【課題】窒化物半導体層をチャネルとして用いたトランジスタにおいて、閾値電圧を高くする。
【解決手段】第２窒化物半導体層２００は、Ａｌの組成比が互いに異なる複数の窒化物半導体層を順次積層した構造を有するため、Ａｌ組成が階段状に変化している。第２窒化物半導体層２００を形成する複数の半導体層は、それぞれが同一方向に分極している。そしてゲート電極４２０に近い半導体層は、ゲート電極４２０から遠い半導体層よりも、分極の強度が強く（又は弱く）なっている。すなわち複数の半導体層は、ゲート電極４２０に近づくにつれて、分極の強度が一方向に変化している。この分極の方向は、複数の半導体層内の界面において負の電荷が正の電荷よりも多くなる方向である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ショットキーダイオード及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明のショットキーダイオードは、第一金属層と、半導体層と、第二金属層と、を含む。前記第一金属層及び前記第二金属層は、相互に間隔をあけて設置され、それぞれ前記半導体層に電気的に接続されている。前記第一金属層と、前記半導体層との接合方式は、ショットキー接触である。前記第二金属層と、前記半導体層との接合方式は、オーミック接触である。前記半導体層は、高分子絶縁材料及び該高分子絶縁材料に分散した複数のカーボンナノチューブからなる。 （もっと読む）

【課題】配線等のパターンを、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して得られた表示装置である。また配線等のパターンを所望の形状で制御性よく形成された導電膜を有する表示装置である。
【解決手段】トランジスタ上の第１の導電膜と、第２の導電膜とは、複数の屈曲点を有するコの字状に設けられる。本形状であっても、第１の導電膜と、第２の導電膜とはパターンを所望の形状で制御性よく形成される。なお、第１の導電膜と第２の導電膜は、共通電極層と、画素電極層となることができる。 （もっと読む）

【課題】コンパクトでありながら、より安定した動作を行う薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】この薄膜トランジスタは、ゲート電極と、絶縁膜を介してゲート電極と対向して配置された有機半導体層と、この有機半導体層の上に設けられた絶縁性構造体と、互いに離間して配置され、かつ、有機半導体層の上面の一部とそれぞれ接するソース電極およびドレイン電極と、絶縁性構造体を覆い、ソース電極と接続されると共にドレイン電極と分離された導電性材料層とを有する。 （もっと読む）

【課題】高品質のオーミックコンタクトをIII−Ｖ族半導体材料に形成して、消費電力が低くて長寿命の半導体デバイスを作製する。
【解決手段】半導体デバイス１００は、第１の伝導帯および第１の価電子帯のエネルギレベルを有する第１のIII−Ｖ族半導体層１１０、第２の伝導帯および第２の価電子帯のエネルギレベルを有する第２のIII−Ｖ族半導体層１２０、およびフェルミエネルギレベルを有する金属層１３０を含む。このフェルミエネルギレベルは第１および第２の価電子帯のエネルギレベルより高く、第２の価電子帯のエネルギレベルは金属層１３０のフェルミエネルギレベルと第１の価電子帯のエネルギレベルとの間に存在する。 （もっと読む）

【課題】不純物の混入が抑えられるとともに、比較的均質な形状及び大きさに生成された金属のナノ粒子を含むナノ粒子インクで被印刷体にパターンの転写を行うことができる技術を提供する。
【解決手段】印刷装置１は、基板Ｗを保持する載置ステージ２０と、金属のイオンを含んだイオン溶液を供給する溶液供給部３０と、イオン溶液を通過させる溶液通過層１００を備える版胴１０と、を備える。溶液通過層１００はナノメートルオーダーの空孔が分布した多孔質材料によって形成されたナノ多孔質層１１２を備える。イオン溶液はナノ多孔質層１１２を通過することによって金属のナノ粒子を含むナノ粒子溶液に変化する。版胴１０は、溶液通過層１００の外側に形成された転写面１１３５から滲出したナノ粒子溶液の所定のパターンを基板Ｗに転写する。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることが可能な半導体素子およびその製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体素子は、有機半導体層と、この有機半導体層と接するように配設された電極と、この電極とは別体として形成され、かつ電極と電気的に接続された配線層とを備えている。半導体素子の製造方法は、基板上に、有機半導体層およびこの有機半導体層と接する電極を形成する工程と、この電極と電気的に接続された配線層を形成する工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い導電膜パターンの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る導電膜パターンの製造方法は、基板１０上に導電膜２１を成膜し、導電膜２１の表面に対して他の層を積層する前に、酸素をプラズマ化したプラズマアッシング処理を施し、表面処理した導電膜２１上に、当該導電膜２１をパターン形成するためのマスクパターン３０を形成する。次いで、マスクパターン３０を用いて導電膜２１をウェットエッチングによりパターン形成する。基板１０は、半導体基板であることが好ましい。導電膜パターンは、例えば、配線、電極パッド等である。 （もっと読む）

【課題】ゲートラストプロセスの工程数を削減しつつ、所望の信頼性及び特性が得られるメタルゲート電極を備えたＭＩＳＦＥＴを実現できるようにする。
【解決手段】各ゲート溝の少なくとも底面上にゲート絶縁膜１１２及び保護膜１１３が順次形成されている。一方のゲート溝内の保護膜１１３の上には第１の金属含有膜１１４ａ及び第２の金属含有膜１１４ｂが順次形成されており、他方のゲート溝内の保護膜１１３の上には第２の金属含有膜１１４ｂが形成されている。一方のゲート溝内の保護膜１１３の厚さと比べて、他方のゲート溝内の保護膜１１３の厚さは薄い。 （もっと読む）

【課題】本実施形態は、窒化物半導体層のクラックがほとんどなく、表面の粗度が極めて優秀であるので、全体的な安定性の向上された窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】本実施形態の窒化物系半導体素子は、基板と、前記基板上に形成されるアルミニウムシリコンカーバイド（ＡｌＳｉ_ｘＣ_１−ｘ）前処理層と、前記前処理層上に形成されるＡｌがドーピングされたＧａＮ層と、前記ＡｌがドーピングされたＧａＮ層上に形成されるＡｌＧａＮ層とを含む。 （もっと読む）

【課題】被蒸着膜を高精細なパターンで形成することが可能な蒸着用マスクを提供する。
【解決手段】蒸着用マスクは、１または複数の第１開口部を有する基板と、この基板の第１主面側に設けられると共に、各第１開口部と対向して１または複数の第２開口部を有する高分子膜とを備える。蒸着の際には、蒸着材料が第１開口部および第２開口部を順に通過することにより、第２開口部に対応した所定のパターンで被蒸着膜が形成される。基板と高分子膜とを組み合わせて用いることにより、機械的強度を保持しつつも、金属膜のみで構成されている場合に比べ、第２開口部において微細かつ高精度な開口形状を実現できる。 （もっと読む）

【課題】半導体膜と電極又は配線との接触抵抗を低減し、かつ半導体膜と電極又は配線と
の被覆率を改善し、特性を向上させた半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板上にゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶
縁膜上に第１のソース電極又はドレイン電極と、前記第１のソース電極又はドレイン電極
上に島状半導体膜と、前記島状半導体膜及び前記第１のソース電極又はドレイン電極上に
第２のソース電極又はドレイン電極とを有し、前記第２のソース電極又はドレイン電極は
前記第１のソース電極又はドレイン電極と接触しており、前記第１のソース電極又はドレ
イン電極及び第２のソース電極又はドレイン電極が前記島状半導体膜を挟みこんでいる半
導体装置及びその作製方法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、保護膜の境界面での膜厚を厚くし、はんだが金属膜の下方に侵入し難い半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０と、
該基板に積層された金属膜３０と、
該金属膜に積層されたはんだ層４０と、
前記基板に積層され、前記金属膜及び前記はんだ層に接するように形成されたポリイミドからなる保護膜５０とを備え、
該保護膜は、前記金属膜と接する界面において、前記基板から離れるにつれて前記金属膜側に迫り出す形状を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】印刷法による少ない工程数のメリットを生かしつつ、より微細であり、絶縁性の低下がなく、導電部寸法精度の高い、配線部材および電子素子の製造方法を提供することを目的とする。また、配線部材、積層配線、電子素子、電子素子アレイ及び表示装置を提供することを目的とする
【解決手段】基板上にエネルギーの付与により臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する工程、紫外領域のレーザーを用いたレーザーアブレーション法により、濡れ性変化層に凹部を形成する工程、凹部に導電性インクを塗布して導電部を形成する工程、を含み、前記濡れ性変化層の凹部のパターン形成と同時に、前記臨界表面張力を変化させて高表面エネルギー領域のパターン形成が行われることを特徴とする配線部材の製造方法、電子素子の製造方法、及び、それにより得られた配線部材、電子素子を提供する。また、電子素子アレイ及び表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】グラフェンの特性を生かしつつ、高耐圧デバイスや紫外発光・受光デバイスを実現する。
【解決手段】半導体デバイスを、２次元構造のグラフェン電極２、３と、グラフェン電極のグラフェン端に結合した２次元構造のボロンナイトライド半導体層５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】基板の表面全域にわたって均一にめっき処理を施すめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を保持して回転させる基板回転保持機構１１０と、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に向けてめっき液を吐出する吐出機構２１と、吐出機構２１にめっき液を供給するめっき液供給機構３０と、基板回転保持機構１１０およびめっき液供給機構３０を制御する制御機構１６０と、を備えている。吐出機構２１は、基板２に向けてめっき液を吐出する吐出口４１を含む第１ノズル４０と、第１ノズル４０の吐出口よりも基板２の中心部に近接するよう位置することができる吐出口４６を含む第２ノズル４５と、を有している。まためっき液供給機構３０は、第１ノズル４０に供給されるめっき液の温度が第２ノズル４５に供給されるめっき液の温度よりも高くなるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３系化合物を半導体として用い、これに適合したショットキー特性が得られる電極を有するＧａ_２Ｏ_３系化合物半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明のＧａ_２Ｏ_３系半導体素子は、ｎ型導電性を有するβ−Ｇａ_２Ｏ_３化合物半導体からなるｎ型層と、前記ｎ型層上に形成されたショットキー特性を有する電極とを備え、前記電極は、Ａｕ、Ｐｔ、あるいはＮｉ及びＡｕの積層体のいずれかによって構成される。 （もっと読む）

【課題】改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池１は、光電変換部１０と、第１の電極２１と、第２の電極２２とを備える。第１の電極２１は、光電変換部１０の一主面１０ａの上に配されている、第２の電極２２は、光電変換部１０の他主面１０ｂの上に、第１の電極２１よりも小面積に配されている。第１の電極２１は、第１の第１電極導電層２１ａと、第２の第１電極導電層２１ｃとを含む。第１の第１電極導電層２１ａは、光電変換部１０の一主面１０ａの上に配されている。第２の第１電極導電層２１ｃは、第１の第１電極導電層２１ａの上に配されている。第１の第１電極導電層２１ａは、第２の第１電極導電層２１ｃよりも高い光反射率を有する。第２の第１電極導電層２１ｃは、第１の第１電極導電層２１ａよりも低い電気抵抗を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを用いて、逆方向特性が良好なショットキーダイオードを高い歩留まりで得る。
【解決手段】図１（ｂ）に示されるように、バリアメタル２１を部分的にエッチングする（電極層エッチング工程）。電極層エッチング工程によってバリアメタル２１がエッチングされた領域における半導体層１０中に、埋め込み絶縁層を形成する（埋め込み絶縁層形成工程）。図１に示される製造方法においては、この埋め込み絶縁層形成工程は、半導体層エッチング工程、絶縁層形成工程、エッチバック工程からなる。 （もっと読む）

【課題】導体半導体接合を用いて、優れた特性を示す、あるいは、作製の簡単な、あるいは、より集積度の高い電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体層の電子親和力よりも仕事関数の小さな導体との接合においては、導体より半導体層にキャリアが注入された領域が生じる。そのような領域を電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のオフセット領域、あるいは、インバータ等の半導体回路の抵抗として用いる。また、ひとつの半導体層中にこれらを設けることにより集積化した半導体装置を作製できる。 （もっと読む）