【課題】転写時に不要な金属膜が転写されないようにして、安定した量の金属膜を転写できるようにした金属膜の転写供給方法を提供する。
【解決手段】転写基板１０１の表面に対して垂直方向の方向性で金属膜を蒸着することにより、凸部１１の上面に凸部上金属膜２１、凹部１２の底面に凹部内金属膜２２をそれぞれ形成する。凸部１１は逆テーパ形状を有していて、金属膜の蒸着を行うだけで、凸部上金属膜２１と凹部内金属膜２２とは不連続状態で形成される。この金属膜が付着した転写基板１０１に対して、電子部品３０を押圧し、加熱することにより、転写基板１０１の凸部上金属膜２１が電子部品３０の接続用電極３１に転写される。 （もっと読む）

【課題】 導電性微粒子膜を用いた現実的なバンプ電極構造の形成方法を実現すること。
【解決手段】半導体基板上に設けられた第１の電極と、この第１の電極上に設けられ、導電性微粒子からなる導電性微粒子膜と、この導電性微粒子膜上に設けられた第２の電極としての半田で形成されたバンプ電極とから構成された電極構造を具備してなる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】シリコン基板１上に強誘電体キャパシタ３７を形成する際、下部電極膜２５の上に、アモルファス又は微結晶の酸化導電膜２６を形成する。酸化導電膜２６を熱処理により結晶化した後、強誘電体膜２７の初期層２７Ａの形成時に酸化導電膜２６を還元することにより、結晶粒が小さく且つ配向が整った第２の導電膜２６Ａを形成する。強誘電体膜２７は、ＭＯＣＶＤ法により形成し、その初期層２７Ａは第２の導電膜２６Ａの結晶配向に倣って成長する。これにより、強誘電体膜２７の表面モフォロジが良好になる。 （もっと読む）

【課題】 パターン間のショート不良などがなく、信頼性の高い高精細パターンを簡便に低コストで形成できるパターン形成方法と、このようなパターン形成方法に好適な感光性組成物を提供すること。
【解決手段】 基板上に感光性組成物の塗膜を形成し、該塗膜を露光、現像してパターンとし、得られたパターン上に無機粉末を付着させ、焼成することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 膜をパターン形成する方法及びこれらの得られた構造を提供する。
【解決手段】 実施形態において、基板、例えば、ダマシン層の上にアモルファス炭素マスクを形成する。アモルファス炭素マスクの上にスペーサ層を堆積させ、スペーサ層をエッチングして、スペーサを形成するとともにアモルファス炭素マスクをさらす。アモルファス炭素マスクを選択的にスペーサまで除去して、基板層をさらす。ギャップ充填層がスペーサの周りに堆積されて、基板層を覆うがスペーサをさらす。スペーサを除去して、選択的に基板の上にギャップ充填マスクを形成する。ギャップ充填マスクのパターンは、一実施態様においては、ダマシン層に転写されて、ＩＭＤの少なくとも一部を除去するとともにエアギャップを形成する。 （もっと読む）

【課題】印刷手段を採用した線路形成方法を提供する。
【解決手段】
本発明の印刷手段を採用した線路形成方法は、銅箔のエッチングを採用せずに線路を形成し、粘着層を用いて金属粉末を粘着し、金属粉末を固化する。具体的に言えば、本発明の方法は、先ず、パターン化鋼板を提供し（所定の線路に対応したパターンを有する）、パターン化鋼板を利用し粘着剤を基材上にプリントし、基材上に粘着層を形成し、その後、粘着層に対して金属粉末を施し、金属粉末が粘着層上に粘着されるようにし、最後に、粘着層上に粘着した金属粉末を固化し、線路を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ドライプロセスを用いて、アスペクト比が高い貫通部に、微細な貫通配線を形成可能な半導体装置及びその製造方法を実現する。
【解決手段】 配線１３に電流供給用のプローブを接触させて、貫通部１１ｅの方向に大電流を流すと、電流の方向に配線１３の金属元素が移動するエレクトロマイグレーションが生じる。配線１３は貫通部１１ｅの開口以外の領域がＳＯＩ基板１１の基板面１１ｄにより拘束されているために、拘束がない貫通部１１ｅの開口に金属元素が集約される。集約された金属元素は自己組織化によって細線状に配列され、金属細線１４が貫通部１１ｅの内部に電極２３に向かって成長し、配線１３と電極２３とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】環境制御されていない使用現場でもデバイスを製造できる電子回路印刷製造用システムを提供すること。
【解決手段】電子回路部材、例えばトランジスタなどの同一のデバイスが周期的に配置された電子部材シートを複数用い、電子回路を作製する基板の必要な場所に必要なデバイスを、第１の電子部材シートであるデバイスリボンから基板に転写し、別異の電子部材シートである配線リボンにより配線することにより電子回路パターンを作製する。 （もっと読む）

【課題】減圧状態の空洞を有する半導体装置の簡易な製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板１０の上方に絶縁層２０を形成する工程と、絶縁層２０をエッチングして孔部２２を形成する工程と、絶縁層２０の上方に接着層３０を形成する工程と、水素ガスおよびヘリウムガスの少なくとも一方の雰囲気中で、孔部２２を密閉するように、接着層３０の上方に封止板４０を積層する工程と、半導体基板１０を減圧雰囲気中で加熱する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】製造工程中にダメージを受けても、良好な品質を示す低誘電率膜を備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に低誘電率膜１４を形成する工程（ａ）と、低誘電率膜１４に凹部２０を形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後、低誘電率膜１４に有機溶液４を塗布する工程（ｃ１）と、シリル化溶液５を用いて低誘電率膜１４をシリル化する工程（ｃ２）とを順に行う工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後、凹部２０に金属を埋め込むことで、低誘電率膜１４にビアプラグ及び金属配線のうち少なくとも１つを形成する工程（ｄ）とを備えている。工程（ｃ２）の前に、工程（ｃ１）を行うことで、シリル化溶液５の低誘電率膜１４に対する浸透性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路等の微細な集積回路の修正等を行う際、配線を低抵抗で形成することができる集積回路の配線形成方法を提供する。
【解決手段】 集積回路２上の配線を必要とする部分２ｃｘを集束イオンビーム１０ａにより掘出す工程と、掘出し工程によって掘出された部分に対し、銀４０をコートした走査トンネル顕微鏡探針２１に電圧パルスを印加して該探針から銀原子を移動させる走査トンネル顕微鏡法により、銀配線４ｃを形成する工程とを有する集積回路の配線形成方法であって、配線を必要とする部分の線幅が１μｍ以下である場合は走査トンネル顕微鏡法を用い、線幅が１μｍを超える場合は、集積回路上の配線を必要とする部分に対し、非サーマル方式のインクジェット装置から銀粒子を含むインクを噴射した後に、レーザー又は加熱した走査プローブ顕微鏡の探針でインクを乾燥させるインクジェット法により銀配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐応力に優れチップの積層や搭載時に高密度電気接続を達成可能で、短絡が発生しにくいシリコンスルーホールを有する半導体チップ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ装置２００は、能動面２１１、背面２１２及び能動面２１１上に形成されるボンディングパッド２１３を有するチップ２１０と、能動面２１１上に形成されてボンディングパッド２１３と接続する再配置パッド２２１を有する再配線層２２０と、能動面２１１に形成されて再配線層２２０を覆い再配置パッド２２１を露出する不活性化層２３０と、再配置パッド２２１の内部に形成され、チップ２１０を貫通する貫通孔２４０と、貫通孔２４０内部に形成される絶縁層２５０と、第１端部２６１と第２端部２６２とを有し第１端部２６１は再配置パッド２２１に接合し第２端部２６２は貫通孔２４０を通過して背面２１２に突出するフレキシブル金属線２６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、信頼性のある表示装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いてエッチング工程を行う。さらに、基板上にゲート配線層とソース配線層を同工程で形成し、ゲート配線層とソース配線層の交差部においてはソース配線層を分断（切断）した形状とする。分断されたソース配線層は開口（コンタクトホール）を介してゲート絶縁層上にソース電極層及びドレイン電極層と同工程で形成された導電層を介して電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で容易に傾斜面を形成することが可能な金属薄膜の形成方法および金属薄膜ならびに薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、触媒材料を含む第１下地層１３Ａを形成したのち、無電解めっき処理を施し、第１下地層１３Ａを覆うように第１めっき層１４Ａを形成する。こののち、基板１１上の第１めっき層１４Ａの近傍領域に、触媒材料を含む第２下地層１３Ｂを形成し、この第２下地層１３Ｂと第１めっき層１４Ａを触媒として、さらに２回目の無電解めっき処理を施す。第１下地層１３Ａ上に堆積した第１めっき層１４Ａと、第２下地層１３Ｂとを覆うように第２めっき層１４Ｂが成膜される。第１下地層１３Ａに対向する領域と第２下地層１３Ｂに対向する領域との間に生じる膜厚差により、金属薄膜１０の端部にテーパ１４Ａ−１が形成される。 （もっと読む）

【課題】 転写に必要なレーザビームエネルギーを節減することができると共に、輪郭の整った転写被膜片を得ることができ、しかも希望通りの形状及び整った輪郭を有する転写被膜片を確実に得ることが可能としたレーザリペア用転写板を提供すること。
【解決手段】 基体となるガラス板と、ガラス板のリペア側の面に被着される転写材薄膜とを有し、かつ転写材薄膜は、それぞれ所定形状を有する複数の小領域に分けられると共に、それらの小領域のそれぞれのサイズは、想定される最大照射スポットと同等又はそれよりも小さなサイズとされており、さらにそれらの小領域同士は十分なスペースを介して離隔され、あるいは境界線を介して隣接すると共に、その境界線は隣接する小領域同士を分断する分断線又は小領域同士を緩く繋ぐ薄肉線とされている。 （もっと読む）

【課題】 グラフェンを用いた電子デバイスの製造方法に関し、グラフェンのチャネル幅、方向性を制御して半導体的性質を有するグラフェン或いは金属的性質を有するグラフェンを任意に形成する。
【解決手段】 グラフェン１の延在方向の幅及びグラフェン１の延在方向の結晶方向を、走査型プローブ顕微鏡により規定する。 （もっと読む）

【課題】 レーザピーニング技術を利用して基材の表面に金属の回路パターンを効率良く形成する。
【解決手段】 短パルス高ピーク出力レーザを集光系で集光し、レーザ干渉層及びレーザ吸収層に順に通過させ、プラズマ衝撃波で基材表面をレーザピーニング処理するに際して、基材上に銅、錫、ニッケル、アルミニウム等の特定金属で回路パターン形成した転写層を臨ませ、転写層とレーザ吸収層の間に所定硬度の金属製ピーニング強化層を臨ませ、ピーニング強化層で発生した高温高圧のプラズマで転写層を基材にレーザピーニング処理することで、基材表面に金属皮膜の回路パターンを形成する。転写層を回路パターン形成する替わりに、転写層を全面的な金属層にして、レーザ吸収層を回路パターン形成するか、集光系とレーザ干渉層にパターン化した金属マスクを介在させても回路形成できる。 （もっと読む）

【課題】 レーザリペア装置に代表されるこの種のレーザ転写装置において、欠陥箇所から欠陥箇所への移動等のための所定の高位置から転写処理のための所定の低位置（例えば、転写対象物との接近距離が５〜２０μｍ）へと転写板を高速かつ正確に降下させ、しかも、転写対象物と衝突することなく静止させること。
【解決手段】 ヘッド位置決め機構を駆動制御することにより、降下距離を積算しつつ、その積算距離が第１の目標高さ（Ｈ１）までの降下距離｛（Ａ−Ｂ）−Ｈ１）｝に達するまで、転写ヘッドを所定の高速度で降下させる第１の転写ヘッド降下制御手段と、ヘッド位置決め機構を駆動制御することにより、降下距離を積算しつつ、その積算距離が自力浮上作用が機能する第２の目標高さ（Ｈ２）までの降下距離｛（Ａ−Ｂ）−Ｈ１−Ｈ２｝に達するまで、転写ヘッドを所定の低速度で降下させる第２の転写ヘッド降下制御手段と、を含む。 （もっと読む）

【課題】微細で精密なパターンを安定して形成するパターン形成方法および電子素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１版１０上に液組成物を塗布して、導電性膜Ｄを形成する工程と、第２版２０を第１版１０の導電性膜Ｄの形成面側に押圧し、第２版２０の凸部２０ａの頂面に、導電性膜Ｄの不要なパターンを転写して除去することで、第１版１０上に導電性パターンＤ’を形成する工程と、第１版１０の導電性パターンＤ’の形成面側を、被転写基板の表面に押圧することで、導電性パターンＤ’を転写する工程とを有し、第１版１０における液組成物が塗布される表面の表面張力をα、最大泡圧法による１００ｍｓｅｃ時の液組成物の動的表面張力をβ、第２版２０における凸部２０ａの頂面の表面張力をγとした場合、γ＞α≧βとなるように、液組成物の組成または第１版１０もしくは第２版２０の表面の材質を設定するパターン形成方法および電子素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】微細でアスペクト比の高い孔や溝あるいは凹部等の内部に超臨界流体を用いて導電体を設ける際にその制御性を向上させることができる導電体の形成装置を提供する。
【解決手段】導電体形成装置１を反応容器２、供給装置３、排出装置４などから構成する。反応容器は、その内部に導電体が設けられる凹部が表面に形成された被処理体が収容されるとともに導電体の原料となる金属を含む金属化合物が溶解した超臨界流体が供給される。供給装置により超臨界流体を反応容器内に連続的に供給するとともに、排出装置により凹部内に導電体を設けるプロセスに供しない超臨界流体を反応容器の外部に連続的に排出して反応容器内の超臨界流体の量を調整しつつ、超臨界流体中の金属化合物を被処理体の表面に接触させて凹部内に導入する。凹部内の金属化合物を凝集させて金属化合物から金属を析出および固化させて凹部内に導電体を設ける。 （もっと読む）