【課題】精密な寸法調整を必要とせずにモード分離を行うことができる光合分波器を提供する。
【解決手段】第一のコア２１と、第一のコアが延びる延在方向Ｚに平行に、第一のコアに対して延在方向に直交する並列方向Ｘに並べて配置された第二のコア３０と、を有し、第一のコアの延在方向に直交する基準平面による断面形状は、並列方向に平行な並列側基準線Ｃ１に対して鏡映対称に形成されるとともに、並列方向および延在方向にそれぞれ直交する直交方向Ｙに平行な直交側基準線Ｃ２に対して鏡映対称に形成され、並列方向の長さの方が直交方向の長さより短く設定され、第二のコアの基準平面による断面形状は、第一のコアの基準平面による断面形状を延在方向回りに９０°回転させた形状に等しくなるとともに、第一のコアの中心軸線Ｃ６の並列方向側に第二のコアの中心軸線Ｃ７が配置されるように形成され、第一のコアと第二のコアとは同一の材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】小規模な構成で光信号に所定の遅延時間を与えること。
【解決手段】光経路ｒ１においては、入力された光信号が同一の経路を繰り返し通過する。光スイッチ１５０は、光経路ｒ１へ入力された光信号を出力しない非出力状態と、光経路ｒ１へ入力された光信号を出力する出力状態と、に切り替え可能である。制御部１６０は、光スイッチ１５０を、光信号が光経路ｒ１へ入力されてから所定の遅延時間が経過する時点までは非出力状態にし、光信号が光経路ｒ１へ入力されてから所定の遅延時間が経過する時点で出力状態に切り替える。 （もっと読む）

【課題】システム全体の簡素化が可能で、高速の乱数生成要求にも対応できる乱雑性の高い乱数を生成する。
【解決手段】高速カオス光信号生成光回路は、マッハツェンダー干渉型光強度変調部ＭＺ−１の光出力ポートＰ−ＭＺ−１−ｃｒｏｓｓから出力されるＲＺ型クロック信号光を光分波部ＳＰ−１により２系統に分波し、光遅延部Ｄ−Ｔ−１により２系統のＲＺ型クロック信号光に所定の遅延を付与し、遅延が付与された２系統のＲＺ型クロック信号光を位相変調駆動用のクロック信号光として、マッハツェンダー干渉型光強度変調部ＭＺ−１内の２つの干渉アームに１つずつ設けられた位相変調部Ｒ１，Ｌ１に入力することにより、光入力ポートＰ−ＭＺ−１−１から入力され２つの干渉アーム中を伝搬しているＲＺ型クロック信号光に位相差を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】システム全体の集積化を可能とし、且つ超高速の光乱数生成要求にも対応可能とする。
【解決手段】高速カオス光信号生成光回路は、マッハツェンダー干渉型光強度変調手段ａ１の光出力ポートａ９から出力されるＲＺ型クロック信号光を位相変調駆動用のクロック信号光として、マッハツェンダー干渉型光強度変調手段ａ１内の２つの干渉アームに１つずつ設けられた光−光相互位相変調手段ａ２，ａ３に入力することにより、光入力ポートａ０から入力され２つの干渉アーム中を伝搬しているＲＺ型クロック信号光に位相差を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】光波長変換素子内において基本波を折り返す構造を有する光波長変換装置において、高出力の波長変換波を得る。
【解決手段】基本波10を入射させる入射端面15ａとそれに対面する出射端面15ｂとを有し、基本波10を波長変換波14に変換する光波長変換素子15と、出射端面15ｂから出射した基本波10および波長変換波14を、前者は反射させ後者は透過させる第１の反射部材17と、第１の反射部材17で反射して光波長変換素子15を伝搬し入射端面15ａから出射した基本波10および同じく入射端面15ａから出射した波長変換波14を、前者は透過させ後者は反射させる第２の反射部材18と、第１の反射部材17に到達する前に素子15内を伝搬する波長変換波14の位相と、第２の反射部材18で反射して折り返し素子15内を伝搬する波長変換波14の位相とを互いに揃える位相調整手段20とから光波長変換装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】光源出力がシャットダウンしたときに駆動電圧の増加を抑え、光源出力の復帰時に速やかに出力光を安定化させること。
【解決手段】この光送信器１の制御方法は、外部変調器５を含む光送信器１において、外部変調器５に印加するバイアス電圧を調整することによって、光送信器１からの出力光を制御する光送信器１の制御方法であって、光検出素子７による出力光のモニタ信号を基にしてバイアス電圧を帰還制御し、出力光の断を検出した際には、バイアス電圧が直前の電圧に維持されるようにバイアス電圧を帰還制御する。 （もっと読む）

【課題】システム全体の簡素化が可能で、高速の乱数生成要求にも対応できる乱雑性の高い乱数を生成する。
【解決手段】高速カオス光信号生成光回路は、マッハツェンダー干渉型光強度変調部ＭＺ−１の光出力ポートＰ−ＭＺ−１−ｃｒｏｓｓからの信号光に時間Ｔ−１の遅延を付与して位相変調駆動用信号光とし、変調部ＭＺ−１の２つの干渉アーム中を伝搬する信号光に位相差を生じさせ、マッハツェンダー干渉型光強度変調部ＭＺ−２の光出力ポートＰ−ＭＺ−２−ｃｒｏｓｓからの信号光に時間Ｔ−２（Ｔ−１≠Ｔ−２）の遅延を付与して位相変調駆動用信号光とし、変調部ＭＺ−２の２つの干渉アーム中を伝搬する信号光に位相差を生じさせ、光出力ポートＰ−ＭＺ−２−ｃｒｏｓｓからの信号光を位相変調駆動用信号光とし、変調部ＭＺ−１の２つの干渉アーム中を伝搬するクロック信号光に位相差を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】システム全体の簡素化が可能で、高速の乱数生成要求にも対応できる乱雑性の高い乱数を生成する。
【解決手段】高速カオス光信号生成光回路は、マッハツェンダー干渉型光強度変調部ＭＺ−１の光出力ポートＰ−ＭＺ−１−ｃｒｏｓｓから出力される信号光を位相変調駆動用信号光として、変調部ＭＺ−１の２つの干渉アーム中を伝搬している信号光に位相差を生じさせ、マッハツェンダー干渉型光強度変調部ＭＺ−２の光出力ポートＰ−ＭＺ−２−ｃｒｏｓｓから出力される信号光を位相変調駆動用信号光として、変調部ＭＺ−２の２つの干渉アーム中を伝搬している信号光に位相差を生じさせ、さらに、変調部ＭＺ−２の光出力ポートＰ−ＭＺ−２−ｃｒｏｓｓから出力される信号光を位相変調駆動用信号光として、変調部ＭＺ−１の２つの干渉アーム中を伝搬しているクロック信号光に位相差を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】リッジ形状やメサ形状といった凸状部分上の樹脂若しくはレジストのエッチングの停止タイミングを容易に且つ精度良く判断することが可能な光半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】この光半導体デバイスの製造方法は、一対の溝に挟まれた光導波路において光の導波を行う光変調器を製造する方法であって、ウエハ１６上に設定された評価用領域（ＴＥＧ領域）に、複数対の評価用溝３１ａ，３１ｂを形成する工程と、ウエハ１６上に樹脂層１３を塗布する工程と、樹脂層１３に対してエッチングを行い、光導波路の頂部を露出させる露出工程と、光導波路上に電極を形成する工程とを備え、評価用領域における複数対の評価用溝３１ａ，３１ｂの幅が各対毎に異なっており、露出工程の際に、エッチングによって評価用領域における少なくとも一対の評価用溝３１ａ，３１ｂに挟まれた領域３３の頂部を露出させる。 （もっと読む）

【課題】ＬＣＯＳによって実際に与えられる分散値には、設定値からの無視できないずれが生じていた。同じ印加電圧を加えても、ピクセルで実際に設定される位相値はピクセル番号によって僅かながら異なり、ＬＣＯＳのｘ軸上で位置依存性がある。１つの分散値に対するルックアップテーブル電圧データを使用して、ある番号のピクセルで適切な位相値が設定されていても、別の番号のピクセルではその適切な位相設定値からずれる。
【解決手段】本発明の方法では、設定した目標分散値から得られる位相設定値と、群遅延スペクトルを周波数に関して積分して得られた実際のＬＣＯＳの出力位相値との差分を求める。設定した目標位相設定値に求めた差分を加えた値を、新たな位相設定値として、ピクセル印加電圧へのフィードバックを行なう。実際に出力する位相分布が、設定した２次関数の位相分布により近くなり、群遅延リップルは抑制される。位相誤差のフィードバックを行うピクセル範囲を狭い範囲に限定しフィードバックの収束を高速に行う。 （もっと読む）

【課題】熱膨張係数の差に起因して光導波路基板の内部に発生する応力を低減することのできる光導波路デバイスを提供する。
【解決手段】厚さ３０μｍ以下の光導波路基板１１と、光導波路基板１１を保持し光導波路基板１１より誘電率が低い液晶ポリマ基板１２と、を有し、光導波路基板１１と液晶ポリマ基板１２が接着剤層１４によって接着された光導波路デバイス１０であって、光導波路基板１１と液晶ポリマ基板１２の熱膨張係数はそれぞれ基板面内に異方性を有し、光導波路基板１１の異方性の軸方向と液晶ポリマ基板１２の異方性の軸方向が揃うように、光導波路基板１１と液晶ポリマ基板１２の相対的向きが調整されている。 （もっと読む）

【課題】空間光変調器を用いた波長選択スイッチにおいて、所望の位相シフト関数を再現すること。
【解決手段】本実施例の波長選択スイッチでは、入射信号光及び回折信号光と空間位相変調器であるＬＣＯＳとの位置関係は、ＬＣＯＳのピクセル面の直交する２方向のうちの一方の方向は、ＬＣＯＳへ入射する入力信号光の波長分散方向に一致するように配置され、他方の方向のみが回折信号光の回折方向となっている。この場合、チャネル帯域は、線分散と無関係となるため、帯域の制限から決まるスポットサイズの上限は制限されないことになる。一方で式（２０）で表されるスポットサイズの下限は、スポットサイズに対して位相変調関数が粗すぎて、空間位相変調器上に集光されたガウシアンビームが高い周波数成分をもった変調関数を感じてしまうことに起因しており、線分散とは無関係に生じるため本実施例においても適用される。 （もっと読む）

【課題】屈折率が異なる第１の平面光波回路と第２の平面光波回路とが、それぞれの平面光波回路に形成された複数の光導波路同士を光結合するように端面で突き合わせ接続された光部品において、使用環境の温度変化に対して安定な光部品を提供すること。
【解決手段】光部品５００は、第１の屈折率ｎ₁を有する第１の平面光波回路５０１と、第１の屈折率ｎ₁と異なる第２の屈折率ｎ₂を有する第２の平面光波回路５０２とが光軸方向に対して直角な端面で突き合わせ接続されている。第１及び第２の平面光波回路５０１、５０２には、それぞれ第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の光導波路が形成されている。第１の平面光波回路５０１の第ｉ（ｉは１以上ｎ以下の整数）の光導波路と第２の平面光波回路５０２の第ｉの光導波路の位置が接続界面において一致するように調心して接続する。この際、第１の平面光波回路５０１の第ｉの光導波路が界面の法線となす角度φ_iがスネルの法則を満足する範囲でｉ毎に異なるようにする。 （もっと読む）

【課題】偽マスクの形成をさせると共にクラッド層がコンタクト層から露出することを回避可能にする、マッハツェンダー変調器を作製する方法を提供する。
【解決手段】マッハツェンダー変調器１１では、第１のウイング部４７ａが第４のIII−Ｖ化合物半導体の［１−１０］方向に延在する半導体順メサ縁５１ａと、第２のウイング部４７ｂが［１−１０］方向に延在する半導体順メサ縁５１ｂを有し、コンタクト層４７が［１−１０］方向に延在する半導体順メサ縁５１ｃを有する。故に、偽マスクの形成により導波路部１３ａの構造が乱されることがない。また、第１のウイング部４７ａは第１のトレンチ２３の外縁２３ａに到達し、第２のウイング部４７ｂは第２のトレンチ２５の外縁２５ａに到達する。故に、コンタクト層４７は、両ウイング部を形成可能な幅の半導体層から形成可能であるので、クラッド層４５がコンタクト層４７から露出されない。 （もっと読む）

【課題】 集光点におけるレーザ光の集光状態を好適に制御することが可能な光変調制御方法、制御プログラム、制御装置、及びレーザ光照射装置を提供する。
【解決手段】 空間光変調器を用いたレーザ光の集光照射の制御において、レーザ光の入射パターン、及び伝搬経路上の第１、第２伝搬媒質それぞれの屈折率を取得し（ステップＳ１０１）、集光点の個数、及び各集光点についての集光位置、集光強度を設定し（Ｓ１０４）、レーザ光の伝搬で第１、第２伝搬媒質によって生じる収差条件を導出する（Ｓ１０７）。そして、収差条件を考慮して、空間光変調器に呈示する変調パターンを設計する（Ｓ１０８）。また、変調パターンの設計において、１画素での位相値の影響に着目した設計法を用いるとともに、集光点での集光状態を評価する際に、収差条件を考慮した伝搬関数を用いる。 （もっと読む）

【課題】光をそのまま光として蓄光させることができ、大面積化及び薄膜化の可能な蓄光素子を提供する。
【解決手段】蓄光素子Ａは、螺旋構造を有する液晶により構成され、選択反射波長域を有する第一液晶層１と、前記第一液晶層１と同じ巻き方向の螺旋構造を有する液晶により構成され、前記第一液晶層１と重複する波長域で選択反射波長域を有する第二液晶層２と、前記第一液晶層１と前記第二液晶層２との間に介在し、自身を透過する光を二つの固有偏光に分離すると共に前記固有偏光間に位相差を生じさせる位相差生成層３と、を備えている反射層４を複数備えている。複数の前記反射層４のうち隣接する少なくとも二つの反射層４、４の間に蓄光層５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】量子井戸の位置による電界強度差を小さくすることができる光変調素子を提供する。
【解決手段】光変調素子は、ｐ−ＩｎＰクラッド層２２と、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３と、ｐ−ＩｎＰクラッド層２２およびｎ−ＩｎＰクラッド層の間に挟まれ、かつ交互に積層された複数のウェル層１および複数のバリア層２を有する多重量子井戸４０とを備えている。複数のバリア層２は、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３に含まれる第２導電型のドーパントが導入された第２導電型バリア層２ａを含んでいる。第２導電型バリア層２ａは、多重量子井戸４０においてｐ−ＩｎＰクラッド層２２に含まれる第１導電型のドーパントが拡散した範囲に設けられている。 （もっと読む）

【課題】できる限り費用対効果が高く製造される、テラヘルツシステム用のビート信号生成装置を提供する。
【解決手段】第１の波長λ₁の光を発生する第１の単一モードレーザ２と、第１の波長λ₁とは異なる第２の波長λ₂の光を発生する第２の単一モードレーザ３と、第１の出力ポート１１および第２の出力ポート１２と、第１のレーザ２の光の位相、および、第２のレーザ３の光の位相を変調する位相変調部４とを備え、第１のレーザ２の光は、第２のレーザ３を介して伝送され、第２の出力ポート１２において第２のレーザ２の光が重畳され、第２のレーザ３の光は、第１の単一モードレーザ２を介して伝送され、第１の出力ポート１１において第１のレーザ２の光が重畳され、これにより、第１の出力ポート１１からの第１のビート信号Ａと、第２の出力ポート１２からの第２のビート信号Ｂの間の位相が位相変調部４によって調整される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、波長チャネル間の相互作用によって生じる非線形光学効果を抑圧し、波長分割多重光伝送システムにおいて伝送可能距離の伸延を可能にすることを目的とする。
【解決手段】本発明の非線形光学効果抑圧器は、複数の波長チャネルの光信号が多重化された波長多重信号光を各波長チャネルの光信号に分岐する分波部１２と、分波部１２からの各波長チャネルの光信号に、各波長チャネルで異なる遅延量の遅延を付与する個別遅延付与部１１と、個別遅延付与部１１からの各波長チャネルの光信号を合波する合波部１３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】信号電極の入力部から作用領域に至るまでの間でも、クロストーク現象が抑制可能であり、かつ製造コストの増加を抑制した進行波型光変調素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、基板に形成された光導波路２と、光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極とを有する進行波型光変調素子において、変調電極は、２本以上の信号電極３１，３２と接地電極から構成され、信号電極の全ての入力部Ｐ１，Ｐ２は、基板の第１の側面１１側に設けられ、信号電極が形成する電界が光導波路に作用する作用領域の位置が、第１の側面に最も近い第１の信号電極３１と、作用領域の位置が、第１の側面に対向する第２の側面１２に最も近い第２の信号電極３２については、各作用領域の作用開始部Ｃ１，Ｃ２において、第１の信号電極は第１の側面側から、第２の信号電極は第２の側面側から、各々導入される。 （もっと読む）