【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの製造に好適なパターン製造方法を提供すること。
【解決手段】ハードマスク層１２の１段目の段差部１５’’のパターン位置から所望の距離をずらした位置のレジスト膜１３を露光させレジストパターン１４’を形成し、レジストパターン１４’をマスクとしてハードマスク層１２をエッチングすることで、所望の位置に３次元構造の２段目の段差部１９を形成出来る。また、ハードマスク層１２は基板１１に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成する３次元構造パターンに対応する２段目の段差部１９の段差は、所望する３次元構造パターンよりも、深さを小さく出来る。また、ハードマスク層１２に２段目の段差部１９を形成するにあたり、ハードマスク層１２を基板１１の表面を覆うように残存させることにより、複数段のパターン形成において、基板１１の帯電（チャージアップ）を抑制出来る。 （もっと読む）

【課題】 動作不良を抑制するのに適する半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体チップ１と、半導体チップ１に積層された第１電極パッド２１と、方向ｘに延びる第１の縁４９ａと、方向ｙに延びる第２の縁とに規定された矩形状を呈する中間層４と、半導体チップ１とともに中間層４を挟むように配置された複数のバンプ５と、を備え、複数のバンプ５のいずれか一つは、複数のバンプ５のうち、方向ｘの一端且つ方向ｙの一端に配置され並びに第１電極パッド２１に導通する第１バンプ５１であり、複数のバンプ５のいずれか一つは、第１電極パッド２１に導通する第２バンプ５２である。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の高集積化と機能素子の高性能化とを同時に実現する。
【解決手段】実施形態に係わる半導体装置は、半導体基板１の表面領域に配置されるスイッチ素子３，４と、下面がスイッチ素子３，４に接続されるコンタクトプラグ６と、コンタクトプラグ６の上面の直上に配置される機能素子７とを備える。コンタクトプラグ６の上面の最大表面粗さは、０．２ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上で第１方向に延在するラインパターンと、ラインパターンの端部から、第１方向と異なる方向に延在する分岐ラインパターンとをそれぞれ含む第１導電ライン；第２導電ライン；第３導電ラインとを含む半導体素子であり、中間に位置する導電ラインの分岐ラインパターンは、他の導電ラインの分岐ラインパターン間に位置し、長さもさらに短い。これにより、コンタクト・パッドが、導電ラインの分岐ラインパターンと一体に形成されうる。 （もっと読む）

【課題】歩留まりに優れた構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板と、基板上に形成されており、配線および絶縁層により構成された配線層が複数積層された多層配線層と、平面視において、基板内の記憶回路領域に形成されており、多層配線層内に埋め込まれた少なくとも１以上の容量素子および周辺回路を有する記憶回路と、平面視において、基板内の憶回路領域とは異なる領域である論理回路領域に形成された論理回路と、を備え、容量素子は、下部電極、容量絶縁膜、上部電極、埋設電極および、上部接続配線で構成されており、上部接続配線と埋設電極とは、同一の材料かつ一体に構成されており、上部接続配線と下部電極との間には、論理回路を構成する前記配線が少なくとも１以上設けられており、上部接続配線の上面と、上部接続配線と同じ配線層に形成された論理回路を構成する配線の上面とが、同一面を構成する。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング性が良好な表示装置用配線膜を提供する。
【解決手段】希土類金属元素、Ｚｎ、Ｍｇ、およびＣａよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を５原子％以上５０原子％以下の範囲で含むＭｏ合金と、純ＣｕまたはＣｕ合金との積層構造を有する表示装置用配線膜である。 （もっと読む）

【課題】チップ面積の削減が可能な側壁加工プロセスを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、基板301上に被加工膜302を形成し、被加工膜の上に芯材膜304を形成し、芯材膜の一部であって被加工膜の加工時まで残存させる残存部分とそれ以外の芯材膜である除去予定部分との間が所定距離の間隙となるように芯材膜をパターニングする。パターニングの後に芯材膜の側面に側壁305を形成して除去予定部分および残存部分の側面を側壁で覆うとともに残存部分と除去予定部分との間の所定距離の間隙を側壁で閉塞する。さらに、側面が側壁で覆われた残存部分の上面を覆うようにレジスト306を形成し、レジストの形成後にウェットエッチングを行うことにより除去予定部分を除去し、ウェットエッチングの後にレジストを除去する。レジストを除去した後に側壁および残存部分をマスクとして被加工膜を加工する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプラグを、配線のバリア層に安定して接続できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、バリア層を介して配線に接続されたコンタクトプラグ、第1及び第２の絶縁膜を有する。第１の絶縁膜は、配線及びバリア層の側面を覆い少なくともバリア層よりも上方で配線が延在する方向と直交する方向の幅が狭まる傾斜面を有し、バリア層の上面の一部を露出すると共に配線及びバリア層の側面を露出させないように形成された開口部を備える。第２の絶縁膜は、開口部の内側を除き第１の絶縁膜上に形成され、かつ開口部を備える。 （もっと読む）

【課題】プロセスマージンを大きく取れる配線配置構造を提供する。
【解決手段】基板上に形成された複数の第１配線６を含む第１配線層と、第１配線層上に形成され、第１配線６に接続された複数のビアコンタクト１０を含むコンタクト層と、コンタクト層上に形成され、ビアコンタクト１０に接続された複数の第２配線１４を含む第２配線層とを備える半導体装置において、コンタクトピッチは、第１配線６の最小配線ピッチ、又は、第２配線１４の最小配線ピッチ、よりも大きくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】 １μｍ以上の開口径を有する高アスペクト比のＴＳＶホールＨがパターニング形成された処理対象物に対して、被覆性よく成膜できるスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１内に処理対象物と、処理対象物に形成しようとする金属膜に応じて作製されたターゲット２とを対向配置し、処理対象物の全面に亘って垂直な磁場が作用するように垂直磁場を発生させ、この真空チャンバ内にスパッタガスを導入し、ターゲットに所定の電力を投入して真空チャンバ内にプラズマを形成してターゲットをスパッタリングし、処理対象物に高周波バイアス電力を投入してターゲットからのスパッタ粒子やプラズマ中で電子で電離したイオンを引き込むようにしたものにおいて、前記バイアス電力を、２００〜６００Ｗの範囲とする。 （もっと読む）

【課題】ポーラスＬｏｗ−ｋ膜の信頼性を向上させる。
【解決手段】ポーラスＬｏｗ−ｋ膜からなる第２ファイン層の層間絶縁膜ＩＬ２内の空孔１０および空孔１１の平均径を１．０ｎｍ以上１．４５ｎｍ未満とすることで、プロセスダメージによって層間絶縁膜ＩＬ２の表面に変質層ＣＬが形成されることを防ぐ。また、水分を含む変質層ＣＬの形成を抑えることで、各配線を構成するバリア膜および主導体膜の酸化を防ぎ、各配線間の耐圧の劣化を防ぐ。これにより、層間絶縁膜ＩＬ２に隣接して形成される配線のＥＭ寿命および前記配線の線間ＴＤＤＢ寿命の劣化を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の形成に時間を要さず、貫通電極内でのボイドの発生を抑制できる半導体装置、およびこの半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、孔１１１が形成された絶縁性あるいは半導体の層１１と、層１１の孔１１１内に設けられた貫通電極１２と、を備える。貫通電極１２は、シード層１２１と、めっき層１２２と、を備える。シード層１２１は、孔１１１の底面１１１Ａを覆う。また、シード層１２１は、孔１１１の側面１１１Ｂのうち、孔１１１の開口から、孔１１１の開口と孔１１１の底面１１１Ａとの間の所定の位置までの第１の領域を未被覆とし、この第１の領域（未被覆領域）１１１Ｂ１を除いた第二の領域を被覆している。めっき層１２２は、シード層１２１と、未被覆領域１１１Ｂ１の少なくとも一部を覆う。 （もっと読む）

【課題】短時間で、配線母体の内部に、種々のトポロジーの貫通配線や連結配線を埋め込むことが可能な配線構造物を提供する。
【解決手段】配線母体１１と、配線母体１１の内部に設けられた複数の穴部の内部にそれぞれ配置された、配線子連続体（Ｑ_i1，Ｑ_i2，Ｑ_i3，……，Ｑ_in-1，Ｑ_in；Ｑ_i+11，Ｑ_i+12，Ｑ_i+13，……，Ｑ_i+1n-1，Ｑ_i+1n）からなる複数の貫通配線部とを備える。複数の配線子連続体のそれぞれをなす複数の配線子Ｑ_i1，Ｑ_i2，Ｑ_i3，……，Ｑ_in-1，Ｑ_in；Ｑ_i+11，Ｑ_i+12，Ｑ_i+13，……，Ｑ_i+1n-1，Ｑ_i+1nのそれぞれは、コア部と、コア部を被覆し、コア部より融点の低い導電体からなるシェル部Ｑ_i,shell，Ｑ_i+1,shellを有する。複数の配線子は、それぞれのシェル部を互いに溶融することにより金属学的に接合される。 （もっと読む）

【課題】優れたスループットを実現できる導電性素子を提供する。
【解決手段】導電性素子は、第１の波面および第２の波面を有する基体と、第１の波面上に形成された導電層とを備える。導電層は、導電パターン部を形成し、第１の波面および第２の波面が、０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】積層する基板の電極端子同士の間での接合不良を防止できる３次元集積化技術を提供する。
【解決手段】基板１上にトランジスタ６と多層配線２、絶縁膜３を形成する。絶縁膜３に配線が露出するように開口部４を形成する。開口部内を含む絶縁膜上に、銅などからなる複数の導電体微粒子５を含む有機溶剤を回転塗布する。第１の熱処理により溶剤と有機成分を除去した後、ＣＭＰ法で外側部分の導電体微粒子を除去する。開口部内に導電体微粒子から構成された電極端子９が形成される。第２の基板５１の貫通電極５２を開口部に合わせ、加圧して押し合わせる。第１の熱処理より高温の第２の熱処理を行い、導電体微粒子を部分的に溶融させ、貫通電極と接合する。 （もっと読む）

【課題】従来の、真空装置を用いた形成方法に比べて簡便かつ安価に形成され、しかもインクジェット印刷方法によって形成されるもの比べて、断線等を生じることなしに、より細線化された金属配線を提供する。
【解決手段】Ａｇ粒子、またはＡｇを５０原子％以上含む合金粒子を含む分散液を塗布して塗膜を形成し、乾燥後にパターン形成したのち焼成して形成され、その縁部２における、基材の表面方向の、想定される外形線４からの凹入量の最大値と突出量の最大値との和が５０ｎｍ以下、前記縁部２における、基材３の表面方向の、想定される外形線４と直交し、かつ金属配線１の厚み方向の断面のうち、前記厚み方向の外形線の、前記基材３の表面と接する部分の、前記基材３の表面との交差角度が７０°以下で、かつ抵抗率が１４μΩ・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】どのようなレイアウトの配線に対しても、個々の配線ごとにエアギャップ部を設ける。エアギャップ部によって、配線の寄生容量を低減する。
【解決手段】半導体装置は、層間絶縁膜と、層間絶縁膜内に埋め込まれた配線と、配線の側面と層間絶縁膜との間に設けられたエアギャップ部と、を有する。半導体装置の製造方法は、配線の側面上に第２のサイドウォール膜を形成した後、第２のサイドウォール膜の一部が露出するように第１の絶縁膜を形成する。次に、第２のサイドウォール膜を除去することによりサイドスペースを形成した後、サイドスペースが埋め込まれないように第２の絶縁膜を形成することによりサイドスペースから構成されるエアギャップ部を形成する。 （もっと読む）

【課題】余分な工程を追加することなく、コンタクト抵抗の増加を抑制する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、Ｃｕ配線上の第２層間絶縁膜内に設けたコンタクトホール内に第1のＴｉ膜、ＴｉＮ膜、第２のＴｉ膜、第1のＡｌ膜、及び第２のＡｌ膜をこの順に形成する。第1のＴｉ膜を成膜する際には、コンタクトホール底面上の第１の部分と第２層間絶縁膜上の第２の部分の膜厚の比（第1の部分）／（第２の部分）を０．０５以下とする。また、第２のＡｌ膜はアルミ・リフロー法を用いて形成し、この際に第２のＴｉ膜及び第1のＡｌ膜をアルミニウム・チタン合金膜とする。 （もっと読む）

【課題】被処理体上のビアホールや配線用溝等の開口部に高密度にカーボンナノチューブ膜を埋め込むことができるカーボンナノチューブの形成方法を提供する。
【解決手段】表面に１又は複数の開口部を有し、当該開口部底面に触媒金属層が形成された被処理体を準備し（ＳＴＥＰ１）、触媒金属層に酸素プラズマ処理を施し（ＳＴＥＰ２）、酸素プラズマ処理後の触媒金属層に水素含有プラズマ処理を施して、触媒金属層の表面を活性化し（ＳＴＥＰ３）、その後、触媒金属層の上にプラズマＣＶＤによりカーボンナノチューブを成長させて、被処理体の開口部内をカーボンナノチューブで充填する（ＳＴＥＰ５）。 （もっと読む）

【課題】製造工程数及び製造コストを削減しつつ、信頼性の高い半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、下地層１上にＴｉを主成分とする密着層２を形成する工程と、密着層２上にＷを主成分とする導電層３を形成する工程と、導電層３上にＳｉＯＮを主成分とするハードマスク層４を形成する工程と、ハードマスク層４上にレジストパターン５を形成する工程と、レジストパターン５を保護膜とするエッチング処理により導電層３の一部３ａを露出させる工程と、レジストパターン５及びハードマスク層４の残部４ａを保護膜とするエッチング処理により密着層２の一部２ａを露出させる工程と、その後、エッチング処理により下地層１の一部１ａを露出させると共に、導電層３の残部３ｂを露出させる工程とを有する。 （もっと読む）