【課題】 原料フィルムの成膜面に対してマスクパターンを高精度に形成することができる巻取式真空成膜装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１１と、原料フィルム１２の巻出し部１３及び巻取り部１５と、原料フィルム１２に密着しこれを冷却するキャンローラ１４と、原料フィルム１２に金属膜を蒸着させる蒸発源１６と、原料フィルム１２の成膜面に、金属膜の蒸着領域を画定するマスクパターンを形成するマスク形成ユニット２０とを備え、このマスク形成ユニット２０において、原料フィルム１２へ上記マスクパターンを印刷塗布する版胴３２を、シームレススリーブ印刷版で構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の温度の面内均一性を確保しつつ、迅速に半導体基板を昇温することができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るスパッタリング装置は、半導体基板１を載置するステージ１０と、ステージ１０の複数のエリア１０ａ，１０ｂそれぞれを加熱する複数のヒーター１１ａ，１１ｂと、複数のヒーター１１ａ，１１ｂそれぞれを他のヒーターから独立して制御する制御部４０と、ステージ１０に対向する位置に配置されたスパッタリングターゲット２０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 低い温度で成膜が可能なので、高温の熱源を必要とせず、形成される薄膜の機械的、電気的特性を向上させることができる薄膜形成方法及び有機電界発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による薄膜形成方法は、蒸着物質と添加物質とを混合した成膜物質を蒸着させて薄膜を形成する段階を含み、前記添加物質は、前記蒸着物質と共融点を有する物質を使用する。これにより、従来、蒸着物質だけを使用して成膜する場合より、さらに低い温度で成膜が可能である。 （もっと読む）

【課題】 高分子化合物が有する柔軟性や作業性の良さと、金属が有する導電性、ガスバリア性、水分バリア性及び電磁波シールド性などの特性を有するチューブ体を提供すること。
【解決手段】 スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体（ＳＩＢＳ）又はそれを含有する組成物からなるチューブ状成形体と、その表面に室温で超塑性を有する合金からなる薄膜とを有することを特徴とするチューブ体である。 （もっと読む）

【目的】エッチング残渣を抑制するためにＡｌ合金の成膜時の半導体基板温度を低くして配線間短絡不良問題を解消する場合でも、Ａｌ合金成膜の配向性が優れ、表面平滑性を高くできる、Ａｌを主成分とする合金膜からなるアルミニウム配線の形成方法の提供。
【構成】酸化膜上へのＣｕを含有するＡｌ合金のスパッタ成膜時の半導体基板温度を、好ましくは８０℃以上で１３０℃以下、より好ましくは８０℃以上で１００℃以下とし、Ａｌ合金のスパッタ直前の真空中におけるデガス処理を、成膜時の半導体基板温度以上で１３０℃以下にて行うアルミニウム配線の形成方法とする。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗率が低く、電子デバイスの高密度化、特に液晶ディスプレイ等の平面表示素子の大型化、高精細化に適した配線・電極、及びその製造に用いられる放電安定性の高いスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｌに元素周期律表第３族から選ばれる１種以上の金属を総含有量で０．５原子％未満含有し、かつ、酸素含有量が１００ｐｐｍ以下のＡｌ系合金薄膜により配線・電極を形成することにより、同一条件で作製した純Ａｌ薄膜の電気抵抗率と同等の低い電気抵抗率を有し、かつ、ヒロック耐性の高い配線・電極が得られる。このような配線・電極は、元素周期律表第３族から選ばれる１種以上の金属を総含有量で０．５原子％未満含有し、かつ、酸素含有量が１００ｐｐｍ以下であるＡｌ系合金からなるスパッタリングターゲットを用い形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 片当たりによる摺動面の摩耗や焼き付きを効果的に防止する、簡易な構造のすべり軸受を提供する。
【解決手段】 裏金３０の上に中間層４０が積層され、さらに中間層４０の上に軸受合金層５０が積層されてなるすべり軸受において、中間層４０は弾性歪限界が１％以上の擬弾性合金である、すべり軸受である。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ含有皮膜を高硬度化させ、硬質皮膜全体の高硬度化並びに耐熱性を向上させ、耐剥離性に優れ、耐摩耗性の要求される部材等に最適な硬質皮膜を提供し、この硬質皮膜を被覆した硬質皮膜被覆部材及びその被覆方法を提供する。
【解決手段】基体に硬質皮膜を積層した硬質皮膜被覆部材において、硬質皮膜は最下層と最上層と中間積層部とを有し、最下層はＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｎｂから選択される１種以上の金属元素からなる窒化物主体の硬質皮膜、最上層はＳｉが１０から３０％を含有し、非金属成分としてＮ、Ｃ、Ｏ、Ｂの１種以上を含有する非晶質相を含有し、硬度が４０から８０ＧＰａの高硬度な硬質皮膜、中間積層部は金属元素としてＡｌ及びＳｉを含有し、残部Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｗから選択される１種以上の金属元素からなる窒化物、酸窒化物、硼窒化物又は炭窒化物の何れかが主体の積層部、該積層部はＡ層とＢ層とが交互に積層される。 （もっと読む）

【課題】膜中に混入する水分や水素の量を少なくすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】上面に半導体基板１を載置するステージ１２と、ステージ１２上に載置された半導体基板１の周辺部を押さえる押さえ治具３０と、押さえ治具３０に設けられ、半導体基板１の周辺部上に不活性ガスを供給するガス供給口３４ａとを具備する。ステージ１２及び押さえ治具３０を収容するチャンバーと、チャンバーの内側に位置し、ステージの上面とスパッタリングターゲットの間に位置する空間を囲むように配置されたシールド部材とを更に具備してもよい。 （もっと読む）

【課題】アルミ配線層間をタングステンプラグによって電気的に接続する構成において、スルーホール内面全面にバリアメタル層が形成され、タングステンプラグとアルミ配線層との電気的接続の信頼性が高く、接触抵抗が低い半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スルーホール９の内面にチタン膜１０および窒化チタン膜１１の２層構造で構成されるバリアメタル層を形成する。なお、チタン膜１０および窒化チタン膜１１は、層間絶縁膜７の主面上にも形成される。このバリアメタル層の形成に際しては、チタンターゲットを用いた高指向性スパッタリングが可能で、かつ、高周波電圧を半導体基板にバイアスする基板バイアス機構を備え、チタンターゲットからのスパッタ粒子を半導体基板に引き付けることで、窒化チタン膜１１をアモルファス金属膜とすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ−Ｎｄ合金スパッタリングターゲット材と支持体がロウ付されてなる積層体の、ボンディングやＡｌ−Ｎｄ合金薄膜の成膜で生じる反りを抑制して、長期間にわたり安定した成膜操業を行なうことのできるＡｌ−Ｎｄ合金スパッタリング用積層体を提供する。
【解決手段】Ｎｄを０．１〜３原子％含むＡｌ合金からなるＡｌ−Ｎｄ合金スパッタリングターゲット材と支持体がロウ付されてなる積層体であって、前記Ａｌ−Ｎｄ合金スパッタリングターゲット材の２５〜１００℃の平均線膨張係数：Ａと、前記支持体の２５〜１００℃の平均線膨張係数：Ｂが、下記式（１）を満たすことを特徴とするＡｌ−Ｎｄ合金スパッタリング用積層体。 −０．１５ ≦ （Ｂ−Ａ）／Ａ ≦ ０．１５ …（１） （もっと読む）

構成部品に形成された付着膜ｄを従来よりもさらに短時間で剥離し、洗浄液Ｓによるダメージを軽減することが可能な構造を有する成膜装置用構成部品及びこの構成部品の洗浄方法。上記構成部品の母材金属１よりも電気化学的に卑な金属膜層２を溶射、蒸着、スパッタリング、ラミネート等の方法により、母材金属１の表面に形成し、あるいは上記母材金属１よりも電気化学的に貴な第２金属膜層３を上記溶射等の方法により、金属膜層２の表面に形成することにより、金属膜層２が母材金属１もしくは第２金属膜層３との間で局部電池が形成され、母材金属１自体は洗浄液Ｓによるダメージを受けずに、極めて短時間で母材金属１に堆積した付着膜ｄを剥離することが可能となった。
（もっと読む）

【課題】電圧降下による消費電力の増大および表示性能の低下を抑制できるとともに高い発光効率を確保できる有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】透明電極１０および対向電極２０の間に有機発光層を含む有機物層３０が挟持された有機ＥＬ素子１において、透明電極１０を、半導体薄膜および絶縁体薄膜の少なくともいずれか一方と金属薄膜との積層体により構成し、半導体薄膜および絶縁体薄膜を、キャリア濃度が１０²⁰ｃｍ^-3未満でありかつエネルギーギャップが２．７ｅＶ以上のものとし、半導体薄膜または絶縁体薄膜を有機物層３０と隣接させる。これにより、透明電極１０の面抵抗を小さくできるとともに、高い発光効率を確保できる。 （もっと読む）

本発明は、ＡｌＮ域の膜厚が厚く、域内において均一であり、母材との密着性が高い、ＡｌＮ域を表面に有するアルミニウム材料、及びその製造方法を提供する。本発明は、ＣｕＡｌ２を有するアルミニウム材料を準備する工程、及び該アルミニウム材料をプラズマ窒化する工程を有し、これによりアルミニウム材料の表面に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）域を生成する、ＡｌＮ域を表面に有するアルミニウム材料の製造方法を提供する。
（もっと読む）

【課題】ロングスロースパッタやリフロースパッタ等の新スパッタ方式でスパッタリングした際に発生する新たな不良モード（巨大ダストや大きな凹部）の発生を抑制することを可能にしたスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｓｃ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、ＲｅおよびＢからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を0.01〜20質量％の範囲で含み、残部が実質的にＡｌからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、ＡｒおよびＫｒから選ばれる少なくとも1種の元素を含むガスを使用する。得られたインゴットまたは焼結体を加工してスパッタリングターゲットを作製する。 （もっと読む）

【課題】超高真空環境でもアウトガスを発生させない非移行型のプラズマトーチを用いて生成させた微粒子を超音速のガス流により加速させ、基板に堆積させた微粒子により皮膜形成する物理蒸着装置を提供する。
【解決手段】内部にプラズマトーチ（１６，２６）と蒸発源（１５，２５）を有する蒸発チャンバー（１０，２０）と、超音速ノズル３５と成膜対象基板３３を有する成膜チャンバー３０を有し、各プラズマトーチは、略円筒形の導電性のアノード４０と、その内側に挿入された、ベークライトよりもアウトガスの少ない高分子系または非高分子系の絶縁管５０と、絶縁管５０の内側に挿入された棒状のカソード６０を有する。アノード４０とカソード６０に電圧印加して得たプラズマで蒸発源（１５，２５）から微粒子を生成し、超音速ノズル３５から噴出して超音速ガス流に乗せ、成膜対象基板３３に物理蒸着させる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の低抵抗配線を作製するにあたって、新スパッタ方式でスパッタリングした際に発生する新たな不良モードの発生を抑制する。
【解決手段】Ａｌ合金配線を有する液晶表示装置を製造するにあたって、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｓｃ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、ＲｅおよびＢからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を0.01〜20質量％の範囲で含み、残部が実質的にＡｌからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、ＡｒおよびＫｒから選ばれる少なくとも1種の元素を含むガスを使用し、得られたインゴットまたは焼結体を加工してスパッタリングターゲットを作製する。このスパッタリングターゲットをスパッタして形成したＡｌ合金膜にエッチング処理を施してＡｌ合金配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｔｈ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｓｉ、ＰｂおよびＢから選ばれる少なくとも1種の第１の元素を0.001〜30原子％の範囲で含み、残部が実質的にＡｌからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、Ｏ、ＮおよびＨから選ばれる少なくとも1種の第２の元素を含むガスを使用する。得られたインゴットや焼結体を加工してスパッタターゲットを作製する。 （もっと読む）

【課題】ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、ＤｙおよびＥｒから選ばれる少なくとも1種の第１の元素を0.001〜30原子％の範囲で含み、残部が実質的にＡｌからなるスパッタターゲットを作製するにあたって、第１の元素を配合したＡｌを溶解した後、急冷凝固法により第１の元素とＡｌの金属間化合物が均一分散されたインゴットを作製する。このインゴットを加工してスパッタターゲットを作製する。 （もっと読む）

本発明は、バリヤー層を形成するための方法を含む。材料はECAEターゲットからアブレートされ、基体表面上にわたって1%未満またはそれと同等の1シグマの厚みバラツキを有する層を形成する。本発明は、トンネル接合を形成する方法を含む。薄フィルムは、第１の磁性層と第２の磁性層との間に形成される。その薄フィルム、第１の磁性層および／または第２の磁性層は、ECAEターゲットから材料をアブレートすることにより形成され、非ECAEターゲットを使用して形成された対応する層と比較して改善された層厚み均一性を呈する。本発明は、物理蒸着ターゲットおよびそのターゲットを使用して形成された薄フィルムを含む。そのターゲットは、アルミニウムとGa、ZrおよびInから選択された少なくとも１つの合金化元素との合金を含有する。得られたフィルムは、その薄フィルム上にわたって1.5%未満の1シグマの厚みバラツキを有する。
（もっと読む）