【課題】インダクタンス素子に起因して発生する起動時の異常発振を効率的に抑えることが可能な発振回路、発振器、電子機器及び発振回路の起動方法を提供すること。
【解決手段】発振回路１は、共振子（ＳＡＷ共振子１０）と、増幅回路２０と、スイッチング素子（ＮＭＯＳスイッチ３０）と、を含む。増幅回路２０は、共振子の一端から他端への帰還経路、当該帰還経路に設けられている第１のインダクタンス素子（伸長コイル２００）、当該帰還経路に設けられ、第１のインダクタンス素子と直列に設けられている可変容量素子（可変容量ダイオード２０２）、を有している。スイッチング素子は、第１のインダクタンス素子と可変容量素子とを含む回路部に対して並列に設けられている。 （もっと読む）

【課題】集積回路上に構成可能で、容量可変比率が大きくかつＱ値が高く、ＶＣＯを構成した時に直線性の高い制御電圧と発振周波数の関係を実現する電圧可変型容量を提供すること。
【解決手段】下部電極を共通接続した複数のＭＯＳ型容量素子（CM1〜CMn）と、該複数のＭＯＳ型容量素子の上部電極に一端を接続し、他端を共通接続する同数の非電圧可変型容量（C1〜Cn）と、これらのＭＯＳ型容量素子と非電圧可変型容量の接続点に夫々異なる固定バイアス電圧を与える手段（VB1〜VBn及び抵抗）により構成され、前記複数のＭＯＳ型容量の共通接続された下部電極に制御電圧を加える。 （もっと読む）

【課題】入力振幅の大きさに依存することなく適切な発振振幅を得ることができる、消費電流が少なく、かつ簡略化された周波数逓倍回路を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳインバータのＰＭＯＳＦＥＴ２１、ＮＭＯＳＦＥＴ２２の少なくともどちらか一方に流れる発振電流を個々に制御する電流制御用素子２３、２４と、発振電流の交流成分のみを通過させる容量１０、１１と、容量１０、１１を通過した交流信号を加算処理して逓倍信号を出力する加算手段とから成り、加算手段は、電流制御用素子２３、２４とともに基準電圧によりオフセットされているため、ＣＭＯＳインバータの各ＦＥＴに流れる電流を任意に制限することができ、入力振幅の大きさに依存しない適切な発振振幅を得られる。 （もっと読む）

【課題】粗調整用と微調整用のコンデンサを切り替えて発振回路の発振周波数を調整する際に、粗調整区間に生じるサイクルスリップに起因して発振周波数可変範囲が狭くなるのを回避可能なデジタルＰＬＬ回路及び半導体集積回路を提供することである。
【解決手段】インダクタンス素子に並列接続される容量素子の数を変えて発振周波数が制御される発振回路４と、基準クロック及びその遅延クロックと発振回路出力とをデジタル位相比較し、その比較結果に基づいて容量素子の並列接続数を制御し、発振回路出力の位相を基準クロック位相に近づける制御をする位相比較部６とを具備し、容量素子は、インダクタンス素子に並列接続可能な所定容量の粗調整用コンデンサ４３と、これに並列接続可能で粗調整用コンデンサの１／ｎ容量を有し、粗調整時に所定数の微調整用コンデンサが１つの粗調整用として制御される複数の微調整用コンデンサ４４を備える。 （もっと読む）

【課題】 基準周波数を生成する発振回路の発振周波数の変化を抑制可能な基準周波数制御回路を提供する。
【解決手段】 入力信号のレベルに応じた周波数で発振する発振回路からの発振信号が入力され、前記発振信号の周波数に応じた出力電圧を出力する周波数電圧変換回路と、前記出力電圧が所定レベルとなるよう前記入力信号のレベルを制御する制御回路と、を備えることを特徴とする基準周波数制御回路。 （もっと読む）

【課題】ＦＭチューナのステレオ復調部における、パイロット信号をキャプチャするＰＬＬを構成するＶＣＯを、ＣＲ発振回路を用いて構成すると、温度に応じた発振周波数の変動に対応してキャプチャレンジが大きく設定される。そのため、パイロット信号の近傍周波数のノイズ等にＰＬＬが誤って同期しやすくなる。
【解決手段】ステレオ復調部７６を含むチューナ半導体チップ内に温度センサ回路９４を設け、ＶＣＯ部位の温度を検知する。温度センサ回路９４の出力信号Ｓ_ＴＰに基づいて、ＶＣＯの発振周波数ｆ_ＶＣＯを調整し、温度によるｆ_ＶＣＯの変動を補償する。これによりキャプチャレンジの幅を、セラミックレゾネータ等を用いた場合のように狭く設定できる。 （もっと読む）

【課題】可変周波数範囲を大きくするために設けたコンデンサがフローティング状態になることを防止して、発振周波数近傍の位相ノイズの悪化を改善できるようにする。
【解決手段】可変周波数範囲を大きくするために設けた並列コンデンサＣ３に対して並列に第２のスイッチングトランジスタＰ１を設け、周波数切り替えのために並列コンデンサＣ３に対して直列に接続された第１のスイッチングトランジスタＮ２がオフにされたときに、第２のスイッチングトランジスタＰ１がオンとなるようにすることにより、第１のスイッチングトランジスタＮ２がオフにされたときは、第２のスイッチングトランジスタＰ１のパスによって短絡されるようにして、並列コンデンサＣ３がフローティング状態になることを防ぐことができるようにする。 （もっと読む）

【課題】０次共振周波数におけるＱ値の劣化を招くことなく、高次の共振周波数を減衰させることができる高周波共振器を得ることを目的とする。
【解決手段】入力端子１と出力端子２の間に縦続接続されている複数の直列共振回路３−ｎと、一端が複数の直列共振回路間の接続点に接続されて、他端が接地されている複数の並列共振回路４−ｍとから構成して、複数の直列共振回路３−ｎ内に抵抗６ａ，６ｂを装荷する。これにより、０次の共振周波数におけるＱ値の劣化を招くことなく、高次の共振周波数を減衰させることができる。 （もっと読む）

【課題】小型化で異常発振の発生を抑制できる逓倍発振回路を提供する。
【解決手段】水晶振動子Ｙ１を有し所定の周波数で発振する水晶発振回路１１と、水晶発
振回路１１の発振出力に含まれる所定の高調波出力に同調する同調回路１３と、増幅用ト
ランジスタＱ２とこの増幅用トランジスタＱ２コレクタ−ベース間に接続され自己バイア
ス機能とデカップリング機能を有する抵抗Ｒ４と、増幅用トランジスタＱ２コレクタに接
続され、増幅用トランジスタＱ２から出力される所定の高調波出力に同調する同調回路１
５と、同調回路１３と同調回路１５との間を結合する結合コンデンサＣ６とを備えるよう
にした。 （もっと読む）

【課題】出力電流Ｉｒｅｆがリファレンス抵抗器Ｒｒｅｆに反比例する電流源を用いてリファレンス電流源を構成しても、高精度な出力電圧を得ることができるタンク回路付高周波回路モジュールを提供する。
【解決手段】高周波増幅器は、タンク回路１、増幅回路１２、バッファ回路１３、リファレンス電流源１４を備える。タンク回路１は、インダクタＬｐ、キャパシタＣｐ、および調整用抵抗器Ｒｐが並列接続されたＬＣＲ並列回路からなり、扱う高周波信号の周波数がタンク回路１の共振周波数に設定されている。このような構成とすることで、高周波信号に対して、タンク回路１のインピーダンスはＲｐとなる。ここで、調整用抵抗器Ｒｐとリファレンス電流源１４のリファレンス抵抗器Ｒｅｆとを、同一チップの同層に同じ素材で形成することで、抵抗比Ｒｐ／Ｒｒｅｆが高精度になり、この抵抗比により設定される電圧利得Ａｖが高精度になる。 （もっと読む）

【課題】製作が容易で安価な多層基板の使用により高いＱ値の発振用共振器を構成でき、良好な位相雑音特性を実現可能なマイクロ波発振器を提供する。
【解決手段】ＦＲ４多層基板Ａ上の外層パターンに電気部品が搭載され、その上に、電気部品と干渉しないように窓ｂ１、ｂ２を空けた形状に加工された基板Ｂが重ねられ、このとき、上部基板ＢのＦＲ４多層基板Ａと接触する側には図示しないマイクロストリップラインの導体パターンが形成され、このマイクロストリップラインの導体パターンの端部の一部と多層基板の内層パターンの一部は、コンデンサを形成するように容量結合し、さらにその上に金属製ケースＣが重ねられ、ビスにより固定されるため、発振周波数の変動を防止でき、発振周波数帯の変更、微調整が容易にできる。 （もっと読む）

【課題】 発振動作を行う能動素子で生じたノイズを外部に逃がすことにより、ノイズや寄生発振を低減することができる発振器を提供する。
【解決手段】 所定の周波数で発振動作を行うことにより発振周波数ｆの発振信号Ｓｏｕｔを出力するトランジスタＱ１と、発振周波数ｆにおけるインピーダンスよりも、発振周波数ｆより低い周波数においてインピーダンスが低下するインピーダンス素子Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３と、コンデンサＣ６，Ｃ７，Ｃ８とを備え、トランジスタＱ１のコレクタ端子、ベース端子、及びエミッタ端子は、インピーダンス素子Ｚ１とコンデンサＣ６との直列回路、インピーダンス素子Ｚ２とコンデンサＣ７との直列回路、及びインピーダンス素子Ｚ３とコンデンサＣ８との直列回路をそれぞれ介してグラウンドに接続されるようにした。 （もっと読む）

【課題】 左手系デバイスによるカプラ２を用いることにより、小型化を維持しつつも、発振周波数の広帯域化を実現する高周波発振器を得る。
【解決手段】 左手系デバイスによるカプラ２は、ＦＥＴ１のゲート端子にポート１が接続され、そのポート１を入力ポートとした場合に、周波数帯域ｆｂ１に対しては、ポート２，４がアイソレーションポート、ポート３が通過ポートであり、周波数帯域ｆｂ２に対しては、ポート２が通過ポート、ポート３，４がアイソレーションポートとなるものである。共振回路４ａ、カプラ２のポート１，３、ＦＥＴ１および同調回路５を通じて周波数帯域ｆｂ１で発振し、共振回路４ｂ、カプラ２のポート１，２、ＦＥＴ１および同調回路５を通じて周波数帯域ｆｂ２で発振することができ、小型化を維持しつつも、発振周波数の広帯域化を実現する高周波発振器を得ることができる。 （もっと読む）