【課題】貫通ビア電極を形成する際に処理温度が高くなく且つ低コストで、バリア層を均一に、且つ高い密着強度で製造する。
【解決手段】シリコン基板１０の厚さ方向に形成された高アスペクト比の、貫通ビア電極形成用の孔１２の内周面に、自己組織化単分子膜２４を形成し、これに、金属ナノ粒子１４を、高密度で吸着させて、この金属ナノ粒子１４を触媒として、バリア層を無電解めっきにより形成し、バリア層の上にシード層を無電解めっきにより形成し、次に、貫通ビア電極材を電解めっきにより堆積して、孔１２を埋めて、貫通ビア電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線及び絶縁膜へダメージを与えることなく、絶縁膜上の導電性の不純物によるめっきの異常成長を抑制することができる表面被覆方法、並びに該方法を用いて製造される半導体装置、及び実装回路基板の提供。
【解決手段】水溶性樹脂、有機溶剤、及び水を含有する表面被覆材料を、表面に露出した絶縁膜及び表面に露出したパターニングされた金属配線を有する積層体の少なくとも前記絶縁膜の表面を覆うように塗布し、前記絶縁膜の表面に被膜を形成する表面被覆方法である。 （もっと読む）

【課題】めっき液中の溶存酸素および溶存水素が効率的に除去されるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を回転保持する基板回転保持機構１１０と、基板２にめっき液３５を供給するめっき液供給機構３０と、を備えている。このうちめっき液供給機構３０は、基板２に供給されるめっき液３５を貯留する供給タンク３１と、めっき液３５を基板２に吐出する吐出ノズル３２と、供給タンク３１のめっき液３５を吐出ノズル３２へ供給するめっき液供給管３３と、を有している。また供給タンク３１には、供給タンク３１に接続され、供給タンク３１に貯留されためっき液３５中の溶存酸素および溶存水素を除去する供給タンク用脱気手段３４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】塗布性が良好で、保存安定性に優れ、低温で銅膜に転化でき、導電性に優れた銅膜を安価に製造できる溶液タイプの銅膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】必須成分として、ギ酸銅又はその水和物を１モル部、下記一般式（１）または下記一般式（１’）のいずれかで表されるジオール化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種のジオール化合物を０．２５〜２．０モル部、下記一般式（２）で表されるピペリジン化合物を０．２５〜２．０モル部並びにこれらを溶解せしめる有機溶剤を含有してなる銅膜形成用組成物。
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【課題】Ｌｉイオン電池のアノード材料として、ピラーを形成するためのシリコンのエッチングプロセスを提供する。
【解決手段】銀を堆積したエッチングされたシリコン粒子に存在する銀は硝酸処理により除かれる。ひとつの実施態様においては、粒状又はバルク材料のシリコンを、ＨＦ、Ａｇ^＋イオン及び硝酸イオンを含むエッチング溶液で処理し、それによりシリコンをエッチングして表面にエッチングされたピラーを含むシリコンとし、前記シリコンは銀の表面堆積を含み、前記エッチングされたシリコンを使用済みエッチング溶液から分離し、前記エッチングされたシリコンを、硝酸を用いて前記エッチングされたシリコンから銀を溶解してＡｇ^＋イオンと硝酸イオンを含む溶液を形成し、Ａｇ^＋イオンと硝酸イオンを含む前記溶液とさらにＨＦを混合してさらにエッチング溶液を形成し、前記さらなるエッチング溶液をさらにシリコンを処理するために使用する。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化を図るとともにスループットを向上させることができるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】基板２の表面にめっき処理液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置１において、基板２を回転保持するための基板回転保持手段２５と、基板２の表面に組成の異なる複数種類のめっき処理液を供給するための複数のめっき処理液供給手段２８、２９と、基板２から飛散しためっき処理液を種類ごとに排出するための複数のめっき処理液排出手段３０と、前記基板回転保持手段２５、前記複数のめっき処理液供給手段２８、２９及び前記めっき処理液排出手段３０を制御するための制御手段３２とを有する。また、基板２を回転保持した状態のまま異なるめっき処理液を基板２の表面に順に供給して基板２の表面に順次複数のめっき処理を施す。 （もっと読む）

【課題】インクジェット方式を用いた微細配線の形成において、複数の材料にまたがるよう形成された微細配線の断線が防止され、好ましい微細配線形成が実現される配線構造体製造方法及び配線構造体製造装置並びに配線構造体を提供する。
【解決手段】シリコンデバイス(12)を含む基板(10)の表面に、基板とシリコンデバイスをまたがって形成される電気配線(20)のパターンに対応して、基板の基材に対応する第１の密着補助層(14)をインクジェット方式によりパターンニングして形成するとともに、シリコンデバイスに対応する第２の密着補助層(16)をインクジェット方式によりパターンニングして形成し、第１の密着補助層及び第２の密着補助層の上に、めっき受容性層(18)をインクジェット方式によりパターンニングして形成し、めっき受容性層に対してめっき処理を行い電気配線が形成される。 （もっと読む）

【課題】成膜装置の構成を複雑化させることなく、モフォロジーの良好な膜を形成可能で、かつ成膜装置の稼働効率を向上可能な成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜原料堆積チャンバー１７内において、半導体基板２８の表面に、成膜原料を溶媒中に溶解させることで形成される液状の成膜原料液を供給し、成膜原料液に含まれる溶媒を液体から気体に相変化させることにより、溶媒中に溶解している成膜原料を半導体基板２８の表面に堆積させ、その後、成膜原料堆積チャンバー１７とは異なる反応チャンバー１８内において、加熱或いは反応試薬の添加により、半導体基板２８の表面に形成された成膜原料を反応させることで、半導体基板２８の表面に膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ニッケル層、パラジウム層、金層を順次積層してなる接合部を形成する際に、均一な膜厚を実現できる置換金めっき液及びめっき処理技術を提供する。
【解決手段】導電性金属からなる導体層上に、ニッケル層、パラジウム層、金層を順次積層してなる接合部を形成するための置換金めっき液であって、置換金めっき液は、シアン化金塩、錯化剤、銅化合物を含有するものであり、置換金めっき液中の錯化剤と銅化合物とのモル比が錯化剤／銅イオン＝１．０〜５００の範囲であり、錯化剤と銅化合物とから形成される化合物のｐＨ４〜６における安定度定数が８．５以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体ウエハ等といった複数の被処理物を処理液に浸漬するに際して、これら被処理物の間で処理具合にばらつきが生じないようにする。
【解決手段】処理装置１が、処理液３０が貯留される処理槽２と、処理槽２内に配置され、処理槽２内で回転する回転車４と、被処理物３２をそれぞれ保持し、回転車４に取り付けられ、回転車４の第１の回転軸６を中心にした円周方向に沿って配列された複数の保持具１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの電極品質および作業性を両立させる。
【解決手段】本発明は、遮光筐体１０内部の処理室１０ＡでシリコンウエハＷに無電解メッキ処理を施して電極を形成する無電解メッキ処理装置１に関する。無電解メッキ処理装置１では、処理室１０Ａは、シリコンウエハＷへの照射時に発生する光起電力が所定値以下である可視光を照射可能な処理室用ライト１２を備える。 （もっと読む）

【課題】処理雰囲気を適切に制御しつつ、金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切に形成する。
【解決手段】金属膜形成装置１の処理容器１０の内部は、不活性ガスの大気圧雰囲気又は減圧雰囲気に切り換え可能になっている。処理容器１０の内部には、ウェハＷを保持するスピンチャック２０と、ウェハＷの側方を囲むように設けられたカップ体３１と、ウェハＷ上に金属混合液を吐出する塗布ノズル６０と、ノズル駆動部６５の動力を塗布ノズル６０に伝達するノズル伝達部６４と、塗布ノズル６０を待機させるノズルバス６６とが設けられている。処理容器１０の外部には、水平方向より所定の角度で傾斜した方向に沿って、スピンチャック２０とノズルバス６６との間で塗布ノズル６０を移動させるためのノズル駆動部６５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＤＮＡ又はＤＮＡ−脂質複合体を用いた簡易な方法により、基板上に導電性パターンを、画像流れを抑制しながら安定して形成できる電子回路付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、ＤＮＡ又はＤＮＡ−脂質複合体を含む溶液を描画することによって電子回路パターンを形成する工程と、前記電子回路パターンが形成された基板を多価金属イオン溶液に浸漬することによって、前記電子回路パターンにおいて、前記ＤＮＡ又は前記ＤＮＡ−脂質複合体と前記多価金属イオンとの錯体を形成する工程と、形成された錯体中の金属イオンを還元することによって、前記電子回路パターンを導電性パターンとする工程と、を有する電子回路付き基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切且つ効率よく形成する。
【解決手段】金属膜形成システム１は、ウェハＷを搬入出する搬入出ステーション２と、ウェハＷ上に前処理液を塗布し、ウェハＷ上に下地膜を形成する前処理ステーション３と、下地膜が形成されたウェハＷ上に金属混合液を塗布し、ウェハＷ上に金属膜を形成する主処理ステーション４と、搬入出ステーション２、前処理ステーション３及び主処理ステーション４を接続するロードロックユニット１０とを有している。前処理ステーション３、主処理ステーション４、ロードロックユニット１０は、それぞれ内部を不活性ガスの大気圧雰囲気又は減圧雰囲気に切り替え可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切且つ効率よく形成する。
【解決手段】金属膜形成システム１は、ウェハＷを搬入出する搬入出ステーション２と、ウェハＷ上に前処理液を塗布し、ウェハＷ上に下地膜を形成する前処理ステーション３と、下地膜が形成されたウェハＷ上に金属混合液を塗布し、ウェハＷ上に金属膜を形成する主処理ステーション４と、搬入出ステーション２と前処理ステーション３とを接続する第１のロードロックユニット１０と、前処理ステーション３と主処理ステーション４とを接続する第２のロードロックユニット１３とを有している。前処理ステーション３、主処理ステーション４、第１のロードロックユニット１０及び第２のロードロックユニット１３は、それぞれ内部を不活性ガスの大気圧雰囲気又は減圧雰囲気に切り替え可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】パターン外析出を抑制し、密着力を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１と、半導体ウエハ１上にパターンニングして形成され最表面に複数の凹部９が形成されたＡｌ−Ｓｉ金属層２と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上と半導体ウエハ１が露出した箇所上に形成された酸化膜１１と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上に酸化膜１１を介して各凹部９を埋め込むように形成されたＮｉめっき膜３およびＡｕめっき膜４とを備える。 （もっと読む）

【課題】ｎ型半導体とｐ型半導体が混在する半導体ウエハ上へ、ニッケル又はニッケル合金の無電解めっきを行うための前処理液ろ提供する。
【解決手段】該前処理液は過酸化水素水とアンモニア水及び／又は水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）からなる水溶液である無電解めっきの前処理液で、ＦＥＴなどのソース、ドレイン電極など、ｎ型半導体とｐ型半導体が混在するトランジスタ電極を形成する際に、シリコン基板表面の不純物を効果的に除去するか又は低減して活性化させることができ、さらにこのようなシリコン基板がｎ型半導体とｐ型半導体が混在する場合に、この洗浄液による処理を行った後、後続の無電解Ｎｉ又はＮｉ合金めっきに適合でき、均一な無電解めっきを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 熱分解性の表面改質剤を含む燃焼ガスの火炎を、固体製品の所定表面（被処理面）に対して吹き付けて被処理面の濡れ性等の表面改質等をする固体製品の表面改質法において、さらに表面改質作用の増大を期待できる新規な固体製品の表面改質法を提供すること。
【解決手段】 熱分解性の表面改質剤を、可燃性ガスに酸化性ガスを所定比で添加混合させた燃料ガスの火炎をキャリヤーとして火炎バーナ２９から、固体製品Ｓ（被処理物）の表面に対し、全面または部分的に吹き付けて固体製品Ｓの濡れ性等を増大させる表面改質法。表面改質剤の火炎バーナ２９への供給を、ナノポンプ１５を介して行う。例えば、表面改質剤が固体改質剤の場合、火炎バーナ２９に内設した噴射気化ノズル２７から行う。 （もっと読む）

【課題】スルーホールへのめっき性に優れる無電解めっき前処理剤を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）及び（２）で表されるイミダゾールアルコール化合物の１種又は２種以上と、パラジウム化合物とを含有する無電解めっき前処理剤。
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【課題】錫めっき皮膜のウィスカーの発生を防止する熱処理時間をより短縮し、製品の生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】可溶性錫塩と、錯化剤と、酸を含む無電解錫めっき液において、分子内に３つ以上のヒドロキシル基を有する水溶性の脂肪族アルコール（但し脂肪族基中にエーテル結合を含んでいてもよい）を含有することを特徴とする無電解錫めっき液。及び該無電解錫めっき液に少なくとも表面に銅を有する被めっき物浸漬した後、１１０〜１３０℃の条件下で４０〜７５分熱処理を行い、得られる錫めっき皮膜中の純錫層の厚さを０．１００〜０．２５０μｍとすることを特徴とする錫めっき皮膜を有するめっき物の製造方法。 （もっと読む）