【課題】ウエハ無電解めっきのための方法および装置
【解決手段】半導体ウエハ無電解めっき装置は、プラテンと、流体受けとを含む。プラテンは、ウエハを支持するように定められた上面と、該上面の周囲からプラテンの下表面へ下向きに伸びる外表面とを有する。流体受けは、プラテンとその上に支持されるウエハとを中に収容するために内部表面によって定められた内側空間を有する。流体受けの内部表面とプラテンの外表面との間に当接されたときに液密バリアを形成するために、流体受けの内部表面に沿ってシールが設けられる。電気めっき溶液が盛り上がってプラテンの上を流れ、プラテン上に存在しているときのウエハの上を流れるように、流体受け内で、シールより上方で電気めっき溶液を吐出するために、複数の流体吐出ノズルが位置決めされる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ無電解めっきシステムおよびその関連方法
【解決手段】ウエハ無電解めっきのためのドライイン−ドライアウトシステムが開示される。システムは、ウエハ進入／退出工程およびウエハ乾燥工程のための上側ゾーンを含む。上側ゾーンには、乾燥工程を実施するために近接ヘッドが提供される。システムは、また、無電解めっき工程のための下側ゾーンも含む。下側ゾーンは、流体湧昇法(fluid upwelling)によってウエハを浸水させる無電解めっき装置を含む。システムの上側ゾーンおよび下側ゾーンは、二重壁チャンバによって囲われ、ここで、内壁は、化学的に不活性なプラスチックであり、外壁は、構造金属である。システムは、システムに対して必要な化学物質供給および制御を行う流体取り扱いシステムに界接する。システムは、雰囲気制御される。また、システムは、雰囲気制御される管理式移送モジュール（ＭＴＭ）に界接する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ無電解めっきのための流体取り扱いシステムおよびその関連方法
【解決手段】
複数種類の化学物質を混合マニホールドの複数の流体入力に供給するように、化学物質流体取り扱いシステムが構成される。化学物質流体取り扱いシステムは、複数の化学物質のそれぞれの供給を別々に前調整するおよび制御するための複数の流体再循環ループを含む。各流体再循環ループは、複数の化学成分の特定の１つを脱ガス、加熱、およびろ過するように定められる。混合マニホールドは、無電解めっき溶液を形成するためにそれらの複数の化学物質を混合するように構成される。混合マニホールドは、供給ラインに接続された流体出力を含む。供給ラインは、無電解めっきチャンバ内の流体受けに無電解めっき溶液を供給するために接続される。 （もっと読む）

【課題】配線の表面に保護膜を選択的に形成する無電解めっきを最適なプロセス条件で行うことができるようにする。
【解決手段】表面に金属配線を有する基板を用意し、基板の表面に触媒付与液を接触させて金属配線の露出表面に金属触媒を付与する触媒付与処理を行い、基板の表面にＤＭＡＢを還元剤とする液温が２５〜６０℃の無電解めっき液を接触させて配線の露出表面に保護膜を選択的に成膜し、その後、基板の表面を洗浄して乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】無電解めっきによるフリップチップ接続で、レドックス系金属の還元剤の存在下で無電解めっきにより行うことを特徴とし、高密度実装が可能で、製造が容易であり、低コストで製造でき、接合部が均一かつ信頼性が高く、かつ低抵抗の製造可能な半導体チップの積層実装方法を提供すること。
【解決手段】配線基板１上に、外部引き出し電極に突起電極（バンプ）６を有する下部半導体チップ５を搭載し、この半導体チップ５の上に上部半導体チップ８を搭載する。配線基板１の配線層２と下部半導体チップ５の突起電極（バンプ）６との間、下部半導体チップ５の突起電極（バンプ）７と上部半導体チップ８の突起電極（バンプ）９の突起電極（バンプ）同士をレドックス系金属の還元剤を用いた無電解めっきにより電気的に接続させる。配線層２と突起電極（バンプ）６との間および半導体チップ５と８の突起電極（バンプ）同士はめっき膜１０により同時に安定して接続される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に、ムラのない、均一なめっき層を形成することができるめっき方法を提供する。
【解決手段】めっき液を減圧雰囲気下で脱気して該めっき液に溶解していたガス成分を除去する脱気工程と、前記脱気工程により得られためっき液に基板を浸漬して該基板の表面にめっき層を形成するめっき工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】密着性の高い正電極及び負電極を具備した窒化物系半導体発光素子を得る。
【解決手段】少なくともｎ型窒化物系半導体層、窒化物系半導体発光層、ｐ型窒化物系半導体層、金属反射層、メッキ層がこの順序で積層されてなる構造の窒化物系半導体発光素子であって、金属反射層とメッキ層の間にメッキ密着層が形成されており、かつ、該メッキ密着層がメッキ層を構成する金属の主成分と同一の成分を５０質量％以上有する合金層で構成する。 （もっと読む）

【課題】膜厚ムラの発生を抑制する。
【解決手段】開口部Ｋを有し下地膜Ｓ上に薄膜が形成される処理対象物１を支持してめっき液に浸漬される。開口部Ｋを閉塞する閉塞部７３を有する。 （もっと読む）

【課題】 無電解めっきにより、めっき膜が薄く、均一なダマシン銅配線用シード層を形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】水溶性窒素含有ポリマー、及び還元剤としてグリオキシル酸を含み、かつ前記水溶性窒素含有ポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）が１，０００以上１００，０００未満である無電解めっき液を用いてダマシン銅配線形成時のシード層形成を行うことを特徴とするダマシン銅配線用シード層形成方法。前記無電解めっき液は更にホスフィン酸を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】残渣等へのめっきの析出を防止することが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板６０の表面に二酸化ケイ素からなる第１下地膜６２を形成する工程と、第１下地膜６２の表面に金属からなる所定パターンの第２下地膜６５を形成する工程と、基板６０をカップリング処理液７１に浸漬して、残渣７０ａが付着した第１下地膜６２の表面にカップリング膜７２を形成する工程と、基板６０をめっき処理液に浸漬して、第２下地膜６５の表面に選択的にめっき皮膜を形成する工程と、を有する構成とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、被めっき物に対し、ナノメートルレベルの平滑さを有するめっき被膜を実現することを可能にする無電解めっき用膜状触媒組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】被めっき表面に金属ガラスからなる平滑な薄膜状の触媒層を形成する。この膜状の金属ガラスからなる触媒層は、無電解めっき反応において、従来の純金属の単結晶粒子と同等以上の触媒活性を示す。また、この触媒層は、従来の純金属の単結晶粒子と異なり、均一性が高く粒界が存在しないため、ナノメートルレベルの平滑さを備えるめっきを実現することができる。 （もっと読む）

【解決手段】アルミニウム又はアルミニウム合金表層に形成されているアルミニウム酸化皮膜を除去して第１の無電解ニッケルめっき皮膜を形成する工程、及び第１の無電解ニッケルめっき皮膜の表面に第２の無電解ニッケルめっき皮膜を形成する工程により、アルミニウム又はアルミニウム合金上に無電解ニッケルめっき皮膜を形成する。
【効果】アルミニウム又はアルミニウム合金上に無電解ニッケルめっき皮膜を形成してアルミニウム又はアルミニウム合金の表面を処理する際、めっき皮膜のクラックの発生を引き起こさず、また、シリコンウェハの反りを可及的に抑制してアルミニウム又はアルミニウム合金の表面を処理することができる。 （もっと読む）

【課題】例えば半導体ウェーハ等の基板の表面に露出した金属表面に磁性膜、特に合金磁性膜を選択的かつ容易に成膜することができるようにする。
【解決手段】基板の表面に露出した金属表面に磁性膜を選択的に成膜する磁性膜成膜装置であって、磁性膜成膜装置２２は、めっき槽４０内のめっき液３８に表面を接触させて配置した基板Ｗの周囲に該基板Ｗと平行な磁場を発生させる磁場発生装置３４を有する無電解めっき装置３６からなる。 （もっと読む）

【課題】安価な装置において、基板のパターン内部において異方性高くエッチング処理や成膜処理を行うこと。
【解決手段】パターンが形成された基板が吸着保持された処理容器内に、微少な気泡であり、負電荷を持つナノバブルを窒素ガスやＣＦ系のガスなどからなる処理ガスにより形成し、このナノバブルを純水やフッ化水素水溶液などの処理液中に分散させて、更にこの処理液に電界を加えて、ナノバブルと共に処理液をパターン内に引き込むことで、安価な装置で異方性を持つ処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】コバルト合金の無電解堆積を行なう。
【解決手段】 銅表面の上にコバルト合金層を無電解堆積させるためのシステム及び方法は、低ｐＨによって特徴付けられる溶液を含む。この溶液は、例えば、コバルト（II）塩と、少なくとも２つのアミン基を含む錯化剤と、ｐＨを７．０未満に調整するように構成されるｐＨ調整剤と、還元剤とを含んでよい。幾つかの実施形態では、コバルト合金は、集積回路において、銅表面と誘電体との間の接合特性及び銅拡散特性を助長するように構成される。 （もっと読む）

【課題】金属層を含む微細な構造体を簡便に製造できる製造方法および該製造方法により製造される構造体を提供する。
【解決手段】少なくとも、基材上に設けられた鋳型の表面に、無電解めっきにより形成される金属層を含む被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜の一部または全部を残したまま、前記鋳型の一部または全部を除去する工程とを行うことにより前記基材上に構造体を形成し、前記基材と前記構造体とを分離する。または、少なくとも、基材上に設けられた鋳型の表面に、無電解めっきにより形成される金属層を含む被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜の一部を除去する工程とを行うことにより前記基材上に構造体を形成し、前記基材と前記構造体とを分離する。 （もっと読む）

【課題】銅または銅合金からなる低抵抗の銅配線の表面に、置換めっきによる触媒付与を行うことなく、無電解めっきによる配線保護膜を選択的に形成する。
【解決手段】基板Ｗに形成した銅または銅合金配線９の基板表面側の界面の全てが、次亜リン酸を還元剤として用いる無電解蓋めっきの際の触媒を含有する、めっきで形成された触媒含有銅合金からなる触媒含有膜１２で選択的に覆われており、触媒含有膜１２の基板表面側の界面の全てが、次亜リン酸を還元剤とした無電解蓋めっきで形成された配線保護膜１０で選択的に覆われている。 （もっと読む）

【課題】無電解鍍金で均一な鍍金膜を形成する。
【解決手段】基板表面処理装置は、ウエハ基板１３の周囲に配置した複数の支持冶具１２によってウエハ基板１３を支持し、支持冶具１２によって支持されたウエハ基板１３を鍍金溶液中で回転軸１６を中心に回転するカセットケース１００を備えている。そして、カセットケース１００の円板１０ａ,１０ｂの外周に形成されたスリット１１ａ,１１ｂに支持冶具１２の端を嵌合し、支持冶具１２に形成されている溝部１２ａに複数のウエハ基板１３を並列に支持することを特徴としている。これにより、基板表面処理装置は、無電解鍍金で均一な鍍金膜を形成し、且つウエハ基板１３に対するダメージを抑え、鍍金とその前後の処理を一括して行うことができる。 （もっと読む）

【課題】試料に損傷を与えない程度の強さのレーザ光や強度の小さい入射光の赤外線を照射しても、それぞれ強度が微弱なラマン散乱光や赤外吸収をさらに感度よく測定できるようにすることを目的とする。
【解決手段】振動分光分析を行うための表面増強振動分光分析用治具において、柱状構造体１１が配列された下地膜１２付きの基体を備え、柱状構造体１１の表面には金属膜１４が付着していることを特徴とする。また、柱状構造体１１は金属であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】亜臨界流体又は超臨界流体を使用し、半導体層の表面に形成された絶縁膜上に誘導共析現象を利用して短時間で均一な金属被膜を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】金属基体試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液１９中に金属粉末を分散させた状態で超臨界流体ないしは亜臨界流体を使用して無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を利用して短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１ｎｍ以上１００μｍ以下のものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）