【課題】チューナブルフィルタの構造を簡潔にする。
【解決手段】チューナブルフィルタであって、互いに平行な一対の面の一方の面に配された、透過部およびミラー部、並びに、他方の面に配され、透過する波長帯域が面内の一の方向に沿って異なるダイクロイックミラー部を有し、連続スペクトルの平行光束が入射され、連続スペクトルの平行光束を波長に応じて空間的に分散された平行光束として射出する分波部と、分波部から空間的に分散された平行光束が入射され、空間的な位置に応じて強度を変調して、空間的な位置に応じた予め定められた光路に対して射出する空間変調部と、空間変調部から射出された、空間変調された平行光束を合波して射出する合波部とを備える。 （もっと読む）

【課題】寄生抵抗が低減されたダイオード構造が形成できるようにする。
【解決手段】 この半導体素子は、ｎ型とされた窒化物半導体から構成されて主表面がＣ面方向とされている第１半導体層１０１と、第１半導体層１０１とは格子定数が異なる窒化物半導体から構成され、主表面がＣ面方向とされて第１半導体層１０１の上に形成された第２半導体層１０２と、第２半導体層１０２とは格子定数が異なるｎ型の窒化物半導体から構成され、主表面がＣ面方向とされて第２半導体層１０２の上に形成された第３半導体層１０３とを少なくとも備える。また、第２半導体層１０２は、臨界膜厚より薄く形成されている。加えて、第１半導体層と第２半導体層との格子定数の大小関係と、第３半導体層と第２半導体層との格子定数の大小関係とは同じとされている。 （もっと読む）

【課題】サブ波長（たとえばナノメートルスケール）の半径変動を有する光ファイバを利用して結合共振空洞を作製するマイクロデバイスを提供する。
【解決手段】複雑な結合フォトニック・マイクロデバイスが、共振空洞を作製するのに十分なサブ波長サイズの放射状の摂動を含むように形成され、これらのデバイスが、単一光ファイバ１０の長さ方向に沿って形成され、互いに結合されて相対的に複雑なフォトニック・デバイスを形成する。これら局所的な半径変動１２の配置および分離を注意深く選択することにより、またマイクロファイバ１４（または他の適切な構成）を使用して、デバイス・ファイバ１０との間で光信号Ｏを結合することにより、ウィスパリングギャラリーモード（ＷＧＭ）の形での共振がデバイス・ファイバ１０内に生成され、その結果、複数の結合された微細構造（たとえば、リング共振器など）を形成する。 （もっと読む）

【課題】
光変調器の出力光とモニタ光との位相差が補償可能であり、かつ簡単な構成で小型化可能な構成を有する光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路（２１〜２４）を含む光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極と、該光導波路からの出射光を導波する光ファイバ４ととを有する光変調器において、該マッハツェンダー型光導波路から放出される２つの放射光（Ｒ１，Ｒ２）を１つの受光素子５に向けて集光する集光手段（３１，３２）と、該受光素子５が受光する該２つの放射光の光量比を調整する光量比調整手段とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】動作の遅延を抑制しつつ、空間光変調素子の温度変化に伴う位相分布の歪みを抑える。
【解決手段】空間光変調装置１Ａは、位相変調型の空間光変調素子１０と、空間光変調素子１０の温度を検出する温度センサと、駆動信号ＳＤを空間光変調素子１０に提供する制御部２０Ａとを備える。制御部２０Ａは記憶部２２を有する。記憶部２２は、空間光変調素子１０の位相歪みを補正するために空間光変調素子１０のＮ個（Ｎは２以上の整数）の温度値に対応して作成されたＮ個の補正用パターンを記憶している。制御部２０Ａは、空間光変調素子１０の温度値に応じて一の補正用パターンを選択し、該一の補正用パターンを所望の位相パターンに加算することにより作成される位相パターンに基づいて駆動信号ＳＤを生成する。 （もっと読む）

【課題】放熱性を確保し、コストを抑えつつ、全チャネルで良好な高周波特性を得ることができる多チャネル光送信モジュール及びその作製方法を提供する。
【解決手段】多チャネル光送信モジュールにおいて、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の厚さの差を１５μｍ以下とし、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２をサブキャリア４Ａの同一の上面に設け、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の上面にフリップチップ配線板１５を配置し、フリップチップ配線板１５を配線板支持板１２の電極にバンプ１６で固定すると共に、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂの電極とフリップチップ配線板１５の電極とを各々金バンプ１４で結線した。 （もっと読む）

【課題】導波路コア層の幅のばらつきが光の伝播に及ぼす影響を抑制する。
【解決手段】光半導体素子１は、クラッド層２上に設けられた、導波路コア層３ａ、及びその両側のスラブ層３ｂを有する第１半導体層３を備える。光半導体素子１は、その導波路コア層３ａの側面、及びスラブ層３ｂの上面を被覆する絶縁層４を備え、更に、導波路コア層３ａの側方で、スラブ層３ｂの上方に、絶縁層４を介して設けられた第２半導体層５を備える。第２半導体層５と導波路コア層３ａとは、絶縁層４によって電気的に分離される一方、光学的には接続される。 （もっと読む）

【課題】
光変調器の出力光とモニタ光との位相差が補償可能であり、かつ簡単な構成で小型化可能な構成を有する光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路（２１〜２４）を含む光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極と、該光導波路からの出射光を導波する光ファイバ４と、該基板の端部に該光ファイバと接続するための補強用キャピラリ３とを有する光変調器において、該マッハツェンダー型光導波路から放出される２つの放射光（Ｒ１，Ｒ２）を、１つの受光素子５に向けて反射する反射手段（３１，３２）を該補強用キャピラリに設け、該反射手段で反射された２つの放射光が互いに交差するように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、画素ピッチがサブミクロン程度となるまで精細度を上げることができ、かつ、光の波長が、電極の波長−透過率特性に制限されない空間光位相変調器に関する。
【解決手段】本発明の空間光位相変調器は、複数の画素構成素子を備え、前記複数の画素構成素子の各々は、電気光学効果を有する電気光学材料と、該電気光学材料上に互いに対向するように配置された２つの電極とを備え、複数の画素構成素子の各々は、所定の間隔で配置され、電気光学材料内を透過する光の光軸は、２つの電極の間に存在し、電気光学材料の誘電率は、画素構成素子と隣接する画素構成素子との間の間隙中の誘電率よりも高く、複数の画素構成素子の各々の重心が、光の光軸と垂直な同一平面上にあるように、複数の画素構成素子を配置する。 （もっと読む）

【課題】ＬＤとモノリシックに集積容易な高速・高効率な半導体光変調素子を提供する。
【解決手段】基板１０１の面上に、上層から基板面に向かって順に少なくともｎ型クラッド層１１３ａ，１１３ｂ、ｉ―コア層１１５ａ，１１５ｂ、ｐ型クラッド層１１７ａ，１１７ｂを含む半導体多層構造でなる光変調素子を備え、光変調素子の光変調導波路が基板上の逆メサ方向に形成されている。信号電極１１１ａ，１１１ｂには正の電圧をバイアス電圧として用いる。 （もっと読む）

【課題】複数のＭＺ干渉計を含む光変調器における個々のＭＺ干渉計の特性を評価する方法を提供する。
【解決手段】光変調器１は、第１のＭＺ干渉計２と第２のＭＺ干渉計３を含み第１のＭＺ干渉計２は分波部５と、２つのアーム６，７と合波部８と電極を含む。２つのアームは分波部と接続され、合波部は２つのアームと接続され、電極は２つのアームにバイアス電圧を印加でき、電極は２つのアームに変調信号を印加でき、ＭＺ干渉計に駆動信号を印加し、ＭＺ干渉計の２つのアームから出力される光の位相差をπかあるいは０となるようにバイアス電圧を調整し、バイアス電圧が調整された後ＭＺ干渉計の出力強度のうち２次成分のサイドバンド成分の強度を用いてＭＺ干渉計の特性を評価する。 （もっと読む）

【課題】 発振スペクトル線幅の狭小化と、波長掃引範囲の広帯域化と、を同時に達成し得る光源装置を提供する。
【解決手段】 光を増幅させる光利得媒体と屈折率の波長分散を有する光導波路とを含んで構成される光共振器と、該光共振器内における光の強度を変調する光変調器と、を備え、該光変調器の変調周波数に応じて光パルスの発振波長が変化する光源装置であって、
前記光変調器が、前記光変調器を透過する光の透過率を調整可能であり、かつ、前記光変調器を透過する光の透過時間のデューティー比が５０％未満であることを特徴とする光源装置。 （もっと読む）

【課題】信号光の一部を電気光学変調器により切り出してパルス光を出力するレーザ装置において、煩雑な電気光学変調器のバイアス調整作業を改善可能な手段を提供する。
【解決手段】本発明を例示する態様のレーザ装置は、信号光を出力する信号光源１１と、信号光源１１から出力された信号光を増幅する光増幅器２１と、光増幅器により増幅された信号光の一部を切り出してパルス光を出力する電気光学変調器２５と、電気光学変調器２５の出射側に設けられ、光増幅器２１において発生するＡＳＥ光を検出するＡＳＥ光検出器２７と、電気光学変調器２５の作動を制御するＥＯ制御部５５とを備え、ＥＯ制御部５５が、ＡＳＥ光検出器２７により検出されるＡＳＥ光の強度が最小になるように、電気光学変調器２５のバイアス電圧を調整するように構成される。 （もっと読む）

【課題】容易に他のデバイスに組み込むことが可能なＳＯＡ−ＰＬＣハイブリッド集積偏波ダイバーシティ回路を提供する。
【解決手段】互いに導波路を結合したＰＬＣ−ＰＢＳチップとＳＯＡ−ＣＯＳとを備えるＳＯＡ−ＰＬＣハイブリッド集積偏波ダイバーシティ回路を提供する。ＰＬＣ−ＰＢＳチップは、第１および第２の光導波路と、マッハツェンダー干渉計回路と、ＴＭモードの光が伝播する第１の石英系光導波路中に形成された半波長板とを含む。ＳＯＡ−ＣＯＳは、第１の光導波路に接続された第３の光導波路と、第２の光導波路に接続された第４の光導波路と、少なくとも一方の第３および第４の光導波路に形成されたＳＯＡとを含む。第３と第４の光導波路のそれぞれ第１および第２の光導波路と接続しないもう一端同士は、Ｕターン部光導波路で接続される。 （もっと読む）

【課題】高周波電気信号のクロストークを小さくした光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と、基板に形成された光を導波するためのマッハツェンダ光導波路を含んでなる光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光を変調する高周波電気信号を印加するための高周波電気信号用として複数の中心導体及び複数の接地導体からなる進行波電極を具備する光変調器において、複数の中心導体のうちの少なくとも１つの中心導体の両側に位置する接地導体が、当該中心導体の上方をまたいで導体により接続されている。 （もっと読む）

【課題】高周波電気信号のクロストークを小さくした光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と、基板に形成された光を導波するためのマッハツェンダ光導波路を含んでなる光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光を変調する高周波電気信号を印加するための高周波電気信号用として複数の中心導体及び複数の接地導体からなる進行波電極を具備する光変調器において、複数の中心導体のうちの隣接する中心導体に挟まれた接地導体の高さが等価的に高くなるように、前記接地導体の上面に導体が立設されている。 （もっと読む）

【課題】長さ方向における短尺化を図ることができる半導体光変調器を提供する。
【解決手段】２つのカップラー１１，１７とそれらを結ぶ２つのアーム導波路を備え、同一のアーム導波路上に高周波を印加して変調を行う変調電極１３ａ，１３ｂと直流電圧を印加して動作点を調整する位相調整電極１６ａ，１６ｂとを備える半導体からなるマッハツェンダー型の半導体光変調器であって、変調電極１３ａ，１３ｂの後に接続され２つのアーム導波路の間隔を狭くし、かつ２つのアーム導波路の伝搬距離を等しくする遅延部１４ａ，１４ｂと、遅延部１４ａ，１４ｂの後に接続され光の伝搬方向を１８０度変換する曲線導波路からなる折り返し部１５ａ，１５ｂと、折り返し部１５ａ，１５ｂの後に接続され光の位相調整を行う位相調整電極１６ａ，１６ｂとを備えた。 （もっと読む）

【課題】光導波路型の電気光学素子において、コア層となる電気光学材料に電荷が注入されるのを抑制し、電気光学素子の内部を伝搬する光ビームのビーム形状の歪みを防止することを目的とする。
【解決手段】本発明の電気光学素子１は、電気光学材料の薄膜をコア層４とし、コア層４から順に誘電体クラッド層と電極層７ａ，７ｂとを積層して構成される光導波路２からなる。誘電体クラッド層は、第一のクラッド層５ａ，５ｂと第二のクラッド層６ａ，６ｂからなる。第二のクラッド層６ａ，６ｂの誘電率は、第一のクラッド層５ａ，５ｂの誘電率より大きく、第二のクラッド層６ａ，６ｂの膜厚６ｄ_ｃｌは、第一のクラッド層５ａ，５ｂの膜厚５ｄ_ｃｌより厚く設定されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、各構成部品を等長化して組み立てる必要がなく、部品の温度特性及び経時変化が生じてもスキュー調整が容易である位相変調装置を提供することを目的とする。
【解決手段】位相変調装置３０１は、連続光を出力する光源１０と、２つの位相変調器１２及び強度変調器１５を有し、光源１０からの連続光を位相変調器１２がそれぞれに入力されるデータ信号（ＤＡＴＡ１、２）で位相変調して２つの位相変調光信号を生成し、移相器１３が位相変調光信号の一方の位相をπ／２ずらして位相変調光信号の他方と合波した合波信号を強度変調器１５が入力されたクロック信号ＣＬＫで強度変調しＲＺ化して出力するＲＺ位相変調回路１０１と、ＲＺ位相変調回路１０１の出力が最大となるように、ＲＺ位相変調回路１０１の位相変調器１２が生成する位相変調光信号の位相をそれぞれ調整する位相制御回路１１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
パルスの振幅と位相をフィードバック系により操作することで所望形状のパルス波形を形成するパルス圧縮技術を提供する。
【解決手段】
光パルス圧縮装置１は、周波数コム光発生装置１１と、光パルスシンセサイザ１２と、光増幅器１３と、帯域拡大用光ファイバー１４１，分散補償用光ファイバー１４２とからなる光ファイバーモジュール１４と、光ファイバーモジュール１４からの光パルスＰを入射して、光パルスＰの波形を測定して、実測波形データＤ_wavを生成する光パルス波形測定装置１５と、光パルスＰのスペクトルを測定して、実測スペクトルデータＤ_spcを生成する光スペクトラムアナライザ１６と、光パルスシンセサイザ１２に振幅フィードバック制御信号Ｓ_Aと位相フィードバック制御信号Ｓ_Pを送出する光パルスシンセサイザ制御部とを備える。 （もっと読む）