【課題】基材を保持するとともに、基材の平坦面の露出領域の面積を任意に変更することが可能な保持治具を提供する。
【解決手段】保持治具５０は、透明基材１０ａ下面の反射領域１０ａ以外の領域をマスクするマスク部材５３Ａ、５３Ｂを有している。このマスク部材５３Ａ、５３Ｂはフレーム５１に対して着脱可能であるため、反射膜１０ｂを形成した後にマスク部材５３Ａ、５３Ｂをフレーム５１から取り外すことで、透明基材１０ａを別の保持治具などに載せ替えることなく、接着領域１０ｃを露出させることが可能となる。これにより、作業効率を向上させるとともに、透明基材１０ａへの薄膜形成工程の工数を削減することができ、ミラー１０の製造コストを削減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】表面全体にわたる十分な厚さの内部空洞壁のコーティングを得ることを可能にすること。
【解決手段】本発明は、金属ターボ機械部品の高温酸化保護用の気相堆積によるアルミ被覆プロセスに関し、上記部品（１）は空洞を含み、金属構成要素（９）が上記部品の開口部（５）から導入されて組み立てられる。
このプロセスに従って、ハロゲンとアルミニウムを含む金属ドナーの間の反応によってハロゲン化物が形成され、次いで、ハロゲン化物はキャリアガスによって運ばれて上記金属部品に接触し、金属構成要素（９）はプロセスの実施の前に最初にアルミニウムドナーとして働くためにアルミニウムで表面富化にされている。
本発明は、特にライナーを組み込むノズル案内翼に適用される。 （もっと読む）

【課題】仕事関数の低い材料を迅速に有機層と陰極との界面近傍に挿入する。
【解決手段】スパッタ装置Ｓｐは、銀Ａｇからなるターゲット材３０５と、処理容器外に設けられ、銀Ａｇよりも仕事関数が小さいセシウムＣｓを加熱して蒸発させるディスペンサＤｓと、ディスペンサＤｓに連通し、蒸発させたセシウムＣｓの蒸気を、アルゴンガスをキャリアガスとして処理容器内まで搬送させる第１のガス供給管３４５と、処理容器内に高周波電力を供給する高周波電源３６０とを有する。制御器５０は、高周波電力のエネルギーを用いてアルゴンガスを励起させてプラズマを生成し、生成されたプラズマによりターゲット材３０５から叩き出された銀Ａｇ原子をメタル電極３０として成膜する際、ディスペンサＤｓの温度を制御することにより成膜中のメタル電極３０に混入させるセシウムＣｓの割合を制御する。 （もっと読む）

【課題】低熱伝導率、低溶融温度、高耐食性を有して、レーザーマーキングに対応可能な光情報記録用Al合金反射膜、この反射膜を備えた光情報記録媒体、及び、この反射膜の形成用のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】(1) 光情報記録媒体用Al合金反射膜であって、Alを主成分とし、希土類元素の少なくとも１種を1.0 〜10.0原子％含有し、更にCr，Ta，Ti，Mo，Ｖ，Ｗ，Zr，Hf，Nb，Niの少なくとも１種を0.5 〜５.0原子％含有することを特徴とする光情報記録用Al合金反射膜、(2) 前記Al合金反射膜においてFe，Coの少なくとも１種を1.0 〜5.0 原子％含有するものや、In，Zn，Ge，Cu，Liの少なくとも１種を1.0 〜10.0原子％含有するもの、(3) 前記Al合金反射膜を有していることを特徴とする光情報記録媒体、(4) 前記Al合金反射膜と同様の組成を有するAl合金よりなるスパッタリングターゲット等。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗が高く、且つ優れた耐久性を有する半透過鏡を提供する。
【解決手段】基板上に、金属反射膜、及び保護塗膜がこの順に積層された半透過鏡であって、前記金属反射膜がスズとアルミニウムとを含み、その金属反射膜中のアルミニウムの含有率が８〜４０質量％である半透過鏡。 （もっと読む）

【課題】高融点メタルをバリア層として形成することなく、Ｓｉ膜またはＳｉを主成分とする膜と良好なコンタクト特性を実現するＡｌ合金膜を提供する。
【解決手段】半導体デバイスは、シリコンを主成分とする膜と、シリコンを主成分とする膜、例えば、オーミック低抵抗Ｓｉ膜８と直接接続し、接続界面近傍に、少なくともＡｌ、Ｎｉ、及びＮを含むアルミニウム合金膜、例えば、ソース電極９またはドレイン電極１０と、を有する。アルミニウム合金膜は、高融点メタルをバリア層として形成することなく、シリコンを主成分とする膜と直接接続して、良好なコンタクト特性を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ、Ｌａ、およびＳｉを含むＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系Ａｌ合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。
【解決手段】Ｎｉ、Ｌａ、およびＳｉを含有するＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系Ａｌ合金スパッタリングターゲットであって、スパッタリングターゲットの平面に対して垂直な断面における（１／４）ｔ（ｔは厚み）〜（３／４）ｔの部位を走査型電子顕微鏡（２０００倍）で観察したとき、（１）Ａｌ及びＮｉを主体とするＡｌ−Ｎｉ系金属間化合物について、Ａｌ−Ｎｉ系金属間化合物の全面積に対する平均粒径０．３〜３μｍのＡｌ−Ｎｉ系金属間化合物の合計面積≧７０％であり、（２）Ａｌ、Ｎｉ、Ｌａ、およびＳｉを主体とするＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系金属間化合物について、Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系金属間化合物の全面積に対する平均粒径０．２〜２μｍのＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系金属間化合物の合計面積≧７０％である。 （もっと読む）

【課題】各種電子機器、情報機器のディスプレイなどに使用される有機エレクトロルミネッセンス素子の陰極を構成する金属膜を提供する。
【解決手段】Ｂａ：３０〜７０質量％を含有し、さらに酸素：０．０５〜１質量％を含有し、残部がアルミニウムおよび不可避不純物からなる組成を有する金属膜であって、この金属膜は蒸着、スパッタ、その他の方法で成膜される。 （もっと読む）

【課題】ボンディング時に、ロウ材のＩｎとＢａＡｌ：Ｅｕ合金板の成分とが相互に拡散することを防止し、ロウ材のＩｎ層を変質させずに、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとを接合させる。
【解決手段】Ｂａ含有合金スパッタリングターゲットである金属層１１の一方の表面に、Ｂａと合金を形成しない、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏなどの金属からなるバリア層１２を形成し、該バリア層１２の上に、Ｎｉ、Ｃｕなどからなる濡れ性改善層１３をさらに形成し、その後、該一方の表面を、Ｉｎからなるロウ材３を介して、ボンディングによりバッキングプレート２に接合する。 （もっと読む）

【課題】ヒロックと共にエッチング残渣の発生を防止し得る低抵抗Ａｌ配線膜を再現性よく成膜することができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、Ａｌと金属間化合物を形成する少なくとも１種の金属間化合物形成元素を０．１〜２０質量％と、ＡｒおよびＫｒから選ばれる少なくとも１種の元素を５質量％以下（ただし０質量％を含まず）とを含有し、残部が実質的にＡｌからなる。このようなスパッタリングターゲットは、金属間化合物形成元素を含むＡｌ合金原料の溶湯をＡｒガスまたはＫｒガスでバブリングしたり、あるいはＡｌ合金原料の粉末をＡｒまたはＫｒを含む雰囲気中で焼結することにより作製される。 （もっと読む）

【課題】不純物および介在物含有量の少ない、組成分布が均質なアルミニウム−リチウム合金ターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、アルミニウム単一相からなるスパッタリング用アルミニウム−リチウム合金ターゲットの製造方法であって、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気に維持された溶解炉１０の中に設置されているルツボ１２内でアルミニウム２１を溶解する第１の工程と、プランジャ１３を駆動させて、ルツボ１２内のアルミニウム溶湯中にリチウム塊２２を強制浸漬させて攪拌する第２の工程と、ルツボ１２内のアルミニウム−リチウム合金の溶湯を鋳型２５に型注する第３の工程と、アルミニウム−リチウム合金のインゴットの組織制御を行う第４の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層の省略を可能にすると共に、工程数を増やすことなく簡略化し、Ａｌ合金膜を導電性酸化膜に対し直接且つ確実に接触することだけでなく、Ａｌ合金膜に対し、比較的低い熱処理温度を適用した場合でも、電気抵抗率を低減でき、且つ導電性酸化膜と直接接触したときの接触電気抵抗も低減でき、更には優れた耐熱性と耐食性を達成することのできる技術を提供する。
【解決手段】Ａｌ合金膜の上に導電性酸化膜が直接接触する構成を備えた表示装置において、該Ａｌ合金膜が、Ｎｉを０．０５〜２．０原子％と、Ｉｎおよび／またはＳｎを合計で０．０５〜１．０原子％含有するように調整する。 （もっと読む）

【課題】イオンプレーティング法により基体の表面に設けられた金属又は金属化合物の蒸着層と該蒸着層上に設けられた樹脂の保護層とを含む被覆を備えた物品において、基体に対する被覆の密着性、耐候性等の実用特性を満足する物品を提供する。
【解決手段】基材２の表面上に、プライマー層６を形成し、その上にイオンプレーティング法により金属又は金属化合物の蒸着層４を形成し、その上に、２０〜７０質量％のアクリル樹脂成分、１０〜７０質量％のウレタン樹脂成分及び０．５〜２０質量％のシリコーン樹脂成分（但し、アクリル樹脂成分、ウレタン樹脂成分、及びシリコーン樹脂成分の合計量は１００質量％である。）からなるポリマーアロイを含有する塗料を塗布して保護層５を形成することにより、被覆３を備えた物品１を得る。蒸着層４にピンホールが存在すると、プライマー層６、保護層５及び蒸着層４を含む被覆３の基体２に対する密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】融点の低い材料で形成された構造体を使用することを可能とし、またその構造体が封止された空間を高真空にすることができるとともに構造体に封止部材が成膜されない半導体装置製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に形成された可動の構造体３を犠牲膜で覆い、その犠牲膜をシリコン酸化膜５で覆い、さらにそのシリコン酸化膜５に貫通孔を形成する。そして、その貫通孔を介して犠牲膜を除去して可動の構造体３とシリコン酸化膜５との間に空間を形成し、シリコン酸化膜５に流動性の高いアルミニウムまたはアルミニウム合金をスパッタ法により成膜して貫通孔を封止するようにした。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化することなく、除電ユニットからの漏出荷電粒子に起因するフィルムの熱変形を防止することができる巻取式真空成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る巻取式真空成膜（蒸着）装置１０は、冷却用キャンローラ１４と除電ユニット２３の間に、除電ユニット２３からキャンローラ１４へ向かう荷電粒子を捕捉する電荷捕捉体２５を設けることで、除電ユニット２５から漏出した荷電粒子がキャンローラ１４へ到達することを阻止して、キャンローラ１４に印加されたフィルム密着用のバイアス電位の変動を抑止し、フィルム１２に対する静電力を安定に保持する。これにより、フィルム１２とキャンローラ１４の間の密着力が安定に保持されるので、フィルム１２の熱変形が防止されることになる。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録層の磁性粒子の配向性を改善し、かつ磁性粒子を微細化し、記録再生特性の良好な垂直磁気記録媒体を得る。
【解決手段】非磁性基板上に、軟磁性層、微細結晶構造を有し、ＰｄまたはＰｄ合金からなる第一の非磁性下地層、ＲｕまたはＲｕ合金からなる第二の非磁性下地層、及び垂直磁気記録層を積層する。また、前記第一の非磁性下地層が、第一の非磁性下地層が、Ｐｄ−Ｓｉ層であることを特徴とする。前記第一の非磁性下地層は、ガス圧０．５Ｐａ以下の雰囲気で蒸着される。 （もっと読む）

【課題】均一な組織を持ち、酸素を低減できるＡｌＲｕスパッタリングターゲットを安定してかつ低コストで製造できるようにするとともに、パーティクルの発生を防止又は抑制し、成膜の製品歩留りを上げることにより、ハードディスク用の膜形成に好適なＡｌＲｕスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】原料となるＡｌとＲｕを高周波溶解し、Ａｌ１３Ｒｕ４金属間化合物を主成分とする粉末とし、Ｒｕ粉を混合した後焼結する。また、９５ｖｏｌ．％以上のＡｌＲｕ金属間化合物からなる焼結体であるＡｌＲｕスパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】接続ホールを埋め込むＡｌＣｕプラグと層間絶縁膜上に形成するＡｌＣｕ配線とを同時に堆積形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】接続ホール１７内と層間絶縁膜１６の表面とに、同時にＡｌＣｕを堆積してＡｌＣｕ膜２０を形成する。ＡｌＣｕ膜２０の表面をＣＭＰで研磨して、その上にＴｉＮ反射防止膜２１を形成する。平坦な表面を有するＴｉＮ反射防止膜２１を形成することで、ＡｌＣｕ膜２０を含む積層配線のパターニングに際して、ハレーションを防止し、また、ウェットエッチングに際してエッチング液の浸透を防止する。 （もっと読む）

【課題】アンダーコート層を設けずに基材上に金属を強固に蒸着するとともに、製造工程においてチリやゴミが混入する機会を軽減する金属蒸着加工物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】透明又は半透明の基材と、前記基材の上層にアンダーコート層を形成することなく直接金属が蒸着された金属蒸着膜とで構成された金属蒸着加工物。好ましくは、金属蒸着加工物は、アクリル等の透明又は半透明のプラスチック材で構成される基材１と、この基材１上にホットスタンプ加工等で模様等を描画して形成される描画層２と、その基材１上に金属を蒸着することにより形成される金属蒸着膜３と、その金属蒸着膜３の保護のためにこの膜３上に形成される内側保護膜４と、金属蒸着加工物全体を外気や水等から保護するためにその内側保護膜４上に形成される外側保護膜５とを有して構成される。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体の製造において、生産効率を低下させることなく、磁気記録層のピンホールの原因となるパーティクルを捕捉することができ、磁気記録層のピンホールが起因の磁気再生出力低下による不良を低減することができる。
【解決手段】製膜装置の基板搬送ホルダー除膜室１４と基板ロード室２の間にパーティクル捕捉電極１６を設置する。さらに、基板ロード室２以降でＣｏ合金キャップ層形成室１１までの任意の層形成室間に、パーティクル捕捉電極１６を設置する。製膜装置内の電荷を帯びたパーティクルを、正または負に電圧印加されたパーティクル捕捉電極１６のクーロン力によりに捕捉する。 （もっと読む）