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Fターム[2H079AA12]の内容

光の変調 (22,262) | 制御手段 (4,614) | 物性変化、効果等 (1,981) | 屈折率変化 (1,581)

Fターム[2H079AA12]に分類される特許

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【課題】より低消費電力化を実現した熱光学位相シフタ、およびこれを用いた可変光減衰器、1×M光スイッチ、可変波長フィルタを提供すること。
【解決手段】請求項1に記載された発明は、光信号を導波するための光導波路13と、該光導波路13の一部を加熱することで前記光信号に位相変化を与えるヒータ15とを備え、前記ヒータ15の長手方向と前記光導波路13の加熱される部分131、132の長手方向とが同じ向きになるように重なって設けられており、前記光導波路の加熱される部分が、複数本の互いに平行な光導波路を光学的に結合して往復する1本の導波路となるようにした折り返し構造に形成されることで、前記加熱される部分の光導波路が前記ヒータと重なる位置に高密度に設けられていることを特徴とする熱光学位相シフタである。可変光減衰器、1×M光スイッチ、可変波長フィルタはこの熱光学位相シフタを用いて構成できる。 (もっと読む)


【課題】 高調波成分を抽出することができる光周波数ダブラおよびマルチキャリア発生器を提供する。
【解決手段】 光周波数ダブラは、 光信号を2つに分岐する分岐部と、分岐部に接続された2本の半導体光導波路と、2本の半導体光導波路のそれぞれに対して同振幅で逆位相の変調信号を入力するための変調用電極と、2本の半導体光導波路から入力された光信号の偶数次高調波成分あるいは奇数次高調波成分の何れかを同相で合成して出力する合波部と、を備えるものである。 (もっと読む)


【課題】環境温度の変化に伴う電気光学結晶の複屈折変化が存在する場合においても偏光状態を補償し、一定の感度を得ること。
【解決手段】印加される電界又は磁界により屈折率を変化させ、それによって通過する偏光を変調する電界検出用電気光学結晶9と同じ特性を有する複屈折補償用電気光学結晶8を、結晶軸が電界検出用電気光学結晶9の結晶軸に対して直交するように光の伝搬軸上に配置する。具体的には、遅(進)相軸が電界検出用電気光学結晶9の進(遅)相軸に対して平行になるように配置する。 (もっと読む)


【課題】 光波長多重信号の偏光面を波長成分ごとに調整することができ,しかも各成分に時間的なずれが生じない,波長選択偏波制御器を提供する。
【解決手段】 この波長選択偏波制御器は,光波長多重信号が入射するテレセントリック光学系11と,テレセントリック光学系から出力された光の偏波面を調整する偏波制御器12と,偏波制御器からの出力を光路へと出力するための出力光学系13と,を有する。テレセントリック光学系11は,光波長多重信号が入射する第1の回折格子15と,回折格子15を経た光波長多重信号を集光する第1の集光レンズ16と,を有する偏波制御器12は,複数の位相変調器21,22,23を有する。 (もっと読む)


【課題】光ファイバ通信で必要なチャンネル間隔(25GHz間隔,50GHz間隔等)の光周波数コムを発生させ、且つ、変調器を1種類にして変調信号の位相調整を不要とすることなどが可能な半導体光変調器及び光周波数コム発生光源を提供する。
【解決手段】例えば、半導体光変調器100は、入力光101を変調してサイドバンドを発生する半導体位相変調器102と、この半導体位相変調器102によって発生したサイドバンドの強度を等化する半導体光増幅器103とを、同一の半導体基板上にモノリシック集積した構造とする。また、光周波数コム発生光源は、入力光を変調してサイドバンドを発生する半導体位相変調器と、この半導体位相変調器によって発生したサイドバンドの強度を等化する半導体光増幅器と、前記入力光を前記半導体位相変調器へ出力する波長可変半導体レーザとを、同一の半導体基板上にモノリシック集積した構造とする。 (もっと読む)


【課題】バイアスドリフトと駆動信号の振幅の両方を同時に制御し、安定的に半導体MZ変調器を動作させる駆動制御装置を提供する。
【解決手段】連続光を出射する光源からの光を受け、駆動電圧に対する光出力特性が周期的に変化する半導体光変調器の駆動制御装置であって、半導体光変調器から出力された出力光に応じて変化する電気信号を検波するピーク検波部と、発振回路と、発振回路の出力とピーク検波部のピーク検波出力信号とに基づいて同期検波する同期検波回路と、同期検波回路の出力に応じて半導体光変調器の位相バイアスを制御するバイアス制御部と、データ信号を増幅する増幅器と、同期検波回路の出力に応じて増幅器から出力された増幅されたデータ信号の振幅を制御する振幅制御部と、増幅器の出力に対して基準電圧を供給する電源回路と、増幅器の出力と基準電圧とを受けて駆動電圧を発生する加算器とを備える。 (もっと読む)


【課題】可変光バッファ回路の回路全体のサイズを小さくし、簡単な製造工程と製造設備を使用でき、経路間の損失のばらつきも解消する。
【解決手段】可変光バッファ回路は、半導体基板上に形成した光スイッチ回路と合波回路とを接続して構成され、光導波路で形成された遅延線を含め一体形成される。合波回路は光導波路で形成された遅延線と光結合器で構成される。同一遅延線を用いる場合、光結合器と、その一方の入力端に接続された遅延線とからなる組が、遅延線および光結合器が交互に縦続してN個の経路を構成するよう接続される。光結合器の各々の結合率は、各経路の各々に対し、光結合器の結合率に基づいた損失を除いた損失を最小としたときの最小損失値の測定値に基づき設定される。 (もっと読む)


【課題】位相変調時に符号の値によらず出力される光強度を一定とすることができる光変調器を得ること。
【解決手段】変調導波路3,4と、分波器2と、変調導波路3,4の出力光の位相を変化させる位相調整導波路5,6と、位相調整導波路5の出力光と位相調整導波路6の出力光を合波する合波器7と、変調導波路3,4の入力電圧と出力光の振幅の関係に基づいて、変調導波路3の出力光が所定の位相値となる場合の変調導波路3の出力光の振幅と変調導波路4からの出力光の振幅との加算結果と変調導波路4の出力光が所定の位相値となる場合の変調導波路3の出力光の振幅と変調導波路4の出力光の振幅との加算結果とが等しくなるよう変調導波路3,4の印加電圧を制御する利得制御部13および変調バイアス制御部14と、位相誤差を打ち消すよう位相調整導波路5,6を制御する位相調整バイアス制御部15と、を備える。 (もっと読む)


【課題】熱光学素子における温度分布を抑制し、光学収差の小さい光学位相調整素子、及びそれを用いた復調器の提供。
【解決手段】本発明に係る光学位相調整素子は、入力される光信号に対する屈折率が温度に依存して変化する熱光学素子と、前記熱光学素子の一端側に接するとともに前記熱光学素子が所望の温度となるよう温度変化する温度変化部と、前記温度変化部に対して前記熱光学素子と反対側に配置されるとともに前記温度変化部の温度とは異なる温度で熱平衡状態となる放熱部と、前記温度変化部と前記放熱部の間にそれぞれ接して配置されるとともに前記放熱部より大きい熱抵抗を有する温度緩衝部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で、常に最適な動作点に制御できる光波長変換器を得る。
【解決手段】信号光を増幅する前置半導体光増幅器5と、プローブ光を2つに分配する光分波器8aと、前置半導体光増幅器5からの信号光及び光分波器8aからのプローブ光を合波する光合波器6aと、光合波器6aにより合波された信号光及びプローブ光を増幅する半導体光増幅器(SOA)7と、光分波器6aにより分配されたプローブ光を増幅する半導体光増幅器(SOA)9と、SOA7、9の出力光を合波して波長変換光として出力する光合波器6bと、波長変換光を2つに分配する光分波器8bと、光分波器8bにより分配された波長変換光の平均電力に応じた電流を出力するフォトダイオード10と、フォトダイオード10から出力された電流が最大値となるように、前置半導体光増幅器5のバイアス電流を制御する前置SOA制御回路12とを備える。 (もっと読む)


【課題】光を変調する光素子において、メサが欠けやすく、かつ、電極パッドの寄生容量が大きくなる。
【解決手段】光素子であって、リッジ状の光導波路部と、前記光導波路部に並んで配置された、メサプロテクタ部と、前記メサプロテクタ部の上部を覆うとともに、該メサプロテクタ部の両側に配置された樹脂部と、前記光導波路部上に配置された電極と、前記メサプロテクタ部に対して、前記光導波路部と反対側に位置する樹脂部上に配置された電極パッドと、前記樹脂部上に配置されるとともに、前記電極と前記電極パッドを電気的に接続する接続部と、を有する。 (もっと読む)


【課題】既存品の光ファイバと接続する際に、コネクタや光ファイバの端面との接合処理が不要な光変調器を提供する。
【解決手段】光変調器1は、挿入路4が内部に形成された基板部2と、基板部2に取り付けられて変調電圧Viが印加される電極対3a,3bとを備え、挿入路4には、変調電圧Viが印加されない際に光ファイバ中を伝播する光が漏れ出さない曲率で当該光ファイバを湾曲させる湾曲部5が形成され、電極対3a,3bは、挿入路4の湾曲部5の近傍に取り付けられ、変調電圧Viが印加される際に当該電極対3a,3b間に形成される電界が湾曲部5に位置し得る光ファイバに及ぶように構成されている。既存品の光ファイバと接続する際には、電気光学効果を有する材料によってコア11が形成されている光ファイバ10を挿入路4に挿入する。 (もっと読む)


【課題】親マッハツェンダ光導波路に印加するDCバイアス電圧について改善されたネスト型の光変調器を提供する。
【解決手段】子マッハツェンダ光導波路を成す2本の光導波路の上方にバイアスを印加するための中心導体の役割を成す2つの電極を各々有し、該2つの電極に同相のバイアス電圧を印加することにより、親マッハツェンダ光導波路としてのバイアスを設定するネスト型の光変調器であって、子マッハツェンダ光導波路を成す2本の光導波路と当該2本の光導波路の上方に形成された前記2つの電極の位置が光の導波方向と交わる方向にずれた状態であっても当該2本の光導波路において発生する屈折率変化が互いに等しくなるように、接地導体の役割をなす3つの電極を、光の導波方向と交わる方向における前記2つの電極の各電極の両側にして当該2つの電極の間は共通で設けた。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、製造誤差に強い導波路型光干渉計回路を提供することである。
【解決手段】それぞれ独立した導波路型光スイッチを少なくとも2段に縦続して接続した導波路型光スイッチ回路において、各段の前記導波路型光スイッチの入力には、その前段の1光スイッチからの出力のうち1出力のみが接続されて、前記導波路型光スイッチは、所望の光路長差を設けた2本のアーム導波路を有するマッハツェンダー干渉計であり、少なくとも一方のアーム導波路に移相器を備えた干渉計型光スイッチであって、前記少なくとも2段の導波路型光スイッチの一方の前記光路の長い方のアーム導波路と、前記少なくとも2段の導波路型光スイッチのもう一方の前記光路の長い方のアーム導波路とが、それぞれの前記導波路型光スイッチの入力側から出力側に引かれた中心線に対し、反対の方向に配置されて構成されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】出力光信号の非線形性が抑制された光変調回路を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る光変調回路は、入力光信号を分岐する光分岐回路401と、光分岐回路に並列に接続された第1の光変調部410及び第2の光変調部420と、各光変調部で変調を受けた光信号を結合する光結合回路402とを備える。第1の光変調部410と第2の光変調部420の応答周期比を1:1/3とし、かつ、光分岐回路401による第1の光変調部410と第2の光変調部420への分岐の電界強度比を1:1/32=9:1とする。そして、光結合回路402による結合の電界強度比を1:1/32=9:1とする。当該応答周期比および電界強度比は三角波のフーリエ展開による。二次成分のほか、高次のフーリエ成分を一次の成分に加えていくことによって、駆動電圧に対する応答曲線の非線形性を抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】光導波損失を低下させることが可能な半導体光変調器の製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体光変調器の製造方法は、p型半導体基板3上に、p型半導体層5を形成する工程と、p型半導体層5を表面5Sからエッチングしてp型半導体基板3の主面3Sに沿った第1の方向に沿って延びる孔部5Hを形成することにより、一対のストライプ構造5Pを形成する工程と、孔部5Hに埋め込み層15を形成する工程と、埋め込み層15上にコア層17を形成する工程と、コア層17上に、n型半導体材料からなる上部クラッド層23を形成する工程と、n電極37及びp電極39を形成する工程と、を備える。埋め込み層15は、ノンドープの半導体材料、p型半導体層5よりもp型不純物濃度の低いp型半導体材料、又は、n型不純物濃度が1×1017cm−3以下のn型半導体材料からなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】PBS100は、第1の光カプラ110と、複屈折率付与部120と、た複屈折率調整部130と、第2の光カプラ140とを、閃亜鉛鉱型構造を有する101半導体基板上に備える。複屈折率付与部120及び複屈折率調整部130が位相シフタとして機能する。第1のアーム導波路102の第5の導波路部102Cの上に、第1の電極102Dが配置され、第2のアーム導波路103の第4の導波路部103Bが有する第2の傾斜部分の上に第2の電極103Dが配置されている。第1の電極102Dが配置された第1の方向と、第2の電極103Dが配置された第2の方向は、複屈折率調整部130において、両電極に単位電圧を印加したときに、TM偏光に対する上下アーム導波路間の位相差が抑制され、TE偏光に対する上下アーム導波路間の位相差が増大される方向である。 (もっと読む)


【課題】 光変調部のバイアス制御を効果的に行って安定した伝送信号特性を得ることのできる光送信装置と光変調制御方法を提供する。
【解決手段】 光送信装置は、第1導波路と第2導波路を含み、前記第1導波路と前記第2導波路の各々において、2n値(nは1以上の整数)の強度レベルを有する変調駆動信号で搬送光を変調する光変調器と、前記第1導波路から出力される第1の光信号と、前記第2導波路から出力される第2の光信号との間に所定の位相差を与える位相シフト部と、
前記位相差が与えられた前記第1の光信号と前記第2の光信号を合波して得られる多値光変調信号の一部を光電変換する光検出器と、前記検出された変調信号の交流成分の変化を検出するモニタ部と、前記検出された交流成分の変化に基づいて、前記第1導波路に与える第1バイアス電圧と前記第2導波路に与える第2バイアス電圧の少なくとも一方を、前記検出される交流成分のパワーが大きくなるように制御する制御部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】PBS100は、第1の光カプラ110と、第1の複屈折率調整部120と、第2の複屈折率調整部130と、第2の光カプラ140とを閃亜鉛鉱型構造を有する半導体基板101上に備える。第1の複屈折率調整部120及び第2の複屈折率調整部130が位相シフタとして機能する。第1の複屈折率調整部120は、第1の幅の第1の導波路部102Aと、第2の幅の第2の導波路部103Aと、第1の電極102Bと、第2の電極103Bとで構成され、ここで、第1の幅は第2の幅よりも大きい。第2の複屈折率調整部130は、第1の導波路部102Aから傾斜して配置された第3の導波路部102Cと、第2の導波路部103Bから傾斜して第3の導波路部102Cと平行に配置された第4の導波路部103Cと、第3の電極102Dと、第4の電極103Dとで構成される。 (もっと読む)


【課題】複数のマッハツェンダー型導波路を入れ子構造に組み合わせた光変調器における合波部に合流する出力信号強度を適正に調整し、信号出力を容易に安定化することが可能な光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板3と、基板に形成され、複数のマッハツェンダー型導波路(11〜14)を並列に配置し、マッハツェンダー型導波路の入力導波路に接続される導波路を分岐して構成する分岐部と、マッハツェンダー型導波路からの出力導波路が合流する合波部とを有する光導波路と、光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極を備えた光変調器において、分岐部と分岐部から分岐した導波路が接続されるマッハツェンダー型導波路の入力導波路との間、あるいは、マッハツェンダー型導波路の出力導波路と合波部36との間の少なくとも一つに、Y分岐スイッチ(51,52)を設け、Y分岐スイッチの分岐比を調整可能とする。 (もっと読む)


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