【課題】銅膜を高研磨速度でかつ平滑に研磨するとともにバリア膜の研磨速度を抑制することが可能であり、高性能配線板やＴＳＶ等の厚い金属膜の研磨においても、良好な仕上がりと充分な生産性を確保できる銅研磨用研磨剤及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）二価以上の無機酸と、（Ｂ）アミノ酸と、（Ｃ）保護膜形成剤と、（Ｄ）砥粒と、（Ｅ）酸化剤と、（Ｆ）水とを含み、（Ａ）成分の含有量が０．０８ｍｏｌ／ｋｇ以上、（Ｂ）成分の含有量が０．２０ｍｏｌ／ｋｇ以上、（Ｃ）成分の含有量が０．０２ｍｏｌ／ｋｇ以上、（Ｄ）成分の平均粒径が１００ｎｍ以上であり、下記（ｉ）及び（ｉｉ）の少なくとも一方を満たす銅研磨用研磨剤。
（ｉ）（Ｃ）成分の含有量に対する（Ａ）成分の含有量の比率が２．００以上である。
（ｉｉ）（Ｇ）有機酸及びその酸無水物から選ばれる少なくとも一種を更に含む。 （もっと読む）

【課題】ワイヤソー用ワイヤの強度等は維持しつつ、そのコストの低廉化を図る。
【解決手段】０．６８〜０．７５質量％のＣと、０．１０〜０．５０質量％のＳｉと、０．３０〜０．９０質量％のＭｎと、０．０２５質量％以下のＰと、０．０２５質量％以下のＳと、０．２質量％以下のＣｕと、を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる線材をパテンティング処理および伸線処理することで、線径が０．１６ｍｍ以下であり、引張強さが３３００〜３８００ＭＰａであるワイヤソー用ワイヤを得る。従来の高炭素ワイヤに比べて炭素量が少ないため、原材料コストを抑えられる。炭素量が少なく加工性が向上しているため、伸線工程での断線が少なく歩留まりが向上するとともに、仕上げ伸線前のパテンティング処理を太径で長さの短い状態でおこなえるため、処理コストも抑えられる。 （もっと読む）

【課題】磁性部とその凹部内に埋め込まれた非磁性部とを露出させて平坦な研磨面を形成させることができる研磨液を提供すること。
【解決手段】磁性材料を含む磁性部１１と、該磁性部１１に形成された複数の凹部１２０を覆うように埋め込まれた非磁性材料１２５とからなる複合体１５を、磁性部１１と凹部１２０内に埋め込まれた非磁性材料からなる非磁性部１２とが露出して平坦な研磨面１６を形成するまで研磨するために用いられる研磨液である。研磨液は、水と極圧剤とエッチング剤とを含有する。極圧剤は、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステル又はその塩、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル又はその塩、アルキルベンゼンスルホン酸又はその塩、α−オレフィンスルホン酸又はその塩、及びアルキルアミン又はそのアルキレンオキシド付加物から選ばれる少なくとも１種である。エッチング剤は、酸からなる。 （もっと読む）

【課題】ワックスレス方式の研磨ヘッドにおいて、バッキングフィルムのライフ初期の外周部の反り上がりを抑制し、ワークの研磨前の形状に依らずにワークを高平坦に研磨可能な研磨ヘッド、研磨装置、及びワークの研磨方法を提供する。
【解決手段】ワークの表面を定盤上に貼り付けた研磨布に摺接させて研磨する際に前記ワークを保持するための研磨ヘッドであって、少なくとも、前記ワークの裏面を保持するための、セラミックからなり、かつ、可撓性を有するワーク保持盤と、該ワーク保持盤の前記ワークを保持する側と反対の面上に形成された密閉空間と、該密閉空間内の圧力を制御する圧力制御手段とを有し、前記圧力制御手段で前記密閉空間内の圧力を制御することによって、前記可撓性を有するワーク保持盤の形状を中凸形状又は中凹形状に調整できるものであることを特徴とする研磨ヘッド。 （もっと読む）

【課題】研削液に浸漬しても十分な接着力が維持され、且つ研削液による膨潤が十分に抑制される粘着剤層を備える研磨用構造体を提供する。
【解決手段】支持体と、研磨材と、これらを接合する粘着剤層と、を備える研磨用構造体であって、上記粘着剤層は、第一のモノマー５８〜８５質量％、第二のモノマー２〜７質量％及び第三のモノマー１０〜４０質量％を含むモノマーの重合体を含有し、上記第一のモノマーは、ガラス転移温度が０℃以下のホモポリマーを与える、炭素数８〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルであり、上記第二のモノマーは、ガラス転移温度が５０℃以上のホモポリマーを与える、極性モノマーであり、上記第三のモノマーは、ガラス転移温度が１０℃以上のホモポリマーを与える、炭素数４〜１８のアルキル基又は炭素数７〜１８のアラルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルである、研磨用構造体。 （もっと読む）

【課題】高性能配線板等の厚い銅膜の研磨で必要な研磨速度を維持しながら、バリア層の研磨速度の充分な抑制を可能とする金属用研磨液及び当該金属用研磨液を用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の金属用研磨液は、有機酸、無機酸、アミノ酸、保護膜形成剤、砥粒、酸化剤及び水を含み、有機酸は、カルボキシル基を２つ有しかつｐＫａが２．７以下である有機酸、及びカルボキシル基を３つ以上有する有機酸の少なくとも一方であり、砥粒は、表面がスルホン酸基又はフェニル基で化学修飾されている。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板積層体の外周端面に研磨ブラシを押し当ててもたわまず、均一にガラス基板積層体の外周端面を研磨できる支持治具を提供すること。
【解決手段】中心部に円形孔を有する円盤形状の磁気記録媒体用ガラス基板を、複数枚支持する支持治具であって、前記支持治具は、前記円形孔に挿入されて複数枚の前記磁気記録媒体用ガラス基板の位置を合わせる支持軸を有し、前記支持軸は、ヤング率が１５０ＧＰａ以上である、支持治具。 （もっと読む）

【課題】コロイダルシリカを含み、ｐＨが１〜５の研磨スラリーの調製方法であって、酸性となるようにｐＨ調整する際に、コロイダルシリカが凝集することが抑制された研磨スラリーの調製方法の提供。
【解決手段】コロイダルシリカを含み、ｐＨが１〜５の研磨スラリーの調製方法であって、ｐＨ調整時において、コロイダルシリカを含むスラリー原液と、酸と、の混合液のｐＨを０．５〜５に保持することを特徴とする研磨スラリーの調製方法。 （もっと読む）

【課題】磁性部とその凹部内に埋め込まれた非磁性部とを露出させて平坦な研磨面を形成させることができる研磨液を提供すること。
【解決手段】磁性材料を含む磁性部１１と、該磁性部１１に形成された複数の凹部１２０を覆うように埋め込まれた非磁性材料１２５とからなる複合体１５を、磁性部１１と凹部１２０内に埋め込まれた非磁性材料からなる非磁性部１２とが露出して平坦な研磨面１６を形成するまで研磨するために用いられる研磨液である。研磨液は、水と極圧剤とを含有する。極圧剤は、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステル又はその塩、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル又はその塩、アルキルベンゼンスルホン酸又はその塩、α−オレフィンスルホン酸又はその塩、及びアルキルアミン又はそのアルキレンオキシド付加物から選ばれる少なくとも１種である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、研磨加工能率が高く、研磨時の結晶欠陥（ＣＯＰ）数の増加を防止することができ、且つウェーハの平坦度を改善可能な研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＣＯＰが存在するシリコンウェーハを研磨する方法であって、少なくとも水、シリカ、及びテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを含む研磨剤であって、前記研磨剤の全質量に対して前記テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの濃度が０．０１以上０．３質量％未満であり、前記研磨剤の全質量に対して前記シリカの濃度が０．１以上１．２質量％以下であり、前記シリカの一次粒子径が１８ｎｍ以上である研磨剤を用いて、前記ＣＯＰが存在するシリコンウェーハを研磨することを特徴とする研磨方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】研磨処理が完了したかどうかを決定する。
【解決手段】化学機械的研磨のスペクトルに基づく監視を行う装置および方法は、スペクトルに基づく終点検出、スペクトルに基づく研磨速度調整、光学ヘッド頂面の噴射、または窓付きのパッド３０を含む。スペクトルに基づく終点検出は、スペクトルに基づく終点論理を適用することで終点が呼び出されるとターゲット厚さが達成されるよう、具体的なスペクトルに基づく終点決定論理を経験的に選択された基準スペクトルを使用する。異なるトレースまたは一連のシーケンスを使用して研磨終点を決定できる。噴射システムは、光学ヘッド５３の頂面にかけて層状のガス流を作成する。真空ノズルと真空源は、ガス流が層状になるように構成されている。窓は、柔軟なプラスチック部分と結晶質またはガラス質の部分を含む。スペクトルに基づく研磨速度調整は、基板１０上の異なるゾーンにスペクトルを得るステップを含む。 （もっと読む）

【課題】研磨不良の発生を抑制した研磨装置を提供する。
【解決手段】この研磨装置は、下記のようなスラリー配管３００と、純水供給部３２０と、を備えている。スラリー配管３００は、鉛直下向きに延伸した出口部３０２と、出口部３０２から鉛直上向きに延伸した先で、鉛直下向きに屈曲する第１屈曲部３０４と、第１屈曲部３０４から鉛直下向きに延伸した先で、少なくとも水平よりも高い方向に屈曲する第２屈曲部３０６と、を備えている。また、純水供給部３２０は、スラリー配管３００の外部から、出口部３０２に向けて純水を供給する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板の被研磨面の中央部における研磨速度の低下を抑え、基板の被研磨面を全面にわたって均一に平坦化することができる研磨パッドのコンディショニング方法及び装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に形成された薄膜に摺接して薄膜を研磨する研磨テーブル１上の研磨パッド２をドレッサ２２を用いてコンディショニングするコンディショニング方法であって、研磨パッド２の中心部と外周部との間を移動して研磨パッド２をドレッシングするドレッサ２２の移動速度を研磨パッド２の所定の領域Ａ２で標準移動レシピにおける所定の領域Ａ２の速度より大きくして研磨パッド２のコンディショニングを行い、研磨パッド２の所定の領域Ａ２に摺接して研磨される基板Ｗ上の薄膜の研磨速度を高めるようにした。 （もっと読む）

【課題】研磨の処理が終了したかどうかを決定する。
【解決手段】化学機械的研磨のスペクトルに基づく監視を行う装置および方法は、スペクトルに基づく終点検出、スペクトルに基づく研磨速度調整、光学ヘッド頂面の噴射、または窓付きのパッド３０を含む。スペクトルに基づく終点検出は、スペクトルに基づく終点論理を適用することで終点が呼び出されるとターゲット厚さが達成されるよう、具体的なスペクトルに基づく終点決定論理を経験的に選択された基準スペクトルを使用する。異なるトレースまたは一連のシーケンスを使用して研磨終点を決定できる。噴射システムは、光学ヘッド５３の頂面にかけて層状のガス流を作成する。真空ノズルと真空源は、ガス流が層状になるように構成されている。窓は、柔軟なプラスチック部分と結晶質またはガラス質の部分を含む。スペクトルに基づく研磨速度調整は、基板上の異なるゾーンにスペクトルを得るステップを含む。 （もっと読む）

【課題】研磨ステップの終点が達成された時を決定するステップを提供する。
【解決手段】スペクトルに基づく終点検出、スペクトルに基づく研磨速度調整、光学ヘッド５３頂面の噴射、または窓付きのパッド３０を含み、スペクトルに基づく終点検出は、具体的なスペクトルに基づく終点論理を適用することで終点が呼び出されるとターゲット厚さが達成されるよう、具体的なスペクトルに基づく終点決定論理を経験的に選択された基準スペクトルを使用して、異なるトレースまたは一連のシーケンスを使用して研磨終点を決定し、噴射システムは、光学ヘッド５３の頂面にかけて層状のガス流を作成し真空ノズルと真空源は、ガス流が層状になるように構成され、窓は、柔軟なプラスチック部分と結晶質またはガラス質の部分を含み、スペクトルに基づく研磨速度調整は、基板上の異なるゾーンにスペクトルを得るステップを含む。 （もっと読む）

【課題】優れた研磨レートで高い平坦性を維持することを実現するための研磨布及び研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】平均断面積４０〜４００μｍ²の極細繊維束を含む不織布と、不織布に含浸付与された架橋ポリウレタン弾性体とを含み、架橋ポリウレタン弾性体は、特定の研磨スラリーに対する質量膨潤率が０．２〜６質量％である、研磨布である。 （もっと読む）

【課題】 研磨後のウェハの厚みばらつきを軽減する。
【解決手段】 固定台とこの固定台を囲み密閉空間を形成する箱型躯体とからなる加工装置と、溶液にナノバブルを発生するナノバブル発生装置と、溶液を高速で噴射する高速水流発生装置と、加工装置内の溶液を高速で排水する高速排水装置と、排水した溶液を安定させる攪拌部と、ナノバブル発生装置と高速水流発生装置とを接続する第一配管部と、高速水流発生装置と加工装置とを接続する第二配管部と、加工装置と高速排水装置とを接続する第三配管部と、高速排水装置と攪拌部とを接続する第四配管部と、攪拌部とナノバブル発生装置とを接続する第五配管部と、第二配管部の加工装置側の端部に設けられる噴射ノズルと、を備え、第二配管部の中心軸線と第三配管部の中心軸線とが同一直線上に位置し、噴射ノズルの噴射範囲内に加工装置の固定台が位置して構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
従来、ガラス基板の精密研磨に適するジルコニア系研磨剤を開発することを目的とした。
【解決手段】
中和法、加水分解法等の湿式合成法で得られるジルコニア粉末は、微細な一次粒子が集合して二次凝集粒子を形成している。本発明者等は湿式合成ジルコニア粉末のガラス研磨能力を評価し、その粉末の一次・二次粒子形態を解析した。その結果、７０〜１５０ｎｍの一次粒子が集合して３００〜５００ｎｍになった二次凝集粒子がフラクタル次元１．００〜１．０５の範囲にある球近似形状をもつ粉末において、極めて高い研磨能力が得られることを見出した。好適な粉末はジルコニウム塩の加水分解法によって製造でき、ガラス基板等の精密研磨に使用できる。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ法により、金属膜を研磨して、層間絶縁膜に設けられた開口部内に導体パターンを形成する際、リセス、ディッシング、及びエロージョンを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＰ法により、層間絶縁膜１４の上面よりも上方に形成された金属膜１９及びバリア膜１８を除去することで、開口部内に、バリア膜１８及び金属膜１９よりなる導体パターンを形成する研磨工程と、を有し、該研磨工程では、層間絶縁膜１４の上面が露出する前に、金属膜１９の研磨レートと層間絶縁膜１４の研磨レートとの差が小さい研磨条件を用いて研磨を行なうことで、導体パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶基板等の非酸化物単結晶基板を、高い研磨速度で研磨し、平滑で結晶の原子レベルにおいても表面性状に優れた高品質な表面を得る。
【解決手段】非酸化物単結晶基板を化学的機械的に研磨するための研磨剤であって、酸化還元電位が０．５Ｖ以上の遷移金属を含む酸化剤と、平均２次粒子径が０．５μｍ以下の酸化セリウム粒子と、分散媒とを含有することを特徴とする。本発明の研磨剤において、前記酸化剤は、過マンガン酸イオンであることが好ましい。また、研磨剤のｐＨは１１以下であることが好ましい。 （もっと読む）