【課題】２線式交流スイッチの低消費電力化を実現する。
【解決手段】
交流電源と負荷とを結ぶ電路に挿入される２線式交流スイッチであって、スイッチ端子Ｓ１、Ｓ２と、スイッチ端子間のオンオフを制御するためのゲート端子Ｇ１、Ｇ２と、基板端子Ｓｕｂとを有し、スイッチ端子間に双方向に電流を流すことができ、スイッチ端子Ｓ１が交流電源１に接続され、スイッチ端子Ｓ２が負荷２に接続される半導体スイッチからなるメインスイッチ３と、メインスイッチの基板端子Ｓｕｂを接地するかフローティングにするかを切り替えるサブスイッチ９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧設定回路の抵抗器の開放故障に対するフェールセーフ性を確保し、且つ、検査信号がオフ制御されたときの消費電力を低減できる接点入力回路の実現。
【解決手段】接点入力回路１０は、接点の開閉状態を示す入力信号が入力される正入力端子１１と負入力端子１２との間に、第１抵抗器Ｒ１、第３抵抗器Ｒ３及び第４抵抗器Ｒ４が直列接続されている。そして、直列接続された第３抵抗器Ｒ３及び第４抵抗器Ｒ４に対して、第２抵抗器Ｒ２、第１フォトカプラＰ１のフォトダイオードＰｄ１及び第２フォトカプラＰ２のフォトトランジスタＰｔ２が順方向に直列接続されてなる第２回路部１６が並列接続されている。また、第４抵抗器Ｒ４に対して、第２フォトカプラＰ２のフォトダイオードＰｄ２及び第３フォトカプラＰ３のフォトトランジスタＰｔ３が順方向に直列接続されてなる第１回路部１５が並列接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチ素子に並列に接続される保護回路の異常を検出できる半導体スイッチ素子の制御回路を得る。
【解決手段】半導体スイッチに印加される電圧を抑制するために半導体スイッチに並列に接続された保護回路と、駆動回路の出力ゲート電圧が予め設定された電圧以上あることを検出し、半導体スイッチのオン・オフ状態を判別するゲート電圧検出手段と、半導体スイッチの主端子電圧を検出する主電圧検出手段と、駆動回路に与えられた駆動信号により、駆動指令がオン指令の場合はゲート電圧状態を選択し、駆動指令がオフ指令の場合は主電圧状態を選択する選択手段と、選択手段の出力を絶縁して低圧回路に伝達する第一の信号絶縁手段と、選択手段が選択して出力したゲート電圧状態・主電圧状態と半導体スイッチの駆動指令とを比較し、半導体スイッチの正常又は異常を判別する判別手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の個数を減らし、スイッチング素子を送受信時共有して、ＲＦアンテナスイッチのサイズを減らすと共に、小型化及びワンチップ化にさらに応じるＲＦアンテナスイッチ回路、高周波アンテナ部品及び移動通信機器を提供する。
【解決手段】アンテナ１と、少なくとも一つの送信段２及び少なくとも一つの受信段３を備える複数の入出力段と、少なくとも一つの送信段２とアンテナ１側の共通ノード４、５との間の送信経路上に配置され、制御信号によって信号を伝達する少なくとも一つの送信スイッチブロック１０と、受信段３と共通ノード４、５との間の受信経路上に配置され、制御信号によって伝達する少なくとも一つの受信スイッチブロック３０、３０ａ、３０ｂと、スイッチング素子を共有して各々の送信及び受信動作と同期してオン動作する共用送受信スイッチブロック５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチの低周波数領域での歪み特性を改善する。
【解決手段】制御ポートＰ３には、制御電圧Ｖ_Ｃが入力される。伝送路１０は、入力ポートＰ１と出力ポートＰ２の間を接続する。シャントスイッチ２０は、伝送路１０と接地端子の間に設けられる。シャントスイッチ２０は、そのドレイン、ソースの一方が伝送路１０と接続され、そのドレイン、ソースの他方が接地端子に接続されるＦＥＴ２２を備える。第１抵抗Ｒ１は、ＦＥＴ２２のゲートと制御ポートＰ３の間に設けられる。第２抵抗Ｒ２は、ＦＥＴ２２のゲートと伝送路１０の間に設けられる。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を改善した半導体スイッチ及び無線機器を提供する。
【解決手段】スイッチ部と、駆動回路と、電源回路と、を備えた半導体スイッチが供給される。前記スイッチ部は、共通端子と複数の高周波端子との接続を切り替える。前記駆動回路は、端子切替信号に基づいて前記スイッチ部に制御信号を出力する。前記電源回路は、温度に応じて変化する基準電位基づいて、前記制御信号の電位であって温度制御された第１の電位を生成して前記駆動回路に出力する。 （もっと読む）

【課題】カレントミラー回路によって、複数の回路を電流駆動させる場合に、各回路の動作に対するばらつきを低減することができる電源回路を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ１、２、３と、スイッチング素子であるスイッチ６〜９とで電源回路を構成している。ＦＥＴ１、２、３でカレントミラー回路を構成している。スイッチ６、７、８、９によって選択回路５０が構成される。選択回路５０は、スイッチ６〜９の切り替えにより、ミラー電流Ｉｂ２をオペアンプ４又はオペアンプ５のいずれかに供給し、さらに、ミラー電流Ｉｂ１をオペアンプ４又はオペアンプ５のいずれかに供給する。すなわち、ミラー電流Ｉｂ１とミラー電流Ｉｂ２とを入れ替えて交互に、オペアンプ４、５にそれぞれ供給する。 （もっと読む）

【課題】電流変動が大きな箇所の半導体スイッチにおいて耐電流と損失を最適化する。
【解決手段】電気的特性及び種類が互いに異なるＦＥＴ１１とＩＧＢＴ１２を並列接続することで半導体スイッチ１ａを形成する。端子５及び６間を接続するとき、ＦＥＴ１１及びＩＧＢＴ１２は同時にオンされる。端子５及び６間の電流が小電流であるときには、ＦＥＴ１１の内部抵抗がＩＧＢＴ１２よりも小さいため、ＦＥＴ１１側に優先的に電流が流れて低損失が実現される。端子５及び６間の電流が増大するにつれて、ＦＥＴ１１では発熱が内部抵抗増大を招くがＩＧＢＴ１２では内部抵抗が殆ど変化しないため、或る電流値以上では、ＩＧＢＴ１２側に優先的に電流が流れる。結果、大電流がＦＥＴ１１側に流れることによるＦＥＴ１１の劣化又は破損が回避される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で負荷オープン状態を検出することができる負荷駆動回路を提供する。
【解決手段】電源端子Ｔ１に入力される入力電圧Ｖｉｎよりも低い基準電圧Ｖ１と出力端子Ｔ２の電圧Ｖｏｕｔとを比較する第１のコンパレータ８と、スイッチング素子２がオフ状態で、且つ負荷オープン状態である場合に、出力端子Ｔ２の電圧Ｖｏｕｔを基準電圧Ｖ１よりも高く、且つ入力電圧Ｖｉｎよりも低いｃｌａｍｐ電圧にクランプするクランプ回路７とを備えることにより、第１のコンパレータの出力によって、負荷オープン状態を検出する。また、入力電圧Ｖｉｎよりも低く且つｃｌａｍｐ電圧よりも高い基準電圧Ｖ２と出力端子Ｔ２の電圧Ｖｏｕｔとを比較する第２のコンパレータ９を備えることにより、第１のコンパレータ及び第２のコンパレータ９の出力によって、負荷オープン状態と出力天絡状態とを検出する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及び半導体リレー装置において、製造コストを抑えつつ、ＣＲ積の値を小さくする。
【解決手段】双方向スイッチ１を構成する２つのＭＯＳＦＥＴのうち、一方のＭＯＳＦＥＴ２に、化合物半導体で構成されたユニポーラ型化合物半導体装置を用い、他方のＭＯＳＦＥＴ３に、シリコンで構成されたＳｉ−ＭＯＳＦＥＴを用いる。ここで、ユニポーラ型化合物半導体装置の中には、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴよりもＣＲ積の値が小さいものが多く存在する。従って、一方のＭＯＳＦＥＴ２にユニポーラ型化合物半導体装置を用いたことにより、両方のＭＯＳＦＥＴ２、３にＳｉ−ＭＯＳＦＥＴを用いた場合に比べて、装置全体のＣＲ積の値を小さくできる蓋然性が高まる。また、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴよりも製造コストの高いユニポーラ型化合物半導体装置を２つ用いた場合に比べて、製造コストを抑えられる。 （もっと読む）