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Fターム[2H079AA12]の内容

光の変調 (22,262) | 制御手段 (4,614) | 物性変化、効果等 (1,981) | 屈折率変化 (1,581)

Fターム[2H079AA12]に分類される特許

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【課題】光変調器に入力される信号のバイアス電圧を高速かつ効率的に制御すること。
【解決手段】光変調装置は、生成回路と、重畳器と、光変調器と、算出回路と、制御器とを備える。生成回路は、所定の周波数を有する電気信号よりも周波数が低く、かつ、振幅の平均値が振幅の中心値と一致しない低周波信号を生成する。重畳器は、生成回路によって生成された低周波信号を電気信号に重畳する。光変調器は、重畳器によって低周波信号が重畳されて得られた電気信号である入力信号を用いて、光源からの光を変調し信号光を出力する。算出回路は、光変調器によって出力される信号光の周波数成分のうち低周波信号と同一の周波数を有する低周波成分の振幅の平均値と、振幅の中心値とを算出する。制御器は、算出回路により算出された低周波成分の振幅の平均値が振幅の中心値に近づくように、光変調器へ入力される入力信号のバイアス電圧を制御する。 (もっと読む)


【課題】リッジ導波路のメサ幅を高精度に制御する。
【解決手段】半導体基板上に設けられたコア層と、コア層の上方に突出するリッジ型の導波路を備え、導波路は、コア層の上方に設けられたメサ状の第1クラッド層と、第1クラッド層上に設けられた第1エッチングストップ層と、第1エッチングストップ層上に設けられ、第1クラッド層と同一の組成を有する第2クラッド層とを有し、第1エッチングストップ層は、第1クラッド層及び第2クラッド層を化学エッチングするエッチャントでエッチングされない半導体光素子を提供する。 (もっと読む)


【課題】DCドリフトが抑制された光導波路素子の製造方法を提供する。さらには、製造プロセスの途中で、DCドリフトを調整することを可能とし、製造の歩留まりを改善する、光導波路素子の製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板に、光導波路を形成する工程と、バッファ層を形成する工程と、電極を形成する工程とを有する、光導波路素子の製造方法において、該バッファ層を形成した後に、該バッファ層内の特定物質の濃度分布を加熱によって調整するための1段階又は複数段階の界面拡散層熱調整工程(S1,S2)を組み込む。 (もっと読む)


【課題】半導体レーザ素子のレーザ光スペクトルの線幅を抑えること。
【解決手段】複数のレーザ素子と、複数のレーザ素子のそれぞれに導波路を介して接続され、複数のレーザ素子が出力するレーザ光を合流する光合流器と、光合流器から出力されるレーザ光を増幅する半導体光増幅器と、記光合流器及び半導体光増幅器と同一の基板上において、複数のレーザ素子のそれぞれと光合流器との間の経路上にそれぞれ形成された複数の波長選択フィルタとを備える半導体光素子。 (もっと読む)


【課題】低温プロセスでゾルゲルガラスからなるクラッド・コア材の作製、屈折率の任意制御、光損失の極小制御が可能なポリマー光変調器の製造方法の提供。
【解決手段】下記式(1)
Si(OR4−n (1)
で表されるシリコンアルコキシド、その加水分解・縮合物、またはこれらの混合物と、光酸発生剤とを含む硬化性組成物を調製する工程と、
該硬化性組成物を基板上に塗布・硬化し、更にパターン形成を行い、ゾルゲルガラスから形成される下部クラッド層、コア層、側部クラッド層及び上部クラッド層を形成する工程と、
上部クラッド層中に、電気光学ポリマーから形成されるコア層を、該ゾルゲルガラスから形成されるコア層の上部に接触して埋設する工程とを含み、且つ、上部クラッド層と電気光学ポリマーから形成されるコア層との接続部の一部が、導波光の進行方向に対しテーパー構造を有する、ポリマー光変調器の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 光半導体素子及びその製造方法に関し、イオン注入工程を削減して、簡易な製造工程で光半導体素子を製造する。
【解決手段】 各スラブ導波路部とそれに接する隆起領域とに注入イオン分布のピークが、前記スラブ導波路部の厚さよりも深い位置となり且つ前記隆起領域の厚さよりも浅い位置になる条件で各導電型の不純物をイオン注入する。 (もっと読む)


【課題】従来の光送信装置で問題となっていた位相変調光の平均値変動による直交制御最適点の誤検出を防ぐことにより、安定した位相シフト量(動作点)の調整を行うことができる光送信装置を提供する。
【解決手段】分岐部39とLPF32と加算器(減算器)33とを有する構成の信号補正手段40を、光送信装置の制御ループ22に設ける。分岐部39ではモニタPD31で得られた電気信号b3を、第1の分岐信号b3−1と、第2の分岐信号b3−2とに分岐する。LPF32では第2の分岐信号b3−2の低周波成分を通過させて、第2の分岐信号b3−2から高周波成分を除去することにより、第2の分岐信号b3−2の平均値b4を得る。加算器33では、第1の分岐信号b3−1から、LPF32で得られた第2の分岐信号b3−2の平均値b4を差し引くことにより、補正モニタ信号b5を得る。 (もっと読む)


【課題】バッファ層中へのLiイオン等のキャリアの拡散を抑制し、長期間に渡り駆動電圧が安定した光導波路素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板1と、基板1に形成された光導波路2と、基板1の上に形成されたバッファ層5と、バッファ層5上に形成され、光導波路2を伝搬する光波を変調する変調電極3,4とを有する光導波路素子において、光導波路2とバッファ層5との間に、基板1に含まれる金属イオンがバッファ層5内に拡散し偏在することを抑制するための偏在抑制層6を設ける。 (もっと読む)


【課題】
進行波型光変調器の製造工程において、電極の屈折率を簡便且つ正確に測定することが可能であり、検査に必要な検査用電極もより小さな電極パターンとすることが可能な検査用電極付きウエハ及びその電極の屈折率測定方法を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有するウエハ1に、複数の光導波路2と、該光導波路に沿って信号電極及び接地電極が配置されてなる、該電極間に電気信号を進行させて該光導波路を伝搬する光を制御するための複数の進行波型制御電極と、該ウエハの一部に形成された検査用電極(3,31)とを有する検査用電極付きウエハにおいて、該検査用電極は、該信号電極と同一延伸方向に延びる共振型電極(3,31)を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】周波数特性の劣化を防ぐことができる光デバイスを得る。
【解決手段】n型InP基板1上に、光分波器2、マッハツェンダ光変調器3,4、及び光合波器5が設けられている。光分波器2は入力光を第1及び第2の入力光に分波する。マッハツェンダ光変調器3,4は、第1及び第2の入力光をそれぞれ変調する。光合波器5は、マッハツェンダ光変調器3,4により変調された光を合波する。マッハツェンダ光変調器3の位相変調電極8a,8bとマッハツェンダ光変調器4の位相変調電極14a,14bは、マッハツェンダ光変調器3,4の光導波路6a,6b,12a,12bの延在方向に対して垂直な方向から見て互いに重ならない。 (もっと読む)


【課題】本発明は、光通信システム用の放射電力等化器に関する。
【解決手段】本発明は、光通信システム用の放射電力等化器を提供し、該等化器は、(a)1つ又はそれ以上の放射成分に分割する光デマルチプレクサ(300)、(b)前記1つ又はそれ以上の放射成分を選択的に伝送又は減衰する液晶セル・アレー(310)、(c)光マルチプレクサ(330)、(d)1つ又はそれ以上の対応する成分放射電力を示す信号を生成するPINダイオード検出器アレー(120)と結合した発信器エルビウムドープ・ファイバ増幅器(70)、及び、(e)制御モジュール(130)を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光変調装置の安定な特性を得ること。
【解決手段】光変調器10と、一端が前記光変調器に電気的に接続されたボンディングワイヤ30と、前記ボンディングワイヤの他端と電気的に接続され、絶縁層上に設けられてなるインダクタ成分を有する第1金属層56と、前記第1金属層と電気的に直列に接続された接地パターンを備えた第2金属層52と、を具備する光変調装置。 (もっと読む)


【課題】従来よりも広い波長可変帯域を有し、かつ、正確な発振波長制御が簡便な半導体波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】半導体波長可変レーザ400のフィルタ領域420は、第1のMZI421と第2のMZI422を並列配置し、2×2光カプラ423の2つの出力ポートに各々接続している。各MZIは、2つの2×2光カプラの間に、同一構造の2本のアーム導波路を有する対称MZIである。各アーム導波路は、一方の2×2光カプラの出力ポートに接続された第1のミラーと、第1のミラーと所定の長さ(第1のMZI421では第1の長さL1、第2のMZI422では第2の長さL2)の光導波路により接続され、他方の2×2光カプラの入力ポートに接続された第2のミラーとを有するファブリペローエタロンを備える。当該他方の2×2光カプラの出力ポートには、反射率90%以上の高反射ミラー424、425が設けられている。 (もっと読む)


【課題】光透過率制御の可能な表示装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一面に光を放出する第1領域、及び第1領域と隣接して外光を透過する第2領域を含む画素を備える透明表示素子;透明表示素子の一面に対応する方向に配されて、外光を線形偏光させて透過する第1偏光板;第1偏光板と透明表示素子の一面との間に配されて、外光の位相を遅延させて透過する第1リターダー;透明表示素子の一面の反対側である他面に対応する方向に配されて、外光を線形偏光させて透過する第2偏光板;第2偏光板と透明表示素子の他面との間に配されて、印加される電源により外光の波長を第1位相ないし第2位相の範囲で遅延させて透過する変換リターダー;を備える光透過率制御の可能な表示装置。 (もっと読む)


【課題】バイアス電圧に基づいて光信号の位相シフトを行う場合において、バイアス電圧にパイロット信号を付与しなくても、位相シフト量を所期の位相シフト量に調整できるようにする。
【解決手段】I用位相変調器(12)は、第1変調信号と第1パイロット信号とが付与されたバイアス電圧V1に基づいて位相変調し、Q用位相変調器(14)は、第1パイロット信号と異なる第2パイロット信号と第2変調信号とが付与されたバイアス電圧V2に基づいて位相変調する。時間平均パワー同期検波部(22)は、両パイロット信号の電圧の正負が同じとなるタイミングにおける光パワーと、両パイロット信号の電圧の正負が逆となるときの光パワーと、を検出する。バイアス電圧制御部(18)は、時間平均パワー同期検波部(22)の検出結果に基づいて、両光パワーの差が小さくなるように、バイアス電圧V3を制御する。 (もっと読む)


【課題】 バイアス電圧を低減することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかるマッハツェンダ型変調器は、入力された光を分岐する光分岐導波路と、PN接合構造またはPIN接合構造を有し、前記光分岐導波路から入力される光を伝播させる第1のアーム光導波路と、量子井戸構造を有し、前記光分岐導波路から入力される光を伝播させる第2のアーム光導波路と、前記第1のアーム光導波路を伝播する光の位相を調整する第1の位相電極と、前記第2のアーム光導波路を伝播する光の位相を調整する第2の位相電極と、を備え、 前記第1の位相電極に順方向電圧を印加し、前記第2の位相電極に0Vまたは逆方向電圧を印加することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】低い半波長電圧で、かつ、高い周波数で入力光を変調する光変調器を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成され、並走する第1光導波路および第2光導波路を有する誘電体膜と、誘電体膜上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成され、第1光導波路および第2光導波路の間に配置された信号線と、第1光導波路に対する第2光導波路とは反対側の第1領域に配置された第1グランド線と、第2光導波路に対する第1光導波路とは反対側の第2領域に配置された第2グランド線とを有するコプレーナ線路と、第1領域および第2領域において誘電体膜と接してまたは絶縁膜の内部に設けられ、第1光導波路および第2光導波路に対するバイアス電圧を印加する補助電極と、を備える光デバイスを提供する。 (もっと読む)


【課題】微小変調成分の同期検波を確実に行って、安定した光変調器の動作点制御を行うことができる光位相制御回路を提供する。
【解決手段】AGCアンプ26はループ帯域の下限カットオフ周波数が微小変調信号b4の周波数よりも高く設定され、可変利得アンプ31では利得制御信号b9−1に基づいて、光電気変換後の電気信号b8を目標振幅値b10となるように増幅し、ピーク検出回路32では可変利得アンプの出力振幅を検出し、積分器では前記出力振幅と目標振幅値との差分を積分して得られる出力信号b9を利得制御信号として可変利得アンプへ出力し且つ同期検波用の信号b9−1として同期検波器27へも出力する。同期検波器は同期検波用の信号を同期検波して動作点の制御方向を判断し、制御回路28は前記制御方向に基づいて動作点制御信号を出力し、加算器29は微小変調信号を前記動作点制御信号に重畳した動作点制御信号b6を光変調器へ出力する。 (もっと読む)


【課題】印加電界に対して複雑な屈折率特性を有する結晶を用いて、高速な光変調器動作をさせる。
【解決手段】基板と、基板上に形成され、並走する第1光導波路および第2光導波路を有する誘電体膜と、誘電体膜上に形成され、第1光導波路および第2光導波路の間に配置された信号線と、第1光導波路に対する第2光導波路とは反対側の第1領域および第2光導波路に対する第1光導波路とは反対側の第2領域に配置された第1および第2バイアス電極とを有する伝送線路と、第1バイアス電極および第2バイアス電極に互いに異なる第1バイアス電圧および第2バイアス電圧を印加し、信号線に第1バイアス電圧および第2バイアス電圧の間の制御電圧を印加する駆動回路部と、を備える光デバイスを提供する。 (もっと読む)


【課題】 光波長多重信号の偏光面を波長成分ごとに調整することができ,しかも各成分に時間的なずれが生じない,波長選択偏波制御器を提供する。
【解決手段】 この波長選択偏波制御器は,光波長多重信号が入射するテレセントリック光学系11と,テレセントリック光学系から出力された光の偏波面を調整する偏波制御器12と,偏波制御器からの出力を光路へと出力するための出力光学系13と,を有する。テレセントリック光学系11は,光波長多重信号が入射する第1の回折格子15と,回折格子15を経た光波長多重信号を集光する第1の集光レンズ16と,を有する偏波制御器12は,複数の位相変調器21,22,23を有する。 (もっと読む)


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