【課題】スルーホールへのめっき性に優れる無電解めっき前処理剤を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）及び（２）で表されるイミダゾールアルコール化合物の１種又は２種以上と、パラジウム化合物とを含有する無電解めっき前処理剤。
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【課題】銀ペーストを使用しないで無電解めっきによって太陽電池電極を製造する方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）シリコン基板を提供する；（Ｂ）シリコン基板を活性剤と接触させる、ここで活性剤は貴金属又は貴金属化合物、増粘剤及び水を含む；（Ｃ）シリコン基板を洗浄剤で洗浄する；及び（Ｄ）無電解系めっきを実施するために、シリコン基板を無電解ニッケルめっき溶液中に浸漬し、ニッケル層５１および５２を形成する；工程を含む。本発明の無電解めっきによって太陽電池電極を提供する方法は窒化ケイ素３及びシリコン２３の間の高い選択性及び大きな運転条件範囲を有し、そして安定で制御され易いため、太陽電池基板の電極の製作において使用されるのに適している。 （もっと読む）

【課題】被覆性及び付着力が高い金属膜を、半導体基板上に低コストで形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｐｄイオンを含むＰｄ活性化液２８（塩化パラジウム）にＧａＡｓ基板１６（半導体基板）を浸漬してＧａＡｓ基板の表面にＰｄキャタリスト３０を付着させる。このＰｄキャタリストとＧａＡｓ基板が反応してＰｄ−Ｇａ−Ａｓの混合層４０が形成される。次に、表面にＰｄキャタリストが付着されたＧａＡｓ基板をＰｄ無電解めっき液４２に浸漬してＧａＡｓ基板上にＰｄめっき膜４４を形成する。 （もっと読む）

【課題】末端水酸基を備えるポーラスシリコン領域を少なくとも金属化する新しい方法を提供する。
【解決手段】ポーラスシリコン領域は、１つのステップで、水溶液に溶解した金属イオンのインサイチュ還元の実施と、前記領域に得られた金属粒子の固定と、が行われて、金属化される。このステップは、特に金属化される領域を、金属イオンを含む溶液に接触することを有し、前記領域の表面は、金属イオンがインサイチュ還元され、且つ金属粒子が固定することができるように予め官能基付与される。ポーラスシリコン領域の官能基付与は、２つの特有のタイプの化学基によるグラフトにより達成される。用いられる第１の化学基は、金属イオン及び／又はその金属イオンに対応する金属をキレートする化学基であり、一方、第２の化学基は金属イオンを還元する化学基である。 （もっと読む）

【課題】エネルギー付与により高感度で硬化し、水溶液による現像により高解像度のめっき触媒又はその前駆体に対する吸着性に優れた被めっき層パターンを形成し得る被めっき層形成用組成物、基板との密着性に優れた高解像度の金属パターンを簡易に形成しうる金属パターン材料の作製方法、及びこれにより得られた金属パターン材料を提供する。
【解決手段】めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基、及び、ラジカル重合性基を有するポリマー１質量％〜２０質量％と、水不溶性の光重合開始剤とを、２０質量％〜９９質量％の水溶性可燃性液体と水とを含有する混合溶剤に溶解してなる被めっき層形成用組成物、これを用いた金属パターン材料の作製方法、並びに、該作製方法により得られた金属パターン材料である。 （もっと読む）

堆積および処理時に導電性金属膜および金属線を形成するように適合させた金属錯体を提供する。該金属錯体は共有結合錯体であってよく、第1および第2の配位子を含みうる。低温処理を使用して該錯体を金属に変換することができる。該金属膜および金属線は純金属と同様の低い抵抗率および仕事関数を有しうる。貨幣金属を使用することができる(例えばAg、Au、Cu)。該配位子は、アミン、非対称アミンを含む供与結合配位子およびカルボキシレート配位子でありうる。硫黄錯体を使用することができる。カルボキシレート配位子を使用することができる。該錯体は高濃度の金属を有し得、芳香族炭化水素溶媒に可溶性でありうる。十分に揮発するように配位子を適合させることができる。インクジェット印刷を行うことができる。高導電率と共に高収率の金属を実現することができる。

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【課題】微細な穴を有する板状体を処理液に浸漬して行う湿式処理において、穴に気泡が残留することをより十分に抑制し、より均一な湿式処理を実現することが可能な湿式処理方法及び湿式処理装置を提供する。
【解決手段】密閉容器１１内に板状体３を保持した状態で密閉容器１１内を減圧する減圧工程と、減圧工程の後，密閉容器１１内が減圧された状態で密閉容器１１内へ処理液２に溶解可能な溶解性気体８を導入する溶解性気体導入工程と、溶解性気体導入工程の後，密閉容器１１内が溶解性気体８で充満された状態で密閉容器１１内へ処理液２を導入する処理液導入工程とを備えることにより、微細な穴に気泡が残留しない状態で基板３の湿式処理ができるようにしている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の酸化された表面を活性化するための溶液及び方法の提供。
【解決手段】本発明は、その後の工程で無電解法により金属層を堆積させて被覆できるように、基板、特に半導体基板の酸化された表面を活性化するための溶液及び方法に関する。本発明によれば、この組成物は、Ａ）１以上のパラジウム錯体からなる活性化剤と；Ｂ）１以上の有機シラン錯体からなる二官能性有機結合剤と；Ｃ）上記活性化剤及び上記結合剤を溶解させるための１以上の溶媒からなる溶媒系とを含有する。用途：電子デバイス、特に集積回路、とりわけ３次元集積回路などの製造。 （もっと読む）

先端の集積回路にみられる切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２１１，２１３，２６４，２７５ａ，２７５ｂ）において、長尺のルテニウム金属膜（２１４）に多段階で銅鍍金を行う方法である。長尺のルテニウム金属膜 （２１４）を利用すると、銅金属がトレンチ（２６６）及びビア（２６８）のような高アスペクト比の切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２６４，２７５ａ，２７５ｂ）を充填するあいだ、不要な微細気泡が形成を防ぎ、前記ルテニウム金属膜（２１４）上に長尺の銅金属層（２２８）を含むサイズの大きい銅粒（２３３）が鍍金形成される。銅粒（２３３）は銅が充填された切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２１１，２１３，２７５ａ，２７５ｂ）の電気抵抗を低下させ、集積回路の信頼性を向上させる。
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【課題】孔の内径の大小にかかわらず、該孔の奥まで均一な無電解銅めっき層を形成しうる無電解銅めっき液および無電解銅めっき方法を提供する。また、該無電解銅めっき層を形成することにより孔の内部に信頼性の高い埋め込み配線を形成することのできる埋め込み配線の形成方法を提供する。
【解決手段】チオール基又はジスルフィド結合を有するポリエチレングリコール化合物、及び銅イオンを含有することを特徴とする無電解銅めっき液、さらに、該無電解銅めっき液に、孔２の形成された基板１を浸漬し、該孔の内部に無電解銅めっき層６を形成することを特徴とする無電解銅めっき方法、及び、該無電解銅めっき液に、孔２の形成された基板１を浸漬し、該孔の内部に無電解銅めっき層６からなる埋め込み配線を形成することを特徴とする埋め込み配線の形成方法。 （もっと読む）

【課題】 電解金属めっきにおいて、金属めっき後の防錆性が良好であり、かつ容易に除去できる金属めっき液添加剤を含有する金属めっき液を提供することを目的とする。
【解決手段】 脂肪族ジカルボン酸またはその塩（Ａ）、または脂肪族ジカルボン酸のハーフアミド（Ｂ）を必須成分として含有することを特徴とする金属めっき液添加剤に金属塩、無機酸、界面活性剤に添加した電解金属めっき液である。 （もっと読む）

光起電太陽電池における金属接点にめっきを施すための方法及び組成物を記載する。めっき性金属イオン及び化学還元剤を含有する水性浴に前記電池を浸漬する。次いで、前記電池を光に曝露して、前記電池の２つの側面を逆の極性に帯電させる。外部電気接触、裏側のアノード腐蝕、及び裏側の犠牲物質の必要なしに、金属イオンをめっきできる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のしきい値電圧特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】半導体基板２の表面にアルミニウム電極３を形成する。次いで、半導体基板２の表面にジンケート処理を行った後、水洗処理を行う。次いで、無電解めっき処理を行い、アルミニウム電極３の表面にニッケルめっき層５および金めっき層６をこの順で形成する。ジンケート処理後の水洗処理により、アルミニウム電極３の表面に残留するナトリウムおよびカリウムの合計の元素濃度を９．２０×１０¹⁴ａｔｏｍｓ／ｃｍ²以下にする。無電解ニッケルめっき浴中のナトリウムおよびカリウムの合計の元素濃度を３４００ｗｔｐｐｍ以下とする。このように作製された半導体装置１の、ニッケルめっき層５およびニッケルめっき層５とアルミニウム電極３との界面に残留するナトリウムおよびカリウムの合計の元素濃度は３．２０×１０¹⁴ａｔｏｍｓ／ｃｍ²以下である。 （もっと読む）

【課題】常温における粘着力に優れ、８０〜１００℃の高温水中でも高い粘着力を発揮し、かつ、使用後は容易に剥離可能なマスキングテープを提供する。
【解決手段】基材と前記基材の一方の面に形成された粘着剤層とからなり、８０〜１００℃の高温水中でも高い粘着力を発揮するマスキングテープであって、前記基材は、幅１０ｍｍ、長さ１５ｃｍのサンプルを、８０℃、チャッキング距離１０ｃｍの条件下で引張り試験機にて引張り試験を行ったときに、伸張率２０％時の引張り強度が６０Ｎ以下であるマスキングテープ。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に積層構造からなる複数の金属膜を無電解めっき法により形成する半導体装置の製造方法において、遮光環境下に位置させるめっき槽を少なくする方法を提供する。
【解決手段】金属膜を形成する工程は、第１めっき槽を用いた還元反応を含む無電解めっき工程（ステップＳ５２）と、第２めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程（ステップＳ５４）と、第３めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程（ステップＳ５６）を含む。第１めっき槽を用いた還元反応を含む無電解めっき工程は遮光環境下で行われ、第２めっき槽および第３めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程は非遮光環境下で行われる。 （もっと読む）

【課題】現像によるパターン形状の乱れを改善し得る、前駆体溶液を用いた金属酸化物薄膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも金属カルボン酸塩を含む有機金属化合物及び第１有機溶剤を含有する前駆体溶液を基板に塗布し、基板上に塗膜を形成する工程と、塗膜を形成した基板に対して所望のパターンに従って光照射を行い、塗膜にパターンに従った可溶部及び不溶部を形成する露光工程と、第２有機溶剤を用いて可溶部を溶解し、不溶部を残存させる現像工程と、現像の直後に、基板を第１有機溶剤及び第２有機溶剤よりも極性の高い第３有機溶剤に浸漬し、基板表層に残留している第２有機溶剤を洗い流して現像を即座に停止させる工程とを含む。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の一実施形態は、集積回路製造のためにキャップ層を無電解析出させる方法である。方法は、浴の無電解析出特性を実質的に維持するように、無電解析出浴の組成の制御を含む。本発明の別の実施形態は、無電解析出溶液を含む。本発明のさらに別の実施形態は、無電解析出浴を再調整するために用いられる組成である。 （もっと読む）

【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現すること
【解決手段】この半導体製造方法は、複数の基板に連続してめっき処理を施す半導体製造方法であって、１枚の基板処理に必要なｐＨ調整剤を含む所定量のめっき液を温度調節用容器に収容し、温度調節用容器に収容しためっき液を、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じた所定の温度に調節し、基板を１枚ずつ所定位置に保持し、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じたタイミングで、保持された基板１枚毎に温度調節用容器に収容され温度調節されためっき液全量を、保持された基板の処理面に吐出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき処理を行うに際し、半導体装置の特性変動を防止する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１のおもて面に、アルミニウム、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、エミッタ電極６を形成する。エミッタ電極６として、第１のアルミニウム膜６１および第１のニッケル膜６２が形成される。次いで、半導体基板１の裏面に、アルミニウムシリコン、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、コレクタ電極９を形成する。コレクタ電極９として、第２のアルミニウム膜９１および第２のニッケル膜９２が形成される。次いで、エミッタ電極６の表面をエッチングする。次いで、エミッタ電極６の表面に形成された表面酸化膜を除去し、エミッタ電極６の表面を活性化する。次いで、半導体基板１のエミッタ電極６およびコレクタ電極９の両面に、同時に、無電解ニッケルめっき処理および置換金めっき処理を連続して行う。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも以下の工程：（Ａ）相応する金属の、少なくとも３個の炭素原子を有するモノ−、ジ−又はポリカルボン酸のカルボキシレート又はモノ−、ジ−又はポリカルボン酸の誘導体、アルコキシド、水酸化物、セミカルバジド、カルバメート、ヒドロキサメート、イソシアネート、アミジン、アミドラゾン、尿素誘導体、ヒドロキシルアミン、オキシム、ウレタン、アンモニア、アミン、ホスフィン、アンモニウム化合物、アジド及びそれらの混合物から成る群から選択される、少なくとも１種の金属酸化物の少なくとも１種の前駆体化合物を含有する溶液を、少なくとも１種の溶媒中で製造する工程、（Ｂ）工程（Ａ）からの溶液を基材に施与する工程及び（Ｃ）前記少なくとも１種の前駆体化合物を、少なくとも１種の半導体金属酸化物に変えるために、工程（Ｂ）からの基材を、２０〜２００℃の温度で熱処理する工程を包含し、その際、工程（Ａ）において電気的に中性の［（ＯＨ）_x（ＮＨ₃）_yＺｎ］_z（ｘ、ｙ及びｚは、互いに無関係に、０．０１〜１０である）が前駆体化合物として使用される場合、これを酸化亜鉛又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって得る、基材上に少なくとも１種の半導体金属酸化物を含有する層を製造するための方法、この方法によって得られる、少なくとも１種の半導体金属酸化物で被覆されている基材、この基材の、電子部品における使用、並びに電気的に中性の［（ＯＨ）_x（ＮＨ₃）_yＺｎ］_z（式中、ｘ、ｙ及びｚは、互いに無関係に、０．０１〜１０である）を、酸化亜鉛及び／又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって製造するための方法に関する。
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