【課題】 ボイド(void)およびシーム(seam)の発生を防止することができる自己組織化単分子膜形成方法、ならびに半導体素子の銅配線およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の銅配線形成方法は、半導体基板の上に配線形成領域を有する層間絶縁膜を形成する工程と、前記配線形成領域表面を含む層間絶縁膜上に自己組織化単分子膜(Self Assembled Monolayer)を形成する工程と、前記自己組織化単分子膜の表面に触媒粒子を吸着させる工程と、前記触媒粒子が吸着された自己組織化単分子膜上に無電解メッキ法で銅シード膜を形成する工程と、前記銅シード膜上に前記配線形成領域を埋め立てるように銅膜を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】一つの半導体基板に形成された複数品種の半導体素子に対し、それぞれの品種に対応したメッキ処理を施すこと。
【解決手段】複数の品種に対応して複数の半導体素子形成領域が画定された半導体基板上に、前記複数の半導体素子形成領域に対応し且つ相互に独立したメッキ処理治具を当接し、前記複数の半導体素子形成領域のそれぞれに対して独立にメッキ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】配線間リーク電流の増加を抑制できる配線構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に設けられ、シリコン、酸素、炭素および水素を含む、配線溝５が形成された絶縁膜３,４と、配線溝５内に設けられた金属配線８と、金属配線８の上面に選択的に形成されたメタルキャップ１０とを具備してなり、絶縁膜４は、その表面を含む第１の領域と、第１の領域下の第２の領域とを備えており、前記第１の領域の炭素濃度は前記表面から深くなるに従って減少し、前記第２の領域内の炭素濃度は、前記第１の領域との界面から一定距離の深さまでは深くなるに従って減少し、前記一定の距離減を越えると深くなるに従って増加し、前記表面における炭素濃度を超えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜工程における半導体ウェハの反り量を低減し、搬送ミスやウェハ割れを低減することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造法は、互いに対向する一方表面１ａおよび他方表面１ｂを有する基板１を準備する工程と、基板１の一方表面１ａおよび他方表面１ｂにめっき法により導電層であるＮｉめっき膜７およびＡｕめっき膜８を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

本発明は、基材を、ａ）少なくとも１種のインジウムアルコキシド及びｂ）少なくとも１種の溶媒を包含する液状の無水組成物でコーティングし、任意に乾燥し、かつ２５０℃より高い温度で熱的に処理する半導体の酸化インジウム膜の製造法、この方法に従って製造可能な膜及び該膜の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】孔の内径の大小にかかわらず、該孔の奥まで均一な無電解銅めっき層を形成しうる無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、およびそのような無電解銅めっき層を形成することにより孔の内部に信頼性の高い埋め込み配線を形成することのできる埋め込み配線の形成方法を提供する。
【解決手段】塩素イオンを１〜１５ｐｐｍ含む無電解銅めっき液を用いてめっきを行う。また、さらに例えばビス−（３−スルホプロピル）ジスルファイドのような、分子量５０以上２０００以下の硫黄系有機化合物を含有するめっき液を用いる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１種のインジウムアルコキシドと少なくとも３種の溶媒Ｌ₁、Ｌ₂及びＬ₃を包含する液状のインジウムアルコキシド含有組成物であって、その際、該溶媒Ｌ₁は、乳酸エチル、アニソール、テトラヒドロフルフリルアルコール、酢酸ブチル、エチレングリコールジアセテート及び安息香酸エチルから成る群から選択されており、かつ双方の溶媒Ｌ₂及びＬ₃の沸点の差がＳＡＴＰ条件下で少なくとも３０℃である組成物、該組成物の製造法並びに該組成物の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の一方の面側にめっき処理をおこなう際に、めっき液の汚染を防ぎ、他方の面側に不均一なめっき層が析出するのを防ぎながら、一方の面側に低いコストで安定しためっき層を形成する。
【解決手段】半導体基板に上の一方の面に電極を形成し、他方の面に電極を形成し、他方の面の電極上に硬化型樹脂を塗布し、硬化型樹脂上にフィルムを貼り付けて硬化型樹脂を硬化させる。そのあと一方の面の電極上にめっき処理行い、めっき処理後、フィルムを硬化型樹脂とともに剥離する。 （もっと読む）

【課題】プリント基板又はウエハー上に形成された銅又はアルミニウムからなる導体パターン上に形成される導体パターンめっきであって、導体パターン上に形成される無電解パラジウムめっき皮膜上に置換金めっき処理を施さなくても、自己触媒還元反応で直接金皮膜を析出させる無電解金めっきのめっき液及びめっき方法を提供する。
【解決手段】非シアンの亜硫酸金塩、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、水溶性ポリアミノカルボン酸、ベンゾトリアゾール化合物、硫黄を含有するアミノ酸化合物、ヒドロキノンを所定の濃度で含有しためっき液を使用する。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性を有する基板を容易に製造できる製造方法を提供すること。
【解決手段】金属線１４を有する基板１０の製造方法であって、基板層１２に金属層１４ａを積層する工程と、金属層１４ａの表面の少なくとも一部を樹脂層１６で被覆する工程と、樹脂層１６により被覆されていない金属層１４ａの部分をエッチングにより除去することで、基板層１２上に金属線１４を形成する工程と、を含む、基板１０の製造方法とすること。 （もっと読む）

【課題】低コストで簡略化した突起電極の形成方法、及びこれに用いる置換金めっき液を提供する。
【解決手段】本発明に係るバンプ２の形成方法は、電極１２上に形成された導電性のコア２１の表面を、亜硫酸カリウムとポリエチレンイミン又はその誘導体とを含む置換金めっき液を用いて被覆する被覆工程を包含し、一回の被覆工程において、厚さ０．１μｍ以上０．５μｍ以下の金膜２２をコア２１の表面に形成する。これにより、バンプ２を形成するに十分な膜厚の金膜２２を形成するために、被覆処理を繰り返し行う必要がない。その結果、製造工程を簡略化し、コストを低減させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムまたはアルミニウム合金の局所的な溶解を防ぐこと。
【解決手段】半導体基板の表面に形成されたアルミニウムを主成分とする電極の表面を、硝酸濃度が９ｍｏｌ／リットル以上２０ｍｏｌ／リットル以下の硝酸溶液に浸漬することでデスマット処理を行う（ステップＳ３）。ついで、電極の表面に第１ジンケート処理を行い亜鉛置換膜を形成し（ステップＳ４）、この亜鉛置換膜を、硝酸濃度が９ｍｏｌ／リットル以上２０ｍｏｌ／リットル以下の硝酸溶液に浸漬することで剥離する（ステップＳ５）。ついで、電極の表面に第２ジンケート処理を行い電極の表面に亜鉛置換膜を形成し（ステップＳ６）、この亜鉛置換膜の表面に無電解めっき処理によってめっき皮膜を形成する（ステップＳ７）。 （もっと読む）

本発明は、感光性の金属含有組成物を基材に塗布し、感光性の金属含有組成物を乾燥し、感光性の金属含有組成物を化学線源にて露光し、及び金属含有組成物を後処理することによって金属含有フィルムを形成する方法に係る。該方法は、また、感光性の金属含有組成物を、マスク又は型を通して化学線源にて露光し、組成物の非露光部分を現像することを含む。本発明の他の具体例は、前記の方法によって形成された金属含有フィルム、三次元の物体又は物品である。本発明は、直接パターン化された金属含有フィルム及び微小デバイスの製造に有用である。 （もっと読む）

本発明は、ａ）ＳＡＴＰ条件で固体の少なくとも１つのＺｎＯクバン、及びＳＡＴＰ条件で液体の少なくとも１つのＺｎＯクバンという、少なくとも２つの異なるＺｎＯクバンと、ｂ）少なくとも１つの溶剤とを含む調製物、この調製物からＺｎＯ半導体層を製造する方法、並びに電子部材自体に関する。
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【課題】基板に対する吸着または機械的な保持力を強めることなく、基板の離脱や脱落を確実に防止しつつ基板を保持して処理ができるようにする。
【解決手段】基板の裏面周縁部をシールしながら基板を保持する環状シールを備えた回転自在な保持ヘッド１８４を有し、保持ヘッド１８４は、基板を保持した状態での該保持ヘッド１８４の回転に伴って、環状シールでシールされた基板の裏面側に負圧を発生させる絞り機構２６０を有する。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構成で、めっき速度を高め、しかもめっき槽内のめっき液の流れをより均一に調節して、めっき膜の膜厚の面内均一性をより高めることができるようにする。
【解決手段】めっき液１８８を保持するめっき槽１８６と、該めっき槽１８６内のめっき液１８８中に浸漬されて被めっき材Ｗの被めっき面と対向する位置に配置され、被めっき材Ｗの被めっき面と平行に往復運動してめっき液１８８を攪拌する攪拌翼２３４を備えた攪拌機構２３６とを有し、攪拌翼２３４の少なくとも１辺には凹凸２３４ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のビアへ、次工程で電解めっきを行なうために必要な通電のための導電層を欠陥なく形成することができる技術を提供する。
【解決手段】最初にスパッタにてウェハ４００の表面、及び孔４１０の、スパッタが付着するエリア４１１ａにスパッタ膜を形成し、その後、パラジウムを吸着させた後、無電解銅めっきにより、スパッタ膜４１１ａ上、及びスパッタ膜が付着していないエリア４１１ｂに無電解銅皮膜４１２を形成することにより、基板表面及びビア内壁全体に通電を行なうための導電層を形成する。その後、電解めっきにより金属４１４を充填する。 （もっと読む）

【課題】厚みの均一な無電解パラジウムめっき皮膜が形成された被めっき体を提供する。
【解決手段】被めっき体と、無電解ニッケルめっき皮膜と、無電解ニッケル-パラジウムめっき皮膜と、無電解パラジウムめっき皮膜と、置換金めっき皮膜と、を有し、前記無電解ニッケルめっき皮膜、前記無電解ニッケル-パラジウムめっき皮膜、前記無電解パラジウムめっき皮膜及び前記置換金めっき皮膜の順序に積層され、前記置換金めっき皮膜が最表層に位置してなる、めっき析出物。 （もっと読む）

【課題】 簡便で安価な塗布法によりルテニウム膜を形成するための組成物およびこの組成物を用いて塗布によりルテニウム膜を形成する方法の提供。
【解決手段】
テトラ（μ−トリフルオロアセタト）ジ（アセトン）ジルテニウム、テトラ（μ−ペンタフルオロプロピオナト）ジ（アセトン）ジルテニウムの如きルテニウム化合物と、溶媒とを含むことを特徴とするルテニウム膜形成用組成物、ならびに基体上に、該ルテニウム膜形成用組成物を塗布し、次いで加熱及び／又は光照射することにより、前記基体上にルテニウム膜を形成することを特徴とする、ルテニウム膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現すること
【解決手段】このキャップメタル形成方法は、二つ以上の撥水性が異なる領域を有する基板の被処理面にキャップメタルを形成する方法であって、基板をインナーチャンバ内に配設された回転可能な保持機構に水平保持する保持ステップと、インナーチャンバを覆うアウターチャンバの上面に配設されたガス供給孔を介して、インナーチャンバとアウターチャンバ間にガスを供給するガス供給ステップと、インナーチャンバとアウターチャンバ間に圧力勾配を形成する圧力勾配形成ステップと、ガス供給ステップによりインナーチャンバ内のガス圧力が所定の値となった後に、基板の被処理面の所定位置にめっき液を供給して、領域の少なくともひとつにキャップメタルを形成するめっき液供給ステップとを有している。 （もっと読む）