【課題】銅粒子の酸化、燃焼を防止し、銅配線の導電性を向上させるとともに経時劣化を抑えることができる銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基盤を提供することを目的とする。
【解決手段】粒子径が１００ｎｍ以下の炭素被膜銅粒子１４を、基板１０上に配線パターンを形成するパターン形成工程と、配線パターンを酸素プラズマ処理する酸素プラズマ処理工程と、配線パターンを還元プラズマ処理する還元プラズマ処理工程と、を有することを特徴とする銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基板である。 （もっと読む）

【課題】銅配線の導電性を向上させるとともに、経時変化による劣化を抑制することができ銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】粒子径が１００ｎｍ以上の銅粒子１４を分散させた分散液１２を塗布し、基板１０上に配線パターンを形成するパターン形成工程と、配線パターンを１５０℃未満の温度で乾燥を行なう乾燥工程と、乾燥工程後の配線パターンを加圧する加圧工程と、加圧工程後の配線パターンを加熱する加熱工程と、加熱工程後の配線パターンを還元処理する還元処理工程と、を有することを特徴とする銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基板である。 （もっと読む）

【課題】無電解メッキパターンを正確に形成できる無電解メッキパターン形成用組成物、塗布液、及び無電解メッキパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】表面を有機物１０３で修飾されるとともに、前記表面１０３に触媒金属微粒子１０５を担持した金属化合物粒子１０１を含む無電解メッキパターン形成用組成物。前記有機物１０３としては、3-ヒドロキシ-4-ピロン誘導体、又は1,2-ジオールが挙げられる。前記触媒金属微粒子１０５としては、パラジウム、銀、白金、ニッケル、及び銅からなる群から選ばれる１種以上の微粒子が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】十分なキャパシタ容量が得られ、リーク電流や寄生容量を抑制した薄膜トランジスタ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタを備え、そのゲート電極１１１、ソース電極１３１、ドレイン電極１３２、バス配線、画素電極１３３、ゲート絶縁膜１２１、層間絶縁膜１２２、半導体層１４１の全部もしくは一部が塗布法もしくは印刷法で形成されてなり、ゲート絶縁膜１２１および／もしくは層間絶縁膜１２２が連続膜から構成され、連続膜が薄膜部と厚膜部から構成されてなる。 （もっと読む）

【課題】配線パターンの修正において、修正抵抗を低減することが可能となる、パターン修正方法を提供する。
【解決手段】パターン修正方法は、導電性パターン２０の欠陥部２１を修正するパターン修正方法であって、導電性インクを塗布することにより第１のインク層３１を形成する工程と、第１のインク層３１を焼成することにより第１の修正層３２を形成する工程と、少なくとも一部が第１の修正層３２に重なるように導電性インクを塗布することにより、第２のインク層３３を形成する工程と、第２のインク層３３を焼成することにより第２の修正層３４を形成する工程とを備え、第１の修正層３２および第２の修正層３４により欠陥部２１を挟んで配置される導電性パターン２０間の電気的接続が確保される。 （もっと読む）

【課題】有機導電性材料を含む塗布組成物をプラスチック基板上に形成した後、高い電気電導度の配線を形成することができる配線の形成方法および形成装置を提供すること。
【解決手段】プラスチック基板上に有機導電性材料を含む塗布組成物が塗布されて配線パターンが形成された部材を準備し、少なくとも前記配線パターンに電磁波を照射してアニールし、有機導電性材料からなる配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】所定のパターン形成予定部に対応した良好なパターン形成をすることができるパターン形成装置及びパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】実施形態のパターン形成方法は、インクジェット方式により対象物のパターン形成予定部の周りに撥液性を有するコーティング材を塗布する表面処理工程と、前記表面処理工程の後にインクジェット方式により前記対象物の前記パターン形成予定部にパターン形成用材を塗布するパターン形成工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電流のリークを抑制する電子素子用金属層を提供する。
【解決手段】被形成面１２に、金属インクを塗布し金属粒子層を形成しパターニングする。基板側からランプ照射し、金属粒子層の下層部分のみを溶融させ、下層部分の金属粒子どうしを融着させる。金属粒子の融着層１４Ａと金属粒子の非融着層１４Ｂとをこの順で有する積層体で構成されたゲート電極１４とする。 （もっと読む）

【課題】接触抵抗を低減した有機電子素子用電極、及びこれを利用した有機トランジスタ素子を提供することを課題とする。
【解決手段】カーボンナノホーンを含んで構成された有機電子素子用電極、及び当該電極を、ソース電極１８、及びドレイン電極２０として適用した有機トランジスタ素子。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、第１方向に形成された少なくとも１本のゲートラインを含むゲート１１と、ゲート上に形成されたゲート絶縁層１２と、ゲート絶縁層１２上に形成された少なくとも１つのソース１３及びドレイン１４と、を含み、ソース１３及びドレイン１４のうち少なくともいずれか一つは、延長部分１３ｂ、１４ｂを含み、延長部分１３ｂ、１４ｂは、少なくとも１本のゲートラインと平行するように、第１方向に形成される。ゲート１１は、ライン状に均一厚を有し、その側面と上面との間に曲面を含み、１本または２本以上のゲートラインを含む形態となる。 （もっと読む）

【課題】有機半導体に対する接触抵抗を低減した有機電子素子用電極、及びこれを利用した有機トランジスタ素子を提供することを課題とする。
【解決手段】金属層２４Ａと、金属層２４Ａの表面の少なくとも一部に付着したカーボンナノチューブ２４Ｂと、を有する有機電子素子用電極、及び当該電極を、ソース電極１８、及びドレイン電極２０として適用した有機トランジスタ素子。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造プロセスが煩雑でなく、かつ高い絶縁耐力を有する電力用半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明に係る電力用半導体装置は、第１導電型のＳｉＣ基板１と、ＳｉＣ基板１上に形成され、その表面にリセス構造２ａが形成された第１導電型のドリフト層２と、リセス構造２ａの表面内に配設された第２導電型の終端部３と、終端部３の一端にかかるようにドリフト層２上に形成され、ドリフト層２とショットキー接続するショットキー電極４，５と、終端部３を被うようにドリフト層２上に形成された絶縁膜６と、絶縁膜６上に形成され、ショットキー電極５と電気的に接続された導電膜８とを備える。導電膜８の抵抗値は１０⁶（Ω／ｓｑ．）以上１０¹³（Ω／ｓｑ．）以下である。 （もっと読む）

【解決手段】硬化性オルガノポリシロキサンと硬化剤とを含有するシリコーンゴム組成物に、最大粒径が１μｍ未満の導電性微粒子を配合してなることを特徴とする導電性パターン形成用組成物。
【効果】本発明の導電性パターン形成用組成物を用いることによって、インクジェット法やスタンプ法のような印刷方法により半導体基板上に微細な導電性パターンを塗布描画することができ、描画された回路を、組成物中に含まれる硬化剤によって架橋形成してゴム化することで、応力耐性を持つ導電性回路とすることができる。これにより、導電性回路の微細化が可能となると共に、信頼性の高い半導体回路を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】噴出される流体の原料の利用効率の向上を図る。
【解決手段】噴出口１３から噴出領域に流体２０を噴出するスプレーノズル１０と、噴出口１３が挿入される開口部３１を有し、噴出口１３からスプレーノズル１０側とその反対側の噴出領域側とを仕切る仕切板３０と、仕切板３０の開口部３１の近傍から噴出領域側に向けて、スプレーノズル１０の軸方向に対して所定の角度で延設される側壁板４０とを備える。側壁板４０は、仕切板３０および側壁板４０を配置していない状態におけるスプレーノズルの集束前噴出領域の外側に配置される。スプレーノズル１０から流体２０を噴出させた際に、側壁板４０と対向する側から集束前噴出領域に外気が流入することにより、噴出領域が側壁板４０側に集束する。 （もっと読む）

【課題】有機電界効果トランジスタにおけるビア形成を、低コストで効率的なプロセスで実現する。
【解決手段】誘電層１０６内にビア１１３を形成する際、まず各ビア位置にパターン化された導電材よりなるポストを印刷し、次にパターン化されていない誘電層１０６を堆積させ、次に第２のパターン化された導電層を堆積させる。ビア１１３は、誘電層１０６を堆積した後、第２の導電層を堆積する前に、ポストをフラッシュアニールすることにより形成される。 （もっと読む）

【課題】高粘度の材料を射出して基板上にパターンを形成することができるパターン形成技術を提供する。
【解決手段】透明な基材４１の表面に加熱により圧力を発生する圧力発生部材４２を積層し、その層の上に複数の射出孔４６を設けたノズルプレート４５を接着している。複数の射出孔４６には被射出材たる金属ペースト４３を装填している。そして、レーザー光照射部６０が基板Ｗに対して相対移動しつつ、レーザー光照射をオンオフして複数の射出孔４６のうちの一部に対応する圧力発生部材４２を加熱する。レーザー光照射によって加熱された圧力発生部材４２の一部では、樟脳の昇華に起因した急激な体積膨張により圧力波が発生する。こうして発生した圧力により、射出孔４６に装填された金属ペースト４３を基板Ｗに向けて射出し、基板Ｗの表面に金属ペースト４３のパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】高粘度の材料を射出して基板上にパターンを形成することができるパターン形成技術を提供する。
【解決手段】透明な基材４１の表面に昇華性材料として樟脳を含む圧力発生部材４２を積層し、その上に高粘度材料である金属ペースト４３を積層して積層体Ｓを形成している。その積層体Ｓと処理対象となる基板Ｗとを相対向させて配置する。そして、レーザー光照射部６０が基板Ｗに対して相対移動しつつ、レーザー光照射をオンオフして圧力発生部材４２の一部を加熱する。レーザー光照射によって加熱された圧力発生部材４２の一部では、樟脳の昇華に起因した急激な体積膨張により圧力波が発生する。こうして発生した圧力により、その直上の金属ペースト４３を基板Ｗに向けて射出し、基板Ｗの表面に金属ペースト４３のパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】銅の高原子価化合物から金属銅膜を製造する組成物、金属銅膜の製造方法、および金属銅膜を提供する。
【解決手段】銅化合物；直鎖、分岐または環状の炭素数１から１８のアルコール類；ＶＩＩＩ族金属触媒；バインダー樹脂；バインダー樹脂硬化剤および銅錯体から成る銅含有組成物を被膜とし、不活性ガス；水素、または、不活性ガスと水素の混合ガス中で、加熱して金属銅膜を製造する。
また、銅化合物；直鎖、分岐または環状の炭素数１から１８のアルコール類；ＶＩＩＩ族金属触媒；バインダー樹脂；バインダー樹脂硬化剤；銅錯体およびレオロジー調整剤から成る銅含有組成物を被膜とし、不活性ガス；水素、または、不活性ガスと水素の混合ガス中で、加熱して金属銅膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の高集積化を図り、単位面積あたりの記憶容量を増加させる。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板に設けられた第１のトランジスタと、第１のトランジスタ上に設けられた第２のトランジスタとを有する。また、第２のトランジスタの半導体層は、半導体層の上側で配線と接し、下側で第１のトランジスタのゲート電極と接する。このような構造とすることにより、配線及び第１のトランジスタのゲート電極を、第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極として機能させることができる。これにより、半導体装置の占有面積を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の太陽電池の電極形成用組成物を用いて形成された電極は、長年使用しても高導電率及び高反射率を維持することができ、経年安定性に優れた電極が得られる。
【解決手段】太陽電池の電極形成用組成物は７５重量％以上の銀ナノ粒子を含みかつ炭素骨格が炭素数１〜３の有機分子主鎖の保護剤で化学修飾された金属ナノ粒子を分散媒に分散して構成される。この金属ナノ粒子は一次粒径１０〜５０ｎｍの範囲内の金属ナノ粒子を数平均で７０％以上含有する。分散媒は１重量％以上の水と２重量％以上のアルコール類とを含有し、金属ナノ粒子の含有量は金属ナノ粒子及び分散媒からなる組成物１００重量％に対して２．５〜９５．０重量％であり、保護剤は水酸基及び/又はカルボニル基を含む。 （もっと読む）