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Fターム[2F056JT06]の内容

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Fターム[2F056JT06]に分類される特許

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【課題】低電圧で動作可能な、温度センサ装置を提供すること。
【解決手段】定電流回路と、定電流回路から定電流を供給される、ソースフォロワ接続された1つ以上のMOSトランジスタのゲート・ソース電圧間電圧の和に基づいた電圧によって、または、ソースフォロワ接続された1つ以上のMOSトランジスタのゲート・ソース電圧間電圧と、1つ以上のPN接合の順電圧との和の電圧に基づいた電圧によって、温度を検知する構成とした。 (もっと読む)


【課題】トランジスタのベース−エミッタ間電圧に基づいて温度などの物理量を検出する検出回路において、ノイズによる影響を抑え、検出の精度を改善し得る検出回路を提供することを目的とする。
【解決手段】第1NPN型バイポーラトランジスタT1は、定電流源I0に導通するベースと、電源部Vcに導通するコレクタと、エミッタとを備えている。また、第2NPN型バイポーラトランジスタT2は、第1NPN型バイポーラトランジスタT1のベースに導通すると共に定電流源I0に導通するコレクタと、グランドGndに導通するエミッタと、第1NPN型バイポーラトランジスタT1のエミッタに導通すると共に第1NPN型バイポーラトランジスタT1のエミッタ電流に応じたベース電流が流れるベースとを備えている。そして、第2NPN型バイポーラトランジスタT2のベース−エミッタ間の電圧を出力可能とされている。 (もっと読む)


【課題】 バイポーラトランジスタを使用する必要がないとともに、回路を構成する素子数が少なく低消費電流で動作することができる温度検出回路を提供する。
【解決手段】 半導体チップ上に形成された温度検出素子(D1)と、該温度検出素子と直列に接続され該温度検出素子に流れる電流を電圧に変換する電流−電圧変換素子(M5)と、直列形態の前記電流−電圧変換素子および温度検出素子と並列に接続され前記電流−電圧変換素子により変換された電圧をゲート端子に受けるMOSトランジスタ(M6)と、前記温度検出素子に向かって所定の第1電流を流す第1電流源(M3)および前記MOSトランジスタに向かって所定の第2電流を流す第2電流源(M4)を有する定電流回路と、前記第2電流源と前記MOSトランジスタ(M6)との接続ノードに入力端子が接続された論理回路(CMOSインバータ)とによって温度検出回路を構成するようにした。 (もっと読む)


【課題】検出閾値の設定に別途の基準電圧源を必要とせず、かつ、回路規模の縮小と消費電流の低減を実現することのできる温度検出回路を提供する。
【解決手段】温度検出回路200は、基準電流I20を生成する基準電流生成部(201、202、206、207、212、213)と、基準電流I20に応じて第1電流I21と第2電流I22を生成するカレントミラー(208〜210)と、前記カレントミラーの下流側で基準電流I20が流れる経路に挿入された第1抵抗214と、前記カレントミラーの下流側で第1電流I21が流れる経路に挿入された第2抵抗215と、前記カレントミラーの下流側で第2電流I22が流れる経路に挿入されたダイオード接続型トランジスタ211と、第1電流I21と第2電流I22を比較して温度検出信号S1を生成する電流比較部(203〜205、216)と、を有する。 (もっと読む)


【課題】検出対象物や使用用途に応じて、温度の変化量に対する出力電圧の変化量を変更できる温度検出装置を提供する。
【解決手段】温度によって抵抗値が変化する素子を有し、電源23から前記素子に供給電流が供給されて得られる電圧値に基づいて温度を検出し、検出された温度に基づいて出力電圧を出力する温度検出部14Bを備える。この温度検出部14Bに接続され、この温度検出部14Bから出力された前記出力電圧に基づいて変更指示信号を出力する判定出力手段21Dと、この判定出力手段21Dに接続され、電源23と温度検出部14B(温度センサ)の間に配設されており、さらに、判定出力手段21Dから前記変更指示信号を受信したときには、温度検出部14Bに供給される前記供給電流の電流値を変更する電流値変更手段21Cとを備える。 (もっと読む)


【課題】
温度検出素子を接続しないときには、従来のように、ダミーの抵抗を設けることなく、異常検出を無効化することができる温度検出装置を提供する。
【解決手段】温度検出装置44は、過熱検出回路441及び断線検出回路442とともにICとして一体的に構成され、感温ダイオード接続端子GH2の電圧が、過熱検出閾値Vth1及び断線検出閾値Vth2より大きい値に設定された断線検出無効化閾値Vth3より大きいとき、断線常検出回路442の断線検出を無効にする断線検出無効化回路443を有している。そして、直列接続された感温ダイオード40hを接続しないときには、感温ダイオード接続端子GH2に断線検出無効化閾値Vth3より大きい電圧を印加する。そのため、感温ダイオード40hを接続しないとき、従来のように、ダミーの抵抗を設けることなく、断線検出を無効化することができる。 (もっと読む)


【課題】温度の変化に比例したり反比例したりする電流を生成する電流生成器を利用して温度の変化に応じて出力電位が変化する内部電圧を生成する半導体メモリ素子の内部電圧発生器を提供する。
【解決手段】温度の変化に比例して電流量が変化するPTAT電流を生成するためのPTAT電流生成器と、前記PTAT電流と同じ内部電流を生成し、前記内部電流に応答して内部電圧を生成するための電流制御回路と、前記内部電圧の電位レベルを一定のレベルに調節するためのオフセット回路と、を含む。 (もっと読む)


【課題】消費電流や回路の大幅な増加をせずに温度測定可能になるまでにかかる時間を短縮することが可能な温度測定器を実現する。
【解決手段】定電流源と共通電位の間にスイッチを介して接続されたローパスフィルタの出力電圧と温度センサの端子電圧とを比較器で比較し、この比較結果を変換したパルス信号をカウントして温度測定を行うと共にパルス信号でスイッチを制御する温度測定器において、ローパスフィルタの端子電圧が温度センサの端子電圧よりも大きくなるまで、パルス信号の電圧レベルを固定して、スイッチをオンしたままにするスイッチ制御回路を備える。 (もっと読む)


【課題】回路規模が小さく、かつ製造条件に左右される誤差要因を排除できる温度検出回路を提供する。
【解決手段】第1pn接合Q1と、第1pn接合Q1よりも順方向電圧の小さい第2pn接合Q2と、第2pn接合Q2に直列接続された第1抵抗R1と、pn接合Q1,Q2の順方向電圧との差に比例した第1電流I1を生成する第1電流生成回路2と、第1電流I1に比例した電流が供給される第3pn接合Q3と、第1電流I1に比例した電流を電圧に変換する電圧変換抵抗R2,R3と、第3pn接合Q3の順方向電圧と電圧変換抵抗R2,R3の電圧降下を比較する比較手段3と、を備えている (もっと読む)


【課題】電力変換を行う複数の半導体素子の温度を正確に検知することができ、これを安価で小型な回路で実現すること。
【解決手段】複数のスイッチング素子35a,35bの温度検出回路100として、各スイッチング素子35a,35bに対応付けられた複数のダイオード122a,122bの各々の電圧発生側に個別に接続され、各々の発生電圧をパルス幅変調により各々デューティが異なるデューティ信号AD,BDに変換する複数のデューティ変換部106a,106bと、これらデューティ変換部106a,106bで変換された各々デューティの異なるデューティ信号AD,BDを選択する切替スイッチ104と、この切替スイッチ104で各々デューティの異なるデューティ信号が交互に選択されるように制御する制御部110とを備えて構成する。 (もっと読む)


【課題】安価で安定して温度を検出できる温度検出回路を提供することができる。
【解決手段】温度検出回路は、定電流を生成する定電流回路と、定電流が供給されると、温度に応じて変化する降伏電圧を生成するツェナーダイオードと、降伏電圧と所定電圧との大小関係に基づいて、ツェナーダイオードの温度が、降伏電圧が所定電圧となる際のツェナーダイオードの温度より高いか否かを示す出力信号を出力する信号出力回路と、を備える。 (もっと読む)


【課題】複数箇所の物理量を検出する場合において、構成を簡素化して、コストを抑えることができる物理量検出装置を提供する。
【解決手段】温度検出回路12は、温度変換回路120、121と、出力選択回路122と、信号変換回路123と、フォトカプラ124とを備えている。温度変換回路120、121は、温度を、その温度に応じた電圧に変換して出力する。出力選択回路122は、温度変換回路120、121の出力する電圧の中から最も高い電圧を出力する。信号変換回路123は、出力選択回路122の出力する電圧を、その電圧に応じたパルス幅のパルス信号に変換して出力する。フォトカプラ124は、信号変換回路123の出力するパルス信号を電気的に絶縁して出力する。複数箇所の温度を検出する場合において、従来のように、温度変換回路毎に信号変換回路とフォトカプラを設ける必要がなく、構成を簡素化することができる。そのため、コストを抑えることができる (もっと読む)


【課題】製造ばらつきを抑制し、かつ、検出感度が容易に変更できる温度検出回路を提供する。
【解決手段】第1の定電流が供給される第1のソースフォロア回路と、第2の定電流が供給される第2のソースフォロア回路と、第1のソースフォロア回路の出力電圧と前記第2のソースフォロア回路の出力電圧との差分を取る回路と、を含む。トランジスタのしきい値による測定誤差が差分を取ることにより相殺される。 (もっと読む)


集積回路は、プロセスセンサと温度センサと電圧センサとを含む。プロセスセンサは、集積回路が形成される半導体プロセスを示すプロセスパラメータを検知し検知されたプロセスパラメータに基づいて上記半導体プロセスの特徴をプロセスセンサの出力に与えるように構成される。温度センサは、集積回路の温度の表示を温度センサの出力に与えるように構成され、電圧センサは、集積回路の電源電圧レベルの表示を電圧センサの出力に与えるように構成される。プロセスセンサの出力は、温度センサおよび電圧センサのうち少なくとも一方に結合されて、温度の表示および電源電圧レベルの表示のうち少なくとも一方を補償する。
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【課題】温度検出素子の温度検出素子の静電破壊に対する耐性の向上と、測定精度の向上させることができる半導体装置を提供すること
【解決手段】半導体装置100は、温度検出素子10と、一方の端子が温度検出素子10の電流入力端子に接続される抵抗器11とをそれぞれが備え、互いに並列に接続される複数の温度検出素子列12とを備える。また、複数の温度検出素子列12の抵抗器11の他方の端子が接続される第1の外部端子14を備える。 (もっと読む)


【課題】 ノイズの影響を受けることが少ない温度センサを提供する。
【解決手段】 電源VDDと接地GNDとの間に接続された電流制御素子(抵抗R1)または電流制御回路とセンサ素子(ダイオードD1)とを有し、電流制御素子または電流制御回路とダイオードD1間に接続され、検出温度に応じた電位を出力する出力端子TEMPが形成された温度センサ回路を備え、ダイオードD1に並列に容量C1が接続されている。センサ素子はダイオード以外にPNP及びNPNバイポーラトランジスタ等を用いることができる。容量は電源電圧の変動によって変化したダイオードD1を流れる電流の変化分Inoise を受容することにより、ダイオードD1の両端に発生する電圧Vtempを一定に保つことができる。 (もっと読む)


【課題】コモンモードノイズによる検出素子の電圧変動を抑え、正確に物理量を検出できる物理量検出装置を提供する。
【解決手段】温度検出装置1は、感温ダイオード10〜12と、コンデンサ13と、抵抗14、15と、基準電源16と、コンパレータ18とを備えている。感温ダイオード10〜12の一端は、抵抗14を介して、車両筐体から絶縁された回路GNDに、他端は、抵抗15を介してコンパレータ18にそれぞれ接続されている。また、感温ダイオード10〜12には、コンデンサ13が並列接続されている。さらに、基準電圧16の一端は、回路GNDに、他端は、コンパレータ18にそれぞれ接続されている。コンデンサ13及び抵抗14、15によりコモンモードノイズを抑えることができる。そのため、コモンモードノイズによる感温ダイオード10〜12の電圧変動を抑え、正確に温度を検出できる。 (もっと読む)


【課題】回路面積及び消費電流を低減できる高精度の温度検出回路を提供する。
【解決手段】
トランジスタ1はしきい値電圧Vth1を有し、トランジスタ2a,2bはしきい値電圧Vth2を有する。スイッチA1〜A6とスイッチB1〜B5とは交互にオンするように制御される。スイッチA1がオンしているとき、トランジスタ1及び2aがオンしかつトランジスタ2bがオフし、第1の温度係数を有する基準電圧Vrefaが出力される。スイッチA1がオフしているとき、トランジスタ1,2a,2bがオンし、第2の温度係数を有する基準電圧Vrefbが出力される。出力回路30は、基準電圧Vrefaをサンプルホールドし、サンプルホールドされた基準電圧Vrefaと、基準電圧発生回路20からの基準電圧Vrefbとに対して所定の演算を行って出力する。 (もっと読む)


【課題】電源電圧を低電圧とした場合でも、雑音を低減させることが可能な温度センサ及びこの温度センサを有する発振回路を提供することを目的とする。
【解決手段】電源電圧が供給される定電流源とアノードが接続されており、接地にカソードが接続された温度検出素子と、前記温度検出素子のアノードの電圧のレベルをシフトする温度特性を有したレベルシフト回路と、前記レベルシフト回路の出力が非反転入力端子と接続された非反転増幅回路と、を有する構成により実現する。 (もっと読む)


【課題】 アンテナを備える貼り付け型の体温計において、0.01℃の温度分解能による体温測定を実現するための体温タグを提供する。
【解決手段】 アンテナ部114と処理部115とを備える体温タグ113であって、処理部115は、アンテナ部114における誘導起電力の発生に伴って起動される電源回路と、P型とN型の2種類の半導体が結合され、該2種類の半導体の結合部に電流を流した場合のバンドギャップ電圧を検出する半導体温度センサが、2個以上並列に接続された検出手段と、前記検出手段により検出されるバンドギャップ電圧を校正するための校正データを記憶する記憶手段と、を備え、前記電源回路の起動に伴って、前記検出手段により検出されたバンドギャップ電圧を、前記校正データとともに、アンテナ部114を介して送信することを特徴とする。 (もっと読む)


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