【課題】印刷形成が可能である銅系粒子堆積層を、基板密着性、低体積抵抗率、基板ダメージがなく深部まで還元する処理方法であり、且つ印刷塗布部外への銅の析出を抑制した、金属銅膜の作製方法、及び、作製した印刷金属銅パターンを提供する。
【解決手段】基板上に形成された、酸化銅からなる粒子を含む銅系粒子堆積層を、１２０℃以上において、ガス状のギ酸と、ガス状の１価のアルコール／エステル／ケトンから選択される少なくとも１種の有機溶剤と混合ガスにより処理する、金属銅膜の作製方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属ナノペーストを用いた配線及び電極の形成方法に関する。
【解決手段】本発明は、金属ナノペーストが印刷された基板を炉（ｆｕｒｎａｃｅ）に入れて窒素雰囲気下で２２０〜２４０℃に昇温させる段階と、炉の温度を前記範囲に維持しながらカルボン酸と空気の混合雰囲気下で前記基板を加熱する段階と、カルボン酸と空気の混合雰囲気下で炉の温度を１００〜１５０℃に下降させる段階と、窒素雰囲気下で炉の温度を常温まで下降させる段階と、を含む焼結工程を含むことにより、低温焼結工程を経ても高温焼結工程を経た場合と同様に、金属膜の密度が高く、残留金属粒子量を最小化することができる金属配線及び電極の形成方法に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属薄膜電極及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施例による金属薄膜電極の製造方法は、基材上に金属粉末、有機バインダ及び有機溶媒を含む金属ペーストを塗布して金属薄膜を形成する段階と、金属薄膜を有機酸と水系液の比が１０：９０〜９０：１０の雰囲気で還元焼成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜を低コストかつ高効率で作製することができ、基板の大面積化への対応も容易な透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜の形成方法は、酸化インジウム錫化合物からなるＩＴＯ粒子を含有する導電性インク（Ｉｎｋ）を、その表面に所定のパターンのインク保持部が形成されたフレキソ印刷版１１に保持させる工程と、このフレキソ印刷版１１に、絶縁透光性基板１０を密着させ、上記インク保持部に保持された導電性インクを基板１０の所定位置に転写する工程と、この転写後に上記転写された導電性インクを加熱して、絶縁透光性基板１０上に、所定パターンの透明導電膜を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法により微細なパターンでショートさせることなく機能性膜を形成することができる機能性膜の形成方法を提供する。
【解決手段】被印刷面上に、低表面エネルギー領域を隔てて隣接する高表面エネルギー領域２３１，２４１を有する表面において、高表面エネルギー領域２３１，２４１の形状及び機能液の着弾範囲に基づいて、高表面エネルギー領域２３１（２４１）に機能液を供給する際に該機能液が高表面エネルギー領域２３１（２４１）のみに触れるための滴下許容範囲２３１Ａ（２４１Ａ）を決定し、ついで滴下許容範囲２３１Ａ（２４１Ａ）内の任意の位置を高表面エネルギー領域２３１（２４１）に対する機能液の滴下位置２３１Ｃ（２４１Ｃ）として決定し、高表面エネルギー領域２３１（２４１）の滴下位置２３１Ｃ（２４１Ｃ）にインクジェット法を用いて選択的に機能液を供給して所定パターンの機能性膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】１５０℃〜２５０℃の範囲に選択する温度で焼結処理を施すことで、膜厚が厚く、利用する金属の３倍以下の体積固有抵抗率を有する導電体層を高い再現性で作製する用途に十分に適合する、バインダー樹脂成分を含有していない、新規な構成の導電性金属ペーストを提供する。
【解決手段】導電性金属ペースト中に含有される、金属微細粉末の体積比率Ｖ_{metal-particle}、金属ナノ粒子の体積比率Ｖ_{nano-particle}、その被覆剤分子層の形成に利用される被覆剤分子の体積比率Ｖ_{coating-molecule}、分散溶媒の体積比率Ｖ_solventについて、比Ｖ_{metal-particle}：（Ｖ_{nano-particle}＋Ｖ_{coating-molecule}＋Ｖ_solvent）を１：１〜１：４．６の範囲に、比（Ｖ_{nano-particle}＋Ｖ_{coating-molecule}）：Ｖ_solventを１：０．７〜１：３の範囲に、比（Ｖ_{metal-particle}：Ｖ_{nano-particle}）を９０：１０〜６０：４０の範囲に選択する。 （もっと読む）

【課題】柔軟性及び耐久性に優れ、素子特性が優れ、しかも大面積化が容易なボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】第１導電層及び第２導電層からなるソース・ドレイン電極を有するボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタであって、第１導電層は、酸化タングステン、酸化銀、酸化銅、酸化亜鉛、銀塩、銀及び銅からなる群から選ばれる１種以上の材料を含み、該第２導電層は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｚｎ、Ｚｒ、及びこれらの金属のいずれかを含む合金からなる群から選ばれる１種以上の材料を含む、有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】ウェーハテスト後のウェーハ状態において所望の回路を印刷処理により容易に形成することが可能な半導体製造方法および半導体装置を提供することを課題する。
【解決手段】本発明に係る半導体製造方法は、ウェーハの被描画パターン形成領域に所定の深さを有する溝部を形成する工程、ウェーハに対してトリミング要否の検査を行う工程、前記ウェーハにおけるトリミング必要なウェーハの前記溝部に導電性溶剤を射出し描画パターンを描画する工程、描画パターンを描画した後、脱気および低温アニールする工程、脱気および低温アニールした成膜後、当該成膜表面を平坦化する工程、および平坦化した後、高温アニールする工程、を有する。 （もっと読む）

【課題】大面積の素子の製造が容易であり、ソース電極及びドレイン電極を形成する際にゲート絶縁層を損傷せず、有機絶縁材料が有する柔軟性を損なわない、有機薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】ゲート電極、及び該ゲート電極を被覆し、有機絶縁材料を含むゲート絶縁層を形成する工程；該ゲート絶縁層上に塗布法、無電解めっき法又は原子層堆積法を用いて導電性材料からなる第１導電層を成膜する工程；該第１導電層上にパターンニングされた第２導電層を形成する工程；該第２導電層で被覆されていない第１導電層の部分を除去して、第１導電層及び第２導電層からなるソース電極及びドレイン電極を形成する工程；及びソース電極、ドレイン電極、及び該ソース電極と該ドレイン電極に挟まれた領域のゲート絶縁層が被覆されるように、有機半導体層を形成する工程；を有する、有機薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられ
た逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース
電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的
に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、太陽電池及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態による太陽電池は、太陽光を吸収して電気を発生させる太陽電池部と、上記太陽電池部の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成され、非共有電子対を有する官能基−Ｙとアルコキシ基−ＯＲとを有する化合物の縮合反応によって形成された表面処理層と、上記表面処理層の非共有電子対を有する官能基−Ｙと結合された金属電極層と、を含む。本発明による太陽電池はエネルギー変換効率に優れた特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】パターン転写方法及びパターン転写装置、これを適用したフレキシブルディスプレイパネル、フレキシブル太陽電池、電子本、薄膜トランジスター、電磁波遮蔽シート、フレキシブル印刷回路基板を提供する。
【解決手段】本発明によるパターン転写方法は、基板上にパターン物質を形成する第１段階と、パターン物質を固相状態に硬化させる第２段階と、硬化された固相状態のパターン物質にレーザー光を照射して、パターン物質をパターニングする第３段階と、パターニングされた固相状態のパターン物質と柔軟基板をお互いに突き合わせて加圧して、パターン物質から柔軟基板方向に、または柔軟基板からパターン物質方向にレーザー光を照射して、パターン物質と柔軟基板を突き合わせた部位で発生する柔軟基板の粘性力によって、パターン物質を柔軟基板に転写する第４段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光起電力素子の製造において金属インクを用いて金属コンタクトを形成する方法を提供する。
【解決手段】金属インクは選択的にインクジェットおよびエアロゾル装置によって半導体コーティング上に選択的に堆積される。この複合体は金属インクがコーティングをバーンスルーして半導体との電気コンタクトを形成するのに選択的な温度に加熱される。次いで、光誘起もしくは光アシストめっきによって金属層が電気コンタクト上に堆積される。 （もっと読む）

【課題】特性のバラツキが少なく、電気特性が良好なトランジスタを作製する。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体を含む半導体層を形成し、半導体層上に不純物半導体層を形成し、不純物半導体層上にマスクを形成した後、マスクを用いて半導体層及び不純物半導体層をエッチングして、半導体積層体を形成し、マスクを除去した後に半導体積層体を希ガスを含む雰囲気で発生させたプラズマに曝して半導体積層体の側面に障壁領域を形成し、半導体積層体の不純物半導体層に接する配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、簡易な製造工程で高精細なパターン状に導電性パターン等を効率よく形成可能なパターン形成体の製造方法、およびその方法により形成されたパターン形成体を用いた配線基板の製造方法や有機薄膜トランジスタの製造方法等を提供することを主目的としている。
【解決手段】 上記目的を達成するために、本発明は、光触媒を含有する光触媒含有層および基体を有する光触媒含有層側基板の光触媒含有層と、撥水性を有する樹脂製基材とを対向させて配置し、パターン状にエネルギーを照射することにより、前記樹脂製基材上に水との接触角が低下した濡れ性変化パターンをパターン状に形成するエネルギー照射工程を有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】シート抵抗率の増大およびアルミニウム電極の腐蝕を抑制する剥離剤配合物を提供する。
【解決手段】ホットメルトエッチングレジストが、半導体ウェハ上の反射防止コーティングもしくは選択的エミッタに選択的に適用される。無機酸含有エッチング剤を用いて、反射防止コーティングおよび選択的エミッタの露出部分がエッチング除去されて、半導体基体を露出させる。このホットメルトエッチングレジストは次いで、半導体の電気的一体性を悪化させないアルカリ剥離剤を用いて半導体から剥離される。次いで、露出した半導体は金属化されて、電流トラックを形成する。 （もっと読む）

【課題】薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい発光表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製する方法を提供する。
【解決手段】剥離層を介して基板上に素子領域を形成する際に、半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行う。更に素子領域を基板から剥離して、じん性の高い第１の支持体に設け、第１の支持体及びじん性の高い第２の支持体で液晶素子を挟持することで、薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい発光表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製できる。 （もっと読む）

【課題】焼成無しで、酸素雰囲気に安定であり、かつ低抵抗な配線材料を提供する。また、従来の配線材料よりも低い温度で還元焼成できる配線材料を提供する。
【解決手段】銅と窒素を含む配線材料であって、当該配線材料には、添加材料として、エリンガム図において銅よりも酸化しやすい材料が０．５atm％以上１０atm％以下添加されている。添加材料として、例えば、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ａｌのうち少なくとも１種類の金属を含む。この配線材料を加熱還元して低抵抗化する場合、１０００Ｐａ以下に減圧した雰囲気で加熱を行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】パターン形成のタクトタイムの短縮を実現し、ＰＤＰ製造のトータル的低コスト化が可能な白黒二層構造のバス電極パターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る白黒二層構造のバス電極パターン形成方法は、基材上に、耐熱顔料を含む塗膜を形成する工程と、上記塗膜の上に、導電性粉末を含む塗膜を形成し、二層塗膜を得る工程と、上記二層塗膜に対し、レーザー照射によりパターンを描画するレーザー照射工程と、上記パターン以外の部分を除去する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ニッケルプラチナ合金を有する電子基板から電子基板上にエッチング液に不溶であるプラチナ微粒子を残留させずにニッケルプラチナ合金をエッチングするエッチング液を提供することを目的とする。
【解決手段】 ニッケルプラチナ合金を有する電子基板から電子基板にプラチナ微粒子を残留させずにニッケルプラチナをエッチングする工程用のエッチング液であって、無機酸（Ａ）、オキシエチレン鎖を分子内に有する界面活性剤（Ｂ）および水を必須成分とするニッケルプラチナ合金用エッチング液。 （もっと読む）