【課題】大面積のグラフェンを高品質かつ低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】表面粗さRzが0.5μｍ以下であり、表面において(111)面の割合が60%以上を占めるグラフェン製造用銅箔１０である。 （もっと読む）

【課題】転写性に優れ、且つ、従来よりも均一な厚みのカーボンナノチューブ層を転写可能な略垂直配向カーボンナノチューブ付き基材を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブが略垂直に配向した基材であって、前記カーボンナノチューブの長手方向に対して中央よりも前記基材側に、当該基材に略平行な面におけるカーボンナノチューブの本数密度が他の部分よりも小さく、且つ／又は、カーボンナノチューブの直径が他の部分よりも小さい部分を有することを特徴とする、略垂直配向カーボンナノチューブ付き基材。 （もっと読む）

【課題】スティッキングが生じにくい半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】一方の面１ａに触媒層３が形成された基板１において、前記一方とは反対側から前記触媒層３の裏面３ａに至る開口部１ｃを形成する工程と、前記開口部１ｃにおいて、前記触媒層３の裏面３ａにグラフェン５を形成する工程と、前記触媒層３の少なくとも一部を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。開口部１ｃの形成後、グラフェン５の形成前に、熱処理を行うことができる。グラフェン５を形成する前に、触媒層３の表面に保護層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】純度が99.95質量％以上のＣｕからなるグラフェン製造用銅箔である。 （もっと読む）

【課題】基板にナノ構造体を成長させた後の処理を工夫することにより、基板にナノ構造体を強固に接合することが可能となる。
【解決手段】ナノ構造物１００は、基板（第１基板１１０ａ）と、基板（第１基板１１０ａ）の表面に、表面に対して垂直方向に延伸するようにナノ構造体１２２が複数形成されたナノ構造層１２０と、基板（第１基板１１０ａ）から基板（第１基板１１０ａ）を構成する物質が、ナノ構造層１２０の基板１１０（１１０ａ）側に形成された空隙１３０ａに延出し、ナノ構造層１２０と基板（第１基板１１０ａ）とを接合する接合部１３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、高純度、高収率で、合成可能なカーボンナノ構造体の製造方法を提供すること、また、その製造方法で得られたカーボンナノ構造体を提供すること。
【解決手段】炭素源としての有機物の気体と、イオウ含有化合物との混合気体を、金属含有触媒を使用せずに８００℃以上で加熱することを特徴とする繊維状カーボンナノ構造体の製造方法；常温常圧で液体の炭素源としての有機物、及び／又は、常温常圧で液体のイオウ含有化合物を、同時に気体状態において８００℃以上で加熱することを特徴とする繊維状カーボンナノ構造体の製造方法、また、上記製造方法で得られたカーボンナノ構造体；両端が共に開いた構造を有することを特徴とする繊維状カーボンナノ構造体。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い良質なグラフェンを、極力低い温度で効率よく成長させる方法を提供する。
【解決手段】グラフェンの成長に先立ち、前処理を行う。前処理は、排気装置９９を作動させて処理容器１内を減圧排気しながら、シャワーリング５７から処理容器１内に希ガスを導入するとともに、シャワープレート５９から処理容器１内に還元性ガス及び窒素含有ガスをそれぞれ導入する。この状態で、マイクロ波発生部３５で発生したマイクロ波を、導波管４７及び同軸導波管４９を介して所定のモードで平面アンテナ３３に導き、平面アンテナ３３のマイクロ波放射孔３３ａ、透過板３９を介して処理容器１内に導入する。このマイクロ波により、還元性ガス及び窒素含有ガスをプラズマ化し、ウエハＷ表面の触媒金属層に活性化処理を施す。 （もっと読む）

【課題】ナノカーボンを含む超微粉炭素を、さらに効率的に連続して大量生産できることが期待できる新規な構成の触媒反応装置を提供すること。
【解決手段】反応管内で原料としての含炭化水素化合物を粉体触媒と攪拌混合し、含炭化水素化合物を触媒反応により熱分解させて、超微粉炭素を生成させる触媒反応装置。反応管（３）は、外部加熱手段（２）を備えるとともに搬送攪拌手段（７）を内蔵する。さらに、反応管（３）内に1箇所又は複数個所で原料を気密的に供給する原料供給手段（１１）と、反応管（３）の搬送方向元部側に接続されて触媒を気密的に供給する触媒供給手段（１７）、（１９）と、反応管（３）の搬送方向先端側に接続されて粉体製品を触媒とともに気密的に排出する粉体排出手段（２５）と、同上部側に接続されて気体成分を減圧吸引機（３５）で吸引排出する気体排出手段（３０）、（３４）と、を付設する。 （もっと読む）

【課題】金属触媒結晶薄膜から絶縁性基板表面上に、グラフェンが横方向に成長する方法を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェンの成長方法は、絶縁性結晶基板１０１の上部の表面の一部が露出するように、金属触媒結晶薄膜１０２を形成し、絶縁性結晶基板１０１の上部に、絶縁性基板１０１の表面の一部が露出するように、金属触媒結晶薄膜１０２を形成した状態で、炭化水素を含む気体３を用いて、グラフェンを気相化学成長させる。 （もっと読む）

【課題】選択的かつ精密にカイラリティを制御することができる単層カーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性金属から成る触媒層を形成した基板の触媒層上に、プラズマＣＶＤ法により単層カーボンナノチューブを成長させる成長工程と、反応性イオンエッチングにより基板をエッチングするエッチング工程とを同時に行う。成長工程では、プラズマＣＶＤ法の原料ガスとして炭化水素ガスを使用し、プラズマＣＶＤ法で発生するプラズマシース電場を制御する。エッチング工程では、反応性イオンエッチングにおける化学的活性種は水素ラジカル、物理的作用を担うものはイオンであり、ラジカル密度とイオン入射エネルギーとを制御する。 （もっと読む）

【課題】基材表面に、非晶質炭素被膜を被覆し、これを高面圧下でかつ摺動頻度の高い摺動部材として使用したとしても、その表面の非晶質炭素被膜の摩耗を抑制することができる摺動部材の製造方法を提供することにある。
【解決手段】基材１０の表面に、ナノダイヤモンド粒子２１が分散されたニッケルめっき被膜２０を被覆する工程と、ニッケルめっき被膜２０の表面に露出したナノダイヤモンド粒子２１を核として、ナノダイヤモンド粒子２１から膜厚方向に非晶質炭素を成長させながら、ニッケルめっき被膜２０の表面に非晶質炭素被膜３０を被覆する工程と、を少なくとも含む。 （もっと読む）

【課題】フッ素樹脂以外のマトリックスで、高導電性、及び優れた力学特性を発現するカーボンナノチューブ複合材料を実現すること。また、フッ素樹脂以外のマトリックスで、高導電性、及び優れた力学特性を発現するカーボンナノチューブ複合材料を備える導電材料を実現すること。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ複合材料は、カーボンナノチューブ、フッ素を含有する化合物と、フッ素を含有する化合物以外の樹脂又はエラストマーからなるマトリックス中に分散してなるカーボンナノチューブ複合材料であって、前記フッ素を含有する化合物がマトリックス中に島状に分散してなる。また、本発明のカーボンナノチューブ複合材料において、フッ素樹脂以外のマトリックスの溶解度パラメーターが１８以下１９以上である。 （もっと読む）

【課題】 フレキシブルで、軽く、安定で高導電性の導電材料およびこれを用いた電気素
子を提供する。
【解決手段】
本発明の導電材料は、少なくとも一つの次元方向が２００ｎｍ以下であり、かつ炭素原
子の一部が少なくとも窒素原子に置換された単層グラフェン及び多層グラフェンの少なく
とも１種よりなるカーボン材料と、金属の粒子及び線材の少なくとも１種よりなる金属材
料とが、混合及び／又は積層されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面に反応防止膜が形成された反応防止膜付基板に対し、好適な濡れ性を有し、触媒金属塩の溶媒として使用でき、均一な触媒層を形成し、最終的に製造される配向ＣＮＴのサイズを制御することを目的としている。
【解決手段】本発明は、溶媒に触媒金属塩を分散及び／又は溶解した触媒金属塩液を基板の表面に塗布加熱し、熱ＣＶＤ処理により配向ＣＮＴを合成する製造方法において、前記溶媒は、ＰＧＥと前記ＰＧＥとの相溶性があって非親水性を有する非親水液とが混合した特性溶媒であり、前記非親水液が前記ＰＧＥより加水分解反応が少なく、前記基板が基板表面に反応防止膜が形成された反応防止膜付基板であり、前記触媒金属塩液の金属塩濃度と前記配向ＣＮＴのサイズとの相関から相関関係を導出し、前記相関関係により前記金属塩濃度を調整して前記サイズを制御する配向ＣＮＴ製造方法である。 （もっと読む）

【課題】蒸発した触媒金属がカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）に再付着することを防止し、配向を崩すことなくＣＮＴから確実に触媒金属を除去することで、高純度で高品質のＣＮＴを得ることができる触媒金属の除去方法を提供する。
【解決手段】基板Ｋに触媒金属を介して形成させたＣＮＴから、ナノ粒子である触媒金属を除去する触媒金属の除去方法であって、基板Ｋの近傍に配置された触媒金属と同種の金属からなるバルク材７を、バルク材加熱用ヒータによりバルク材７の溶解温度未満である蒸着用温度で加熱し、真空ポンプ１２により維持された所定の真空度において、基板Ｋを、基板加熱用ヒータ６により触媒金属の蒸発温度以上である蒸発用温度で加熱することにより、触媒金属を蒸発させてバルク材７の鏡面加工された蒸着面７Ｄに蒸着させる。 （もっと読む）

【課題】アルカリ元素等の電子供与性金属元素内包によるフラーレンの電子状態改質は非常に有効で興味深いが、金属内包フラーレンの合成と単離は一般的に困難である。特にＣ_６０への金属内包ドーピングは、実現例が極めて少ない。本発明では、Ｌｉ＠Ｃ_６０塩を原料として用いて、Ｌｉ＠Ｃ_６０薄膜の作製することを目的とする。
【解決手段】本願発明の膜は、Ｌｉ＠Ｃ_６０塩を昇華させた生成物をＣｕ（１１１）面上に堆積させることによる形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】金属又は金属化合物からなる基体の表面を、表面粗さ５ｎｍＲ_max以下に研磨した後、この被研磨面をテンプレートとして、基体表面に単原子層又は２原子層からなる薄膜を形成する。
【効果】本発明によれば、従来に比較して飛躍的に広い面積範囲に亘って単一ドメインで、欠陥・粒界の少ない、グラフェン膜、ｈ−ＢＮ膜等の、厚さが１〜２原子層分の薄膜を、再現性よく安定的に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノファイバを十分に成長させることができるカーボンナノファイバ形成用構造体、カーボンナノファイバ構造体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】酸素イオン伝導性酸化物を含む基材１０と、基材１０上に担持される金属触媒３０とを備えるカーボンナノファイバ形成用構造体４０。 （もっと読む）