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Fターム[4F209AJ02]の内容

Fターム[4F209AJ02]に分類される特許

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【課題】より微細なパターンを形成することができ、かつ安価に実施することができるナノインプリント用のスタンパの製造方法の提供。
【解決手段】(a)基板の表面に金属薄膜を形成する工程と、(b)金属薄膜の表面にレジスト層を形成する工程と、(c)電子線リソグラフィー法を用いてレジスト層に凹凸パターンを形成する工程と、(d)レジスト層の凹凸パターンにならって金属薄膜をエッチングして、パターン状の金属マスクを形成する工程と、(e)金属マスクにならって、基板に凹凸パターンを形成する工程とを少なくとも有し、工程(d)において金属薄膜をサイドエッチングすることによって、工程(e)において基板中に形成される凸部の幅が、工程(c)で形成される凹凸パターンの凹部の幅よりも縮小されることを特徴とする、ナノインプリント用のスタンパの製造方法。 (もっと読む)


【課題】優れた防眩性能を示しながら、白ちゃけによる視認性の低下を防止でき、高精細の画像表示装置に適用した場合においても、ギラツキを発生せずに高いコントラストを発現することができる防眩フィルムの製造方法、ならびに、当該製造方法において好適に用いられる金属金型の製造方法を提供する。
【解決手段】2種以上のセグメントからなるブロック共重合体をモデルとして、計算機シミュレーションによりブロック共重合体のミクロ相分離構造を計算する工程と、該ミクロ相分離構造に基づいて、エネルギースペクトルが空間周波数0.025〜0.125μm-1の範囲内において極大値を示すミクロ相分離パターンを作成する工程と、該ミクロ相分離パターンを用いて、透明基材上に凹凸表面を形成する工程とを含む防眩フィルムの製造方法、および当該製造方法において好適に用いられる金属金型の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】微細パターンを高い精度で形成することが可能なナノインプリントモールドと、このナノインプリントモールドを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】ナノインプリントモールド(1)を、厚みが4mm以下である透明な基材(2)と、この基材の表面(2a)側に形成された凹凸パターン(3)と、反射防止部(4)とを有するものとし、反射防止部(4)を、基材(2)の裏面(2b)側の少なくとも一部の領域、あるいは基材(2)の内部の少なくとも一部の領域に位置させたものとする。 (もっと読む)


【課題】高温の曲げ加工条件においても、接着層の揺らぎを最小限に抑え、変形および反りや剥離を生じない曲げ加工性に優れた光透過型電磁波シールド積層体を提供する。
【解決手段】
電磁波シールド層の片側または両側にポリカーボネート基材を積層してなる厚さ0.1mm〜30mmの積層体を遠赤外線ヒーター加熱装置により上下両側から放射加熱して曲げ加工する方法において、曲げ加工部の加熱幅を(1)式に示す範囲で選択加熱し、表面温度差を20℃以内に制御して140℃〜185℃に加熱したシールド積層体を曲率半径10mm以上の曲面に曲げ加工することにより、接着層の揺らぎを最小限に抑え、反りや剥離を生じない曲げ加工性に優れた光透過型電磁波シールド積層体を得ることが出来る。
加熱幅=2πR×(180°−X°)/360°×Y (1)
ここで、πは円周率、Rは曲率半径、Xは曲げ加工角度(内角)、Yは係数(1.35≦Y≦4.15)を示す。 (もっと読む)


【課題】シリコンカーバイドからなる基材の表面に、良好な微細加工を施す加工方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る表面加工方法は、シリコンカーバイドからなる基材1に反応性イオンエッチングを行う表面加工方法であって、Niを含む元素群から少なくとも1つ選択されるエッチング抑制元素と、Wを含む元素群から少なくとも1つ選択されるエッチング促進元素とを含む膜3,4をエッチングマスクとするものである。そして、エッチング抑制元素又はエッチング促進元素の含有量を調整することにより、基材1に形成される凹凸形状の側壁のテーパ角を制御する。 (もっと読む)


【課題】高温の曲げ加工条件においても、接着層の揺らぎと残留歪みを最小限に抑え、変形及び反りや剥離を生じない曲げ加工性に優れた光透過型電磁波シールド積層体の提供。
【解決手段】
電磁波シールド層の片側又は両側にポリカーボネート基材を積層してなる厚さ0.1mm〜30mmの積層体を遠赤外線ヒーター加熱装置により上下両側から放射加熱して曲げ加工する方法において、上段ヒーターは全面加熱し、下段ヒーターは曲げ加工部の加熱幅を(1)式に示す範囲で選択加熱し、表面温度差を20℃以内に制御して140℃〜185℃に加熱したシールド積層体を曲率半径10mm以上の曲面に曲げ加工することにより、接着層の揺らぎと残留歪みを最小限に抑え、変形及び反りや剥離を生じない曲げ加工性に優れた光透過型電磁波シールド積層体を得ることが出来る。
加熱幅=2πR×(180°−X°)/360°×Y (1)
ここで、πは円周率、Rは曲率半径、Xは曲げ加工角度(内角)、Yは係数(1.35≦Y≦4.15)を示す。 (もっと読む)


【課題】パターン形成体の全面にわたって、剥離不良やパターン不良がなく、パターン形状及び残膜を均一なものとし、短い剥離時間で生産性を向上させるレジスト組成物、レジスト層、インプリント方法、パターン形成体、及びこれらに関連する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】25℃における粘度が100mPa・s以下である1種以上の重合性化合物と、25℃における粘度が5,000mPa・s以上であり、かつ、フッ素含有率が10質量%以上である含フッ素化合物Aと、25℃における粘度が2,000mPa・s以下であり、かつ、フッ素含有率が10質量%以上である含フッ素化合物Bと、を含むレジスト組成物である。 (もっと読む)


【課題】ランプイメージの低減を可能にするとともに高い光の集光・拡散特性を備えた光学部品及びこれを用いたバックライトユニット、ディスプレイ装置を提供すること。
【解決手段】基材の少なくとも一方の面に光を集光もしくは拡散させる光学形状を有してなる光学部品30であって、もう一方の面に十点平均粗さRzがRz≦200(μm)であって、算術平均粗さRaが0.1<Ra<1000(μm)となる凹凸構造31Aを備えており、前記光学形状は、互いに間隔を空けて複数が配列され、各々がレンズを構成する凸部32を有しており、凸部32の前記一方の面に接している部分の幅をX、高さをYとしたとき0.5<Y/X<1.0となり、かつ50≦X≦200(μm)であって、凸部32の幅Xと凸部32同士の最も短い間隔Tが0.02≦T/Xとなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】エンボスロールに起因する壁紙の意匠の違和感を生じさせない、エンボスロールの製造方法を提供すること。
【解決手段】金属製ロールの表面にエンボス模様を形成し、該形成面にブラスト処理を施すエンボスロールの製造方法であって、ブラスト処理を少なくとも2回行い、そのうちの1回は粒径350〜1000μmの粒子を50質量%以上含む投射材料を用いることを特徴とするエンボスロールの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】サイズの均一なピラーが微細な所定の間隔で配列したピラーアレー構造体を有する生体関連分子等の分離用デバイスを、高スループットにて効率良く製造することが可能な方法、およびその方法により製造された分離用デバイス。
【解決手段】アルミニウム材の陽極酸化により形成される表面にホールアレー構造を有する陽極酸化ポーラスアルミナ22、またはそれを鋳型として作製した複製モールドを、繰り返し使用可能なモールドとして用いてナノインプリント法によりピラーアレー構造体を作製するとともに、作製されたピラーアレー構造体を所定形態の流路内に配置することを特徴とする、物質の分離を行うための分離用デバイスの製造方法、およびその方法により製造された分離用デバイス32。 (もっと読む)


微細複製による光学フィルムを作製する、微細構造の押出成形により複製を行うシステム及び方法である。このシステムはプレスロール及び複製部材を含む。この複製部材は、微細複製により複製された外面を有する低熱拡散性材料又は微細複製により複製された外面を有する有機材料を含む。形状追従性の無機コーティングを有機又は低熱拡散性材料のパターン付き外面の上に配置する。
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【課題】三次元のパターンを持つことができる密集する構造を形成する。
【解決手段】本発明は、三次元のナノインプリント装置であって、少なくとも、a)表面(X,Y)を持つ基板(2)と、b)この基板上に、2個ずつの平行な複数のナノトレンチ(6)であって、それぞれのナノトレンチが側壁によって規定され、そして基板に垂直な方向に、側壁の最上部に対して測られたそれぞれ深さh1とh2>h1の、少なくとも1つの第1および1つの第2のレベルを有する複数のナノトレンチと、を有し、c)ナノトレンチの最後の深さレベル(h1)における底は第1のタイプの材料に存在し、側壁は第2のタイプの材料に存在し、第1のタイプの材料は、ナノトレンチの壁を形成する第2のタイプの材料に対して選択的にエッチングされることが可能であることを特徴とする装置に関する。 (もっと読む)


【課題】Si原盤の凹凸形状に成膜した複版を凸部に欠けが生じることなく剥離し得るモールドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】表面に微細な凹凸パターンを有するモールド10の製造方法において、凹凸パターンを有するSi原盤26の表面に、イオン化傾向が水素よりも小さい金属、例えば、Pt、Os、Ir、Au、RuおよびPdから選ばれる少なくとも一種の金属を含む金属膜からなる剥離層16を形成する剥離層形成工程と、剥離層16の形成後にモールドを構成する金属基板12を電鋳形成する電鋳工程と、電鋳工程の後、剥離層16と金属基板12とを備える複版をSi原盤26から剥離する剥離工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】一方の表面に凹凸が形成された樹脂シートを高い形状精度で製造し得る製造装置を提供する。
【解決手段】製造装置1は、押出ダイ10と、金属製の加熱ロール11b及び冷却ロール13と、加熱ロール11bと冷却ロール13とに巻き掛けられている金属製の賦形ベルト14と、圧着ロール11aと、剥離ロール15と、加熱ロール11bを加熱するヒーター11b1とを備えている。賦形ベルト14の外側の表面には、樹脂シート17の表面に形成される凹凸に対応した形状の凹凸が形成されている。賦形ベルト14の内側の表面の上には、樹脂コート層が形成されている。 (もっと読む)


【課題】ナノインプリント用モールドの凹凸パターン表面に、離型性と耐久性に優れ、凹凸パターン寸法にほとんど影響を与えない離型層を有し、高精度で微細なナノインプリント用樹脂のパターン形成が可能なナノインプリント用モールド、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板11表面に凹凸パターン12を有し、前記凹凸パターンが離型層13で被覆されているナノインプリント用モールド10において、前記凹凸パターンの少なくとも表面がシリコン酸化膜または金属酸化膜であって、前記離型層が、両親媒性のシランカップリング剤の離型剤からなり、前記離型剤の疎水基を前記凹凸パターン側とは反対側に配向させた単分子膜で形成されたものであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ポジタイプのインプリントを作るために使われるリソグラフィ技術を提供する。
【解決手段】
本発明は三次元のインプリントモールドを形成する装置であって、少なくとも、・基板であって、該基板の平面に垂直な少なくとも1つの部分を持つ少なくとも1つの交互層を有する、互いに対して選択的にエッチングされうる第1のタイプの材料と第2のタイプの材料の、基板と、・表面形態であって、少なくとも、a)前記形態のいずれかの側に配置された基板の表面に対する第1のレベルにその最上部が存在するような第1のパターンであって、これらの第1のパターンが第1のタイプの材料にあるもの、b)および、基板の前記表面に対して少なくとも第2のレベルを持ち、第1のレベルとは異なり、かつそれより低い第2のパターンであって、これらの第2のパターンが第2のタイプの材料にあるもの、を有する表面形態と、を有する装置に関する。 (もっと読む)


エンボス加工ウェブの作製プロセス。前駆体ウェブを成形構造体と静圧プレナムとの間に供給する。成形構造体は複数の離散型突出要素を有する。圧力は、前駆体ウェブを成形構造体の離散型突出要素と適合させるために、前駆体ウェブ及び成形構造体に対して静圧プレナムによって提供されて、エンボス加工ウェブを形成する。得られるエンボス加工ウェブは、開口近位端部を有する複数の離散型伸長要素を有する。
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マイクロ構造物品を作るのに有効であるキャスト成形法及びモールド成形法に関する。物品の表面に複数のマイクロ特徴部を含むことによって、他の特性、例えば高い疎水性を対象物に与えることができる。本明細書で説明するキャスト成形法及びモールド成形法の幾つかにより、マイクロ特徴部及びマクロ特徴部の両方を有する物品、例えば、マクロ特徴部又は選択したマクロ特徴部領域上に又はその中にマイクロ特徴部を有する物品を製造することがさらに可能になる。 (もっと読む)


【課題】ワークを容易に離型することができ、耐久性にも優れたインプリント用型とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のインプリント用型は、ワークに対して形状を転写する転写面と、前記転写面にシロキサン結合を介して結合したポリシロキサンを有する結合層と、前記結合層にシロキサン結合を介して結合した有機官能基を有する離型機能層と、を備えていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】パターン化メディア用テンプレートおよびテンプレート作製方法を得る。
【解決手段】第1の材料層上にレジスト・パターンが形成され、レジスト・パターン上に第2の材料の等方層が堆積されてレジスト構造の上部および側壁を覆う。第1の材料は第2の材料よりもイオン・ミリングに高い耐性を有し、また第2の材料よりもプラズマ・エッチングに低い耐性を有する。第1の材料はアモルファス・カーボンでよく、また第2の材料は酸化アルミニウムでよい。第2の材料が上部から除去され側壁上に残される。レジスト構造と第2の材料を支えていない第1の層の部分とがプラズマによって除去される。残された構造はレジスト・パターンよりも2倍の高密度を有する。第2の材料の等方堆積およびイオン・ミリングを反復すれば、第2の材料から形成されたものの4倍の高密度ピッチのパターン構造を得ることも可能である。 (もっと読む)


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