種々の材料及びアプローチの１以上を用いてナノ構造体を接続する。種々の例示的実施形態で、ナノ構造体間の接続部で２つ以上のナノ構造体が接続される。ナノ構造体は、接続部で接触するかほぼ接触してよく、接続材料を接続部で堆積及び核形成させてナノ構造体同士を結合する。種々の用途で、核形成した接続材料はナノ構造体間の伝導率（熱的及び／又は電気的）を向上させる。いくつかの実施形態では、接続材料は更に、例えばナノ構造体に沿って成長することにより及び／又はナノ構造体にドープすることにより、ナノ構造体自身の伝導率を上昇させる。
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【課題】良好な印刷性を保持しつつ、体積抵抗率を低く、かつ、アスペクト比を高くすることができ、また、シリコン基板との密着性にも優れる電極を形成することができる太陽電池電極用ペーストおよびそれを用いた太陽電池セルの提供。
【解決手段】銀粉（Ａ）と、所定の式で表される２種の脂肪酸銀塩（Ｂ）と、ビヒクル（Ｃ）とを含有し、
前記銀粉（Ａ）が、平均粒子径が０．７〜５μｍの球状の銀粉末である太陽電池電極用ペースト。 （もっと読む）

【課題】導電性を低下させることなく、基板との密着性が高い導電層を形成可能な銅導体インク、及び導電層と基板との密着性が高く、該導電層の導電性が高い導電性基板を製造し得る製造方法を提供することにある。
【解決手段】銅系ナノ粒子と、熱硬化前の熱硬化性樹脂とを含有する銅導体インクであって、前記熱硬化性樹脂の含有体積が、銅系ナノ粒子を最密充填したときの空隙体積の１／４の体積より大きく、該空隙体積よりも小さい体積である銅導体インクである。また、前記銅導体インクを基板上に塗布し塗布層を形成し、乾燥する工程Ａと、乾燥した塗布層に導体化処理を施し導電層へと変化させる工程Ｂと、前記工程Ａと前記工程Ｂとの間に、又は前記工程Ｂの後に、前記熱硬化性樹脂を熱硬化する工程Ｃと、を含む導電性基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置用基板において、製造コストを低減すると共に、アライメント精度を高める。
【解決手段】電気光学装置用基板は、基板上に設けられた第１の絶縁膜（３１０）と、複数の画素（２０）と、複数の画素にわたって第１の絶縁膜に設けられた第１の凹部と、第１の凹部の底面に設けられた第２の凹部と、第２の凹部に設けられた有機半導体層（２４１）と、該有機半導体層の上に設けられたゲート絶縁膜（２４５）と、該ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、を含み、複数の画素のうち一の画素に対応づけられた薄膜トランジスタ（２４）と、ゲート絶縁膜の上層であって、複数の画素にわたって第１の凹部に設けられた走査線（４０）と、薄膜トランジスタと電気的に接続されたデータ線（５０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高品質な酸化物半導体電極基板を低コストで製造することが可能な酸化物半導体電極基板の製造方法、色素増感型太陽電池、および色素増感型太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】耐熱基板６上に、金属酸化物半導体微粒子を含有する多孔質層形成用塗工液を塗布し、固化させて多孔質層形成用層１２’を形成する多孔質層形成用層形成工程と、多孔質層形成用層を焼成して多孔質体とし、多孔質層を形成することにより酸化物半導体電極基板用積層体１”を形成する焼成工程と、金属層を少なくとも有する第１電極基材１１、および酸化物半導体電極基板用積層体を、導電性接着剤層を介して多孔質層および金属層が対向するように配置することにより、耐熱基板付酸化物半導体電極基板１’を形成する接着工程と、耐熱基板付酸化物半導体電極基板から耐熱基板を剥離して、酸化物半導体電極基板１を形成する剥離工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗に伴う電圧降下や信号遅延によるトランジスタへの信号の書き込み不良を防止した半導体装置を提供することを課題の一つとする。例えば、表示装置の画素に設けたトランジスタへの書き込み不良が引き起こす階調不良などを防止し、表示品質の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】配線抵抗が低い銅を含む配線に、バンドギャップが広く、且つキャリア濃度が低い高純度化された酸化物半導体を接続してトランジスタを作製すればよい。バンドギャップが広い酸化物半導体を用いて、トランジスタのオフ電流を低減するだけでなく、キャリア濃度が低い高純度化された酸化物半導体を用いて正のしきい値電圧を有し、所謂ノーマリーオフ特性のトランジスタとして、オフ電流とオン電流の比を大きくできる。 （もっと読む）

【課題】基板主面に配線を形成する配線形成技術において、微細かつアスペクト比の制御された配線を高いスループットで形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】ステージ１０上に載置した基板Ｗの上部にワイヤＣＷをクランプしたガイドクランプ３３を通過させ、端部クランプ１３で押さえることにより、基板主面に沿ってワイヤＣＷを張り渡す。余分なワイヤをカッタ１４で切断し、ワイヤＣＷに直交するように導電性ペーストＰを塗布することでワイヤを固定する。その後、基板をベーク処理することにより、ワイヤＣＷ表面の低融点金属が融解して基板Ｗに固着するとともに、導電性ペーストＰが焼成される。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられ
た逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース
電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的
に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】 バス配線パターン７１ａに対して交差するフィンガー配線パターン７３ａを基板９の主面に形成する際に、フィンガー配線パターン７３ａを厚膜（高アスペクト比）に形成するとともに、基板９の主面に開始太り３および開始細り４が発生することを防止する。
【解決手段】 基板の主面に形成された第１方向に延びるバス配線パターン７１ａ上に、ノズルからペーストを供給した後、ノズルからのペーストの供給を継続しつつ、ノズルに対して基板９を第１方向と交差する第２方向に沿って移動させて、基板の主面にフィンガー配線パターン７３ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程設備を用いて短い工程時間内に半導体素子のビアを形成できる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１０１に絶縁膜１０７と拡散防止膜１０９で内壁を被覆したビアホール１０５を形成する。荷電された金属粒子１１３を、電気力又は磁気力を利用して移動させて、このホールを金属粒子で充填する。ビアホールの下部から上方へ充填されるので、内部に空隙が発生することを抑制できる。従来技術による銅電気メッキ方式と比較すると、非常に短時間内に大きくて深いビアホールを金属粒子で充填できるため、シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）の工程コスト、及び工程時間を短縮することが出来る。また、従来技術の樹脂成分が多く含まれているメタルペーストを用いる乾式充填方式と比較すると、荷電された金属粒子を用いることで、より密なＴＳＶ金属配線を形成できる。 （もっと読む）

【課題】数マイクロメートルの厚さ及び約１３０℃以下の金属ナノ粒子のアニール温度を有する導電性構造部を形成する方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電性構造部を形成する方法であり、該方法は、金属化合物、還元剤及び安定剤を含む実質的に無溶媒の反応混合物内において安定剤の存在下で金属化合物を還元剤と反応させて、金属ナノ粒子表面に安定剤の分子を有する複数の金属ナノ粒子を形成する工程を含む。前記金属ナノ粒子表面に前記安定剤の分子を有する前記複数の金属ナノ粒子を分離させた後に、ポリマー結合剤、液体及び前記金属ナノ粒子表面に前記安定剤の分子を有する前記複数の金属ナノ粒子を含む液体組成物を液体堆積技術により基板上に堆積して堆積された組成物を形成する。堆積された組成物を次に加熱して基板上に導電性構造部を形成する。 （もっと読む）

【課題】エッチングによりソース・ドレイン電極を形成しても、有機半導体層が損傷を受けることなく、良好なオン／オフ比を示す有機半導体装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１と、前記基板上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２及び基板１上に形成されたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３上に形成されたｐ型有機半導体層４と、有機半導体層４上に形成された保護層５と、保護層５上に形成されたソース電極８及びドレイン電極９と、を有する半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、導電性ナノワイヤーなどナノスケールでの分子集合体を得ることを目的とする。
【解決手段】 具体的には、２本の電極と、電解液と前記２本の電極とを保持する電解セルとを含み、前記２本の電極の間隔が１ｎｍ〜１００μｍであり、前記電解セルに分子集合体を構成する分子を含む電解液を保持させ、電解液と前記２本の電極とが接触した状態で前記２本の電極に電圧を印加することにより分子集合体を製造する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 基板上に形成されたバス配線パターン７１に交差するフィンガー配線パターン７３を塗布形成する際に、フィンガー配線パターン７３を厚膜に形成することができるとともに、その交差部におけるバス配線パターン７１の表面が凸凹になることを抑制する。
【解決手段】 フィンガー配線の塗布工程において、ノズルに対して固定配置されたＣＣＤカメラ１１により、相対移動する基板に形成されたバス配線パターン７１を撮像する撮像工程（ステップＳ５２）により得られたバス配線パターン７１の画像データに基づき、第２ノズル５７からのペーストの供給を一旦、停止した後、ペーストの供給を再び開始する（ステップＳ５４，ステップＳ５６）。 （もっと読む）

【課題】機能性微粒子の純度を高めつつ、機能性微粒子を含む機能膜を基材の表面に安定して形成すること。
【解決手段】開放型で不活性ガスを用いて雰囲気制御を行うヘッド２４を用いて、液中の機能性微粒子４をミストジェット技術にて所望の分布で基板３上に吐出させる工程と、その後に大気圧プラズマ化学輸送法により薄膜８を成膜させる工程とを交互に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】長期間貯蔵された古い金属ナノ粒子を含有する組成物を用いた場合であっても、高い導電性を有する電子デバイスの導電性フィーチャを提供することである。
【解決手段】電子デバイスの導電性フィーチャは、有機系安定剤が表面上に存在する金属ナノ粒子を含有する組成物を、基材上に成膜して成膜組成物を形成し、前記成膜組成物を加熱し、前記成膜組成物をアルカリ組成物に接触させて導電性フィーチャを形成する、ことを含む方法により形成される。前記アルカリ組成物としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、アンモニア、炭酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、有機アミン、イミダゾール、ピリジン、又はその混合物を含むことが好ましく、有機安定剤としては、チオール、アミン、カルボン酸、カルボン酸塩、ポリエチレングリコール、又はピリジンであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体及び先端実装技術、例えば、ゲート電極、オーミック接触、相互接続ライン、ショットキー障壁ダイオード接触、光起電力、太陽電池及び光電子部品形成などにおける様々な目的のために使用されうるケイ化ニッケルの形成工程数を削減する形成方法を提供する。
【解決手段】ケイ素含有基体をニッケルでコーティングし、このニッケルは保護層でコーティングし、この組み合わせはケイ化ニッケルを形成するのに充分な温度に加熱される。このケイ化ニッケル形成は酸素含有環境において行われうる。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタをスイッチング素子として用い、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】加熱処理により脱水化または脱水素化され、表面にナノ結晶からなる微結晶群が形成された酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上に非晶質で透光性のある酸化物導電層を用いてソース電極層及びドレイン電極層を形成し、酸化物半導体層上の酸化物導電層を選択的にエッチングすることで透光性のあるボトムゲート型のトランジスタを形成し、同一基板上に駆動回路部と画素部を設けた信頼性及び表示品質の高い半導体装置を作製する。 （もっと読む）

本発明は、基板上のドープされたシリコン層の製造方法であって、次の工程（ａ）液体シラン配合物および基板の準備、（ｂ）該基板に該液体シラン配合物を塗布、（ｃ）電磁エネルギーおよび／または熱エネルギーの導入、（ｄ）少なくとも１種の、アルミニウムを含有する金属錯体化合物を有する液体調製物の準備、（ｅ）前記工程（ｃ）によって得られたシリコン層に該調製物を塗布、そして引き続き（ｆ）電磁エネルギーおよび／または熱エネルギーの導入によって、前記工程（ｅ）によって得られた被覆の加熱、そして引き続き（ｇ）前記工程（ｆ）によって得られた被覆の冷却、を含むドープされたシリコン層の製造方法、該法によって得られるドープされたシリコン層ならびに感光性素子および電子素子を製造するための該シリコン層の使用に関する。
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【課題】半導体層と電極の接続部に生じる寄生抵抗を抑制し、配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号書き込み不良や階調不良などを防止し、より表示品質の良い表示装置を代表とする半導体装置を提供することを課題の一つとする
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明は酸素親和性の強い金属を含むソース電極、及びドレイン電極と、不純物濃度を抑制した酸化物半導体層とを接続した薄膜トランジスタと、低抵抗な配線を接続して半導体装置を構成すればよい。また、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを絶縁膜で囲んで封止すればよい。 （もっと読む）