【課題】複数の被めっき物に対して同時にめっき加工を施す際に、被めっき物毎にめっきのむらが生じることがなく均一にめっき加工を施すことを可能としためっき治具を提案する。
【解決手段】めっき液中に浸漬された状態で水平軸回りに回転するめっき治具２であって、回転軸ＣＬと平行をなし、この回転軸ＣＬを中心とした円周上に配設された複数本の挟持棒２１と、複数本の挟持棒２１の両端を固定する一対の端板２２とを備え、挟持棒２１には、回転軸ＣＬに沿って所定の間隔をあけて複数の溝が形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来の素子作製に用いられてきたスパッタリング法やメッキ法などに起因した諸問題を解決し、ナノスケールの極微小化した素子作製の基本となる、新規な金属含有構造体の形成方法、さらには、この形成方法を発展させた新規な金属含有積層体の形成方法を提供する。
【解決手段】（R−C≡C⁻−M^＋）_m、又は（（R−C≡C⁻）₂−M’²⁺）n、（ここで、M＝Cu、AgまたはAu、M’＝Fe，CoまたはNi、m及びnは整数、Rはメチル（−CH₃）基や３級ブチル（−C（CH₃）₃）基などの炭化水素基）の形を持つ有機金属アセチリドクラスター化合物を準備し、前記有機金属アセチリドクラスター化合物に対して光照射を行い、前記有機金属アセチリドクラスター化合物を光励起して、エチニルアニオンと金属カチオンとを生成するとともに、前記エチニルアニオンと前記金属カチオンとの間における電荷移動を通じて中性化を生ぜしめ、金属原子クラスターを生成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で容易に傾斜面を形成することが可能な金属薄膜の形成方法および金属薄膜ならびに薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上の第１領域Ｄ１および第２領域Ｄ２に、無電解めっき処理の触媒材料を含む第１下地層１３Ａを形成したのち、この第１下地層１３Ａ上の第１領域Ｄ１に対応する領域に第２下地層１３Ｂを形成する。第１領域Ｄ１において第２領域Ｄ２よりも、無電解めっき処理の触媒材料の濃度分布が高くなる。よって、これら第１下地層１３Ａおよび第２下地層１３Ｂを形成した基板１１に対して、無電解めっき処理を施すことにより、第１領域Ｄ１において第２領域Ｄ２よりも成膜レートが高くなる。 （もっと読む）

【課題】経済性が高く、処理液安定性に優れ、かつ優れた導電性パーターンを形成することができるめっき方法と、それに用いるめっき処理液及びそれにより得られる導電性パターンシートを提供する。
【解決手段】可溶性銀錯体化合物Ａを含有する処理液を被めっき基材上に付与して、該被めっき基材上に銀化合物を固定した後、該基材上に更に可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液を付与して銀核を形成させ、該形成された銀核上に無電解めっきにより金属皮膜を形成させることを特徴とするめっき方法。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で容易に傾斜面を形成することが可能な金属薄膜の形成方法および金属薄膜ならびに薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、触媒材料を含む第１下地層１３Ａを形成したのち、無電解めっき処理を施し、第１下地層１３Ａを覆うように第１めっき層１４Ａを形成する。こののち、基板１１上の第１めっき層１４Ａの近傍領域に、触媒材料を含む第２下地層１３Ｂを形成し、この第２下地層１３Ｂと第１めっき層１４Ａを触媒として、さらに２回目の無電解めっき処理を施す。第１下地層１３Ａ上に堆積した第１めっき層１４Ａと、第２下地層１３Ｂとを覆うように第２めっき層１４Ｂが成膜される。第１下地層１３Ａに対向する領域と第２下地層１３Ｂに対向する領域との間に生じる膜厚差により、金属薄膜１０の端部にテーパ１４Ａ−１が形成される。 （もっと読む）

【課題】 パラジウム皮膜上に美麗な外観の置換金めっき皮膜を良好に形成する。
【解決手段】 パラジウム皮膜上に金皮膜を形成する置換金メッキ浴において、可溶性金塩と縮合リン酸類を含有し、ｐＨ２〜７である非シアン系の置換金メッキ浴である。置換金メッキ浴にポリリン酸、ピロリン酸、或はその塩などの縮合リン酸類を含有するため、この縮合リン酸類が金イオンに対して適度の錯化機能とレベリング機能を発揮し、パラジウム皮膜上に均一でレモンイエローの明るい色調の美麗な金皮膜を析出させることができる。 （もっと読む）

【課題】生産性の高いバッチ処理を採用して装置としての処理能力を高め、しかも、無電解めっき装置に適用した場合に、均一な膜厚のめっき膜を選択性よく形成できるようにする。
【解決手段】処理液を保持する処理槽１０と、複数枚の基板Ｗを保持して処理槽１０内の処理液Ｑ中に浸漬させる基板ホルダ１６と、処理槽１０内の処理液Ｑの温度を制御する温度制御部５２と、処理槽１０内の処理液Ｑを循環させる処理液循環系４０，４２，４４と、基板ホルダ１６を、複数枚の基板Ｗを保持したまま処理槽１０内の処理液Ｑ中で回転させる回転機構２６，２８，３０，３２を有する。 （もっと読む）

本発明は、基板の表面処理方法、さらにまた、該方法並びに該方法から得られるフィルム、コーティングおよび装置の、限定するものではないが、電子機器の製造、プリント回路板の製造、金属電気めっき、化学侵食に対する表面の保護、局在化導電性コーティングの製造、例えば化学および分子生物学分野における化学センサーの製造、生体医療装置の製造等のような種々の用途における使用に関する。もう１つの局面においては、本発明は、少なくとも１層の金属層、該少なくとも１層の金属層に付着した有機分子の層、および該有機分子の層上のエポキシ層を含むプリント回路板に関する。
（もっと読む）

本発明の実施態様は、基板の表面の処理方法を提供する。１つの特定の局面においては、本発明の実施態様は、１種以上の金属元素の表面への結合を促進させる、基板表面の処理方法を提供する。本発明のある実施態様によれば、フィルムを、任意の導電性、半導電性または非導電性表面上に、反応基を有する分子の有機溶媒中または水溶液中での熱反応によって形成させる。熱反応は、種々の条件下で実施し得る。もう１つの局面においては、本発明は、少なくとも１枚の基板、該少なくとも１枚の基板に付着させた有機分子の層、および該有機分子層の上の金属層を含むプリント回路板を提供する。
（もっと読む）

【課題】深さの異なるビアホールの内部に、無電解めっきによって、コンタクト配線を連続的に形成でき、しかもコンタクト配線（めっき膜）が絶縁膜の表面にバンプ状に盛り上がることがないようする。
【解決手段】半導体基材上に積層した絶縁膜の内部に第１ビアホールと該第１ビアホールより深さの深い第２ビアホールを有する基板を用意し、第１ビアホール及び第２ビアホールの内部に、基板表面をめっき液に接触させた第１の無電解めっきによって、第１ビアホールがほぼ埋まるまでコンタクト配線を形成し、しかる後、基板表面と該表面に沿って流れるめっき液との相対速度を速めて第１ビアホール内に形成されたコンタクト配線の表面に成膜されるめっき膜の成長を抑制した第２の無電解めっきを行う。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板表面に対するケミカル処理方法および装置を提供する。当該ケミカル処理方法は、ホルダー２を用いて、処理対象である半導体基板４の下面と化学溶液槽１に収容される化学溶液５の液面との間に一定の距離を有するように、半導体基板４を化学溶液５の上方に放置し、噴射装置３によって半導体基板４の下面に向け化学溶液５を噴射することで、当該下面にケミカル処理を施す方法である。当該装置は、化学溶液５を収容する化学溶液槽１と、半導体基板４を化学溶液５の上方に放置するためのホルダー２と、半導体基板４の下面に向け化学溶液５を噴射するための噴射装置３とを備える。当該方法によれば、半導体基板の一方の表面のみにケミカル処理を施すことができるとともに、他方の表面に如何なる保護も必要としない。
（もっと読む）

【課題】微粒子表面に対して金属コーティング行う部分を制御して、特定の部分のみに金属コーティングを施すことを可能とする。
【解決手段】基板上にポリマーフィルムなどの薄膜を形成し、微粒子をこの薄膜に埋め込んでマスキングし、この状態で金属コーティングを施すことでマスキングされていない表面に対して金属コーティングを行うことができる。ポリマーフィルムに対する微粒子の埋め込み量を制御することで、金属コーティングを行う部分の制御が可能である。また、複数枚の基板を用いてマスキングすることで、複数箇所のマスキングが可能となり、例えば、帯状パターンの金属コーティングが行える。また、基板やポリマーフィルムにパターン加工を施すことで、複雑なパターンの金属コーティングも行える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の薄膜形成方法が開示される。
【解決手段】前記方法は、基板に液状金属イオンソースを吸着するステップと、前記基板に吸着されない液状金属イオンソースをリンス液で除去するステップと、前記吸着された液状金属イオンソースを液状還元剤で金属膜に吸着するステップと、前記基板に残存する液状還元剤と反応副産物を前記リンス液で除去して半導体素子の薄膜を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

イオン化可能置換基を有する有機組成物を所定のパターンで基材上に適用する工程、およびイオン化可能置換基とイオン性種との間のイオン交換を行う工程を含む基材のパターニング方法。
（もっと読む）

【課題】従来技術の欠点を有さない、バイポーラ無電解プロセス方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面に金属化合物を無電解析出（光Ｂｉ−ＯＣＤとよばれる）させるバイポーラ光電気化学プロセスであって、基板の表側と基板の裏側の異なった照度が、カソード反応とアノード反応とを分離する駆動力を形成し、高歩留まりの金属化合物の析出が得られるプロセスが開示されている。更に、基板の表面が少なくとも部分的に絶縁性パターンで覆われ、金属化合物の析出がパターンの開口部中で選択的に起きる選択光Ｂｉ−ＯＣＤプロセスが開示されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ダマシン銅配線等において、配線幅１３０ｎｍ以下の超微細配線を欠陥なく埋め込むことができ、めっき膜の密着性が好適で、さらに低温で均一なめっきが可能となる無電解銅めっき液を提供することを目的とする。
【解決手段】 動粘度が１．５ｃＳｔ以上２００ｃＳｔ以下、好ましくは５ｃＳｔ以上１００ｃＳｔ以下である無電解銅めっき液。この無電解銅めっき液を用いて無電解銅めっき膜を形成するダマシン銅配線形成方法、及びこのダマシン銅配線形成方法により配線幅１３０ｎｍ以下のトレンチ・ビアに対してダマシン銅配線を形成した半導体ウェハー。 （もっと読む）

金属シード層と無電解ニッケル皮膜層とを有するアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）構造及びその製造方法が開示される。ＵＢＭ構造は半導体基板と、少なくとも１つの最終金属層と、パッシベーション層と、金属シード層と、メタライゼーション層とを具える。少なくとも１つの最終金属層はハードウェア基板の少なくとも一部分の上に形成される。パッシベーション層も半導体基板の少なくとも一部の上に形成される。また、パッシベーション層は複数の開口を含む。更に、パッシベーション層は非導電性材料から形成される。少なくとも１つの最終金属は複数の開口により露出される。金属シード層はパッシベーション層の上に形成され、複数の開口を被覆する。メタライゼーション層は前記金属シード層の上に形成される。メタライゼーション層は無電解堆積により形成される。
（もっと読む）

【課題】溝配線等をめっき成膜する際の配線内のボトムアップ量やめっき膜に含まれる不純物量を一定に保持するめっき成膜装置、成膜方法を提供する
【解決手段】めっき成膜装置１０は、被成膜基板の表面にＣｕ膜を成膜するためのめっき槽１２と、一定量のめっき液を滞留させるめっき液タンク１６と、めっき槽１２とめっき液タンク１６との間でめっき液を循環させるためのめっき液循環ライン１８と、めっき液循環ライン１８を流れるめっき液に水素を供給する水素供給ライン２０を備える。めっき液を循環させながらめっき液に水素を供給して、被成膜基板の表面にＣｕ膜をめっき成膜する （もっと読む）

【課題】耐蝕性部材等に応用可能であり、表面にクラックやピンホール等がほとんどない緻密なセラミック薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】金属塩とクエン酸水溶液とを混合し、無水クエン酸錯体ゲルを作製するゲル作製工程（ステップＳ１）と、作製された無水クエン酸錯体ゲルとアルコール溶媒とを混合することで、無水クエン酸錯体ゲルをエステル化し、無水クエン酸錯体溶液を作製する溶液作製工程と（ステップＳ２）を行うことで、無水クエン酸錯体溶液を得る。そして、被膜対象となる基材の表面に、作製された無水クエン酸錯体溶液を用いて成膜処理する成膜工程（ステップＳ３〜Ｓ６）を行う。これにより、金属イオンの分散性を高め、クラックやピンホールのない緻密なセラミック薄膜を作製することができ、たとえば加工性や費用の面で優れ、かつ耐蝕性の高い部材を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 比抵抗の小さい金属薄膜を形成することが可能な、金属薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 本発明の基材上に金属薄膜を形成する方法は、基材上に、金属のイオンを還元するための還元剤を含むメッキ液を用いて金属薄膜を形成する方法であって、上記還元剤として、上記金属のイオンに対して還元性を有し、上記金属の粒子を形成する第一の還元剤と、上記金属のイオンに対して還元性を有し、上記粒子を核として、当該核の表面にさらに上記金属を析出させる第二の還元剤と、を用いる。 （もっと読む）