【課題】成膜速度を速くしても、アーキング（異常放電）などのスパッタリング不良が発生しないＮｉ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｎｉを０．０５〜１０原子％含有するＡｌ基合金スパッタリングターゲットであり、後方散乱電子回折像法によってＮｉ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲットのスパッタリング面法線方向の結晶方位＜００１＞、＜０１１＞、＜１１１＞、および＜３１１＞が下記（１）〜（３）の要件：
（１）＜００１＞±１５°と＜０１１＞±１５°と＜１１１＞±１５°と＜３１１＞±１５°との合計面積率をＰ値としたとき、スパッタリング面全面積に対するＰ値の比率は７０％以上、
（２）Ｐ値に対する、＜０１１＞±１５°の面積率の比率は３０％以上、
（３）Ｐ値に対する、＜１１１＞±１５°の面積率は１０％以下
の要件を満足するＮｉ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ及びＬａを含むＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。
【解決手段】Ｎｉ及びＬａを含有するＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットであって、スパッタリングターゲットの平面に対して垂直な断面における１／４ｔ（ｔは厚み）〜３／４ｔの部位を走査型電子顕微鏡（２０００倍）で観察したとき、（１）Ａｌ及びＮｉを主体とするＡｌ−Ｎｉ系金属化合物について、Ａｌ−Ｎｉ系金属化合物の全面積に対する平均粒径０．３〜３μｍのＡｌ−Ｎｉ系金属化合物の合計面積≧７０％であり、（２）Ａｌ及びＬａを主体とするＡｌ−Ｌａ系金属化合物について、Ａｌ−Ｌａ系金属化合物の全面積に対する平均粒径０．２〜２μｍのＡｌ−Ｌａ系金属間化合物の合計面積≧７０％である。 （もっと読む）

無線端末部品の無静電蒸着方法であって、無線端末部品の射出物の上に錫または錫−アルミニウム合金を蒸着するステップを含む方法を提供する。また、本発明は、無線端末部品の無静電蒸着方法であって、無線端末部品の射出物の上に錫または錫−アルミニウム合金を蒸着するステップと、蒸着された錫層または錫−アルミニウム合金層の上にＳｉ、ＳｉＯ₂、Ｔｉ、ＴｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃及びこれらの配合物よりなる群から選ばれる１または２以上の物質を蒸着するステップを含む方法に関するものである。本発明による無線端末部品の無静電蒸着方法は、従来の技術の問題点、すなわち、鏡効果のために無線端末部品にニッケル、クロムなどの金属を蒸着する場合、静電気が発生して無線端末の内部回路性能に悪影響を及ぼす恐れがあるという問題点を克服し、鏡効果とラジオ波性能が維持可能になるだけではなく、無線端末部品の射出物の上に蒸着された錫または錫−アルミニウム合金が剥がれることを防ぎ、無線端末部品の耐傷付き性及び耐衝撃性を高めることができるというメリットがある。
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【課題】基板９の温度を比較的低温に保ちながら、微細なホール９０の内面に配線材料を埋め込むことを可能にする。
【解決手段】基板９に形成された微細なホール９０の内面にアルミのベース薄膜９３をイオン化スパッタによって作成した後、３００℃程度の温度でアルミ膜をスパッタによって作成しながらリフローさせてリフロー薄膜９１を作成する（Ｄ）。ホール９０内のベース薄膜９３が厚いためにリフロー薄膜９１の拡散が促進され、ボイド９２の無い埋め込みが可能になる。ベース薄膜９３は途切れを防止するため１５０℃以下の温度で作成される。スパッタチャンバーはプラズマを形成するイオン化手段を有し、このプラズマ中でスパッタ粒子がイオン化される。イオン化スパッタ粒子は電界設定手段が与える電界によって基板９に垂直に多く入射し、ホール９０内のカバレッジが向上する。 （もっと読む）

【課題】カバレッジを低下させずに成膜速度を速くすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る成膜装置は、表面に半導体基板１が載置されるステージ１４と、ステージ１４の上方に位置し、ステージ１４の表面と略平行に配置された第１のスパッタリングターゲット３４と、ステージ１４の斜め上方に位置し、ステージ１４の表面に対して斜めに配置された第２のスパッタリングターゲット３６とを具備する。この成膜装置によれば、膜となる物質の粒子は、第１のスパッタリングターゲット３４だけではなく第２のスパッタリングターゲット３６からも飛来する。このため、膜が形成される物の表面に凹凸があっても、この凹凸の斜面部分に対する粒子の入射密度は、一部が従来と比較して大きくなる。従って、凹凸部分における膜のカバレッジを低下させずに、成膜速度を従来と比較して速くすることができる。 （もっと読む）

【課題】発光デバイス、光デバイス、マイクロデバイスなどの機能材料として、利用可能な酸化物多孔質体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を用意する工程、該基板上に分散して配置されている柱状構造体と、該柱状構造体を取り囲む領域とを含み構成される膜を非平衡プロセスにより形成する工程、及び前記膜から前記柱状構造体をウェットエッチングにより除去しながら同時に前記領域を酸化処理して酸化物多孔質体を形成する工程を有し、且つ前記柱状構造体は多結晶アルミニウムであり、前記領域はＳｉ、Ｇｅ、あるいはＳｉ_xＧｅ_1-x（０＜ｘ＜１）の非晶質材料で構成され、且つ前記膜には、前記非晶質材料が３０ａｔｏｍｉｃ％以上６０ａｔｏｍｉｃ％以下の割合で含まれるように該膜が形成されている酸化物多孔質体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＡｌまたはＡｌ合金膜から形成された電極や配線と透明電極層とを直接接触させることができ、かつ、信頼性、生産性に優れた半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明にかかる透明性導電膜は、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２およびＺｎＯから実質的に構成される透明導電性膜であって、モル比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）が０．６５〜０．８であり、かつ、モル比Ｓｎ／Ｚｎが１以下であるものである。当該透明導電性膜はＡｌまたはＡｌ合金膜から形成された電極や配線と良好な電気的コンタクト特性を有する。また、当該透明導電性膜と、ＡｌまたはＡｌ合金膜から形成された電極や配線とを備ええる半導体デバイスは、信頼性、生産性に優れる。 （もっと読む）

【課題】従来のようなプライマ塗装を施す必要がなく、樹脂ガラス用高分子基板とハードコート層との付着性が十分に高く、しかも樹脂ガラス用高分子基板の紫外線による劣化が十分に防止できる高度な耐候性を発揮できるとともに優れた耐擦傷性を発揮することが可能な樹脂ガラス用積層体、並びに、その樹脂ガラス用積層体を効率よく且つ確実に製造することが可能な樹脂ガラス用積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】樹脂ガラス用高分子基板と、前記樹脂ガラス用高分子基板上にアルミニウム、ケイ素、チタン、アルミニウム化合物、ケイ素化合物及びチタン化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の微粒子を付着してなる無機層と、前記無機層を介して前記樹脂ガラス用高分子基板に積層されたアルコキシシラン含有ハードコート層とを備えることを特徴とする樹脂ガラス用積層体。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成装置およびこれを用いたスパッタ源は、長尺の棒状あるいは紐状部材の表面全体（端面を除く）にプラズマ処理や被膜形成を施すのに適したプラズマ処理およびスパッタリングに関する方法および装置を提供しようとするものである。具体的には棒状あるいは紐状など細長い部材を取り囲むマグネトロンプラズマやスパッタ源を実現するものである。
【解決手段】非磁性でかつ導電性の部材からなる管状電極と、前記管状電極に接続されたプラズマ生成用電源と、前記管状電極の外周に配置されかつ前記管状電極内部に前記管状電極の軸方向と平行な成分の磁束密度が0.02T以上の静磁場を生成する手段とを備えることを特徴とする、プラズマ生成装置。 （もっと読む）

【課題】垂直記録媒体の高速生産において高い生産安定性を実現するためには、ターゲットに融点の低い組織をもたせないようにするか、その割合を小さくする必要がある。
【解決手段】垂直記録媒体１００の構成層のうち、融点の低い元素を有する層を形成する際には、予め６６０℃より融点の高い金属間化合物を形成した合金粉を用いてターゲットを構成し、熱変形しないようにする。 （もっと読む）

【課題】ＰＶＤによって皮膜を形成した摺動材料において、耐摩耗性および耐疲労性を損なうことなく、初期なじみ性および異物埋収性を向上させる。
【解決手段】摺動材料には、融点が３５０℃以上および３５０℃未満の互いに相分離する２種以上の金属を基材３上にＰＶＤにより被着して皮膜５が形成されている。この皮膜５上に固体潤滑剤板状結晶粒子９を積層して被覆層６を形成する。この場合、被覆層６を構成する固体潤滑剤板状結晶粒子９は、（００ｌ）面が皮膜５の表面と平行で、当該（００ｌ）面の配向指数が９０％以上となるように積層する。 （もっと読む）

【課題】 長時間使用における耐酸化性並びに延性及び靱性が両立した耐酸化膜及びその形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 耐熱金属を有する基材上に、溶射又は蒸着によりＭＣｒＡｌＹ合金（但し、ＭはＣｏ及びＮｉのうちの少なくとも１種の元素を表す）を主として含有するＭＣｒＡｌＹ層を形成し、次いで前記ＭＣｒＡｌＹ層において、前記基材と反対側の面から、該ＭＣｒＡｌＹ層の厚さ方向の一部にアルミニウムを拡散する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の非導電性の基板に対してバイアススパッタによる成膜を行う枚葉式の成膜装置において、生産性を維持したままで、良好にＤＣバイアスを印加することができるようにする。
【解決手段】複数枚の基板１を略々一平面上に保持する基台６と、複数のバイアス印加用端子１３が設けられた導電性のバイアス印加部材１４とを備える。バイアス印加部材１４は、基台６に対し、基台６上に保持された複数の基板１の略々中央を通り各基板１に対して垂直な回転軸回りに回動可能に支持されており、基台６に対して回動されることにより、複数のバイアス印加用端子１３を基台６上に保持された複数の基板１に対応して接離させる。 （もっと読む）

【課題】Ａｌを主成分とするスパッタリングターゲットにおいて、各種デバイスの高性能化等に伴って益々厳しくなってきているスパッタ膜への要求特性を満足させる。
【解決手段】Ａｌを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の酸素量をターゲット全体の酸素量の平均値に対して±２０％以内とする。Ａｌを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の窒素量をターゲット全体の窒素量の平均値に対して±４０％以内とする。Ａｌを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の炭素量をターゲット全体の炭素量の平均値に対して±７０％以内とする。 （もっと読む）

【課題】 多層配線構造を有する半導体装置において、接続孔でクラウンを生じることが無く、高い長期信頼性を有し、生産性、経済性に優れ、十分低いＶｉａホール抵抗を有する反射防止膜の形成方法を含む多層配線構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 高融点金属膜と、ＳｉあるいはＳｉ化合物とからなる反射防止膜との積層膜を下層アルミニウム合金膜の上に配する。 （もっと読む）

【課題】電極に耐腐食性を付与すると共に、発光効率や耐久性が向上した有機ＥＬ素子を提供すること。
【解決手段】陽極と陰極との間に有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、両電極のどちらか一方が、Ａｌ合金層の単層体またはＡｌ合金層とバッファー層との多層体からなり、該有機層が燐光発光性化合物を含んでいることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 （もっと読む）

【課題】大気中に長時間放置しても高強度を維持することができるエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％、Ｍｇ：０．５〜２０質量％を含有し、残部がＢａおよび不可避不純物からなる組成、並びにＭｇとＡｌの金属間化合物相およびＥｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相からなる組織を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲットであって、前記ＭｇとＡｌの金属間化合物相は、Ａｌ_３Ｍｇ_２金属間化合物、Ａｌ_１２Ｍｇ_１７金属間化合物およびＡｌＭｇ金属間化合物とからなり、前記Ｅｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相は、ＢａＡ１_４金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物相およびＢａ_７Ａｌ_１３金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物相からなる。 （もっと読む）

【課題】異なる蒸気圧を有する材料の複数の源から被覆を蒸着するための物理蒸着（ＰＶＤ）法と装置を提供する
【解決手段】装置（１２０）の被覆室（１２２）において、第１材料と第２材料の溶融プール（１１４、１１５）を形成すること、被覆室の中で物品（１３０）を支持すること、及びエネルギービーム（１２６）によって溶融プール（１１４、１１５）を蒸発させて物品の上に制御された合成物によって被覆（１３２）を蒸着することを必然的に伴い、この制御された合成物は、１つの第１金属と、第１金属よりも低い蒸気圧を有する比較的少量の反応性金属を含む。第１材料は少なくとも第１金属を含み、第２材料は反応性金属と少なくとも第２金属とを含む。第２金属と反応性金属は結合されて、第２材料は反応性金属の溶融温度よりも低い溶融温度を持ち、また反応性金属よりも広い溶融範囲を有するようになる。 （もっと読む）

【課題】金属基体にＮｉＡｌ系ボンディングコート及び拡散アルミナイド皮膜を施工する方法の提供
【解決手段】本方法は、外部表面（３８）を有する超合金基体を準備する段階と、超合金基体の外部表面（３８）を任意選択的に清浄化する（１４０）段階とを含む。さらに、超合金基体の外部表面の一部分を物理蒸着法によって、堆積ＮｉＡｌ基合金が約６〜２５重量パーセントの制御した量のアルミニウムを含みかつさらに該ＮｉＡｌ基合金の堆積アルミニウムレベルがアルミナイジング処理後のアルミニウム最終レベルの約５０〜１００％であるように制御したＮｉＡｌ基合金の層で被覆して（１６０）、被覆外部部分を形成する段階と、その後、超合金基体の被覆外部部分と別の表面とを同時にアルミナイジング処理する（１８０）段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】 種々の金属組成の合金被膜を希土類系永久磁石などの個片の表面に簡易に蒸着形成するための方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の真空蒸着方法は、金属Ａと金属Ｂの２種類の金属を少なくとも含む合金被膜（但し金属Ｂは金属Ａよりも高蒸気圧である）を被処理物である個片の表面に蒸着形成するための真空蒸着方法であって、真空処理室の内部の被膜原料溶融蒸発部において、坩堝内の金属Ａの固体と坩堝の直上方に所定の送り速度で案内される金属Ａと金属Ｂを含む合金ワイヤーに対して電子線を照射し、金属Ａの固体と合金ワイヤーを同時に溶融蒸発させることで、合金ワイヤーの送り速度に応じた金属組成の合金被膜を被膜原料溶融蒸発部の上方に位置する個片の表面に蒸着形成することを特徴とするものである。 （もっと読む）