【課題】成膜速度を速くしても、アーキング（異常放電）などのスパッタリング不良が発生しないＮｉ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｎｉを０．０５〜１０原子％含有するＡｌ基合金スパッタリングターゲットであり、後方散乱電子回折像法によってＮｉ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲットのスパッタリング面法線方向の結晶方位＜００１＞、＜０１１＞、＜１１１＞、および＜３１１＞が下記（１）〜（３）の要件：
（１）＜００１＞±１５°と＜０１１＞±１５°と＜１１１＞±１５°と＜３１１＞±１５°との合計面積率をＰ値としたとき、スパッタリング面全面積に対するＰ値の比率は７０％以上、
（２）Ｐ値に対する、＜０１１＞±１５°の面積率の比率は３０％以上、
（３）Ｐ値に対する、＜１１１＞±１５°の面積率は１０％以下
の要件を満足するＮｉ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】製造時に必要とされる光透過性を確保しつつ、十分高い反射率を有し、かつ、光情報記録媒体に用いた場合に再生安定性に優れると共に耐久性にも優れる反射膜を備えた、青色レーザーを使用する読み出し専用の光情報記録媒体（例えば２層ＢＤ−ＲＯＭ）を提供する。
【解決手段】基板上に反射膜および光透過層の積層が複数形成された構造を含み、青色レーザーにより情報の再生が行われる読み出し専用の光情報記録媒体であって、前記反射膜のうち基板に最も近い反射膜が、Ｔｉを０．５〜３．０％（特記しない限り、成分において、％は原子％を意味する。以下同じ。）含有するＡｌ基合金からなり、且つその膜厚が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする読み出し専用の光情報記録媒体。 （もっと読む）

【課題】反射膜表面が基板に形成されたグルーブやピット等を精度よく再現して光情報記録媒体のノイズの低減を図れると共に、高い反射率を有するＡｌ基合金反射膜、およびこうした反射膜を形成するために有用なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の光情報記録媒体用反射膜は、光情報記録媒体に用いられる反射膜であって、この反射膜は、希土類元素を２．０〜１５．０％含むＡｌ基合金からなり、反射膜の厚み方向における結晶子サイズが３０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、ＤｙおよびＥｒから選ばれる少なくとも１種の第１の元素を0.001〜30原子％の範囲で含み、かつ第２の元素としてＣを第１の元素に対して1.8原子ppm〜1630原子ppmの範囲で含み、残部がＡｌからなるスパッタターゲットを作製するにあたって、第１の元素を配合したＡｌを溶解した後、急冷凝固法により第１の元素とＡｌの金属間化合物が均一分散されたインゴットを作製する。このインゴットに熱間加工または冷間加工および機械加工を行ってスパッタターゲットを作製する。 （もっと読む）

【課題】成膜コストを低く抑えることができ、薄膜化が容易で、光反射率の設定可能範囲の広い導電性アルミニウム薄膜を提供する。
【解決手段】基材１１の表面に形成される導電性アルミニウム（Ａｌ）薄膜たる酸素導入Ａｌ薄膜１２ａは、Ａｌにその固溶限界を超える酸素を導入させてなり、１００ａｔ％のアルミニウムに対する酸素導入量がＥＰＭＡによる測定値において５〜８０ａｔ％である。酸素導入Ａｌ薄膜１２ａは、純Ａｌターゲットを用い、グロー放電を利用した物理蒸着法を用い、その成膜雰囲気において希ガス流量に対して酸素流量を制御することにより成膜される。 （もっと読む）

【課題】蒸着膜を形成させても防湿性を保持する脂肪族ポリエステル系フィルム、及びこれに蒸着膜を形成させた防湿性脂肪族ポリエステル系フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも３層からなり、２つの最外層のうち少なくとも１層が無機系粒子含有層であって、この無機系粒子含有層の厚みをａ（μｍ）、無機系粒子の最大粒径をｂ（μｍ）、無機系粒子の平均粒径をｃ（μｍ）としたとき、下記の式（１）〜式（４）の全てを同時に満たし、静摩擦係数を０．８以下とする。
１≦ａ≦１５ （１）、０．５≦ｂ≦２．５ａ （２）、０．１≦ｃ≦５ （３）、ｃ≦ａ （４） （もっと読む）

【課題】低温での熱処理を適用した場合でも十分に低い電気抵抗率を示すと共に、直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減され、かつ耐食性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｃｏを０．０５〜０．５原子％、およびＧｅを０．２〜１．０原子％含み、かつＡｌ合金膜中のＣｏ量とＧｅ量が下記式（１）を満たすことを特徴とする表示装置用Ａｌ合金膜。
［Ｇｅ］≧−０．２５×［Ｃｏ］＋０．２ …（１）
（式（１）中、［Ｇｅ］はＡｌ合金膜中のＧｅ量（原子％）、［Ｃｏ］はＡｌ合金膜中のＣｏ量（原子％）を示す） （もっと読む）

【課題】低温での熱処理後も十分に低い電気抵抗率を示し、かつ直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減されると共に、耐食性および耐熱性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｎｉを０．０５〜０．５原子％、Ｇｅを０．４〜１．５原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．０５〜０．３原子％含有すると共に、ＮｉおよびＧｅの合計量が１．７原子％以下である。 （もっと読む）

【課題】共有結合やイオン結合によって構成されている硬質被膜に、生産性や被膜性能を大きく損なうことなく所定の導電性を持たせて、通電センサ等によって通電の有無を検出する場合にも使用できるようにする。
【解決手段】共有結合またはイオン結合によって構成されている機能層３４の上に、機能層３４と同じ組成であるが非金属元素の割合が機能層３４よりも低い導電層３６を設け、所定の導電性が得られるようにする。すなわち、非金属元素の割合が減ることで共有結合或いはイオン結合の割合が減少し、その分だけ金属結合の割合が増加して導電性が高くなる。これにより、通電センサ等によって検出される通電の有無などで位置を検出したり異常を検知したりする場合にも用いることができる。しかも、導電層３６は、機能層３４と同じ組成で非金属元素の割合を低くしただけであるため、被膜性能や生産性の低下を最小限に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】例えば、スパッタリング法を用いて薄膜を形成する際の生産性を向上させる。
【解決手段】形成すべき一方の薄膜が、Ａｌ／Ｎｄ薄膜である場合には、出力パワーは、５．０〜３０．０Ｗ／ｃｍ□に設定され、チャンバ内の圧力は、０．１〜１．０Ｐａに設定される（スパッタ条件Ａ）。続く、スパッタ条件Ａ下で薄膜を形成する際、Ａｒガスのプラズマ及びＡｌイオンが第１ターゲット部材（９１）及び第２ターゲット部材（９２）の両方に衝突し、Ａｌ原子及びＮｄ原子の夫々がターゲット（３）から叩き出され、基板に付着する。これにより、基板にＡｌ／Ｎｄ合金からなる薄膜が形成される。一方、形成すべき一方の薄膜が、Ａｌ薄膜である場合には、出力パワーは、２．０〜５．０Ｗ／ｃｍ□に設定され、チャンバ内の圧力は、１．０〜２．０Ｐａに設定される（スパッタ条件Ｂ）。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットの使用初期段階でのスプラッシュの発生を軽減し、これにより配線膜等に生じる欠陥を防止し、ＦＰＤの歩留りや動作性能を向上させることが可能なＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｃｕ，Ｇｅ）−（Ｌａ，Ｇｄ，Ｎｄ）系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ａ群（Ｎｉ，Ｃｏ）から選択される少なくとも１種と、Ｂ群（Ｃｕ，Ｇｅ）から選択される少なくとも１種と、Ｃ群（Ｌａ，Ｇｄ，Ｎｄ）から選択される少なくとも１種を各々含有するＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｃｕ，Ｇｅ）−（Ｌａ，Ｇｄ，Ｎｄ）系合金スパッタリングターゲットを構成し、そのビッカース硬さ（ＨＶ）を３５以上にする。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ、Ｌａ、およびＣｕを含むＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。
【解決手段】Ｎｉ、Ｌａ、およびＣｕを含有するＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットであって、スパッタリングターゲットの平面に対して垂直な断面における１／４ｔ（ｔは厚み）〜３／４ｔの部位を走査型電子顕微鏡（２０００倍）で観察したとき、（１）Ａｌ及びＮｉを主体とするＡｌ−Ｎｉ系金属間化合物について、Ａｌ−Ｎｉ系金属間化合物の全面積に対する平均粒径０．３〜３μｍのＡｌ−Ｎｉ系金属間化合物の合計面積≧７０％であり、（２）Ａｌ、ＬａおよびＣｕを主体とするＡｌ−Ｌａ−Ｃｕ系金属間化合物について、Ａｌ−Ｌａ−Ｃｕ系金属間化合物の全面積に対する平均粒径０．２〜２μｍのＡｌ−Ｌａ−Ｃｕ系金属間化合物の合計面積≧７０％である。 （もっと読む）

【課題】安価な材料から成り、しかも光輝性、高電気抵抗、及び高電波透過性を有し、ミリ波対応型の樹脂成型品に適用可能な高抵抗金属薄膜被覆樹脂材料及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】樹脂基材と、前記樹脂基材の表面に形成されたＡｌ及びＭｇを含む高抵抗金属薄膜とを備え、前記高抵抗金属薄膜は、前記樹脂基材表面に層状に形成された酸化物層と、前記酸化物層の表面に孤立した島状に形成された金属粒子と、前記金属粒子の表面及び粒子間に形成された酸化物被膜とを備えた高抵抗金属薄膜被覆樹脂材料。金属Ａｌ領域と金属Ｍｇ領域に分割されたターゲットを用いて、パルスレーザーデポジション法により、樹脂基材表面にＡｌ及びＭｇを含む高抵抗金属薄膜を形成する薄膜形成工程を備えた高抵抗金属薄膜被覆樹脂材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ−Ｃｕ合金内においてＣｕ（溶質元素）を均一に分散させ、かつ、析出するＣｕの粒子をより微細にするための均質化方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ−Ｃｕ合金に対して、２００℃以上、３５０℃以下の温度で４〜１４時間加熱した後、冷却する均質化処理を行う。Ａｌ−Ｃｕ合金からスパッタリングターゲットを製造する場合には、Ａｌ−Ｃｕ合金（スラブ）を熱処理炉に入れて、本発明に係る均質化処理を施した後、一対の圧延ローラ１０・１０を備えた圧延機を用いて当該Ａｌ−Ｃｕ合金に圧延処理（冷間圧延）を行って圧延板に加工する。次いで、当該圧延板を熱処理炉に入れて再加熱処理（焼き鈍し処理・歪み取り処理）を施して目的の圧延板を形成した後、打ち抜き加工等を施して、円盤状のスパッタリングターゲット１１…を製造する。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット材ピース同士を摩擦攪拌接合する際に生じる虞のあった接合不良の発生を低減または解消して、確実に接合されることを可能としたスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 このスパッタリングターゲット材は、複数枚のターゲット材ピース１（１ａ、１ｂ）同士を突き合わせて当該突き合わせ部を摩擦攪拌接合２により接合して１枚板状に形成してなるスパッタリングターゲット材であって、前記ターゲット材ピース１ａ、１ｂ同士の突き合わせ部がそれぞれ、当該ターゲット材ピース１ａ、１ｂの厚さ方向に凹凸した形状で互いに噛み合うように嵌合する噛み合わせ構造３ａ、３ｂを備えている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、ガラス又はガラスセラミックス部材と接する配線を有する電子部品において、ガラス又はガラスセラミックスの気泡の発生を抑制可能でマイグレーション耐性に優れたＣｕ系配線材料を用いた電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、ガラス或いはガラスセラミックス部材と接する配線を有する電子部品であって、Ｃｕ及びＡｌの２元素からなる２元合金から構成され、かつ、Ａｌ含有量が５０.０ｗｔ％以下であり、残部が不可避不純物で構成される配線としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＣＮＴを基板上に直接合成する触媒ＣＶＤ法で、そのカイラリティを制御すること、特に金属的性質を示すアームチェア型ＣＮＴを選択的に合成することは極めて困難である。そこで、本発明の目的は、金属的性質を有するアームチェア型ＣＮＴを選択的に基板上に直接合成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、ＣＮＴ合成時に触媒として作用する金属として準結晶組成から成るアルミニウム３元合金を用いて、それを熱処理することにより準結晶相を有する微粒子を形成して、その合金微粒子を触媒として用いる触媒ＣＶＤ法により、アームチェア型ＣＮＴを選択的に合成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で製造可能であり、かつ、短波長領域の光も透過することが可能な透明電極およびその製造方法を提供する。また、作製された透明電極の光透過率が酸化によって低下することがない透明電極およびその製造方法を提供する。
【解決手段】真空蒸着法により複数種の金属を気化させて基板表面へ蒸着して、上記基板表面に透明電極として上記複数種の金属を含む合金薄膜を形成し、上記複数種の金属には少なくともアルミニウムおよび銀が主成分として含まれるようにしたものであり、上記合金薄膜全体に対する上記アルミニウムの割合が、組成比において上記合金薄膜全体の２割乃至８割であるようにした。 （もっと読む）

【課題】Al合金の配線を用いた画像表示装置において、ヒロックが発生せず、かつ、配線内にボイドが形成されないAl合金の配線を形成する。
【解決手段】下部電極１１２とトンネル絶縁膜１１５と薄膜電極１１７によってMIM電子源１１４が形成される。トンネル絶縁膜１１５は下部電極１１２を陽極酸化することによって形成する。下部電極１１２は信号線１３１の上に形成される。信号線１３１はヒロックを防止するために、Ndを添加するが、Ndの添加量を基板１１１側から連続的に減少させる。その結果トンネル絶縁膜は純Alを陽極酸化した質の良い絶縁膜とすることが出来る。また、本発明では信号線１３１膜内に界面は形成されず、界面に起因したボイドの発生も無い。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの製造工程にて、薄膜形成工程の異常を早期に解決し、かつ低コストのプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】成膜装置内ターゲットに直流電源から電圧を印加しプラズマを発生させる。プラズマ中のイオンがターゲットに衝突しターゲット材料が飛散しウェハに付着して薄膜を形成する。エッチング処理の精度は、プラズマ中のイオンと薄膜が衝突する方向、エネルギーで決まり、イオンを制御性よく薄膜に衝突させるため交流電力源の交流電力を印加する。ウェハを流れる交流電力の電圧，電流，位相を交流電力モニタ装置で測定する。ウェハを流れる交流電力のインピーダンス値の変化により、薄膜形成工程に起因の異常を検出し、ウェハ温度コントローラを制御する。このウェハを流れる交流電力測定で薄膜異常を精度よく監視し、早期に異常を発見することを、新たに成膜装置の監視装置を追加することなく低コストにできる。 （もっと読む）