【課題】電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製する。
【解決手段】ｎ型及びｐ型の少なくともいずれかの不純物が添加された不純物領域を有する半導体膜と、配線とを有し、配線は、導電性を有する金属酸化物を含む拡散防止膜と、該拡散防止膜上の低抵抗導電膜とを有し、配線と半導体膜とのコンタクト部において、拡散防止膜と不純物領域とが接する。拡散防止膜は、導電膜を酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成されるプラズマに暴露して該導電膜に含まれる金属材料の酸化物を形成し、金属材料の酸化物が形成された導電膜を、水を含む雰囲気に暴露して導電膜を流動化させ、流動化した導電膜を固化することで形成する。 （もっと読む）

【課題】処理雰囲気を適切に制御しつつ、金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切に形成する。
【解決手段】塗布処理装置の塗布ノズル７０には、金属錯体と溶媒を供給する液供給装置７１が接続されている。液供給装置７１は、内部に金属錯体を貯留する金属供給源１００と、内部に溶媒を貯留する溶媒供給源１１０と、金属供給源１００と塗布ノズル７０とを接続する金属供給管１０４と、溶媒供給源１１０と塗布ノズル７０とを接続する溶媒供給管１１４と、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源１２０と、ガス供給源１２０と金属供給管１０４とを接続する第１のガス供給管１２１と、ガス供給源１２０と溶媒供給管１１４とを接続する第２のガス供給管１２３と、を有している。塗布処理装置の内部を減圧する前に、液供給装置７０から塗布ノズル７０へ不活性ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パターンの製造方法に関し、特に、レーザーを用いてパターンを製造する方法に関する。
【解決手段】パターンの製造方法は、基板上に金属有機インク層（20）を形成する第1の段階；前記金属有機インク層（20）を半固体状態に硬化させる第2の段階；前記半固体状態の金属有機インク層（20）にレーザー光を照射し、照射された部分が固体状態に硬化されてパターンが形成される第3の段階、および、前記半固体状態の金属有機インク層（20）を除去して、前記パターンだけを残す第4の段階を含む。 （もっと読む）

【課題】従来の電極方法であるフォトリソグラフィ、マスクスパッタリングは、工程の簡略化、材料使用効率、コスト、多様な基板サイズに対応において解決するには困難な課題があり、インクジェット方式では高精細度なパターンが得られないという課題がある。
【解決手段】感光性塗布型電極材料を用いて、所望の電極パターンニングを行う。本発明による電極作成工程において、コストメリットがある拡散光を光源とするランプを用いて第１の露光と第１の露光よりも大きい露光量をもった第２の露光を施すことで、所望の電極パターンを得ることができる。拡散光を用いた２回露光プロセスによって、例えばＴＦＴ作成において従来の方法では解決できない材料使用効率、コスト、多様な基板サイズに対応という課題かつ、インクジェット方式では解決できない高精細パターニングを解決するものである。 （もっと読む）

【課題】精確かつシャープな輪郭を有する平坦な構造体を、既存のジェット方法を用いて製造する方法を提供する。
【解決手段】基板２を準備するステップと、第１構造体３を基板２の上にジェット方法によって印刷するステップであって、該印刷された第１構造体３が少なくとも１つの第１角部５を含む、ステップと、第２構造体をジェット方法によって、第１構造体３の第１角部５から該第１構造体３の外側にある終点まで、第２構造体４が第１構造体とコンタクトするように印刷するステップであって、該印刷は、第２構造体４とコンタクトする第１構造体３の材料が少なくとも部分的に流体状態にある間に実施される、ステップと、第１構造体３および／または第２構造体４を電気的にコンタクトさせるステップ、とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタソース／ドレイン電極などに適する厚みが均一で高精細なパターン画像の形成方法を提供する。
【解決手段】特定の構造単位を有するポリイミド前駆体及び該ポリイミド前駆体を脱水閉環して得られるポリイミドからなる群より選ばれる少なくとも一種の重合体を含むパターン画像下層膜形成液を基板上に塗布し、乾燥、焼成することでパターン画像下層膜を得る工程と、
得られるパターン画像下層膜に紫外線を照射しパターン画像下層膜の濡れ性を変化させる工程と、
パターン画像形成液が付着したブレードと上記パターン画像下層膜とを相対的に移動させることにより、上記パターン画像下層膜の紫外線照射領域に上記パターン画像形成液を塗布させ、乾燥する工程と、
を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】柱状結晶構造を有する金属を用いた場合でも、簡便な方法で、再現性良く階段構造状のテーパーを有する電極を形成する。
【解決手段】真空状態を保ったままの状態において、同一種類の金属を用いて、スパッタリング法で少なくとも２層の金属膜を成膜する成膜工程と、該成膜工程によって成膜された複数の金属膜にエッチング処理を施すことにより、階段構造状のテーパー形状を端部に有する、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極のうちの少なくとも１つを形成するエッチング工程とによって薄膜トランジスタを製造する。 （もっと読む）

【課題】処理雰囲気を適切に制御しつつ、金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切に形成する。
【解決手段】金属膜形成装置１の処理容器１０の内部は、不活性ガスの大気圧雰囲気又は減圧雰囲気に切り換え可能になっている。処理容器１０の内部には、ウェハＷを保持するスピンチャック２０と、ウェハＷの側方を囲むように設けられたカップ体３１と、ウェハＷ上に金属混合液を吐出する塗布ノズル６０と、ノズル駆動部６５の動力を塗布ノズル６０に伝達するノズル伝達部６４と、塗布ノズル６０を待機させるノズルバス６６とが設けられている。処理容器１０の外部には、水平方向より所定の角度で傾斜した方向に沿って、スピンチャック２０とノズルバス６６との間で塗布ノズル６０を移動させるためのノズル駆動部６５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】基材の表面にバルジを誘導するためのパターンを形成せずに組成物の液滴を付与して線状パターンを形成する場合に比べ、線状パターンに生じるバルジの方向が制御されるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に組成物の液滴を線状に付与して線状パターン１２Ａ，１２Ｂを形成する線状パターン形成工程と、線状パターンを形成すると共に又は線状パターンを形成する前に、液滴を付与して、前記線状のパターンの幅方向における片側の縁で接触するバルジ誘導用パターン１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを形成するバルジ誘導用パターン形成工程と、を含む。バルジ誘導用パターンを形成した後、線状パターンを形成することが望ましく、予めパターン形成領域外に組成物の液滴を付与してバルジ発生位置を確認するためのバルジ確認用パターンを形成する工程をさらに含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】、基材の表面を冷却したまま溶媒を除去しない場合に比べ、パターンが精度良く形成されるパターン形成装置を提供する。
【解決手段】基材２０を冷却する基材冷却手段２２と、前記基材冷却手段によって冷却された前記基材の表面に、パターン形成材料、及び溶媒を含む組成物１８を付与して該組成物のパターンを描画するパターン描画手段２４と、前記基材の表面に描画された前記組成物のパターンから該基材を冷却したまま前記溶媒を除去する溶媒除去手段２６と、を有するパターン形成装置１０。溶媒除去後、加熱を行って分散剤を除去する加熱手段２８を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】隣接する膜パターンの間隔を制御することが可能なパターン付基板の作製方法を
提供する。また、膜パターンの幅の制御が可能で、特に、幅が細く且つ厚みのあるパター
ン付基板の作製方法を提供する。また、アンテナのインダクタンスのバラツキが少なく、
起電力の高い導電膜を有する基板の作製方法を提供することを課題とする。また、歩留ま
り高く半導体装置を作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板、絶縁膜又は導電膜上に珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な
基が結合する膜を形成した後、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合す
る膜表面に印刷法を用いて組成物を印刷し、組成物を焼成して膜パターンを形成すること
を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ソース電極及びドレイン電極と有機半導体材料層との間の接触抵抗を低下させることができ、これを簡便な製造プロセスで実現できる半導体装置、光学装置及びセンサ装置を提供すること。
【解決手段】ソース電極５と、ドレイン電極６と、少なくともこれらの電極間に設けられた有機半導体材料層７とを有し、有機半導体材料層７を介してソース電極５とドレイン電極６との間で電荷を移動させるように構成された有機電界効果トランジスタにおいて、ソース電極５及びドレイン電極６が、導電性高分子材料と電荷移動錯体との混合物からなる、有機電界効果トランジスタ１ａ。 （もっと読む）

【課題】本発明は、太陽電池の電極として用いられる導電性電極パターンを提供する。
【解決手段】基板１００上に上下に配設された下部金属膜及び上部金属膜を含み、該下部金属膜及び該上部金属膜のうちのいずれか一つは銀（Ａｇ）を含み、該下部金属膜及び該上部金属膜のうち他の１つは、該下部金属膜及び該上部金属膜のうちのいずれか一つと異なる遷移金属を含む。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りの発生を抑制しつつｐ型拡散層および裏面電極を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物、および、これを用いて形成された太陽電池セルの提供を提供する。
【解決手段】ｐ型拡散層形成組成物を、金属粒子と、アクセプタ元素を含むガラス粒子と、樹脂と、溶剤と、を含んで構成する。また、半導体基板上に該ｐ型拡散層形成組成物を塗布した後、熱処理することで形成されたｐ型拡散層および電極を備える太陽電池セルである。 （もっと読む）

【課題】ＤＮＡ又はＤＮＡ−脂質複合体を用いた簡易な方法により、基板上に導電性パターンを、画像流れを抑制しながら安定して形成できる電子回路付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、ＤＮＡ又はＤＮＡ−脂質複合体を含む溶液を描画することによって電子回路パターンを形成する工程と、前記電子回路パターンが形成された基板を多価金属イオン溶液に浸漬することによって、前記電子回路パターンにおいて、前記ＤＮＡ又は前記ＤＮＡ−脂質複合体と前記多価金属イオンとの錯体を形成する工程と、形成された錯体中の金属イオンを還元することによって、前記電子回路パターンを導電性パターンとする工程と、を有する電子回路付き基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】積層する基板の電極端子同士の間での接合不良を防止できる３次元集積化技術を提供する。
【解決手段】基板１上にトランジスタ６と多層配線２、絶縁膜３を形成する。絶縁膜３に配線が露出するように開口部４を形成する。開口部内を含む絶縁膜上に、銅などからなる複数の導電体微粒子５を含む有機溶剤を回転塗布する。第１の熱処理により溶剤と有機成分を除去した後、ＣＭＰ法で外側部分の導電体微粒子を除去する。開口部内に導電体微粒子から構成された電極端子９が形成される。第２の基板５１の貫通電極５２を開口部に合わせ、加圧して押し合わせる。第１の熱処理より高温の第２の熱処理を行い、導電体微粒子を部分的に溶融させ、貫通電極と接合する。 （もっと読む）

【課題】従来の、真空装置を用いた形成方法に比べて簡便かつ安価に形成され、しかもインクジェット印刷方法によって形成されるもの比べて、断線等を生じることなしに、より細線化された金属配線を提供する。
【解決手段】Ａｇ粒子、またはＡｇを５０原子％以上含む合金粒子を含む分散液を塗布して塗膜を形成し、乾燥後にパターン形成したのち焼成して形成され、その縁部２における、基材の表面方向の、想定される外形線４からの凹入量の最大値と突出量の最大値との和が５０ｎｍ以下、前記縁部２における、基材３の表面方向の、想定される外形線４と直交し、かつ金属配線１の厚み方向の断面のうち、前記厚み方向の外形線の、前記基材３の表面と接する部分の、前記基材３の表面との交差角度が７０°以下で、かつ抵抗率が１４μΩ・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切且つ効率よく形成する。
【解決手段】金属膜形成システム１は、ウェハＷを搬入出する搬入出ステーション２と、金属膜を形成する処理ステーション３と、搬入出ステーション２と処理ステーション３とを接続するロードロックユニット１０とを有している。処理ステーション３は、ウェハＷ上に金属混合液を塗布する塗布ユニット３０と、金属混合液が塗布されたウェハＷを熱処理する前熱処理ユニット３１と、前熱処理ユニット３１で熱処理されたウェハＷをさらに熱処理する後熱処理ユニット３２と、ウェハＷを搬送する搬送ユニット３３とを有する。塗布ユニット３０、前熱処理ユニット３１、後熱処理ユニット３２、搬送ユニット３３、ロードロックユニット１０は、それぞれ内部を不活性ガスの大気圧雰囲気又は減圧雰囲気に切り替え可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能な機能性デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理することにより機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する第１工程と、基材上に機能性液体材料を塗布することにより、機能性固体材料の前駆体組成物層を形成する第２工程と、前駆体組成物層を８０℃〜２００℃の範囲内にある第１温度に加熱することにより、前駆体組成物層の流動性を予め低くしておく第３工程と、前駆体組成物層を８０℃〜３００℃の範囲内にある第２温度に加熱した状態で前駆体組成物層に対して型押し加工を施すことにより、前駆体組成物層に型押し構造を形成する第４工程と、前駆体組成物層を第２温度よりも高い第３温度で熱処理することにより、前駆体組成物層から機能性固体材料層を形成する第５工程とをこの順序で含む機能性デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切且つ効率よく形成する。
【解決手段】金属膜形成システム１は、ウェハＷを搬入出する搬入出ステーション２と、ウェハＷ上に前処理液を塗布し、ウェハＷ上に下地膜を形成する前処理ステーション３と、下地膜が形成されたウェハＷ上に金属混合液を塗布し、ウェハＷ上に金属膜を形成する主処理ステーション４と、搬入出ステーション２と前処理ステーション３とを接続する第１のロードロックユニット１０と、前処理ステーション３と主処理ステーション４とを接続する第２のロードロックユニット１３とを有している。前処理ステーション３、主処理ステーション４、第１のロードロックユニット１０及び第２のロードロックユニット１３は、それぞれ内部を不活性ガスの大気圧雰囲気又は減圧雰囲気に切り替え可能に構成されている。 （もっと読む）