【課題】基板の表面を改質し、当該基板の表面と結合対象物との密着性を向上させる。
【解決手段】表面改質ユニットにおいて、テンプレートの表面に紫外線を照射し、当該テンプレートの表面を洗浄する（工程Ａ２）。続いて、表面改質ユニットにおいて、テンプレートの表面に紫外線を照射しながら、当該テンプレートの表面に表面改質液を供給して、テンプレートの表面に多量の水酸基を付与する（工程Ａ３）。その後、塗布ユニットにおいて、テンプレートの表面に紫外線を照射しながら、当該テンプレートの表面に離型剤を塗布する（工程Ａ４）。その後、リンスユニットにおいて、離型剤をリンスして、当該離型剤の未反応部を除去する（工程Ａ５）。こうしてテンプレートの表面に離型剤が所定の膜厚で成膜される。 （もっと読む）

【課題】高Ｓ／Ｎを有するビットパターンドメディアを製造でき、パターン欠陥の発生を抑制でき、製造を比較的短時間で行えるインプリントモールド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ビットパターンドメディアにおいて磁性体領域の元となるドット状の凸部が基板の主表面に形成されており、前記ドット状の凸部が前記基板の主表面において所定の方向に一定周期で形成されているインプリントモールドにおいて、前記ドット状の凸部は、前記基板の主表面を削って形成された、複数の連続的な平面視ライン状の溝が交わってなる格子状の溝部に囲まれることによって形成され、前記一定周期において、前記ライン状の溝の幅は、前記ドット状の凸部の幅よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】テンプレート上への処理液の供給量を抑えつつ、当該テンプレートのパターン領域に処理液を適切に供給する。
【解決手段】処理液塗布治具１１０の塗布面１１１がテンプレートＴのパターン領域Ｄ_１を覆い、且つ塗布面１１１とパターン領域Ｄ_１との間の隙間１１６の距離が離型剤Ｓの毛細管現象を発生させる距離となるように、処理液塗布治具１１０をテンプレートＴに対向して配置する（図１２（ａ））。その後、処理液供給部１２０から隙間１１６に離型剤Ｓを供給し、当該離型剤Ｓを毛細管現象によってパターン領域Ｄ_１上にのみ拡散させる（図１２（ｂ）〜（ｄ））。その後、エアノズル１５０から離型剤Ｓに空気を吹き付けて、当該離型剤Ｓを乾燥させる（図１２（ｅ））。 （もっと読む）

【課題】インプリント用モールドの製造において微細なモールドパターンを高いパターン精度で形成することができ、しかも基板をエッチング加工するために形成した薄膜パターンを最終的にモールドパターンにダメージを与えないように除去できるインプリント用モールドの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板１上に、ハフニウムおよびジルコニウムのうちの少なくとも一方の元素を含有する材料で形成された下層３と、該下層の酸化を抑制する材料で形成された上層４の積層膜からなる薄膜を有するマスクブランクを用いて、前記薄膜をエッチング加工して薄膜のパターンを形成する工程と、該薄膜のパターンをマスクとして透光性基板１をエッチング加工してモールドパターンを形成する工程と、該モールドパターンを形成した後、薄膜の下層を、塩素、臭素、ヨウ素、およびキセノンのうちいずれかの元素とフッ素との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】賦形面の微細なパターンを精度よく転写できるとともに、離型性及び生産性を向上させることのできるプラスチック成形品の成形方法の提供を目的とする。
【解決手段】プラスチック成形品の成形方法は、ガスが含浸され、固化したプラスチック基板６に対して、賦形面５１を転写面６１に押圧した状態で、転写面６１を加熱し、賦形面５１の構造を転写面６１に転写する工程と、賦形面５１を転写面６１に押圧した状態で、プラスチック基板６を固化工程と、押圧した状態を解除することによって、加熱によりプラスチック基板６から放出され、押圧した状態により圧縮されていたガスを膨張させ、この膨張するガスを利用して、離型させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】熱分解後の酸化銅（Ｉ）の再酸化を抑制可能な熱反応型レジスト材料を提供すること。
【解決手段】本発明の熱反応型レジスト材料は、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、カルシウム、チタン、鉄、コバルト、亜鉛、ガリウム、シリコン、ゲルマニウム、鉛、ビスマス、及びテルル、並びにその酸化物、塩化物、フッ化物、及び炭酸化物からなる群から選択された少なくとも１つの再酸化防止剤と、酸化銅（Ｉ）と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い離型性を有し、かつ簡単に再現可能であるとともに、微細パターンの形状保持性に優れたインプリント用モールドおよびその製造方法、並びに微細構造の製造方法を提供することである。
【解決手段】微細パターン２を表面１ａに有する表面層１と、この表面層１の裏面１ｂを支持する支持層５とを備え、表面層１が紫外線硬化性官能基を有する紫外線硬化型側鎖結晶性ポリマーからなるインプリント用モールド１０およびその製造方法である。モールド１０を用いて微細構造を製造する方法である。 （もっと読む）

【課題】微細な転写パターンが外周に形成されている転写ロールに付着している不要物を除去するときに、前記転写ロールの微細な転写パターンに傷がつくことを防止する。
【解決手段】外周に微細な転写パターン１１が形成されている転写ロール９を、粘着剤４３を用いて掃除するように構成されている転写ロール清掃装置５である。 （もっと読む）

【課題】型取りする際の凹凸壁面に対する離型性が良好であり、凹凸壁面の意匠再現性が優れた凹凸壁面見本板を作製可能な凹凸壁面複製用部材、その凹凸壁面複製用部材を用いた複製板の作製方法、及び複製板、並びにその複製板より得られる凹凸壁面見本板を提供すること。
【解決手段】硬化前のゴム硬度が１０〜５０度、加熱残分が２５〜７０質量％以上、かつ、６００℃、１時間燃焼させた際の灰分が燃焼前の乾燥質量に対して３０〜９０質量％である、硬化性形成材からなる、凹凸壁面複製用部材。 （もっと読む）

【課題】ナノ構造体作製用型体の陽極酸化皮膜の膜厚を調整することで、耐傷性や耐久性等を有するナノ構造体作製用型体とそのナノ構造体作製用型体の製造方法を提供すること。
【解決手段】ナノ構造を利用したナノ構造体を作製するための型体であって、アルミニウム材料の表面に陽極酸化皮膜が形成されたものであり、該陽極酸化皮膜は、少なくともある一の方向に対し平均周期５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下でポアを有し、該ポアは、テーパー形状部とその下部にある細孔形状部とからなり、該テーパー形状部は、陽極酸化皮膜の表面では広く開口しており、深部に入るに従って徐々に細くなっていくテーパー形状となっており、該細孔形状部は、実質的に等しい径の細孔形状となっており、該テーパー形状部を有するテーパー形状層の下側に連続して細孔形状部を有する細孔形状層を有することを特徴とするナノ構造体作製用型体。 （もっと読む）

【課題】シート状のモールドに形成されている微細な転写パターンを被成型品に転写した後、被成型品に貼り付いているシート状モールドを被成型品から剥がすモールド剥離装置において、装置の構成を簡素化する。
【解決手段】転写装置５から離れた箇所に位置しお互いがくっついているモールドＭＡと被成型品Ｗとのうちの被成型品Ｗを保持する被成型品保持体１９と、被成型品保持体１９で保持された被成型品Ｗに貼り付いているモールドＭＡが巻き掛けられ被成型品保持体１９に対して移動することで、被成型品ＷからモールドＭＡを剥がす剥離ローラ２３とを有するモールド剥離装置７である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、単粒子膜を構成する各粒子が２次元に最密充填し、高精度に配列した曲面上の単粒子膜エッチングマスクとその製造方法、該単粒子膜エッチングマスクを用いた曲面上の微細構造体の製造方法および該製造方法で得られた高精度な曲面上の微細構造体を提供する。
【解決手段】曲面、傾斜および段差など非平面である部分で面方向のピッチまたは大きさが０．１μｍ〜１００００μｍである表面が一部若しくは全部である基板上に形成する、粒子が２次元に最密充填した単粒子膜であって、
下記式（１）で定義される粒子の配列のずれＤ（％）が１０％以下であることを特徴とする単粒子膜。
Ｄ（％）＝｜Ｂ−Ａ｜×１００／Ａ・・・（１）
（式（１）中、Ａは前記粒子の平均粒径、Ｂは前記単粒子膜における前記粒子間の平均ピッチを示す。） （もっと読む）

【課題】微細な転写用凹凸構造と、当該転写用凹凸構造の凹部の深さ（凸部の高さ）を正確に測定するための測定用凹凸構造とを備えているにもかかわらず、ステップ・アンド・リピート法により転写用凹凸構造のみを被加工物に転写することのできるナノインプリント用モールド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の基部上及び凸構造部上にエッチング用マスク材料膜を形成し、基部上のマスク材料膜に測定用凹部形成用の第１開口パターンを形成し、凸構造部上のマスク材料膜に転写用凹部形成用の第２開口パターンを形成し、第１及び第２開口パターンが形成されたマスク材料膜をマスクとしてエッチングして、基部における凸構造部側の面への測定用凹部の形成及び凸構造部への転写用凹部の形成を行う。この測定用凹部の開口面の短手方向長さは、非破壊式測定装置を用いて測定用凹部の深さを測定可能な長さである。 （もっと読む）

【課題】成形金型の手直しや成形後の塗装を必要とせず、簡単に白ボケの発生しないシボを有する樹脂成形品を製造する。
【解決手段】本発明に係る樹脂成形品の製造方法は、所定表面にシボ２を設けた樹脂成形品１を射出成形で製造するに際し、シボ２を構成する凸部３の凹部４底面からの立ち上がり角度θ、および、シボ２の凹凸最大高さｄに対する凹凸平均高さｒの比と、シボ２に現れる白ボケの程度との相関をそれぞれ取得する相関取得工程と、相関取得工程で求めた相関に基づき、凸部３の凹部４底面からの立ち上がり角度θ、および、シボ２の凹凸最大高さｄに対する凹凸平均高さｒの比を、シボ２に白ボケが見られない範囲に設定する最適値設定工程と、最適値設定工程で設定したθ，Ｒ（＝ｒ／ｄ）の値に基づきシボ２を設計するシボ設計工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】テンプレートの表面に離型剤を適切に成膜しつつ、テンプレート処理のスループットを向上させる。
【解決手段】テンプレートの表面に離型剤を成膜するテンプレート処理では、先ず、塗布ユニットにおいて、テンプレートの表面に紫外線を照射し、当該テンプレートの表面を洗浄する（工程Ａ２）。続いて、塗布ユニットにおいて、テンプレートの表面にテンプレートの表面に紫外線を照射しながら、当該テンプレートの表面に離型剤を塗布する（工程Ａ３）。その後、リンスユニットにおいて、離型剤をリンスして、当該離型剤の未反応部を除去する（工程Ａ４）。こうしてテンプレートの表面に離型剤が所定の膜厚で成膜される。 （もっと読む）

【課題】微細な凹凸パターンを用いたナノインプリント方法においても、インプリント後のレジスト膜の厚みムラを解消することを可能とする。
【解決手段】基板の表面に微細な凹凸パターンを形成することにより製造されたナノインプリントモールド１０において、上記基板として、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前の上記表面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１〜３ｎｍである表面形状を有する基板１２を用いて製造する。 （もっと読む）

【課題】対象物に対する高精度な微細加工を迅速に行う。
【解決手段】微細加工装置の加工ヘッド４は、基板４１１上に交互に配列された複数の可動リボン４１３ａおよび固定リボンを有する回折格子型の空間光変調デバイス４１、および、空間光変調デバイス４１の複数の可動リボン４１３ａから保持部３に向けて突出する複数の切削刃４２を備える。加工ヘッド４では、複数の可動リボン４１３ａの昇降により、複数の切削刃４２が対象物９の被切削面９１に対して個別に接触および離間し、切削刃４２が被切削面９１に接触した状態で、対象物９が移動されることにより微細切削加工が行われる。微細加工装置では、可動リボン４１３ａの昇降を高精度に制御することにより、対象物９に対する微細切削加工を迅速かつ高精度に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】インプリント材を適切な位置に滴下すること。
【解決手段】本発明の一つの実施形態によれば、インクジェットヘッドからインプリント材が滴下される基板を載置するステージと、前記基板上のインプリント材に押し付けられるテンプレートと、の間の前記ステージ面内の回転方向の位置ずれ量を、テンプレート位置ずれ量として検出する。前記ステージの移動方向と、前記インクジェットヘッドに設けられている複数からなるノズルのノズル列方向と、の間の前記ステージ面内の回転方向の位置ずれ量をノズル位置ずれ量として検出する。そして、前記テンプレート位置ずれ量および前記ノズル位置ずれ量に起因して生じる前記インプリント材の滴下位置の位置ずれを解消するよう、前記ステージの移動方向を制御するとともに、前記各ノズルから吐出するインプリント材の吐出タイミングを制御する。 （もっと読む）

【課題】表面が曲面形状または凹凸 形状を有する基板上に、平滑性の高い被エッチング層と熱反応型レジスト材料を積層した積層体を設けることを目的の一つとする。
【解決手段】曲面形状または凹凸形状の基板上に、フロン系ガスを用いたドライエッチング処理に用いられ、且つ元素群Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂから少なくとも１種類を含む元素及びその酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、セレン化物、シリサイドのいずれかから選択されるドライエッチング材を含むドライエッチング層と、前記ドライエッチング層の上に熱反応型レジスト層とを積層する。 （もっと読む）

【課題】化学増幅レジストの性能を引き出すことにより、高い解像性能と良好なパターン品質を有するレジストパターンが得られるレジスト付き基体の製造方法、レジストパターン付き基体の製造方法、パターン付き基体の製造方法及びレジスト処理方法を提供する。
【解決手段】基体上に化学増幅レジストを塗布するレジスト塗布工程と、前記レジスト塗布工程後、レジスト塗布基体に対してベークを行うパターン露光前ベーク工程と、を有し、前記パターン露光前ベーク工程後に形成されることになるパターン未露光のレジスト層に対して現像剤による減膜処理を行うとすると前記レジスト層の残膜率が９５％以上となる時間及び温度条件にて、前記パターン露光前ベーク工程を行う。 （もっと読む）