【課題】半導体集積回路の製造において、金属を研磨する工程で用いられ、酸化剤を添加した後の、研磨用組成物のｐＨ変化の安定化ができる研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】 本発明の研磨用組成物は、水溶液中において酸化剤との共存下でｐＨを低下させる物質と、ｐＨ緩衝剤を含有する研磨用組成物であって、研磨用組成物１００ｇに対して、３１重量％の過酸化水素水を５．１６ｇ添加した場合の８日後のｐＨ変化の絶対値が０．５以下であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】被研磨物の平坦度を高めてその品質の向上を図ることができる研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッド１の研磨面１ａに、バフ加工等の機械的加工を施して、平坦性を改善し、前記研磨面のうねりが、周期５ｍｍ〜２００ｍｍであって、最大振幅４０μｍ以下とし、これによって、当該研磨パッド１を用いて研磨されるシリコンウェハ等の被研磨物の平坦度を向上させるようにしている。 （もっと読む）

【課題】 本発明が解決しようとする課題は、高硬度性、機械物性に優れる研磨パッドを形成でき、かつ、適度なポットライフを有する研磨パッド用ウレタン樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】 ポリオール（Ａ）と、ポリイソシアネート（Ｂ）と、を反応させて得られるイソシアネート基末端ウレタンプレポリマー（１）と、芳香族アミン化合物（２）と、を含有する研磨パッド用ウレタン樹脂組成物であって、
前記ポリイソシアネート（Ｂ）が、イソホロンジイソシアネート（Ｂ−１）と、キシリレンジイソシアネート又は水添キシリレンジイソシアネート（Ｂ−２）と、を含有することを特徴とする研磨パッド用ウレタン樹脂組成物 （もっと読む）

【課題】絡合不織布と高分子弾性体とを含む耐摩耗性及び研磨レートを向上させた研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッドは、極細繊維の絡合不織布と、絡合不織布の内部に含浸された、高分子弾性体と無機粒子との複合体とを含み、複合体が無機粒子を１〜５０質量％含むことを特徴とする。無機粒子としては、平均粒子径５０〜４５０ｎｍの無機酸化物粒子が好ましい。無機粒子としては、シリカ粒子が好ましい。高分子弾性体としては、無孔質ポリウレタン樹脂が好ましい。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜の研磨速度に対して酸化ケイ素膜及び窒化ケイ素膜の研磨速度を向上させることが可能であり、ポリシリコン膜をストッパ膜として酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜を研磨する研磨工程に適用することが可能なＣＭＰ研磨液を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、第１の液と第２の液とを混合して使用されるＣＭＰ研磨液であって、第１の液がセリウム系砥粒と分散剤と水とを含有し、第２の液がポリアクリル酸化合物と界面活性剤とｐＨ調整剤とリン酸化合物と水とを含有し、第２の液のｐＨが６．５以上であり、リン酸化合物の含有量が所定範囲となるように第１の液と第２の液とが混合される。また、本発明のＣＭＰ研磨液は、セリウム系砥粒と、分散剤と、ポリアクリル酸化合物と、界面活性剤と、ｐＨ調整剤と、リン酸化合物と、水とを含有し、リン酸化合物の含有量が所定範囲である。 （もっと読む）

【課題】ガラス体を傷つけるのを抑制しつつ、デブリを効果的に除去すること。
【解決手段】粒径が１μｍ以下の微粒状体を含有する含有液を保持した多孔質体８４を一方の面５０ｂに押し当てながら、ガラス体６０および多孔質体８４を、一方の面５０ｂに沿う面方向に相対的に移動させるデブリの除去方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、サファイア単結晶基板などのＡｌを含有する、高硬度の基材を、高速で研摩処理することが可能となり、高い面精度を有した研摩面を実現できる研摩処理技術を提供する。
【解決手段】本発明は、アルミニウムを含有する基材を研摩する研摩スラリーにおいて、砥粒と、２０℃での水に対する溶解度が０．１ｇ／１００ｇ−Ｈ_２Ｏ以上である無機ホウ素化合物と、水を含有することを特徴とする研摩スラリーに関する。本発明における無機ホウ素化合物の含有量は、研摩スラリーに対して、ホウ素原子に換算して０．１質量％〜２０質量％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜の研磨速度に対して酸化ケイ素膜及び窒化ケイ素膜の研磨速度を向上させることが可能であり、ポリシリコン膜をストッパ膜として酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜を研磨する研磨工程に適用することが可能なＣＭＰ研磨液を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、第１の液と第２の液とを混合して使用されるＣＭＰ研磨液であって、第１の液がセリウム系砥粒と分散剤と水とを含有し、第２の液がポリアクリル酸化合物と界面活性剤とリン酸化合物と水とを含有し、第２の液のｐＨが６．５以上であり、リン酸化合物の含有量が所定範囲となるように第１の液と第２の液とが混合される。また、本発明のＣＭＰ研磨液は、セリウム系砥粒と、分散剤と、ポリアクリル酸化合物と、界面活性剤と、リン酸化合物と、水とを含有し、リン酸化合物の含有量が所定範囲である。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の主平面を、酸化セリウム砥粒を使用することなくかつ高い研磨速度で研磨して、加工の際に生じたキズやクラック等を除去し、平滑な主平面を有する磁気記録媒体用ガラス基板を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】この磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法は、形状付与工程と、主平面研削工程と、主平面研磨工程とを備える。そして、主平面研削工程は、平均粒径０．０１μｍ〜１５μｍのダイヤモンド砥粒を有する固定砥粒工具を用いて研削する固定砥粒研削工程を有し、主平面研磨工程は、シリカ粒子、ジルコニア粒子等の酸化セリウム粒子以外の平均粒径５ｎｍ〜３０００ｎｍの砥粒を含む研磨液と、研磨パッドを用いて研磨する第１の研磨工程と、その後平均粒径が５〜５０ｎｍのシリカ砥粒を含む研磨液と研磨パッドを用いて研磨する第２の研磨工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】安価かつ簡素な構成であるにも拘わらず、ワークおよびキャリアプレートを定盤上で定盤半径方向の内外周全域に揺動させる揺動機構を採用し、定盤あるいは研磨布の全面を研磨領域として均一に磨耗させることで定盤あるいは研磨布面に段差を発生させないようにしてワークへの悪影響を防止するとともに、ワークの外周側と内周側の研磨レートの均一化や、定盤あるいは研磨布の延命化を図る片面研磨装置を提供する。
【解決手段】回転する定盤１０１の内外周の速度差によりワーク１０とともにキャリアプレート１０２を回転させ、センターローラ１１１に追従ローラ１１０が追従してガイドアーム１０９が揺動され、センターローラ１１１とガイドローラ１０９とにより位置決めされているキャリアプレート１０２がガイドアーム１０６とほぼ一体となって定盤半径方向へ揺動される片面研磨装置１００とした。 （もっと読む）

【課題】ワークを精度よく貼着できるワーク貼着装置を提供する。
【解決手段】押圧テーブル１８と、押圧テーブル１８の上方に、押圧テーブル１８に対して相対的に接離自在に配設された押圧ヘッド４２とを備え、押圧テーブル１８と押圧ヘッド４２とによって押圧することによって、プレート２２上にワックスを介してワーク２３を貼着するワーク貼着装置１０において、押圧テーブル１８は、ヒーター３１と冷却機構３２の双方を備えて成り、押圧テーブル１８と押圧ヘッド４２とを加熱して、プレート２２上に塗布されたワックスを介してワーク２３を押圧してワックスを展延させ、しかる後、冷却機構３２により押圧テーブル１８およびプレート２２を冷却することによってワックスを固化させてワーク２３をプレート２２上に貼着することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加工物からウェハをスライスする方法を提供する。
【解決手段】加工物（１２）からウェハをスライスする方法は、切断動作中に、加工物に対して、ワイヤソーのワイヤの、平行に配置されたワイヤセクションを移動させて、ウェハを形成するステップを含み、ワイヤセクションは、特定の厚みを有する、溝を有するコーティング（８）を各々が有するワイヤガイドロール（１）間に張設され、前記方法はさらに、ワイヤガイドロールを冷却し、ワイヤガイドロールの固定された軸受（２）を冷却するステップを含み、ワイヤガイドロールおよび固定された軸受は、互いから独立して冷却される。 （もっと読む）

【課題】支持基板に貼り合わせたウエハの歩留まりを上げることができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、第１工程、第２工程および第３工程を含む。第１工程は、半導体素子が形成されたウエハの表面を支持基板に貼り合わせる。第２工程は、ウエハの裏面を研削して、ウエハを所定の厚さにする。第３工程は、ウエハの周縁部を支持基板の一部に達するまで研磨して、周縁部を除去する。 （もっと読む）

【課題】それを用いて研磨対象物を研磨した場合に、研磨速度が速く、スクラッチ（線状痕）が少ない研磨剤の提供。
【解決手段】固体酸量または固体塩基量が０．０１ｍｍｏｌ／ｇ以上であり、平均粒子径が２μｍ以下である無機酸化物微粒子が分散媒に分散している、ｐＨが８．０〜１１．５である研磨剤。 （もっと読む）

【課題】シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）研磨用の研磨組成物およびそれを用いたＴＳＶウエハの研磨方法を提供する。
【解決手段】この研磨組成物は、有機アルカリ化合物、酸化剤、キレート化剤、酸化ケイ素研磨材粒子、および溶媒を含んでいる。この研磨組成物を用いることによって、シリコンと導電材料を同時に研磨することができ、ＴＳＶウエハの研磨に必要な作業時間費用を有意に節約することができる。 （もっと読む）

【課題】本実施形態は、ウエハのような対象物を処理するのに使用するための方法及びシステム（１２０）を提供し、ウエハの研磨及び／又は研削を含む。
【解決手段】フロントエンドモジュール（１２４）は、保管装置（１２６）を連結し、処理のための対象物を保管する。フロントエンドモジュール（１２４）は、単一のロボット、搬送ステーション、及び複数のエンドエフェクタを備えることができる。処理モジュール（１２２）は、単一のロボットが対象物を保管装置から処理モジュール（１２２）へ供給するように、フロントエンドモジュール（１２４）と連結される。処理モジュール（１２２）は、回転テーブル、及び、供給された対象物を取り出しそして対象物を回転テーブル上で処理するキャリアをもつスピンドルを備える。 （もっと読む）

【課題】アゾールインヒビターを含有し、安定的に濃縮可能であり、好ましくはアンモニウムフリーかつ水溶性セルロースフリーであるケミカルメカニカル研磨組成物の提供。
【解決手段】配線金属を含有する半導体ウェーハのケミカルメカニカルポリッシングに有用なケミカルメカニカル研磨組成物であって、初期成分として、水、アゾールインヒビター、アルカリ金属有機界面活性剤、ハイドロトロープ、リン含有剤、場合によっては、非糖類水溶性ポリマー、場合によっては、式Ｉ（式中、Ｒは、水素及びＣ_1-5アルキル基から選択され、ｘは１又は２である）の水溶性酸化合物、場合によっては、錯化剤、場合によっては、酸化剤、場合によっては、有機溶媒、及び場合によっては、砥粒を含む。
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【課題】アルミナ突き刺さり及び基板表面うねりを低減できる磁気ディスク基板の製造方法の提供。
【解決手段】下記（１）〜（４）の工程を有する、磁気ディスク基板の製造方法。
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを用いて被研磨基板の研磨対象面を研磨する工程、
（２）平均一次粒子径（Ｄ５０）が４０〜１１０ｎｍであり、一次粒子径の標準偏差が４０〜６０ｎｍであるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを用いて前記工程（１）で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程、
（３）工程（２）で得られた基板を洗浄する工程、
（４）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを用いて工程（３）で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程。 （もっと読む）

【課題】配線金属を含有する半導体ウェーハのケミカルメカニカルポリッシングに有用なケミカルメカニカル研磨組成物。
【解決手段】水、アゾールインヒビター、アルカリ金属有機界面活性剤、ハイドロトロープ、リン含有剤、水溶性セルロース、場合によっては、非糖類水溶性ポリマー、又は、式Ｉ（式中、Ｒは水素等、ｘは１又は２）の水溶性酸化合物、又は、錯化剤、又は、酸化剤、又は、有機溶媒、又は、砥粒を含むケミカルメカニカル研磨組成物が提供される。研磨パッド上にケミカルメカニカル研磨組成物を注入することを含み、ケミカルメカニカル研磨組成物が、リン酸等の添加により２〜６に調節されたｐＨを示す方法が提供される。
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【課題】ウェハの研磨を支援すること。
【解決手段】ウェハを研磨する研磨機構の特性を表す複数の物理量を式の要素とする統計モデルに基づいて研磨レートを推定し、その推定結果を用いてウェハの研磨処理を行うウェハ研磨装置２００における研磨部材の劣化の推定を行う研磨部材劣化推定部１６０と、研磨部材劣化推定部１６０が推定した研磨レートと、研磨部材の劣化の推定結果とに基づいて、研磨部材の交換を判定する研磨部材交換判定部１７０とを備える。 （もっと読む）