本発明は、半導体工業における型ＮｉＭ−Ｒ（但し、ＭはＭｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｃｒであり、ＲはＢ、Ｐであるものとする）の無電解メッキされた三成分系ニッケル含有金属合金の使用に関する。殊に、本発明は、半導体構造素子中での銅の拡散およびエレクトロマイグレーションを阻止するための、バリヤー材料としてかまたは選択的なケーシング材料としての前記のメッキされた三成分系のニッケル含有金属合金の使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、脱ガスされた電気化学的析出溶液、脱ガスされた電気化学的研磨溶液、脱ガスされた無電解析出溶液、脱ガスされた洗浄液などの脱ガスされた処理溶液を用いることによって、導体層を湿式処理するための方法及び装置を提供する。この技術は、処理装置に脱ガスされた処理溶液を送る前に処理溶液を脱ガスすること又は処理装置においてイン−サイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）で処理溶液を脱ガスすることを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 酸化膜を形成しやすい材料を用いて配線形成する場合でも、メッキによる金属膜を十分に積層する。
【解決手段】 第１導電膜２ａと、メッキにより第１導電膜２ａ上に成膜された第２導電膜４とを有する膜パターン７を基板１上に形成する。第１導電膜２ａに対してエッチングを行う工程と、第１導電膜２ａに対してメッキ処理の触媒を付与する工程とを、第２導電膜４をメッキ形成する前に同一工程で実施する。 （もっと読む）

【課題】 基材表面上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、基材が複雑な構造部を有する場合においても、簡便なプロセスで均一な金属酸化物膜を得ることが可能であり、さらに結晶性に優れた金属酸化物膜を得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、基材表面に、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を接触させることにより金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記基材表面と上記金属酸化物膜形成用溶液とを接触させる際に、光を照射することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 基材表面上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、基材が複雑な構造部を有する場合においても、簡便なプロセスで均一な金属酸化物膜を得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、基材表面に、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を接触させることにより金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記基材表面と上記金属酸化物膜形成用溶液とを接触させる際に、酸化性ガスを混合することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 基材表面上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、基材が複雑な構造部を有する場合においても、簡便なプロセスで均一な金属酸化物膜を得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、基材表面に、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を接触させることにより金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が酸化剤を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的の１つは、パターン精度の向上が図れるめっき方法を提供することにある。
【解決手段】 めっき方法は、（ａ）遮光層１２が形成された第１の基板１０の上方に界面活性剤層１４を形成すること、（ｂ）第１の基板１０の遮光層１２以外の領域を透過する光２４を、第１の基板１０に対して界面活性剤層１４が形成された側とは反対側から照射し、界面活性剤層１４をパターニングすること、（ｃ）界面活性剤層３０を第１の基板１０から第２の基板２０に転写すること、（ｄ）界面活性剤層３０の上方に触媒層３２を形成し、触媒層３２の上方に金属層３４を析出させること、を含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的の１つは、金属層の所望の厚みを容易に得ることができる、めっき方法及び電子デバイスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】 めっき方法は、基板１０の同一面の少なくとも第１及び第２のパターン領域１２，１４の上方に金属層を形成することを含み、（ａ）第１のパターン領域１２の上方に第１の界面活性剤層２０を形成し、第１の界面活性剤層２０の上方に第１の触媒層４０を形成し、第１の触媒層４０の上方に第１の金属層５０を析出させ、（ｂ）第２のパターン領域１４の上方に第２の界面活性剤層６０を形成し、第２の界面活性剤層６０の上方に第２の触媒層７０を形成し、第２の触媒層７０及び第１の金属層５０の上方に第２の金属層８０，８２を析出させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的の１つは、パターニング精度の向上を図ることができる、めっき方法を提供することにある。
【解決手段】 めっき方法は、基板１０の同一面の少なくとも第１及び第２のパターン領域１２，１４の上方に、界面活性剤層、触媒層及び金属層を形成することを含み、第１のパターン領域１２の上方には、光照射によるパターニングにより第１の界面活性剤層２０が形成され、第２のパターン領域１４の上方には、光照射によるパターニングにより第２の界面活性剤層６０が形成され、第１の界面活性剤層１０を形成するときの光の照射条件は、第２の界面活性剤層６０を形成するときの光の照射条件と異なる。 （もっと読む）

【課題】 低コストで容易且つ大面積に柱状構造体を形成することができるナノ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１１上に設けられた細孔２２内へめっき法により金属を充填するナノ構造体の製造方法において、少なくともめっき用の金属イオンを含み還元剤を含まない溶液Ｉ（２７）および少なくとも還元剤を含みめっき用の金属イオンを含まない溶液ＩＩ（２６）を用意する工程、該溶液Ｉ（２７）を基板の細孔内に充填する工程、溶液Ｉを充填した基板を溶液ＩＩ（２６）に浸漬し、溶液Ｉの金属イオンと溶液ＩＩの還元剤による無電解めっきにより細孔内に金属２８を析出する工程を有するナノ構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ピンホールなどの欠陥が少ない良好なめっきを効率的に行うことができるめっき方法及びめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき槽６１では、ＣＯ２及び無電解めっき液を含むめっき分散体を用いて無電解めっきを行う。この無電解めっきにより、めっき槽６１内の基体としての基体管の内側表面又は外側表面に、第１金属膜としてのＰｄ膜が形成されると、制御部８０は、ＣＯ２及び無電解めっき液を含むめっき分散体の供給を停止し、電源６２のスイッチをオンにする。これにより、ＣＯ２及び電解めっき液を含むめっき分散体が供給され、電極に電圧が印加されて、めっき槽６１内において電解めっきを行う。この電解めっきにより、無電解めっきにより形成された第１金属膜のＰｄ膜の上に、第２金属膜のＰｄ膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】
有機物で修飾された基板の表面を高度に平滑とし、メッキ核の吸着サイトを均一に分散し、さらにメッキ浴に対する化学的安定性を高めることによって、ナノレベルで均一な金属皮膜を有する無電解メッキ用基板、無電解メッキされたメッキ基板の提供。
【解決手段】
疎水性の繰り返し単位１と金属ナノ粒子が吸着する機能を有する機能団を含む繰り返し単位２を含有するランダム共重合体の単分子膜が１層以上被覆され、金属ナノ粒子が吸着する機能を有する機能団に吸着した金属ナノ粒子をメッキ核として無電解メッキされたメッキ基板およびその製造方法。
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【課題】 簡単かつ安価に、不活性素材上に無電解めっき皮膜を形成できる感受性化処理方法及びそれを用いた無電解めっき皮膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 不活性素材の表面に固体を接触させて付着させる感受性化処理方法であって、前記固体は、２価のスズを含む化合物を含有することを特徴とする感受性化処理方法。 （もっと読む）

【課題】 コストの面で良好であり、良好な導電性を確保することができる無電解用メッキ触媒及びそれを用いた無電解メッキ方法を提供する。
【解決手段】 金属Ｍ_１及びＭ_２からなる合金ナノ粒子を含有し、上記金属Ｍ_１は、Ａｇであり、上記金属Ｍ_２は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｂｉ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＡｕからなる群より選択される１種又は２種以上である無電解メッキ用触媒。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェーハの表面に設けられたトレンチやビヤホール、レジスト開口部にめっき膜を形成したり、半導体ウェーハの表面にパッケージの電極等と電気的に接続するバンプを形成したりするのに使用されるめっき装置に関する。めっき装置（１７０）は、めっき液（１８８）を保持するめっき槽（１８６）と、被めっき材を保持して該被めっき材の被めっき面をめっき槽（１８６）内のめっき液（１８８）に接触させるホルダ（１６０）と、めっき槽の内部に配置され、ホルダで保持した被めっき材の被めっき面に向けてめっき液を噴射してめっき槽（１８６）内にめっき液（１８８）を供給する複数のめっき液噴射ノズル（２２２）を有するリング状のノズル配管（２２０）を備えている。
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【課題】 被めっき物に密着性に優れためっき被膜を形成する無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】 基板１の表面にシランカップリング処理を施し、基板１をニッケルめっき浴に液浸させることによって、基板１のシランカップリング処理が施された面にＮｉめっき被膜２を形成した後に、基板１をｐＨ１０以下の銅めっき浴に液浸させることによって、基板１のＮｉめっき被膜２が形成された面にＣｕめっき被膜３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 スズまたはスズ合金めっきを行った後、室温で５０００ｈｒ放置した場合であっても、確実にウィスカーの発生を防ぐことのできる簡便な手段を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）硫酸、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸ならびにそれらの誘導体、（Ｂ）過酸化物および（Ｃ）銅よりも電位が貴である金属イオンを含有するスズまたはスズ合金めっき用ウィスカー防止剤並びに被めっき素材を、上記のスズまたはスズ合金めっき用ウィスカー防止剤に浸漬した後、スズまたはスズ合金めっきを行うことを特徴とするスズまたはスズ合金めっきのウィスカー防止方法。 （もっと読む）

【解決手段】 被めっき物上に形成された無電解ニッケル−リンめっき皮膜の厚さ方向に配向した柱状晶により構成されている無電解ニッケル−リンめっき皮膜、及び水溶性ニッケル塩と、次亜リン酸及び／又はその塩と、アミノカルボン酸及び／又はその塩とを含み、アミノカルボン酸以外の有機カルボン酸及びその塩を含まない無電解ニッケル−リンめっき浴。
【効果】 本発明の無電解ニッケル−リンめっき皮膜は、柔軟性に優れ、内部応力が小さく、しかも加熱しても内部応力が増加しにくいものである。また、このめっき皮膜が形成されたフレキシブル基板は、皮膜が柔軟性に富み、皮膜に亀裂、剥離が発生しにくいものとなり、このめっき皮膜が形成されたシリコンウェハ基板は、皮膜の内部応力が小さく、加熱処理によるシリコンウェハ基板の反りが発生しにくいものとなる。 （もっと読む）

無電解堆積システムが提供される。該システムは、処理メインフレームと、該メインフレーム上に位置決めされた少なくとも１つの洗浄ステーションと、該メインフレーム上に位置決めされた無電解堆積ステーションとを含む。該無電解堆積ステーションは、環境的に制御された処理エンクロージャと、基板の表面を洗浄及び活性化するように構成された第１の処理ステーションと、該基板の表面に層を無電解堆積するように構成された第２の処理ステーションと、該第１の処理ステーションと第２の処理ステーションとの間で基板を移送するように位置決めされた基板移送シャトルとを含む。また、該システムは、該メインフレーム上に位置決めされ、かつ該処理エンクロージャの内部にアクセスするように構成された基板移送ロボットも含む。また、該システムは、噴射プロセスにより、該処理エンクロージャ内に載置された基板に処理流体を送出するように構成されている流体送出システムも含む。 （もっと読む）

難めっき材へ密着力よく金属めっきする方法を提供することを目的とする。 本発明は、一分子中に金属補足能を持つ官能基を有するシランカップリング剤で被めっき材を表面処理し、１５０℃以上の高温で熱処理し、貴金属化合物を含む溶液で表面処理をし、無電解めっきすることを特徴とする金属めっき方法である。又は、一分子中に金属補足能を持つ官能基を有するシランカップリング剤と貴金属化合物をあらかじめ混合もしくは反応させた液で被めっき材を表面処理し、１５０℃以上の高温で熱処理し、無電解めっきすることを特徴とする金属めっき方法である。
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