【課題】膜厚が厚くなっても亀裂や欠陥を生じ難く剥離し難い被膜を表面に有し、黒鉛基材の耐酸化性が十分に向上された耐酸化性炭素材料を簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】耐酸化性炭素材料を製造する方法であって、ＳｉＯｘＣｙＨｚ（ただし、ｘは１以上２以下の数、ｙは１以上６以下の数、ｚは３以上 ８以下の数である）で表わされる組成式を有する溶融性シリコーン樹脂とＡｌ粉末とを含む分散液を、炭素材料に含浸し、被覆処理した後、硬化処理し、次いで、非酸化性雰囲気下、８００℃〜１３００℃の温度下で焼成処理することを特徴とする耐酸化性炭素材料の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】新規な炭化ケイ素−炭素複合材の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素が表面に付着した炭素質材料２を含む成形体を焼成することにより炭化ケイ素−炭素複合材１を製造する。 （もっと読む）

【課題】導電性かつ耐熱性を有する導電性薄膜を備える導電性基板を、低コストで提供する。
【解決手段】基材上に導電性薄膜を備える導電性基板であって、該導電性薄膜が、周期表（長周期型）第６族遷移金属炭化物及び／又は周期表（長周期型）第６族遷移金属二酸化物を含むナノ粒子が融着した構造を有する、導電性基板、及び、下記工程（Ｉ）及び工程（II）を有する、導電性基板の製造方法である。
工程（Ｉ）：基材上に、周期表（長周期型）第６族遷移金属炭化物を含むナノ粒子を含有する薄膜を形成する工程
工程（II）：不活性ガス及び／又は還元性ガス雰囲気下で該薄膜を焼成する工程 （もっと読む）

【課題】ほぼ化学量論組成を有するとともに緻密な焼結体が得られる易焼結性炭化ケイ素粉末、比抵抗の低い炭化ケイ素セラミックス焼結体、その製造方法を提供する。
【解決手段】炭素／ケイ素の元素比率が0.96〜1.04であり、かつ、平均粒径が１．０〜１００μｍであり、かつ、¹³C-NMRスペクトルにおいてケミカルシフトが0〜30ppmの範囲における吸収強度の積分値の、0〜170ppmの範囲における吸収強度の積分値に対する比が20％以下であることを特徴とする易焼結性炭化ケイ素粉末。該炭化ケイ素粉末を加圧下で焼結して比抵抗が小さく緻密で純度の高い焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】高絶縁性の炭化ケイ素粉体、及び、耐熱性に優れると共に、高熱伝導性と高絶縁性を同時に有する複合組成物を提供すること。
【解決手段】表面が、焼成によって設けられた、厚みが10nm〜500nmの酸化物被膜によって被覆されてなることを特徴とする炭化ケイ素粉体。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高強度な炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクを提供する。
【解決手段】炭素繊維と、樹脂とを混合後、焼成成形してなる焼成体にシリコンを溶融含浸して得られる炭素繊維複合材であって、Ｘ線回折法による、前記炭素繊維の炭素００２面の面間隔ｄ００２が、３．３６〜３．４３であることを特徴とする炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクである。炭素繊維はピッチ由来の前駆体から焼成して得られた炭素繊維であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】従来の表面被覆層よりも耐摩耗性に優れると共に摩擦係数が低くて摺動性に優れる硬質皮膜、硬質皮膜被覆材および冷間塑性加工用金型を提供する。
【解決手段】（Ｖ_ｘＭ_１−ｘ）（Ｂ_ａＣ_ｂＮ_{１−ａ−ｂ}）からなる硬質皮膜であって下記式（１Ａ）〜（４Ａ）を満たすことを特徴とする硬質皮膜等。〔但し、上記Ｍは４ａ、５ａ、６ａ族の元素、Ｓｉ、Ａｌの１種以上であり、下記式において、ｘはＶの原子比、１−ｘはＭの原子比、ａはＢの原子比、ｂはＣの原子比、１−ａ−ｂはＮの原子比を示すものである。〕
０．４≦ｘ≦０．９５−−−−式（１Ａ）、０≦ａ≦０．２−−−−式（２Ａ）、
０≦１−ａ−ｂ≦０．３５−−−−式（３Ａ）、０．６≦ｂ≦１−−−− 式（４Ａ） （もっと読む）

【課題】直線状のスプリング軸を有しており、弾力性および機械強度に優れたセラミックススプリング、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スプリング外径が０．０１μｍ〜１００μｍ、スプリングピッチが０．０１μｍ〜１０μｍ、スプリング長が１．０×１０^−５ｍｍ〜２０ｍｍ、スプリング軸が直線状である螺旋形状を有し、かつ、破断強度が８０ＭＰａ以上である一重又は二重のセラミックススプリングである。

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【課題】光透過性が低く、かつ、伝熱性が高く、半導体製造等における熱処理工程、特に、急速加熱・急速冷却熱処理に好適に用いることができる炭化ケイ素材料を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ法により成膜されたβ−ＳｉＣからなり、成膜方向に対する垂直断面において、結晶面（３１１）／（１１１）のＸ線回折によるピーク強度比が０．８よりも大きい層が、厚さ４０μｍ以上で形成された炭化ケイ素材料を半導体製造装置の熱処理用部材に用いる。 （もっと読む）

【課題】ナノスケールの炭化コバルト粒子に基づく結晶性強磁性体炭化コバルトの組成物、及びポリオール反応を介して本発明に係る強磁性体材料の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の結晶性強磁性体炭化コバルトナノ粒子は、高性能永久磁石用途に有用である。本発明のプロセスは、炭化Ｆｅ、炭化ＦｅＣｏの如き他の炭化物相に拡張可能である。炭化Ｆｅ、炭化ＦｅＣｏは、鉄塩、コバルト塩の前駆体として使用することによって実現可能で、取り分け、酢酸塩、硝酸塩、塩化物、臭化物、クエン酸塩及び硫酸塩の様なＦｅ−及びＣｏ−塩の混合物および／または混和剤として使用される。本発明の材料は、Ｃｏ_２Ｃ、Ｃｏ_３Ｃの両相の如き炭化コバルトの混合物を含む。混合物はＣｏ_２Ｃ及びＣｏ_３Ｃの独立した粒子の収集物の形体或いは個別の粒子内でＣｏ_２Ｃ及びＣｏ_３Ｃ各相の密接な組合せからなる粒子の収集物としての形態をも取り得る。各相の形態と同様にこれら２つの相の相対比は、特に室温から４００Ｋ超の低温でそれらの誘引的永久磁性へ貢献する。 （もっと読む）

【課題】繊維状材料が均一に複合された繊維強化Ａl複合材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化アルミニウムを主成分として表面に酸素を含む繊維が表面に形成されたＡl粉末を成型して成形体とする第一の工程と、該成形体をＡlの融点以上で加熱する第二の工程と、続いてＡlの溶融状態を保持したまま加圧して緻密化する第三の工程とを含むことを特徴とする繊維強化Ａl複合材料の製造方法により解決される。前記第三の工程を熱間鍛造で行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】有機−無機変換ルートにより作製される炭化ケイ素の高性能化ならびに高度利用をはかるために、新しい前駆体有機ポリマーとして、ポリ［（シリリン）エチニレン］ならびにポリ［（シリレン）エチニレン］を合成した。
【解決手段】
ポリ［（シリリン）エチニレン］あるいは／ならびにポリ［（シリレン）エチニレン］を焼成する過程において、ヒドロシリル化反応により高度なクロス・リンク型ネットワーク構造が生起するために、熱分解による物質損失が大幅に抑止され、欠陥の少ない高品質の炭化ケイ素の粉末、成形品、繊維、薄膜、複合材料マトリックスが作製できる。 （もっと読む）

【課題】希望する組成を有し、かつ、使用特性に優れ、材料組成の選択により、各種機能を有する高効率の素子、デバイスを実現するのに好適なナノ球状粒子、粉末、工業的利用性を充分に満たす捕集率を実現しえるナノ球状粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】アルゴン不活性ガス雰囲気中で、原料金属の溶融物を高速回転する皿ディスク上に供給し、遠心力を作用させて小滴として飛散させ、ガス雰囲気との接触により急冷して球状粒子とした後、得られた球状粒子に対し、プラズマ旋回流内３１でアルゴンイオン３４と衝突反応させて、原料金属の成分をナノサイズに分解すると同時に反応性のあるガス成分３４又は蒸気成分と接触させるプラズマ反応結晶化処理をする。これにより、１μｍ未満の粒径を有し、真球度２０％以内のナノコンポジット構造を有するナノ球状粒子、粉末が得られる。 （もっと読む）

【課題】 超硬合金の高硬度と高強度（抗折力）を両立可能な炭化タングステン粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の炭化タングステン粉末は、レーザー回折・散乱法にて粒度測定した際に得られる粒度分布の累積パーセント径、Ｄ１０％、Ｄ５０％、Ｄ９０％のそれぞれの値をＸ、Ｙ、Ｚμｍとしたとき、０．３５≦Ｘ／Ｙ、Ｚ／Ｙ≦２．８５、０．２０≦Ｙ≦１．２０である。
本発明の炭化タングステン粉末は、金属タングステン粉末またはタングステン酸化物粉末のいずれかと炭素源粉末との混合物を原料として、加熱処理にて得られた炭化タングステン粉末を、気流式粉砕機にて、粉砕ガス圧力０．４〜０．７ＭＰａで粉砕し、その後、遠心分級機にて、分級風量４．０〜６．０ｍ^３／分、分級機周速２２００〜３５００ｍ／分で分級して得られる。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素の表面に反応性イオンエッチングにより微細加工を施す際に、炭化ケイ素の表面を任意形状かつ高精細に微細加工することができ、特に、ナノメートル級の寸法公差による微細加工を行うことができる炭化ケイ素の表面処理方法を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素基板の表面に反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により微細加工を施す前に行う表面処理方法であって、単結晶炭化ケイ素基板の表面に、アンモニア及び過酸化水素を含む水溶液、塩酸及び過酸化水素を含む水溶液、硫酸及び過酸化水素を含む水溶液、フッ酸及び過酸化水素を含む水溶液の群から選択される１種または２種以上を順次用いてケミカル洗浄を施し、次いで、この表面に酸素プラズマ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 実用的な条件によって加工変質層を除去するＳｉＣ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のＳｉＣ基板１１は、実質的に平行な第１および第２の主面１１ａ、１１ｂを有し、第２の主面１１ｂのみが鏡面仕上げされており、反りが±５０μｍ以下であるＳｉＣ基板であって、第２の主面１１ｂの表面粗度Ｒａは１ｎｍ以下であり、第１の主面１１ａの加工変質層が除去されている。 （もっと読む）

本発明は、ナノ粒子基質を使用した、酸化ホウ素又は酸化ケイ素の炭化物化又は窒化ステップを含む、炭化ホウ素、窒化ホウ素、及び炭化ケイ素を調製するための、新規で有用な方法を対象とする。
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微粒子を担持する気体用のろ過構造体を選択するための方法であって、そのろ過構造体が、多孔質セラミック材料で形成されかつ少なくとも１つ、好ましくは複数の多孔質壁を含むろ過部材を含んで成り、壁の表面の第１の画像から出発して、壁の微細構造の規則性及び均一性の第２の特徴的画像を得るような形で構造化要素による形態学的侵食を含む処理作業が第１の画像に対し実施されることを特徴とする方法。この方法を応用することにより得られる炭化ケイ素ろ過構造体。 （もっと読む）

【課題】原料の取扱い性に優れ、かつ特性に優れた炭化タングステン焼結体からなる切削工具用焼結体、およびそのような焼結体を用いた切削工具を提供する。
【解決手段】切削工具は、一次粒子径が0.6μm以下で、かつ二次粒子径が0.6μmを超え35μm以下の範囲の二次粒子が、粒子全体の70重量％以上を占める炭化タングステン粉末を焼結してなる炭化タングステン焼結体を具備する。 （もっと読む）

【課題】物理的手法によって熱伝導率を制御する炭化ケイ素粉末の製造法、および高熱伝導率炭化ケイ素の提供。
【解決手段】 アチソン法により製造された炭化ケイ素をバッチ式にて粉砕し、得られた粉砕品を分級して、熱伝導率の異なる炭化ケイ素粉末を製造することを特徴とする、炭化ケイ素粉末の製造法。より小さい平均粒子径に粉砕し、より大きな平均粒子の粉末を分級により分取することで、熱伝導率の高い炭化ケイ素を得ることができる。 （もっと読む）