【課題】亜臨界流体又は超臨界流体を使用し、半導体層の表面に形成された絶縁膜上に誘導共析現象を利用して短時間で均一な金属被膜を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】金属基体試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液１９中に金属粉末を分散させた状態で超臨界流体ないしは亜臨界流体を使用して無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を利用して短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１ｎｍ以上１００μｍ以下のものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】めっき層の形成速度を著しく向上させることができると共に、被めっき材のめっき領域のみに、ムラなく、均一に精度よくめっき層を選択的に形成することができる無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】被めっき材の非めっき領域に有機錯化剤を付着させ、前記被めっき材に無電解めっき処理を施すことにより前記被めっき材のめっき領域にめっき層を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路デバイス基板上にフィチャーの底面そして実質的にその上に金属をもたない側壁の部分上に金属からなる輪郭をもつフュチャー内に最初の金属堆積を形成することにより銅めっきをし、銅でフィチャーを埋め込むため最初の金属堆積上に銅を無電解的に堆積するための方法。半導体集積回路デバイス基板上にフィチャー内に銅に濡れる金属からなる堆積を形成し、頂部部分表面上に銅ベースの堆積を形成し、そして銅でフィチャーを埋め込むため銅に濡れる金属からなる堆積上に銅を堆積することによって銅をめっきするための方法。 （もっと読む）

【課題】基材上にセラミック膜を、焼成工程を経ずに、短時間で形成できる方法を提供する。
【解決手段】基材上に、セラミック前駆体を含有するセラミック前駆体膜を形成し、該セラミック前駆体膜上に、水を含有する水層を形成した後、レーザ光またはマイクロ波を照射して前記セラミック前駆体膜をセラミック膜に転化させる工程を有することを特徴とするセラミック膜の製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】ケイ素化合物系低誘電率材料からなる基材上に、無電解めっきにより形成されたバリア層を介して無電解銅めっき層が積層された積層構造であって、上記バリア層が、有機シラン化合物の単分子層、及び該単分子層の上記バリア層側の端部を修飾するパラジウム触媒を介して上記基材上に形成され、かつ該基材側から無電解ＮｉＢめっき層と無電解ＣｏＷＰめっき層とで構成されている積層構造。
【効果】ケイ素化合物系低誘電率材料上に、簡単な工程で密着性の良好なバリア層、配線層等に適用される無電解銅めっき層を全てウエットプロセスにて形成することができ、ケイ素化合物系低誘電率材料からなる基材、バリア層、及び配線層等の無電解銅めっき層が、相互に強固に密着した積層構造を得ることができる。また、この積層構造は、超ＬＳＩの銅配線、特に、従来に比べて更に狭小化されたトレンチに形成される銅配線の形成構造として好適である。 （もっと読む）

【課題】境界面の工学設計のための制御雰囲気システム
【解決手段】１つまたは複数の湿式基板処理モジュールに結合された実験室雰囲気制御搬送モジュールを含むクラスタアーキテクチャ。実験室雰囲気制御搬送モジュールと、１つまたは複数の湿式基板処理モジュールとは、第１の雰囲気環境を管理する。クラスタアーキテクチャは、実験室雰囲気制御搬送モジュールおよび１つまたは複数のプラズマ処理モジュールに結合された真空搬送モジュールを有する。真空搬送モジュールと、１つまたは複数のプラズマ処理モジュールとは、第２の雰囲気環境を管理する。真空搬送モジュールおよび１つまたは複数の雰囲気処理モジュールに結合された制御雰囲気搬送モジュールは、第３の雰囲気環境を管理する。クラスタアーキテクチャは、したがって、第１、第２、または第３の雰囲気環境のいずれかにおけるおよび関連の移行の最中における基板の制御式処理を可能にする。実施形態は、また、基板のトレンチを充填するための効率的な方法を提供する。 （もっと読む）

次世代溶媒流体中のタンタル金属膜を例えば金属シード層として有用な基板上および/または沈着表面上に沈着させるための方法と装置が開示される。沈着は、混合前駆体溶液の液体状態、近臨界状態、または超臨界状態での液体および/または圧縮性溶媒流体中の低原子価かつ酸化状態の金属前駆体を必要とする。金属膜の沈着は、熱的活性化および/または光分解的活性化を介して達成される。本発明は、半導体、金属、ポリマー、セラミック、並びに同様の基板または複合物の製造および加工に応用される。

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【課題】新規の金属パターンの製造方法及びこれを用いた平板表示素子を提供する。
【解決手段】光触媒化合物、金属触媒化合物及び光増感剤を含む溶液を基板にコーティングして光金属触媒層を形成した後、これを選択的に露光して結晶成長用核の潜在的パターンを得、該潜在的パターンを１種以上の金属でメッキ処理して金属結晶を成長させて１層以上の金属パターンを得る、金属パターンの製造方法及びこれを用いた平板表示素子。 （もっと読む）

【課題】電気特性を劣化させることなく、高品質の配線保護膜を配線の表面に効率よく形成できるようにする。
【解決手段】絶縁膜の内部に表面を露出させた埋込み配線を形成し乾燥させた基板を用意し、基板の表面に薬液によるめっき前処理を行いめっき前処理終了後、直ちに無電解めっきを行って前記配線の露出表面に配線保護膜を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】電解メッキ法を用いて金属薄膜を形成する半導体装置の製造方法において、半導体基板にクラックが発生することを抑制する。
【解決手段】給電層２が形成された半導体基板１を支持基板３上に固定し、一端が半導体基板１上の給電層２と接触し、他端が支持基板３上に固定されるように導電性テープ５を貼付する。そして、導電性テープ５の半導体基板１と接触してない部分８にコンタクトピン７を接触させて電解メッキを行い、メッキ１０を形成する。これにより、コンタクトピン７の接触圧に起因する半導体基板１のクラック発生を抑制し、良好な金属薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】微細パターンを精度良く形成するめっき基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかるめっき基板の製造方法は、基板１０上に所定のパターン以外の領域に触媒層３２を設ける工程と、第１の無電解めっき液に基板を浸漬することにより、基板上に金属を析出させて所定のパターンの第１の金属層３４を設ける工程と、触媒層を除去する工程と、第２の無電解めっき液に基板を浸漬することにより、第１の金属層の上方に第２の金属層を設ける工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】微細パターンを精度良く形成するめっき基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかるめっき基板１００の製造方法は、無電解めっき法によりめっき基板を製造する方法であって、基板１０上に所定のパターン以外の領域に触媒層３２を設ける工程と、第１の金属を含む第１の無電解めっき液に基板を浸漬することにより、基板上に当該第１の金属を析出させて所定のパターンの第１の金属層３４を設ける工程と、第２の金属を含む第２の無電解めっき液に基板を浸漬することにより、第１の金属層の上面に当該第２の金属を析出させて第２の金属層３７を設ける工程と、を含み、第１の金属のイオン化傾向は、第２の金属のイオン化傾向より大きい。 （もっと読む）

【課題】 基材表面への粗化工程を省略したり、又、基材表面へ更に受容層を設けて粗さを付与する工程を追加せずに、平滑な表面の非導電性基材に、その平滑性を低下させることなく、基材への密着性に優れためっき膜を無電解めっきによって形成することが可能な無電解めっき用プライマー組成物を提供する。
【解決手段】 金属コロイド粒子、１２０℃以下で硬化可能な硬化性組成物及び溶媒を含有する無電解めっき用プライマー組成物。 （もっと読む）

【課題】微細パターンを精度良く形成するめっき基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかるめっき基板の製造方法は、基板上の所定のパターン以外の領域に触媒層を設ける工程と、無電解めっき液に前記基板を浸漬することにより、基板上に金属を析出させて所定のパターンの金属層を設ける工程と、基板を水蒸気に曝す工程と、無電解めっき液に基板を浸漬することにより、第１の金属層上にさらに金属を析出させて第２の金属層を設ける工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】酸素供給時におけるめっき液の流れへの影響を低減し、信頼性の高いものを得る、めっき膜の製造方法、及びめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき液５中に少なくとも一対の電極２０ａ，２０ｂを配し、めっき液５中に基材Ｐを浸漬する。そして、一対の電極２０ａ，２０ｂに電圧を印加し、めっき液５中に含有された水を電気分解することでめっき液中に酸素を発生させるとともに、基材Ｐにめっき膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】銅シード層を設けた半導体ウェハーの、トレンチ・ビアの入り口付近に過剰に付着した銅シード層を溶解し、その後電気銅めっき、無電解銅めっきによるネッキングを防止し、トレンチ・ビア内部の完全な埋め込みが可能となる前処理剤を提供することを目的とする。
【解決手段】アンモニウムイオン濃度が０．１ｇ／Ｌ以上で、ｐＨが１１以上であることを特徴とするシード層を有する半導体ウェハーの前処理剤。該前処理剤は、金属イオンを含有しないことが好ましく、更に界面活性剤を含有することが好ましい。 （もっと読む）

本明細書では無電解銅めっき溶液を開示する。この溶液は、水性銅塩成分と、水性コバルト塩成分と、ポリアミン系錯化剤と、化学光沢剤成分と、ハロゲン化物成分と、この無電解銅めっき溶液を酸性にするのに十分な量のｐＨ調整物質とを含む。また、無電解銅溶液を調製する方法も提供する。水性銅塩成分は、硫酸銅（ＩＩ）、硝酸銅（ＩＩ）、塩化銅（ＩＩ）、テトラフルオロホウ酸銅（ＩＩ）、酢酸銅（ＩＩ）、エチレンジアミン硫酸銅（ＩＩ）、ビス（エチレンジアミン）硫酸銅（ＩＩ）、およびジエチレンアミン硝酸銅（ＩＩ）からなる群から選択され得る。
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【課題】膜厚ムラの発生を抑制できる薄膜形成装置及び薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】開口部Ｋを有する処理槽５２内に貯留された処理液Ｌに処理対象物ＷＦを浸漬して、薄膜を形成する。処理槽５２を介して処理液Ｌの温度を調整する第１温度調整装置７３と、開口部Ｋに臨む処理液Ｌの温度を調整する第２温度調整装置７２とを有する。第１温度調整装置７３は気体を用いて処理液の温度を調整し、第１温度調整装置７３及び第２温度調整装置７２の双方に温度調整された気体を供給する。また、第２温度調整装置７２は蓋体５４と処理液の液面との間の気体を介して処理液の温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素膜と金属層との密着性を向上させることのできる接着方法の提供、及び、非晶質炭素膜を備える放熱部材と電極金属層との密着性が改善された半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】非晶質炭素膜の表面に、第一の金属層を形成する工程と、熱処理によって前記第一の金属層をナノ粒子化する工程と、形成した金属ナノ粒子をマスクとして、前記非晶質炭素膜の表面を局部的にエッチングする工程と、前記エッチングを施した非晶質炭素膜の表面に、第二の金属層を形成する工程と、を有することを特徴とする非晶質炭素膜と金属層との接着方法、並びに該接着方法を用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】多孔質の紙及びポリマー基材上又は半導体表面上に低い電気抵抗をもつ導電性のライン及び表面パターンを作製する技術を提供する。
【解決手段】基材上に導電体を作製する方法であって、金属粒子、金属前駆体及びそれらの混合物からなる群から選択された少なくとも１種の成分で構成された導体配合物を基材上に塗布する工程、該導体配合物を負に帯電したイオン性の還元性ガスに曝露しながら、焼結により該成分を金属に変えそして導電体を作製する工程、を含む。 （もっと読む）