【課題】太陽光発電および太陽電池のような半導体上にニッケルを光誘導めっきする方法において、均一であり、かつドープされた半導体基体への許容できる接着性を有する、厚みの薄いニッケル堆積物を提供する。
【解決手段】めっきプロセスを開始するために、半導体に初期光強度８０００ルクス〜２０，０００ルクス、または例えば１０，０００ルクス〜１５，０００ルクスの光を、典型的には、０．２５秒〜１５秒間、より典型的には２秒〜１５秒間、最も典型的には５秒〜１０秒間適用し、続いて、残りの期間、光の強度を典型的には、初期光強度の２０％〜５０％、または例えば３０％〜４０％低減させる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】めっき工程後における基板の上への金属微粒子欠陥物質の形成を阻止するための方法および溶液が提供される。具体的には、酸化剤を含まず、且つ溶液がおよそ７．５〜１２．０のｐＨを有するように十分な濃度で非金属ｐＨ調整剤を含む溶液が提供される。場合によっては、溶液は、キレート剤を含んでよい。加えてまたは代わりに、溶液は、金属イオンに結合するための単一結合点をそれぞれ異なる官能基を介して各自が提供する少なくとも２つの異なるタイプの錯化剤を含んでよい。いずれの場合も、錯化剤の少なくとも一方またはキレート剤は、非アミン官能基または非イミン官能基を含む。基板を処理するための方法の一実施形態は、基板の上に金属層をめっきすること、およびその後、前述の構成を含む溶液に基板を暴露することを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面とめっき材との密着性が高められた複合材料と、その複合材料の製造方法、並びにその製造装置を提案する。
【解決手段】
少なくとも最上層にシリコン層が形成されている母材であるシリコン基板１０２の表面を金（Ａｕ）のイオンを含有する第１溶液に浸漬することにより、その母材の表面上にそのシリコン層の一部と置き換えられた粒子状又はアイランド状の第１金属である金（Ａｕ）を分散配置する分散配置工程と、その金（Ａｕ）が触媒活性を示す還元剤及びその還元剤により還元され得る金属のイオンを含有する第２溶液２４に浸漬することにより、金（Ａｕ）を起点として、そのシリコン基板１０２の表面が、自己触媒型無電解めっき法により形成された前述の金属又はその金属の合金１０８によって覆われるめっき工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ダマシン銅配線等おける無電解銅めっきでシード層を形成した際の、成膜均一性、および密着性を、単体の金属上に無電解銅めっきを行った場合と比較して向上させ、さらに、銅シード層の成膜に先立つバリア層と触媒金属層との二つの層形成の煩雑さを解消して、超微細配線の形成が可能な、薄くかつ均一な膜厚でシード層を成膜しためっき物を提供することを目的とする。
【解決手段】基材上に、無電解めっき液に含まれる銅イオンと置換めっきが可能でかつ銅に対してバリア性を持つ金属Ｂと、銅に対してバリア性を持つ金属Ａからなる銅拡散防止用バリア合金薄膜が形成され、該銅拡散防止用バリア合金薄膜が、前記金属Ａを１５原子％以上、３５原子％以下とする組成であり、その上に無電解置換めっきにより銅薄膜が形成されたことを特徴とするめっき物。 （もっと読む）

【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現すること
【解決手段】この処理液供給装置は、略水平に保持した基板の処理面にめっき液を吐出する供給孔を有するノズルと、所定の枚数の基板処理に必要な量のめっき液を収容し、収容しためっき液を所定の温度に調節する温度調節部と、ノズルおよび温度調節部の間に配設され、温度調節部により温度調節されためっき液を所定の温度に維持する保温部と、温度調節部により所定の温度に調節されためっき液を、保温部を介してノズルの供給孔に向けて送り出す送り出し機構とを具備する。 （もっと読む）

【目的】膜切れの無い均一なシード膜を形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、絶縁膜に開口部を形成する工程（Ｓ１０４）と、開口部内に光触媒膜を形成する工程（Ｓ１１０）と、Ｃｕを含有する溶液に光触媒膜を浸漬させた状態で光触媒膜に紫外線を照射する工程（Ｓ１１２）と、開口部内に電解めっき法によりＣｕを埋め込む工程（Ｓ１１４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉや金属層の種類が限定されずＳｉの酸化膜除去処理によっても金属層が剥離することのない電極及びその形成方法、並びに前記電極を備える半導体デバイスを提供する。
【解決手段】表面に活性化処理されたＳｉを有する基板１１上に、第１の末端にＣＨ基、ＣＨ_２基、ＣＨ_３基のいずれかを有し、第２の末端にアミノ基、メルカプト基、フェニル基、カルボキシル基のいずれかを有する有機分子の薄膜（有機分子膜）１２ａを形成する有機分子膜形成工程と、前記有機分子膜１２ａ表面に触媒金属１２ｂを付与する触媒化工程と、前記有機分子膜１２ａに触媒金属１２ｂを付与した密着層１２表面に無電解めっき法により金属層１３を形成する無電解めっき工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】製造工程を大幅に削減することができ、導電層の製膜時間を短縮することができるほか、容易に大面積化をはかることが可能で、かつ、様々な基板に関して導電層を具備することができる配線用基板及び配線基板の提供。
【解決手段】湿式無電解メッキ法を用いて基板上に導電層を形成し、部分的に導電層を除去する。 （もっと読む）

【課題】絶縁体又は半導体の表面に、超臨界流体又は亜臨界流体を使用するとともに誘導共析現象を利用して短時間で厚いめっき層を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】絶縁体としてのガラス基板試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液１９中に金属粉末を分散させた状態で超臨界流体ないしは亜臨界流体を使用して無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を利用して短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１ｎｍ以上１００μｍ以下のものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】余計なプロセスを省きながら形成可能な膜厚の自由度が高いパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】コロイドに微粒子を分散させた液体材料２を基板１に接触させ、基板１上にエネルギービーム７を照射することで液体材料２中の少なくとも一つの成分を基板１上に固定する際に、基板１の少なくとも一部が液体材料２に接触しておらず、かつその液体材料２に接触していない部分からエネルギービーム７を入射することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の面内で均一な膜厚を有するめっき処理膜を形成すること
【解決手段】この半導体装置の製造装置は、基板を回転可能に保持する保持機構と、基板上の被処理面にめっき処理を施すための処理液を供給するノズルと、保持機構に保持された基板を被処理面に沿った向きで回転させる基板回転機構と、保持機構に保持された基板上の被処理面と対向する位置で、ノズルを被処理面に沿った方向に移動させるノズル移動機構と、ノズルによる処理液の供給およびノズル移動機構によるノズルの移動動作を制御する制御部とを具備する。 （もっと読む）

本発明は、半導体デバイスの製造プロセス中のパターン化もしくは構造化されたＳｉＯ₂層またはＳｉＯ₂ラインの生成に有用であり、インクジェット処理での塗布に適した組成物に関する。また、本発明は、これらの新たな組成物を利用する、半導体デバイス製造の改良プロセスに関する。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面層に形成された非貫通孔内に、めっき法を用いて金属等が空隙を形成することなく充填されている複合材料と、その複合材料の製造方法を提案する。
【解決手段】シリコン１００の表面から形成された非貫通孔の底部に位置する第１金属が起点となって、その非貫通孔が、自己触媒型無電解めっき法を用いた実質的に第２金属又は前記第２金属の合金１０６により充填されることにより、高精度に充填された、換言すれば、空隙の形成されにくい複合材料が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ケイ素含有重合体を主成分とする樹脂成形物の表面に、遷移金属の微粒子を形成させる、樹脂成形物の表面処理方法ならびに処理物を提供することを課題としている。また本発明は、任意の材質・形状の基材の表面に形成した樹脂成形物の表面に、精細な形状の導体層、金属メッキ層、配線パターンなどを形成する方法ならびに処理物を提供することを課題としている。
【解決手段】本発明の樹脂成形物の表面処理方法は、多重結合を含む基を有する特定のケイ素含有化合物（Ａ）と、ケイ素含有重合体（Ｂ）とを含有する樹脂組成物からなる樹脂成形物を、遷移金属塩の溶液あるいは懸濁液と接触させて、樹脂成形物上に遷移金属の微粒子を形成させることを特徴としている。 （もっと読む）

本発明は、ニッケル元素の化合物及びモリブデン元素の化合物、第二級及び第三級環式アミノボランから選択される少なくとも１つの第一の還元剤、及び少なくとも１つの錯化剤を含み、ｐＨが８．５〜１２の、金属表面上にバリア層を析出するための溶液に関する。 （もっと読む）

【課題】 無電解ニッケルめっき合金皮膜の保護層として機能する被めっき体に形成される無電解パラジウムめっき皮膜が形成されなかったり、厚みが薄くなるのを抑制し、厚みの均一な皮膜を形成するための無電解パラジウムめっき反応開始促進前処理液やこれを用いた無電解めっき方法、接続端子並びにこの接続端子を用いた半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 被めっき体に、無電解ニッケルめっき合金皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜、及び置換金めっき皮膜を形成するか又はさらに無電解金めっき皮膜を形成する無電解めっきを行うに際し、無電解パラジウムめっき皮膜を形成する前に浸漬して無電解パラジウムめっき反応の開始を促進する無電解パラジウムめっき反応開始促進前処理液、この前処理液を用いた無電解めっき方法、無電解めっき方法で形成された接続端子並びにこの接続端子を用いた半導体パッケージ及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】銅素地に直接均一な金皮膜を形成できる非シアン系の置換金めっき液を提供する。
【解決手段】亜硫酸金塩を金イオン濃度として0.5〜10g/Lと、水溶性アミノカルボン酸化合物10〜150g/Lとを含有する銅素地用置換無電解金めっき液であって、亜硫酸金塩以外の亜硫酸塩を含まない銅素地用置換無電解金めっき液。水溶性アミノカルボン酸化合物は、亜硫酸金錯体の安定化に寄与し、金属不純物の錯化剤として作用する。そのため、本発明の金めっき液は、亜硫酸塩を含まないにもかかわらず亜硫酸金塩のめっき液中での自己分解が抑制され、高い液安定性を示す。 （もっと読む）

【課題】プリント基板又はウエハー上に形成されたアルミニウム又は銅からなる導体パターンを被覆するパターンめっきとその形成方法を提供する。
【解決手段】プリント基板又はウエハー１上に形成された銅又はアルミニウムからなる導体パターン３上に形成されたパターンめっき９であって、導体パターン３上に順次形成された無電解ニッケルめっき皮膜５、無電解金-パラジウム合金めっき皮膜７からなるパターンめっき。ニッケルめっき皮膜の膜厚は1〜20μｍ、金-パラジウム合金めっき皮膜の膜厚は0.01μm以上とすることが好ましい。金-パラジウム合金めっきには、可溶性金塩、可溶性パラジウム塩、水溶性アミン塩、カルボン酸塩および還元剤を含有する無電解金-パラジウム合金めっき液を使用する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子への銅拡散バリア性を有する金属と銅配線部を無電解めっきの触媒作用をする金属との合金からなるスパッタリングターゲットを窒素ガス雰囲気でスパッタ成膜することにより、成膜中のバリア性材料、触媒性材料及び窒素含有量を調整して銅シード層を形成する工程からなり、無電解銅めっき性、銅拡散防止バリア性及びめっき膜の耐酸化性を備えた、銅拡散防止用バリア膜、同バリア膜の形成方法、ダマシン銅配線用シード層の形成方法及びダマシン銅配線を形成した半導体ウェハーの提供。
【解決手段】タンタル又はチタンから選択した１成分以上の金属元素、無電解めっきに対する触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した１成分以上の金属元素及び前記タンタル又はチタンとの窒化物の形態で含有する窒素からなる銅拡散防止用バリア膜。
【採用図面】なし （もっと読む）

【課題】 従来の貴金属被膜形成方法は、基材表面に直接貴金属をメッキしたり、蒸着する方法が用いられているため、膜の密着性は、主として基材表面のアンカー効果に依存して耐剥離性が悪いという大きな課題があった。
【解決手段】 基材表面に、少なくともアルコキシシリル基含有のトリアジンチオール化合物またはチオール化合物で作成された下層被膜を介して形成されていることを特徴とする貴金属被膜を製造提供する。 （もっと読む）