【課題】低消費電力で、高データ転送レートの差動信号を受信可能なデータ受信回路（レシーバ回路）の提供。
【解決手段】差動形式でデータ転送される２値信号を第１、第２の入力に受ける、第１導電型の第１、第２のトランジスタ（Ｍ８１、Ｍ８２）を含む差動対と、前記差動対の第１、第２の出力に接続され、ダイオード接続された、第２導電型の第１、第２のトランジスタ（Ｍ８３、Ｍ８４）よりなる負荷回路と、前記第２導電型の第１、第２のトランジスタ（Ｍ８３、Ｍ８４）に流れる電流（Ｉａ、Ｉｂ）のそれぞれに対応した電流（Ｉｃ、Ｉｄ）にて、出力端子（６）を充電、放電する出力回路（Ｍ８７、Ｍ８８）と、出力電流が、前記第２導電型の第１、第２のトランジスタの少なくとも１つに入力される電流供給回路（Ｍ１１、Ｍ１２）を備えている。 （もっと読む）

【課題】ソースフォロワー型アナログバッファ、補償動作方法およびディスプレイを提供する。
【解決手段】能動負荷を備えるソースフォロワー型アナログバッファ、新しい補償動作、および該ソースフォロワー型アナログバッファを複数備えたディスプレイを、アナログバッファの入力電圧と出力電圧の差である誤差電圧を抑制するべく、提供する。該ソースフォロワー型アナログバッファはまた、充電時間およびデバイス特性両方に基づくバラツキを最小限にとどめ、入力電圧の範囲を最大限に大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】逆起電圧を吸収するに際しても発熱が生じるのを防止するようにした誘導性負荷の駆動装置を提供する。
【解決手段】外部供給電源１２と誘導性負荷１４の間に介挿される第１のスイッチング素子２８、誘導性負荷１４とアース２４の間に介挿される第２のスイッチング素子３０、第１のスイッチング素子２８と誘導性負荷１４との間で分岐してアース２４に接続される電路４０を有すると共に、第１のスイッチング素子２８がオフ、第２のスイッチング素子３０がオンされるとき、誘導性負荷１４の逆起電圧によって生じる逆起電流をアース２４に還流させる還流回路１８、さらに誘導性負荷１４と第２のスイッチング素子３０との間で分岐して外部供給電源１２に接続される電路４４を有すると共に、第１、第２のスイッチング素子２８，３０がオフされるとき、逆起電流を外部供給電源１２に還元する逆起電流還元回路２０を備えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 入力切替時に発生するボツ音ノイズを低減させる。
【解決手段】スイッチＳ１１〜Ｓ１４を有する第１の切替回路１５と、演算増幅器１６と、スイッチＳ１５，Ｓ１６を有する第２の切替回路１７とを設け、第１の切替回路１５のスイッチの１個をオフさせ別の１個をオンさせて入力切替を行うとき、第２の切替回路１７のスイッチの１個をオフさせ別の１個をオンさせてボツ音ノイズを発生させ、該ボツ音ノイズにより第１の切替回路１５の入力切替時に発生するボツ音ノイズを、演算増幅器１６において同相除去させる。 （もっと読む）

【課題】従来の電源電圧選択回路は、電源電圧を切り替えたとき電源電圧の変動が発生し電子回路の誤動作を起こしていた。
【解決手段】本発明の電源電圧選択回路は、電源選択部と電源変動抑制部とを有している。電源選択部は異なる２つの電源電圧を切り替える。電源変動抑制部は、電源選択部の電圧出力と基準電位との間に接続するアナログスイッチ回路を有している。このアナログスイッチ回路は、アナログスイッチとこのアナログスイッチを制御する駆動電圧発生部を有している。このような構成とすることによって、電源電圧の切り替えの際に生じる電源電圧の変動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失の減少や、サージ電圧の低下を図ることができる新たな技術を提案する。
【解決手段】電圧駆動型半導体素子（ＩＧＢＴ１）の駆動方法であって、前記電圧駆動型半導体素子のターンオン又はターンオフの指令のタイミングからサージ電圧発生のタイミングまでのサージ期間（ターンオン時間ｔＯＮ／ターンオフ時間ｔＯＦＦ）を記憶し、次回のターンオン時又はターンオフ時において、今回記憶したターンオン時又はターンオフ時における前記サージ期間に基づいて、前記電圧駆動型半導体素子の実効ゲート抵抗値を変更する、こととするものである。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチ素子の有する非線形性によって引き起こされる信号歪を極めて小さく抑える。
【解決手段】入力端子ＩＮａと、入力端子ＩＮａに一端を接続する直列接続された抵抗素子Ｒ１ａ、Ｒ２ａと、抵抗素子間の接続点に一端を接続する半導体スイッチ素子ＳＷ１ａと、抵抗素子Ｒ１ａ、Ｒ２ａの他端に一端を接続する半導体スイッチ素子ＳＷ２ａ、ＳＷ３ａと、から構成される回路群を複数備える。それぞれの回路群中の半導体スイッチ素子ＳＷ１ａ、ＳＷ１ｂ、・・ＳＷ１ｎの他端を共通に反転入力端子と接続し、それぞれの回路群中の半導体スイッチ素子ＳＷ２ａ、ＳＷ２ｂ、・・ＳＷ２ｎの他端を共通に出力端子と接続する演算増幅器ＯＰと、それぞれの回路群中の半導体スイッチ素子ＳＷ３ａ、ＳＷ３ｂ、・・ＳＷ３ｎの他端を共通に接続する出力端子ＯＵＴと、を備える。 （もっと読む）

【課題】低発熱かつ低ノイズのスイッチング動作を実現することができる負荷駆動用制御装置を提供すること。
【解決手段】モータ１６に供給する電流のスイッチングを行うＭＯＳＦＥＴ_11-14と、ＭＯＳＦＥＴ_11-14のドレイン−ソース間電圧の目標制御値に関する情報が記憶された記憶手段と、ＭＯＳＦＥＴ_11-14の１スイッチング周期内の所定時間毎にＭＯＳＦＥＴ_11-14のドレイン−ソース間電圧を検出する電圧検出手段と、電圧検出手段により検出されたドレイン−ソース間電圧と、ドレイン−ソース間電圧の目標制御値に関する情報とに基づいて、ＭＯＳＦＥＴ_11-14のゲートＧへの出力電圧を演算する演算手段と、演算手段により演算された出力電圧に対応した信号をＭＯＳＦＥＴ_11-14のゲートＧに出力する信号出力手段とを装備する。 （もっと読む）

【課題】パワーオン回路の提供。
【解決手段】Ｉ／Ｏ電圧の印加によって、該Ｉ／Ｏ電圧が検出電圧以下である場合に低電位のＩ／Ｏ電圧検出信号を出力し、前記Ｉ／Ｏ電圧が検出電圧以上である場合に高電位のＩ／Ｏ電圧検出信号を出力するＩ／Ｏ電圧検出部２１０と、コア電圧の印加によってコア電圧検出信号を出力するコア電圧検出部２２０と、前記Ｉ／Ｏ電圧が検出電圧以下である場合にＩ／Ｏグラウンド電位のパワーオン信号を出力し、前記Ｉ／Ｏ電圧が検出電圧以上である場合にＩ／Ｏ電圧レベルのパワーオン信号を出力し、前記コア電圧（ＶＤＤ）が検出電圧以上になると、高電位のＩ／Ｏ電圧検出信号を用いてＩ／Ｏグラウンド電位のパワーオン信号を出力するパワーオン信号発生部２３０と、を備える構成とした。 （もっと読む）

【課題】 従来のドライバ回路では、ＣＭＬ回路の出力振幅や中点電圧等の出力電圧を制御することが困難であった。さらに、従来のドライバ回路では、ＣＭＬ回路における出力電圧のハイレベルが電源電圧からドロップしていた。
【解決手段】 ドライバ回路は、差動入力信号の振幅を変換して差動出力信号を出力する振幅変換部と、前記差動出力信号の振幅を設定する振幅設定部と、前記差動出力信号の振幅の中心値を設定するコモン電圧設定部とを有する。 （もっと読む）

【課題】逆電流の発生を検出してから該逆電流を遮断するまでの遅延時間の短縮を図ることができ、効率を向上させることができる同期整流型スイッチングレギュレータを提供する。
【解決手段】第２のスイッチング素子Ｍ２と第３のスイッチング素子Ｍ３との接続部Ｌｘ３の電圧に基づいて、逆電流発生の兆候、又は逆電流発生を検出した場合は、コンパレータ３３により第３のスイッチング素子Ｍ３をオフさせ、第２のスイッチング素子Ｍ２と接地電圧との接続を遮断するようにし、出力端子ＯＵＴから接地電圧への逆電流をなくすようにした。 （もっと読む）

【課題】誤動作を防止し、パワーＭＯＳを安定して立ち上げる。
【解決手段】パワーＭＯＳトランジスタＭ９０のゲート／ソース間に付加される過熱遮断回路５０であって、過熱遮断回路５０は、ドレインが抵抗Ｒ２３を介してパワーＭＯＳトランジスタＭ９０のゲート１０１に接続され、ゲート／ソース間にダイオードＤｎが接続されたＭＯＳトランジスタＭ２１を有し、パワーＭＯＳトランジスタＭ９０の温度を検出する温度検出回路２０と、ゲートがＭＯＳトランジスタＭ２１のドレインに接続され、ゲート／ソース間電圧が閾値電圧を超えることによってパワーＭＯＳトランジスタＭ９０を遮断するために設けられたＭＯＳトランジスタＭ３１とを備え、ＭＯＳトランジスタＭ３１のゲート／ソース間に、抵抗Ｒ３２が接続されている。 （もっと読む）

【課題】低消費電流で高精度の電源検出回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】第１電源電圧で動作するスタートアップ回路、自己バイアス型定電流源、基準電圧生成部及び電圧比較回路を有する。上記自己バイアス型定電流源は、第１トランジスタと第２トランジスタのしきい値電圧の差電圧に対応した定電流を第１抵抗素子で形成して第２トランジスタ及び電流ミラー回路を介して上記第１トランジスタにも流す。上記基準電圧生成部は、上記定電流を用いて基準電圧を形成して上記電圧比較回路に供給する。電圧比較回路は、上記基準電圧と第２電源電圧を比較して電源検出信号を形成する。上記スタートアップ回路は、上記第１電源電圧が上記基準電圧以下の所定電圧に到達するまでの間だけ上記基準電圧が上記第１電源電圧に対応した電圧となるような起動電圧を形成する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子として電圧制御型トランジスタを備えた駆動回路において、回路規模の大型化や制御装置の処理負荷の増加を招くことなく、スイッチング素子の発熱を抑制しつつスイッチングノイズを低減できるようにする。
【解決手段】エンジンＥＣＵのＭＰＵ２から出力されるチャージ駆動信号によりチャージＳＷ２６がオン／オフされて、コンデンサ２８にインジェクタ４開弁用の高電圧を蓄積するインジェクタ駆動回路において、チャージＳＷ２６を構成しているＭＯＳＦＥＴのゲート抵抗として、ＮＴＣ型のサーミスタ３０を用いる。この結果、チャージＳＷ２６の低温時には、ゲート抵抗が大きくなってスイッチングノイズが抑制され、チャージＳＷ２６の温度が上昇すると、ゲート抵抗が低下して、チャージＳＷ２６の発熱が抑制される。 （もっと読む）

【課題】内部電源電圧の遮断及び遮断解除の条件取得と外部電源投入時の過渡状態等における不安定状態の検知との双方に電圧検出を利用する。
【解決手段】電源回路（３）は外部電源電圧を降圧して内部電源電圧を生成する。低レベル検出回路（３３）は電源回路から内部回路（２）に供給される内部電源電圧が第１レベルよりも低い状態を検出する。高レベル検出回路（３０〜３２）は電源回路から内部回路に供給される内部電源電圧が第１レベルを超えた第２レベルよりも高い状態を検出する。制御回路（４）は電源回路による内部回路への内部電源電圧の遮断と遮断解除のシーケンス制御並びにレベルアップシフタ（１７）の活性化と非活性化の制御を行い、低レベル検出回路による低い状態の検知に応答してレベルアップシフタを非活性化し、高レベル検出回路による高い状態の検知を前記遮断解除の条件とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、並列に接続された負荷それぞれに対して出力する電流値を同等の値とすることができるとともに、広い周波数帯域のＰＷＭ制御信号によっても安定して動作することができる電源回路装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 安定化電源回路２より電圧供給される負荷３，４それぞれに直列に接続されたＭＯＳトランジスタＴ１，Ｔ２と、このＭＯＳトランジスタＴ１，Ｔ２のゲートに一端が接続されたスイッチ６と、スイッチ６の他端に接続された電流設定回路５とを備える。電流設定回路５の内部回路とＭＯＳトランジスタＴ１，Ｔ２がカレントミラー回路を構成し、スイッチ６がＰＷＭ制御信号に基づいてＯＮ／ＯＦＦ切換動作を行う。 （もっと読む）

【課題】周辺の出力端子の状況による立ち上がり／下がり時間の変化を抑制する。
【解決手段】電流源１０１が『オフ』になり電流源１０２が『オン』になると、カレントミラー構造である入力トランジスタ１０３，１０４に流れる電流が停止する。よって、出力トランジスタ１０５ｐのゲート電圧が『第２の電位』の近傍になるまでの間、出力トランジスタ１０５ｐのゲートと電流源１０２との間には定電流が流れる。定電流『Ｉ』と出力トランジスタ１０５ｐのゲート−ドレイン間容量『Ｃ』とで規定される電圧Ｖｏのスルーレート『Ｉ／Ｃ』に比べて、出力トランジスタ１０５ｐの電流能力『ｉ』と負荷容量『ＣＬ』とで規定される電圧Ｖｏｕｔのスルーレート『ｉ／ＣＬ』が大きい場合、出力トランジスタ１０５ｐのドレイン電圧Ｖｏｕｔは、ゲート電圧Ｖｏの変化（スルーレート『Ｉ／Ｃ』）に合わせて変化する。 （もっと読む）

【課題】出力素子が負荷に供給する駆動電圧の温度によるばらつきを減少する負荷駆動回路を提供する。
【解決手段】第１の電圧を供給する電源１２と、電源１２に接続され、所定の負荷２０を駆動するための駆動電圧を出力する出力素子１３と、電源１２と出力素子１３との間に接続された温度補償回路と、を備え、温度補償回路は、第１の電圧に対して出力素子１３の温度に応じたオン抵抗による電圧降下の補償を行って第２の電圧に変圧し、出力素子１３は、第２の電圧が供給され、当該第２の電圧に基づいた駆動電圧を負荷２０に供給する。 （もっと読む）

【課題】高い精度でプルアップ電流とプルダウン電流の電流値を一致させることが可能な高精度プルアップ／プルダウン回路を提供する。
【解決手段】高精度プルアップ／プルダウン回路１は、ＰチャネルトランジスタＴＰ１，ＴＰ２と、ＮチャネルトランジスタＴＮ１，ＴＮ２と、参照電圧源１１と、制御回路１２とから構成される。制御回路１２は、演算増幅回路の構成であり、−入力端子にノードＮＡ，ＮＢの電圧であるＶｒｅｆが入力され、フィードバック構成によりＰチャネルトランジスタＴＰ２とＮチャネルトランジスタＴＮ２の接続点（Ｃ点）の電圧がＶｒｅｆと等しくなるように制御される。このとき、電流Ｉｐｕｏと電流Ｉｐｄｏの電流値が等しく、電流Ｉｐｕｏが正確に電流Ｉｐｕにミラーされ、且つ電流Ｉｐｄｏが正確に電流Ｉｐｄにミラーされるため、プルアップ電流Ｉｐｕとプルダウン電流Ｉｐｄの電流値を高精度に一致させることができる。 （もっと読む）

【課題】 動作速度を犠牲にせず、半導体集積回路の出力信号のリンギングを低減する。
【解決手段】 リンギング低減回路４０ＮＡは、出力信号線１２０および低電位電源線１１２間のＮチャネルトランジスタ４０１と、コンパレータ４１０とを有する。コンパレータ４１０は、出力信号ＯＵＴを高電位電源線１１１のレベルＰＶＤＤＩと比較し、出力信号ＯＵＴがレベルＰＶＤＤＩを越えるオーバシュートが発生しているとき、Ｎチャネルトランジスタ４０１をＯＮ状態とし、オーバシュートを低減する。リンギング低減回路４０ＰＡは、同様の原理により、出力信号ＯＵＴのアンダシュートを低減する。 （もっと読む）