【課題】ニッケルめっき皮膜上に置換析出型の金めっき皮膜を形成する際に用いる活性化液であって、安定したハンダ接合強度やワイヤーボンディング接続強度を有する置換型金めっき皮膜を形成することが可能であり、しかも安定性が良好で、長期間連続して使用可能な新規な処理剤を提供する。
【解決手段】(i) ニッケルイオンの錯化剤、
(ii)チオ尿素、チオ尿素誘導体、イソチオ尿素、イソチオ尿素誘導体及びこれらの塩からなる群から選ばれた少なくとも一種からなる酸化防止剤、
(iii) ヒドラジン及びヒドラジン誘導体からなる群より選ばれる少なくとも１種の成分、
(iv) アミノ基及びイミノ基からなる群より選ばれる含窒素基を２個以上含み、置換基を有することのあるエチレン基を該含窒素基の窒素原子間に有する化合物、並びに
(v)ニッケルと金の間の酸化還元電位を有する金属元素を含む化合物、
を含有する水溶液からなる置換析出型金めっきの前処理用活性化組成物。 （もっと読む）

【課題】多孔質の紙及びポリマー基材上又は半導体表面上に低い電気抵抗をもつ導電性のライン及び表面パターンを作製する技術を提供する。
【解決手段】基材上に導電体を作製する方法であって、金属粒子、金属前駆体及びそれらの混合物からなる群から選択された少なくとも１種の成分で構成された導体配合物を基材上に塗布する工程、該導体配合物を負に帯電したイオン性の還元性ガスに曝露しながら、焼結により該成分を金属に変えそして導電体を作製する工程、を含む。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、隣接した導電体配線間の寄生容量とリーク電流とを低減するための集積回路の形成方法および、隣接した導電体配線間の寄生容量とリーク電流とを低減した集積回路を提供する。
【解決手段】
集積回路であって、半導体基板と、前記半導体基板上の低誘電体層と、前記低誘電体層内の第１の溝と、前記第１の溝内で、前記第１の溝内の前記低誘電体層を覆う第１の拡散バリア層とを含み、前記第１の拡散バリア層は、底の部分が側壁部分に接続し、前記側壁部分が、前記低誘電体層の上側表面に近い上側表面を有することを特徴とする。前記集積回路は、さらに、前記第１の溝が充たされた導電体配線を有し、前記導電体配線が、前記拡散バリア層の前記側壁部分の上側表面よりも低い表面を有し、かつ、金属キャップを、実質的に前記導電体配線上の領域にのみに直接形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】無電解銅メッキ溶液を開示する。溶液は、水性銅塩成分と、水性コバルト塩成分と、トリアミンに基づく錯化剤と、無電解銅メッキ溶液を酸性にするのに十分な量の酸性ｐH修飾物質とを含む。無電解銅溶液を調製する方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】基板表面の必要な範囲に均一なめっき処理を行うためのめっき前処理を確実に行うことができるようにする。
【解決手段】基板Ｗの表面に無電解めっきを施すに先だって、めっき前処理としての洗浄処理と触媒付与処理を行うにあたり、触媒付与処理によって基板Ｗ表面に触媒を付与する範囲より広範囲に洗浄処理を行う（触媒付与範囲Ｓ_１＜洗浄範囲Ｓ_２）。触媒付与処理によって基板表面に触媒を付与する範囲は、例えば、基板Ｗ表面の均一にめっき処理を行う必要がある範囲と同じ範囲である。 （もっと読む）

本発明は、太陽電池用電極の製造方法およびその電気化学的析出装置を提供している。本発明の太陽電池用電極の製造方法は、金属または金属合金の電気化学的析出プロセスを用いて太陽電池用電極を製造する方法である。本発明の方法は、光電変換効率の向上と生産コストの低減が可能であるとともに、反応時間が短く、工業廃水の処理が容易である等の利点を有する。
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【課題】本発明は、基材上にコランダム結晶からなるコランダム層が形成されたコランダム積層体を容易に製造できる方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、スプレー装置により、金属酸化物膜成膜性を有するアルミニウム含有化合物が溶解された酸化アルミニウム膜形成用溶液を霧化し、霧化された上記酸化アルミニウム膜形成用溶液を、酸化アルミニウム膜形成温度以上の温度まで加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に酸化アルミニウム膜を形成する酸化アルミニウム膜形成工程と、上記酸化アルミニウム膜形成工程により、上記基材上に形成された酸化アルミニウム膜をコランダム結晶化温度以上に加熱することにより、上記酸化アルミニウム膜をコランダム結晶からなるコランダム層とする結晶化工程と、を有することを特徴とする、コランダム積層体の製造方法を提供することにより上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】真空吸着した基板がこの真空吸着力によって撓むことなく、且つシール材の材質に関係なく確実に基板の引き剥がしができる基板保持装置を提供する。
【解決手段】吸着ヘッド２０８９の下面に基板の裏面を吸着保持する基板保持装置において、基板保持装置には、吸着ヘッド２０８９の下面外周に位置して、基板の裏面をリング状に真空吸着するとともに基板の裏面の真空吸着した部分より内側への処理液の浸入を防止してシールするリング状の基板吸着部２０９５と、基板吸着部２０９５に吸着した基板を吸着ヘッド２０８９から引き離す方向に押圧するプッシャ２１００が取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】 例え微細化されたトレンチ等の配線用凹部であっても、この内部にめっき液等の処理液を確実に浸入させて、めっき等の所定の処理を行うことができるようにする。
【解決手段】上方に開口し減圧部に接続された処理槽３２と、該処理槽３２の上方に配置され下面に基板Ｗを保持する上下動自在な基板保持ヘッド１０を有し、基板Ｗを保持した基板保持ヘッド１０で処理槽３２の開口部を覆って該処理槽３２を密閉させて内部を減圧した後、処理槽３２内に導入した処理液Ｑに基板Ｗを接触させて該基板Ｗの処理を行う。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、基板上に形成されたデバイスに高品質コンタクトレベル接続部を形成するプロセスを提供する。一実施形態において、基板上に物質を堆積させるための方法であって、基板を酸化物エッチング緩衝液にさらして、前処理プロセスで水素化シリコン層を形成するステップと、基板上に金属シリサイド層を堆積させるステップと、金属シリサイド層上に第一金属層（例えば、タングステン）を堆積させるステップと、を含む前記方法が提供される。酸化物エッチング緩衝液は、フッ化水素とアルカノールアミン化合物、例えば、エタノールアミン、ジエタノールアミン、又はトリエタノールを含有することができる。金属シリサイド層は、コバルド、ニッケル、又はタングステンを含有することができ、無電解堆積プロセスによって堆積させることができる。一例において、基板は、溶媒と金属錯体化合物を含有する無電解堆積溶液にさらされる。 （もっと読む）

【課題】印刷パターン上に選択的に導電性パターンを成膜する際、初期の印刷形成による印刷パターンの形状精度を損なうことなく導電性パターンを形成可能な方法を提供する。
【解決手段】基板１１の表面にチオールと結合する金属材料からなる金属層１５を形成する。金属層１５上にアルキルジチオールからなる印刷パターン９ａを形成する。印刷パターン９ａから露出する金属層１５上にアルキルチオールからなる塗布膜１７を選択成膜する。その後、印刷パターン９ａ上に選択的にチオールと結合する金属材料からなる金属パターン１９を形成し、さらにこの上部に導電性材料層２１を選択形成し、金属パターン１９と導電性材料層２１とからなる導電性パターン２３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 繰り返し使用が可能な金属酸化物多孔質層の表面処理液、並びに、発電特性の優れた太陽電池などの色素増感型光電変換装置などとして応用でき、再現性よく製造できる光電変換装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 色素増感型光電変換装置１０を、ガラスなどの透明基板１、ＦＴＯ（フッ素がドープされた酸化スズ(IV)）などの透明導電層２、光増感色素を保持した半導体電極層（負極）３、電解質層４、対向電極（正極）５、対向基板６などで構成する。半導体電極層３としては、酸化チタンＴiＯ₂の微粒子を焼結させた多孔質層を用いる。この多孔質層に、反応して多孔質層と同じ酸化チタンを生成する金属化合物と有機溶媒とからなる表面処理液を含浸させ、溶媒を蒸発させた後、加熱処理して、多孔質層を構成する酸化チタン微粒子の表面に酸化チタンを追加的に形成し、多孔質層の実表面積を増加させ、微粒子間のネッキングを強化する。 （もっと読む）

【課題】 基板上における原料溶液の液滴の化学反応の進行を十分なものとして均質な膜質で低抵抗な導電性膜を形成することができ、また基板の面内の温度分布を抑えて導電性膜の膜質にバラツキが生じるのを防ぐことができる導電性膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜の形成方法は、加熱された基板３の上面に原料溶液の微粒子をスプレーすることにより基板３の上面に導電性膜を形成するスプレー熱分解法による導電性膜の形成方法において、スプレーされた原料溶液の微粒子が基板３の上面の近傍で原料溶液の微粒子の粒径分布を５〜５０μｍかつ平均粒径を１０〜３０μｍとする。 （もっと読む）

【課題】 導体回路素子内の微細配線形成方法として使用されているいわゆるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用し得るナノメータオーダーの微細パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の微細パターンの形成方法は、基板上に設けられた絶縁膜に形成された溝及び孔の少なくとも一方を、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方、めっき液及び界面活性剤を含む超臨界流体又は亜臨界流体を用いためっき法により所定の金属で埋めることを特徴とする。この場合、めっき液として従来から使用されている電解めっき液や無電解めっき液を使用することができ、また、本発明の微細パターンの形成方法を実施する際には、脱脂部Ａ、酸洗部Ｂ、触媒化部Ｃ及びめっき部Ｄを備える表面処理装置１０を使用し得る。 （もっと読む）

【課題】メッキ時間を短縮すると共に異常析出及び析出不良を防止して、特性に影響の無い安定したメッキ層を得ることができるメッキ方法及びメッキ装置並びにシリコンデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】被メッキ部材１をメッキ液１１が充填されたメッキ槽１２に浸漬し、前記被メッキ部材１の少なくともメッキ層を形成するメッキ領域３に最頻度気泡径がマイクロメートルオーダーの気泡の流れを発生させる。 （もっと読む）

無電解堆積および電気堆積プロセスをインサイチュで実行することによって、非常に信頼性のあるメタライゼーションが供給され、その際に、シード層を形成する、従来の化学気相堆積（ＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）ならびに物理気相堆積（ＰＶＤ）技術にみられるような、汚染物質ならびにデバイススケーリングに関する欠点を克服することができる。ある実施例では、バリア層はさらに、ウェット堆積プロセスに基づいて堆積される。
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【課題】 めっき液を高品質に保つことが可能な無電解めっき装置を提供すること。
【解決手段】基板の表面にめっき液を供給して無電解めっきを施す無電解めっき装置は、基板を支持する支持部と、基板の表面に供給されるめっき液を貯留するめっき液貯留部と、めっき液貯留部からのめっき液を、支持部に支持された基板の表面に導くめっき液供給管と、めっき液供給管内を流通するめっき液の温度を調節するめっき液温調機構と、めっき液供給管による基板の表面へのめっき液の供給が停止された際に、めっき液供給管内のめっき液を前記めっき液貯留部に向けて吸引する吸引機構とを具備する。 （もっと読む）

【課題】一定のサイズの微小球体を形成することにより、安定した性能を発揮させることのできる多孔質膜形成装置及び多孔質膜形成方法を提供する。
【解決手段】液体有機金属化合物または液体有機ケイ素化合物を含む微小球体原料１１を微粒子化して液状微粒子１５とする。そして、前記液状微粒子１５を加熱して前記液体有機化合物または前記液体有機ケイ素化合物を分解したのち、冷却して微小球体１５ｂを形成する。これを半導体ウエハ１８に付着させて、微小球体１５ｂからなる多孔質膜１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】素子不良を防止できる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、半導体基板上にコンタクトホールを有する絶縁膜を形成し、無電解メッキ工程によりコンタクトホールにシード層を形成し、シード層上のコンタクトホールに金属配線を形成する。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）水溶性銅塩、（Ｂ）還元剤、（Ｃ）錯化剤、（Ｄ）めっき析出抑制剤としてポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール又はエチレングリコール−プロピレングリコール共重合体、及び（Ｅ）めっき析出促進剤として８−ヒドロキシ−７−ヨード−５−キノリンスルホン酸を含有し、Ｎａイオンを含有しない無電解銅めっき浴、上記（Ａ）成分、（Ｂ）還元剤としてグリオキシル酸又はその塩、上記（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分を含有し、Ｎａイオンを含有しない無電解銅めっき浴、並びにこれらを用いた無電解銅めっき方法及びＵＬＳＩ銅配線形成方法。
【効果】ボイド等の欠陥の形成を可及的に防止しつつ、トレンチの効率的な埋め込みが可能であり、更に、微細なトレンチへの均一な付着が難しい乾式法によるシード層形成をせずに、全工程を湿式工程で構成して、より均一かつ確実にトレンチの埋め込みめっきを施すことが可能である。 （もっと読む）