【課題】光導波路型の電気光学素子において、コア層となる電気光学材料に電荷が注入されるのを抑制し、電気光学素子の内部を伝搬する光ビームのビーム形状の歪みを防止することを目的とする。
【解決手段】本発明の電気光学素子１は、電気光学材料の薄膜をコア層４とし、コア層４から順に誘電体クラッド層と電極層７ａ，７ｂとを積層して構成される光導波路２からなる。誘電体クラッド層は、第一のクラッド層５ａ，５ｂと第二のクラッド層６ａ，６ｂからなる。第二のクラッド層６ａ，６ｂの誘電率は、第一のクラッド層５ａ，５ｂの誘電率より大きく、第二のクラッド層６ａ，６ｂの膜厚６ｄ_ｃｌは、第一のクラッド層５ａ，５ｂの膜厚５ｄ_ｃｌより厚く設定されている。 （もっと読む）

【課題】ＲＦ駆動電圧とともにＤＣバイアス電圧が小さい光変調器を提供する。
【解決手段】基板と、基板に形成された光導波路と、高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の中心電極及び接地電極を有する進行波電極と、バイアス電圧を印加するバイアス電極とを有し、光導波路には高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部とを具備し、高周波電気信号用相互作用部とＤＣバイアス用相互作用部の両方において光導波路に沿って基板の一部を掘り下げて形成された凹部によりリッジ部をなす光変調器において、高周波電気信号用相互作用部におけるリッジ部の高さとＤＣバイアス用相互作用部におけるリッジ部の高さとが異ならしめて形成され、ＤＣバイアス用相互作用部におけるリッジ部の高さが、高周波電気信号用相互作用部におけるリッジ部の高さよりも低く成る。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザと半導体マッハツェンダ変調器とを集積した光集積回路において、小型化および低消費電力化を図ること。
【解決手段】波長可変ＤＦＢレーザアレイの一端に第１の光導波路、他端に第２の光導波路が接続され、第１の光導波路に第１の半導体マッハツェンダ変調器、第２の光導波路に第２の半導体マッハツェンダ変調器が接続されている。半導体レーザのメサ構造の配置方向は、メサ構造の側面への再成長に最適な方向であり、半導体マッハツェンダ型変調器が有する２本のアーム導波路の配置方向は、２本のアーム導波路に対するポッケルス効果が最大となる方向とする。加えて、本実施形態に係る光集積回路では、半導体レーザの共振器構造を、その両端における光出力が等しくなるように対称に構成し、一方からの光出力を破棄することなく、ともに半導体マッハツェンダ変調器に入力する。 （もっと読む）

【課題】複数の波長変換処理を組み合わせて行う際、また波長変換処理と光変調処理とを組み合わせて行う際に、これらの組み合わせ処理を安定的に、かつ高い効率で行うことができる優れた光学性能を有する光学デバイス、当該光学デバイスを用いて所望波長のレーザ光を安定して発生するレーザ装置、および当該光学デバイスを用いて所望波長の光を被露光面に照射して露光する露光装置を提供する。
【解決手段】強誘電体基板３１では、波長変換部３１５と出射面３１１ｂとの間に空間光変調部３５が設けられ、波長変換部３１５から出力されるレーザ光を変調するとともに特定波長の０次光のみが基板に導光されてＬＳＩデータに対応するパターンが描画される。また、単一の強誘電体基板３１内で波長変換部３１４、３１５とともに空間光変調部３５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＤＣバイアス電圧について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】基板に形成された光を導波するための少なくとも２本の光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光を変調する高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の進行波電極と、光にバイアス電圧を印加するバイアス電極とを有し、光導波路に高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部とを具備する光変調器において、バイアス電極は、バイアス用相互作用部の２本の光導波路の一方および他方の上方に形成された第１バイアス電極および第２バイアス電極と、第２バイアス電極の一部であって第１バイアス電極を間に挟んで当該第２バイアス電極の反対側に形成された側置電極とを含んでなり、第１バイアス電極、第２バイアス電極、及び側置電極は、第１バイアス電極から発せられた電気力線が第２バイアス電極および側置電極に結合するＣＰＷ構造を成している。 （もっと読む）

【課題】光の挿入損失について改善された光デバイスを提供する。
【解決手段】基板と、基板に形成された光を導波するための光導波路と、光導波路の両側に基板の一部が掘り下げられて形成された所定深さの凹部が形成されてリッジ部を成す光デバイスにおいて、凹部の所定深さが、当該凹部の端に向かって徐々に浅くなって形成され、光が当該凹部の端の方向に導波するにしたがって導波する光のスポットサイズが徐々に大きくなる。これにより、リッジ部と当該リッジ部と連続して形成されるプレーナ部との境界部における光の結合損失を低減する。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、安定性について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】基板１と、第１および第２の光導波路３ａ、３ｂからなる光導波路３と、基板上に形成されたバッファ層２と、バッファ層の上方に配置された中心導体４ａおよび中心導体を挟むよう配置される第１および第２の接地導体４ｂ、４ｃからなる接地導体により構成された進行波電極とを具備し、基板におけるバッファ層が形成される側の表面が平坦である光変調器において、第１の光導波路の上方に中心導体を、第２の光導波路の上方に第１の接地導体を有し、第１の接地導体が、第２の光導波路直上ではない位置に光導波路の光軸方向に延在する第１の位置を有し、第２の接地導体が、中心導体の中心線に対して第１の位置と対称となる位置に光導波路の光軸方向に延在する第２の位置を有し、第１の位置および第２の位置に導体が欠落した部位１１ａ、１１ｂを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体マッハツェンダ型変調器を備える光変調装置の動作状態を調整する構成および方法を提供する。
【解決手段】光変調装置は、変調器、駆動回路、重畳器、コントローラを備える。変調器は、電気光学効果を有する半導体基板に設けられた光導波路と、バイアス電圧および変調信号に応じた電界を光導波路に与える信号電極を備える。駆動回路は、変調信号を生成する。重畳器は、バイアス電圧に低周波信号を重畳する。コントローラは、変調器により生成される変調光信号から抽出される低周波信号の成分に基づいて、変調器の変調方向に直交する直交方向のバイアス電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】光導波路素子と接続基板との電気的接続の不連続性を減少させ、電気特性の劣化を防止した光導波路素子モジュールを提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と光導波路と制御電極とを有する光導波路素子と、制御電極と電気的に接続された配線を有する接続基板と、光導波路素子と接続基板とを筐体内に収容する光導波路素子モジュールにおいて、制御電極は、信号電極と接地電極とから構成され、接続基板は、信号線路と接地線路とが設けられ、接続基板の誘電率は、光導波路素子の基板の誘電率より低く、制御電極の端部における信号電極の幅Ｓ１は、光導波路素子側の信号線路の幅Ｓ２以下であって、制御電極の端部における接地電極の間隔Ｗ１が、接続基板の光導波路素子側の接地線路の間隔Ｗ２よりも大きく、制御電極は、端部から離れた部分に、接地電極の間隔がＷ２よりも小さい部分を有し、光導波路素子と接続基板とを繋ぐ接地用の配線を有する。 （もっと読む）

【課題】消費電力増大の抑制、サイズの小型化、プロセスばらつきによる特性変動の抑制およびシステム構成の複雑化を回避可能とする電気光学変調器の提供。
【解決手段】信号光源１０１１から出力された信号光を信号光源側偏光方向調整部１０２１にて偏光方向を調整し、変調部１０３１は、ＥＯ効果により変調を与え、参照光源１０４１から出力され参照光源側偏光方向調整部１０２２で信号光と同方向に偏光を調整した参照光を信号光と干渉した強度変調光を受光部１０５１に入力する。 （もっと読む）