【課題】化学機械研磨装置において、コンディショニングディスクを駆動するアームおよび軸受け部を適切に管理できる方法を提供する。
【解決手段】研磨パッドを担持したプラテンを回転させながら、前記研磨パッドの表面をコンディショニングディスクによりドレッシングする工程を含み、前記コンディショニングディスクを前記研磨パッドの表面に押圧し、さらに前記アームを前記アームの回転軸回りで回転運動させ、前記コンディショニングディスクの位置を、前記プラテンの径方向上に、前記プラテンの中心部と外周部との間で変化させることにより実行され、前記ドレッシングの際、前記アームに作用するトルクの平均値＜Ｎ＞および変動幅Ｙを、前記コンディショニングディスクの、前記プラテンの径方向上における複数の位置にわたって求め、前記トルクの平均値＜Ｎ＞および前記トルクの変動幅Ｙの値をもとに、前記アームに対するメンテナンスの要否を判定する。 （もっと読む）

【課題】研磨ヘッドの高さ方向の位置を安定して高精度に調整可能な研磨ヘッドの高さ方向の位置の調整方法を提供し、研磨するワークの平坦度を向上し、ワーク間の平坦度のばらつきを抑制することを目的とする。
【解決手段】ワークが保持されていない研磨ヘッドを研磨布と接触しない高さ方向の位置に位置決めした後、研磨ヘッドと定盤の少なくとも一方を回転させる工程と、高さ調整機構によって研磨ヘッドを研磨布に接触させるまで近づけながら、回転させた研磨ヘッドと定盤の少なくとも一方の負荷トルク電流をトルク測定機構によって測定し、該測定した負荷トルク電流の変化量が所定の閾値を超えた時点の研磨ヘッドの高さ方向の位置を基準位置として設定する工程と、設定した基準位置からの距離に基づいて、研磨ヘッドの高さ方向の位置を所定位置に調整する工程とを有する研磨ヘッドの高さ方向の位置の調整方法。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム酸化物（サファイア）や炭化シリコンSiCなどの難加工材料のラッピングやCMPにおける加工レートを向上させる。
【解決手段】本発明は、アルミニウム酸化物又は炭化シリコンの研磨に用いられる。この研磨剤は、アルカリ溶液に、フラーレン粒子と、シリカ粒子を混合して形成される。このアルカリ溶液は水酸化カリウムKOH水溶液であり、かつ、このKOH水溶液に水酸化フラーレンのフラーレン粒子を0.01wt％〜１wt％、シリカ粒子を１〜３０wt%の範囲で混合した。 （もっと読む）

【課題】上面に高低差がある被加工物であってもアライメントマークを鮮明に撮像できるようにする。
【解決手段】被加工物の加工予定ラインに対応して存在するアライメントマークを検出するアライメント装置１に、撮像手段３を外周側から包囲する位置に配設された照明手段５を備え、照明手段５には円周方向に均等配設された４つ以上の発光源５０ａ〜５０ｄを備え、切替手段６によってそれぞれの発光源の点灯または消灯を個別に制御して切り替えることができる構成とする。被加工物１０の被撮像面１０ａに凹凸があっても、発光源を個別に点灯または消灯させることにより、影がない状態で撮像を行うことができ、鮮明な画像を取得してアライメントマークを確実に検出することができる。 （もっと読む）

【課題】複雑な構成の端面研磨装置を使用することなく、内周面取り部と内周側面部とを均一かつ安定的に研磨する端面研磨ブラシを提供すること。
【解決手段】中心部に円形孔を有する磁気記録媒体用ガラス基板の内周端面を研磨する端面研磨ブラシであって、前記端面研磨ブラシ１２はシャフト１４にブラシ毛１３が植毛されており、前記シャフトは、荷重１９．６Ｎをかけた時の最大たわみ量が４２０μｍ以下である、端面研磨ブラシ。 （もっと読む）

【課題】 真空紫外光を研磨対象物の被研磨面へと適切に照射して、研磨対象物の被研磨面を高精度且つ高効率に平坦化できる研磨装置を提供する。
【解決手段】 真空紫外光Ｌに対して透過性を有する定盤３と、定盤３の裏面側から真空紫外光Ｌを照射する真空紫外光照射部４と、研磨対象物２を研磨するために定盤３の表面に取り付けられ、且つ真空紫外光照射部４から照射されて定盤３を透過した真空紫外光Ｌを通す複数の貫通孔５１が形成されている研磨パッド５と、定盤３を回転させるための駆動手段と、真空紫外光照射部４が収容される容器７内を窒素パージするための窒素供給手段８と、研磨パッド５の表面に研磨液を供給する研磨液供給手段と、を備える研磨装置１。 （もっと読む）

【課題】研磨工程において、研磨パッドの平坦性を維持させる。
【解決手段】この研磨装置１０は、プラテン１００と、プラテン１００上に設けられた研磨パッド１２０と、研磨パッド１２０とプラテン１００とを固定する粘着層１６０と、を備えている。研磨パッド１２０には、研磨される基板２０が接する一面と反対側の裏面に、外周の端面まで延在する溝部１２２を備えている。 （もっと読む）

【課題】研磨ブラシを用いることなく、外周面取り部と外周側面部とを均一かつ安定的に研磨する方法を提供すること。
【解決手段】中央部に円形孔を有する複数の円盤形状ガラス基板を、前記円形孔の位置をあわせて重ね合わせてガラス基板積層体を形成し、該ガラス基板積層体の前記円形孔に貫通して前記ガラス基板積層体を支持する支持棒を有する容器内にガラス基板積層体を固定する、積層体形成工程と、前記ガラス基板積層体の外周端面と前記容器の内壁との間の空間に、砥粒を含む研磨液を封入する、研磨液封入工程と、前記研磨液が前記外周端面に接触するように、前記研磨液が封入された前記容器を振とうして前記外周端面を研磨する、研磨工程と、を含む、ガラス基板の外周端面研磨方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハ等の被加工物に対して研磨残りが発生するのを防止すること。
【解決手段】研磨装置は、その表面に研磨パッドが装着された定盤と、上記の研磨パッドに対向する側の面に吸着面２１Ｓを有するヘッド２０を備える。さらにヘッド２０は、真空吸着用の第１系統及び第２系統の各流路３１（２５）、３２（２６）と、各流路からそれぞれ吸着面２１Ｓまで通じる複数の吸着孔３３，３４とを有する。さらに研磨装置は、第１系統及び第２系統の各流路３１（２５）、３２（２６）を選択的に切り替えて有効にする流路切替手段４０，４１，４２を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ外周部と内周の膜厚を均等に削れるような半導体ウェハ研磨装置、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】図１に示すように、研磨パッド４と、研磨パッド４によって研磨される半導体ウェハ３を吸着するトップリング２と、トップリング２に吸着させた半導体ウェハ３を研磨中に固定保持するために設けられているガイドリング１と、を備え、トップリング２の外周部に、複数の穿孔１０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】リテーナリングが摩耗した場合でも、リテーナリングを研磨パッドから離したウェーハの研磨中に、ウェーハがリテーナリングから飛び出すことを防止可能であり、かつ、リテーナリングの長寿命化を図れる研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨装置の研磨ヘッド４は、ウェーハチャック４１と、リテーナリング４７を保持するリテーナ保持部材４２と、回転軸部材４３と、ウェーハチャック４１とリテーナ保持部材４２とにより第１加圧室Ｐ１を形成する第１ダイアフラム４８と、リテーナ保持部材４２と回転軸部材４３とにより第２加圧室Ｐ２を形成する第２ダイアフラム４９と、ウェーハチャック４１に対するリテーナ保持部材４２の最大上昇量を規定するメカストッパ４４と、当該最大上昇量を調整する上昇量調整手段４５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ装置において研磨中に摩擦によって発生する熱が研磨パッドから回転定盤に伝わるのを防止して、温度上昇に伴う研磨液と基板表面の化学作用の増進によって、研磨液の削減もしくは研磨レートの増大を可能にできる新規な構造のＣＭＰ装置を提供する。
【解決手段】断熱材で構成された回転定盤４上に、表面中央部分にＣＭＰ用研磨パッド１が固着されるパッド支持面が形成された補助板６を両面接着テープ７を介して載置することで、ＣＭＰ加工中に摩擦によって発生する熱がＣＭＰパッド１から前記回転定盤４に伝わることを防止する。 （もっと読む）

【課題】
ガラスに対して高い研磨速度を持ち、研磨することによる傷も発生しない、安価な遊離砥粒研磨用研磨剤を提供すること。
【解決手段】
平均２次粒子径が１から３μｍであり、２次粒子径１０μｍ以上が無く、２次粒子形状が球状又は等軸状である砥粒であり、造粒したＭｎ_３Ｏ_４を温度８００℃から１０００℃で焼成させたものであるＭｎ_２Ｏ_３砥粒からなる遊離砥粒研磨用研磨剤はガラスに対して高い研磨速度を有し、研磨による傷発生も無いことから、ガラスに対する研磨性能に優れる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に対する研磨速度を向上させることが可能なＣＭＰ研磨液を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、水及び砥粒を含み、砥粒が、第１の粒子を含むコアと、該コア上に設けられた第２の粒子と、を有する複合粒子を含有し、第１の粒子がシリカを含有し、第２の粒子が水酸化セリウムを含有し、ＣＭＰ研磨液のｐＨが９．５以下である。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＰ用研磨パッドの表面状態を適正化し、低圧研磨プロセスにおいて、既存のＣＭＰ用研磨パッド及び研磨剤を用いて、研磨特性を維持しながら、安定して高い研磨速度を得られる半導体基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】 表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が７〜１１μｍであるＣＭＰ用研磨パッドに、３〜７ｋＰａの圧力で半導体基板を押し当て加圧し、この半導体基板上に形成された薄膜を化学機械的に研磨する半導体基板の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】優れた表面品質をＧａ側にて有するＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ半導体ウェーハおよびそのようなウェーハの製造方法を実現する。
【解決手段】ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ²面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。このようなウェーハは、例えばシリカまたはアルミナなどの研磨粒子と酸または塩基とを含む化学的機械研磨（ＣＭＰ）スラリーを用いて、そのＧａ側にてＣＭＰに付される。このような高品質Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。このＣＭＰ方法はＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハのＧａ側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 （もっと読む）

【課題】カルコゲナイド相変化合金を含む基板の研磨に有用な、基板上の追加の材料に対して有利な選択性で、かつ低総欠陥及び低Ｔｅ残渣欠陥にて、カルコゲナイド相変化合金の高い除去速度を有する研磨方法を提供する。
【解決手段】初期成分として：水；砥粒；エチレンジアミン四酢酸及びその塩より選択される材料；及び酸化剤から実質的になるケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、ゲルマニウム−アンチモン−テルルカルコゲナイド相変化合金（ＧＳＴ）を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、該ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、低い欠陥性と共に高いＧＳＴ除去速度を促進する。 （もっと読む）

【課題】貴金属酸化物に対して高い除去速度を有する研磨用組成物及びその用途を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は配位子化合物及び水を含有する。配位子化合物としては、貴金属酸化物から貴金属を捕獲して金属錯体を形成する能力を有し、その能力が貴金属酸化物中の貴金属と同じ種類の貴金属単体から貴金属を捕獲して金属錯体を形成する能力よりも高いものが使用される。配位子化合物の例としては例えば、チオシアン酸アンモニウム等のチオシアン酸塩、チオ硫酸アンモニウム等のチオ硫酸塩、亜ジチオン酸ナトリウム等の亜ジチオン酸塩、テトラチオン酸ナトリウム二水和物等のテトラチオン酸塩、ジエチルジチオカルバミン酸ジエチルアンモニウム等のジエチルジチオカルバミン酸塩、ジメチルジチオカルバミン酸ナトリウム二水和物やジメチルジチオカルバミン酸ジメチルアンモニウム等のジメチルジチオカルバミン酸塩、及びチオ尿素が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】ドレッシングしたときに、金属成分の溶出が少なく、かつ砥粒の脱落が抑制されたドレッサーを提供する。
【解決手段】樹脂製支持材の表面に複数個の砥粒が単層に固着された研磨布用ドレッサーであって、前記樹脂製支持材と前記砥粒との間には金属層が存在し、前記樹脂製支持材に接する側の前記金属層の表面は凹凸部を有することを特徴とする研磨布用ドレッサーを提供する。好ましくは、金属層は前記樹脂製支持材と前記砥粒との間のみに存在している。 （もっと読む）

【課題】高い除去速度で選択的に相変化物質の除去ができ、その一方でまた、総欠陥及びＴｅ残査欠陥の減少をもたらす、新規なケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）組成物を開発する。
【解決手段】初期成分として：水；砥粒；フタル酸、フタル酸無水物、フタラート化合物及びフタル酸誘導体の少なくとも一種；キレート化剤；ポリ（アクリル酸−ｃｏ−マレイン酸）；及び酸化剤を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、ゲルマニウム−アンチモン−テルルカルコゲナイド相変化合金（ＧＳＴ）を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、ここで、該ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、低い欠陥性と共に高いＧＳＴ除去速度を促進する方法である。 （もっと読む）