【課題】気相法を用いずに、低コストで高純度の炭化珪素からなる原料を得た後、この原料を用いて高強度の耐火物を製造する方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、Ｂ及びＰの各々の含有率が１ｐｐｍ以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、炭化珪素からなる塊状物を得る、炭化珪素製造工程と、上記炭化珪素からなる塊状物を粉砕して、炭化珪素の粒状物からなる不定形耐火物を得る、不定形耐火物調整工程と、を含む、炭化珪素を含む不定形耐火物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】超硬合金に比べてWの使用量を削減でき、かつ超硬合金の代替となり得る強度と靭性を備えた焼結体の原料として好適な硬質粒子とその製造方法を提供する。
【解決手段】この硬質粒子10は、コア11と、コア11を覆うシェルとを備える。コア11は、Wを除く周期律表4、5、6族元素及びSiから選択される一つ以上の元素とWの炭化物、窒化物及び炭窒化物の少なくとも一種の固溶体を含有する。シェル12は、WCで構成される。Wが固溶された所定の複合固溶体でコア11を構成し、かつWCでシェル12を構成することにより、コア11とシェル12の線膨張係数差を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】アチソン炉を用いて、安価にかつ大量に、しかも安全に高純度炭化珪素粉末を製造することができ、かつ、高純度炭化珪素粉末を製造する際の消費電力量を低減することができる高純度炭化珪素粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、Ｂ及びＰの各々の含有率が１ｐｐｍ以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、高純度炭化珪素粉末を得る、高純度炭化珪素粉末の製造方法。上記シリカとカーボンからなる粒子は、好ましくは、粒子内のいずれの地点においても、シリカの含有率が９０質量％以下であり、かつ、カーボンの含有率が１０質量％以上のものである。 （もっと読む）

【課題】高純度炭化ケイ素を簡便かつ高い生産性で得ることができる製造方法を提供する。また、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性シリコーン組成物の硬化物を非酸化性雰囲気下、１５００℃を超え２６００℃以下の温度において加熱することを含む炭化ケイ素の製造方法。前記の硬化性シリコーン組成物を所要の形状および寸法に成形した後に硬化させて前記の硬化物を得ることにより、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる。前記の硬化性シリコーン組成物は、付加硬化型シリコーン組成物または縮合硬化型シリコーン組成物であることが好ましく、また、炭化ケイ素粉体を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】生体活性を有する炭化ケイ素（SiC）ナノチューブを提供すること、及びそのようなSiCナノチューブの簡潔な作製方法を提供すること。
【解決手段】生体活性炭化ケイ素ナノチューブは、カーボンナノチューブとSi粉末との真空熱処理により、多結晶SiCナノチューブを合成し、合成された前記多結晶SiCナノチューブをNaOH処理またはKOH処理し、NaOH処理またはKOH処理後、多結晶SiCナノチューブをHCl処理することよって作製される。合成された生体活性SiCナノチューブの外径は200nm以下であり、且つその内径は150nm以下である。 （もっと読む）

【課題】基板の昇温時間と冷却時間を短縮することのできる気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置１００は、基板７の温度を測定する放射温度計２４ａ、２４ｂと、基板７の周辺にガス噴出部１９が設けられたガス流路１８と、ガス流路１８に熱伝導率の異なるガスを供給するガス供給部と、放射温度計２４ａ、２４ｂによる測定結果に応じて、ガス供給部からガス流路１８に供給するガスの種類と供給の有無を制御する制御部２６とを有する。ガス供給部は、アルゴンガスおよび窒素ガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部２８と、水素ガスおよびヘリウムガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部２９とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも低温での熱処理により得られ、しかも高臨界電流密度を有する超電導線材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物１を含ませることで、従来よりも低温での熱処理により得られ、高臨界電流密度を有する超電導線材１０及びその製造方法を提供することができる。Ｍｇ（Ｂ_１−ｘＣ_ｘ）_ｙ・・・（１）（ただし、式（１）中、ｘは０＜ｘ＜１を満たす数であり、ｙは２．１≦ｙを満たす数である。） （もっと読む）

【解決手段】本発明は、籾殻又は稲藁のようなシリコン含有植物から生成されたカーボン−シリカ生成物であり、硫酸で浸出することによって、非シリカ無機物及び金属を除去し、その一方、残った生成物内の固定カーボン対シリカのモル比を調整する。カーボンとシリカは、ミクロン又はサブミクロンスケールで密接に混合され、高純度と高い反応性、小さな粒子サイズ、高い空隙率を特徴とし、カーボン−シリカ生成物からシリコン含有生成物を生成するエネルギー源として用いられる揮発性カーボンを含む。 （もっと読む）

【課題】 ＦＲＰを有効利用して低コスト、効率的かつ簡便に得ることのできるＳｉＣ製造方法を提供すること。
【解決手段】 ＦＲＰ＜１＞を粉末化する粉末化工程＜Ｐ１＞と、粉末化工程＜Ｐ１＞により得られたＦＲＰ粉末＜２＞を加熱処理する加熱処理工程＜Ｐ２＞とにより構成される、極めて簡素なものである。したがって本製法によれば、粉末化工程＜Ｐ１＞においてＦＲＰ＜１＞が粉末化されてＦＲＰ粉末＜２＞が得られ、ついで加熱処理工程＜Ｐ２＞においてＦＲＰ粉末＜２＞が加熱処理されることによって、容易に目的のＳｉＣ＜３＞を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】膜厚が厚くなっても亀裂や欠陥を生じ難く剥離し難い被膜を表面に有し、黒鉛基材の耐酸化性が十分に向上された耐酸化性炭素材料を簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】耐酸化性炭素材料を製造する方法であって、ＳｉＯｘＣｙＨｚ（ただし、ｘは１以上２以下の数、ｙは１以上６以下の数、ｚは３以上 ８以下の数である）で表わされる組成式を有する溶融性シリコーン樹脂とＡｌ粉末とを含む分散液を、炭素材料に含浸し、被覆処理した後、硬化処理し、次いで、非酸化性雰囲気下、８００℃〜１３００℃の温度下で焼成処理することを特徴とする耐酸化性炭素材料の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】新規な炭化ケイ素−炭素複合材の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素が表面に付着した炭素質材料２を含む成形体を焼成することにより炭化ケイ素−炭素複合材１を製造する。 （もっと読む）

【課題】より容易に製造することができ、炭化珪素を高純度で含む炭化珪素粉末および炭化珪素粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素結晶成長用の炭化珪素粉末であって、シリコン小片と炭素粉末との混合物を加熱した後に粉砕することによって形成されており、実質的に炭化珪素で構成されている炭化珪素粉末とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】黒鉛粒を高濃度で含有する未硬化のフェノール樹脂との複合体である成形材料を、金型内で加熱・加圧成形によって賦形した成形品を無酸素の高温雰囲気で焼成して誘電加熱を可能とするカーボン凝結体成形品において、ゲート近傍の過度な吐出圧と流路の急変に伴って歪みが成形品内に残留する。この結果、焼成段階で樹脂部分に微細な亀裂が発生し、落球などの衝撃応力による耐性を著しく低下させていた。
【解決手段】この発明に係るカーボン焼結体の表面改質方法は、黒鉛粒にフェノール起源のカーボンを結合材としたカーボン凝結体の鍋状成形品の底面中央にあるゲート相当部分にシリコン化合物を含浸させた後、無酸素雰囲気の１１００〜１５００℃で加熱処理を行う工程を含んで成るものである。 （もっと読む）

【課題】ほぼ化学量論組成を有するとともに緻密な焼結体が得られる易焼結性炭化ケイ素粉末、比抵抗の低い炭化ケイ素セラミックス焼結体、その製造方法を提供する。
【解決手段】炭素／ケイ素の元素比率が0.96〜1.04であり、かつ、平均粒径が１．０〜１００μｍであり、かつ、¹³C-NMRスペクトルにおいてケミカルシフトが0〜30ppmの範囲における吸収強度の積分値の、0〜170ppmの範囲における吸収強度の積分値に対する比が20％以下であることを特徴とする易焼結性炭化ケイ素粉末。該炭化ケイ素粉末を加圧下で焼結して比抵抗が小さく緻密で純度の高い焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ナノシリコンカーバイドコーティングを用いる炭素材料の界面を強化するための方法を提供する。
【解決手段】 本発明の方法は、Ｓｉ−Ｃ共有結合を形成するための方法であり、前記方法が：（ａ）シリコンナノ粒子と炭素材料を混合してシリコン−炭素材料混合物を製造するステップ；及び（ｂ）前記シリコン−炭素材料混合物を、高周波誘導加熱処理するステップを含む。本方法で製造された炭素材料−アルミニウム複合体は、軽量かつ高動的強度を有し、従って、現在使用されている自動車及びアルミニウムホイールに適用可能なものである。さらに、前記複合体は航空機、宇宙船、船などの高強度が求められる材料として使用することができる。 （もっと読む）

【課題】炭素系被膜の有する長所を活かしつつ、相手攻撃性を小さくした炭素系被膜を有する被膜付き基材を提供する。
【解決手段】被膜付き基材は、基材と、基材表面を覆う炭素系ナノ材料の積層構造被膜とを備える。炭素系ナノ材料は、カーボンナノチューブ、グラフェン、フラーレン、カーボンブラックおよびケッチェンブラックからなる群から選ばれたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明では、被表面処理部材の材質および形状を問わず、所望の位置に微細構造体を形成することができる、被表面処理部材の表面処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】被表面処理部材に対する表面処理方法であって、（ａ）被表面処理部材を準備するステップと、（ｂ）シリコン系高分子を含む表面処理剤を調製するステップと、（ｃ）前記被表面処理部材の少なくとも一部に、前記表面処理剤を設置するステップと、（ｄ）触媒を含み、ガス流が存在する環境下において、前記表面処理剤が設置された被表面処理部材を８００℃以上の温度で焼成することにより、ケイ化物の繊維状構造体を形成するステップであって、前記ガス流は、前記被表面処理部材の表面積５０ｍ^２あたり０．０１Ｌ／ｍｉｎ以上の流量で供給されるステップと、を有する表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】発塵を抑制しつつ、窒素雰囲気下における温度耐性を向上させることができる炭素材料、治具及び炭素材料の製造方法の提供。
【解決手段】炭素基材表面に炭化金属層が形成された炭素材料において、上記炭化金属層は、炭化モリブデン又は炭化鉄から構成されている。モリブデン粒子又は鉄粒子と、熱分解性ハロゲン化水素発生剤とを含む表面改質剤３中に埋め込まれた炭素基材２を、該炭素基材以外の炭素部材とともに加熱処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 苛酷な使用環境下で使用される切削工具や金型や自動車部品等の部材において、耐摩耗性と摺動特性が優れる被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 スパッタリング法によって被覆した硬質皮膜を表面に有する被覆部材であって、該硬質皮膜は原子比でＳｉよりもＣが多いＳｉＣ皮膜であり、該硬質皮膜の組織は六方晶の結晶構造相を含む耐摩耗性と摺動特性に優れた被覆部材である。
そして、スパッタリング法によって被覆した硬質皮膜を表面に有する被覆部材の製造方法であって、０を超え２５体積％以下のＣ相を含んだＳｉＣ複合ターゲットを用い、該ＳｉＣ複合ターゲットに印加する平均電力を２ｋＷ以上でスパッタし、原子比でＳｉよりもＣが多く、六方晶の結晶構造相を含むＳｉＣ皮膜を被覆する耐摩耗性と摺動特性に優れた被覆部材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、昇華再結晶法による単結晶成長において、高くかつ安定した昇華速度を示す炭化ケイ素粉体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒径が１００℃以上７００μｍ以下であり、かつ比表面積が０．０５ｍ^２／ｇ以上０．３０ｍ^２／ｇ以下である炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体。粒子径が５μｍ以上２００μｍ以下の一次粒子が焼結した粒子形態であることが好ましい。平均粒径が２０μｍ以下の炭化ケイ素粉体を、温度１９００℃以上２４００℃以下、圧力７０ＭＰａ以下、非酸化性雰囲気下の条件で加圧焼結させ、密度１．２９ｇ／ｃｍ^３以上の焼結体を得る工程、得られた焼結体の粉砕による粒度調整工程、酸処理による不純物除去工程、を含む炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体の製造方法。 （もっと読む）