と略同一である。また、ヒートシンク１７の厚みは、５００μｍ〜２ｍｍであり、半導体基板１１よりも厚く形成されても良い。ヒートシンク１７により補強されることで、半導体基板１１を例えば５０μｍ程度に薄くすることができるので、結果的に半導体装置１０全体を薄くすることができる。 （もっと読む）

【課題】温度上昇を防ぐことができる半導体装置および半導体装置実装基板を提供する。
【解決手段】半導体基板１は、半導体基板１上に設けられた保護膜２と、この保護膜２上に設けられた絶縁層５と、この絶縁層５上に配された導電層８とを備えており、絶縁層５には発生した熱を外部に効率よく放出するための放熱用開口部４が形成され、放熱用開口部４内には伝熱用導電層９と伝熱用導電層９の表面に形成された放熱部６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の放熱性を向上させる。
【解決手段】半導体装置１０は、動作時に発熱する高発熱領域１３が存在する半導体基板１２と、複数の電極パッド１６を配列されて露出させるチップ絶縁膜１８と、チップ絶縁膜上に設けられている第１絶縁膜２０と、高温領域１２ａａを含んで覆う熱伝導配線部２４、及び第１端部が電極パッドに電気的に接続されていて、電極パッドの配列の内側である第１絶縁膜上に存在して延在している複数の配線部を含む再配線層２２と、第１絶縁膜上に設けられている第２絶縁膜２８と、熱伝導配線部に接続されている熱伝導端子３４と、配線部の一部分に電気的に接続されている複数の搭載端子３６とを具えている。 （もっと読む）

【課題】 薄片化したチップの機械的強度を向上させたメモリモジュールを提供する。
【解決手段】 情報を格納するためのメモリコアチップ１０ａ〜１０ｄと、データの入出力を制御するインターフェースチップ３０と、外部との間でデータを送受信するインターポーザチップ４０と、インターポーザチップの最近傍に設けられた外部接続用端子４６とを有するメモリモジュールにおいて、インターフェースチップ３０の最近傍に放熱板２０が設けられ、インターポーザチップ４０は、メモリコアチップと同質の半導体材料を基板とし、一方の面に外部接続用端子を保持するためのランド４１、外部用接続端子に接続された配線４４、および配線を絶縁するための絶縁膜が一体形成されている構成である。 （もっと読む）