【課題】簡易な追加工程を設けることで、基板のベベル部から膜が剥離することを抑制する。半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制すると共に、製造コストの増加を抑制する。
【解決手段】半導体基板上の全面に、１以上の膜を有する構造を形成した後、膜構造上にパターンを有する第１のマスクを形成する。ベベル部上の第１のマスクを覆うように第２のマスクを形成する。第１のマスク及び第２のマスクを用いて、膜構造をエッチングした後、残留した第１のマスク及び第２のマスクを除去する。 （もっと読む）

【課題】製造工程数及び製造コストを削減しつつ、信頼性の高い半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、下地層１上にＴｉを主成分とする密着層２を形成する工程と、密着層２上にＷを主成分とする導電層３を形成する工程と、導電層３上にＳｉＯＮを主成分とするハードマスク層４を形成する工程と、ハードマスク層４上にレジストパターン５を形成する工程と、レジストパターン５を保護膜とするエッチング処理により導電層３の一部３ａを露出させる工程と、レジストパターン５及びハードマスク層４の残部４ａを保護膜とするエッチング処理により密着層２の一部２ａを露出させる工程と、その後、エッチング処理により下地層１の一部１ａを露出させると共に、導電層３の残部３ｂを露出させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板切断などの切出し加工の際に生じるクラックからの水分侵入に起因する金属配線端面の腐食防止、あるいは金属配線端面の腐食が生じている場合でも該腐食が液晶表示装置を駆動する液晶表示部分を構成するゲート配線、ソース配線や配線端子部に金属配線にまで到達することを防止する技術を提供する。
【解決手段】基板の上に、切り出し加工により切断端面が露出している第１の金属配線と、第２の金属配線と、絶縁膜と、を有する表示装置用配線構造であって、前記第１の金属配線は１００μｍ以上の不連続部を有し、前記不連続部によって分断された各第１の金属配線は、第２の金属配線によって連結されており、前記分断された第１の金属配線と、前記第２の金属配線との接触界面の少なくとも一方は、前記第１の金属配線または前記第２の金属配線を構成する金属よりも貴な金属を含むもので構成される腐食防止層を有する配線構造。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーションの影響を低減できるＣｕ配線を備えた半導体装置
及びその製造方法を目的とする。
【解決手段】
Ｃｕ配線１０を備える半導体装置１において、
Ｃｕ配線１０の断面構造は、側部及び下部をバリアメタル２０に接し、上部を絶縁膜３
０に接し、絶縁膜３０に接するＣｕ配線１０の上部のグレインサイズが、Ｃｕ配線１０の
中央部のグレインサイズより小さ。さらに、バリアメタルに接するＣｕ配線１０の側部及
び下部のグレインサイズが、Ｃｕ配線１０の中央部のグレインサイズより小さい。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の電圧降下を抑制しつつ、信号配線リソースを大きく確保可能な電源配線構造を実現する。
【解決手段】第１配線層に、電源電位配線１０１ａ〜１０１ｄおよび基板電位配線１０２ａ〜１０２ｄが形成されており、配線層全体の真ん中より下層側の配線層に、電源ストラップ配線１０３ａ，１０３ｂ，１０４ａ，１０４ｂが形成されている。上方ビア部１１４は、下方ビア部１１２よりも、電源ストラップ配線１０３ａ，１０３ｂ，１０４ａ，１０４ｂが延びる方向における配置密度が低くなっている。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低くかつ金属との密着性に優れた絶縁層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板（シリコン基板）と、基板上に設けられており、炭素−炭素結合を有し、かつ炭素原子数とシリコン原子数との比（Ｃ／Ｓｉ）が２以上である、多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂと、多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂに設けられた凹部と、凹部を埋め込むように設けられた金属膜（Ｃｕ膜２２ｂ）と、Ｃｕ膜２２ｂと接しており、凹部内の多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂの表面に設けられた、改質層３１ｂと、を備え、改質層３１ｂは、多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂの内部と比較して、Ｃ／Ｓｉ比が小さく、かつＯ／Ｓｉ比が同等である。 （もっと読む）

【課題】４５０〜６００℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、膜自体の電気抵抗（配線抵抗）も低く、アルカリ環境下の耐食性にも優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】Ｔａ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｈｆ、Ｔｉ、ＣｒおよびＰｔよりなる群（Ｘ群）から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含み、４５０〜６００℃の加熱処理を行なったとき、下記（１）の要件を満足する表示装置用Ａｌ合金膜である。
（１）Ａｌと、Ｘ群から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含む第１の析出物について、円相当直径２０ｎｍ以上の析出物が５００，０００個／ｍｍ²以上の密度で存在する。 （もっと読む）

【課題】貫通配線の端部に電極を形成された電極部の構造において、その電極部における断線を防止する。
【解決手段】基板１２に上下に貫通した貫通孔１６を設け、貫通孔１６内に貫通電極１５を設ける。貫通電極１５は基板１２の上面から曲面状に突出させる。基板１２の上面を絶縁膜１８で覆い、貫通電極１５に対応させて絶縁膜１８にコンタクト孔１９をあける。コンタクト孔１９の開口径は貫通電極１５の断面直径よりも小さく、貫通電極１５の上面の周囲はコンタクト孔１９により覆われる。コンタクト孔１９の開口縁における貫通電極１５の基板上面からの突出長Ｄｐは、絶縁膜１８の膜厚Ｄdielよりも大きくない。しかも、貫通電極１５の頂部の基板上面からの突出長（最大突出長）をＤtsvとすると、この突出長Ｄtsvは、
０≦Ｄtsv≦Ｄdiel＋Ｄp （Ｄp ＞ ０）
となるように調整されている。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上にポリイミドなどからなる保護膜が形成された半導体装置の製造中に、保護膜の上面層が変質しても、この変質による悪影響が生じないようにする。
【解決手段】 ポリイミドなどからなる保護膜５に開口部６を形成したとき、保護膜５の開口部６を介して露出された接続パッド２の上面にポリイミドなどからなる残渣が残存する場合がある。そこで、次に、この残渣を酸素プラズマアッシングにより除去する。この場合、保護膜５の上面側に凸凹構造の変質層Ａが形成される。次に、開口部４、６を介して露出された接続パッド２の上面に形成された自然酸化膜をアルゴンプラズマエッチングにより除去する。この場合、変質層Ａがさらに変質して網目構造の変質層Ｃが形成される。次に、チタンなどからなる第１の下地金属層７を成膜する。この場合、第１の下地金属層７は網目構造の変質層Ｃの上面に成膜されるため、その界面の密着力は高い。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板２に形成した貫通電極６の導電率及び熱伝導率を向上させる。
【解決手段】電子デバイス１は、表面に窪み４を有し、この窪み４の底面から裏面に貫通する貫通孔３が形成された絶縁基板２と、貫通孔３に充填され、ナノ金属粒子と１０μｍ以下の平均粒径導電性フィラーを混合した金属ペーストの熱処理により形成された貫通電極６と、窪み４に収納され、貫通電極６に電気的に接続される電子部品７と、この電子部品７を封止する封止部９とを備えており、貫通電極６の導電率及び熱伝導率を向上させた。 （もっと読む）

【課題】配線とコンタクトプラグの短絡を効果的に防止する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、隣り合う配線の間に位置する層間絶縁膜内に、配線が露出した第１のコンタクトホールを含む複数のコンタクトホールを形成する。次に、（ｉ）配線の露出した側面が、第１のコンタクトホールの第１の絶縁膜から構成される内壁側面と実質的に同一面となるか、又は（ｉｉ）第１のコンタクトホールの内壁側面において配線の露出した側面が窪んだ凹形状が形成されるように、露出した前記配線の一部を除去する。この後、コンタクトホールの内壁側面上にサイドウォール膜を形成後、コンタクトホール内に導電材料を充填することによりコンタクトプラグを形成する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング用ターゲットから垂直方向に叩き出されるターゲット原子の個数を増大させる。
【解決手段】薄膜形成に用いられるターゲット原子Ｐから構成されたターゲット５において、ターゲット５から斜め方向に叩き出されたターゲット原子Ｐを側壁に衝突させることでターゲット原子Ｐがターゲット５から放出されるのを遮る凹部５ａを表面に形成する。 （もっと読む）

【課題】マイクロローディング効果を防止しながら、上層配線となる金属配線のレイアウト制約のない構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１上に形成されたゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３の上に形成されたゲート電極４と、半導体基板１に形成された拡散層５と、半導体基板１の上に形成された絶縁膜７及び絶縁膜８と、絶縁膜及び絶縁膜８を貫通するホール９Ｄに埋め込まれ、側面を絶縁膜１１で覆われた金属材料からなるプラグ１２と、絶縁膜８を貫通しないホール１０Ｂに埋め込まれ、絶縁膜１１からなる絶縁体１０Ｃと、絶縁膜８の上に形成され、プラグ１２と電気的に接続する金属配線１３Ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体記憶装置の製造において、パターン間隔を縮小し、レジスト膜厚、エッチング量等のバラツキに対応する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上に被加工膜を形成する工程（ａ）、被加工膜上にレジスト膜を形成する工程（ｂ）、フォトマスクのマスクパターン２００ｂをレジスト膜に転写パターン２００ｃとして転写する工程（ｃ）、転写パターン２００ｃを加工する工程（ｄ）を含む。転写パターン２００ｃは、所定間隔を開けて端部同士が対向して直列に並ぶ第１及び第２の転写ラインパターン２０１ｃ及び２０２ｃと、これらに各々並列する第３及び第４の転写ラインパターン２０３ｃ及び２０４ｃと、第２及び第３の転写ラインパターン２０２ｃ及び２０３ｃの端部同士を接続する接続部２１２とを含む。工程（ｄ）にて、接続部２１２の少なくとも一部を除去し、第２及び第３の転写ラインパターン２０２ｃ及び２０３ｃを分離する。 （もっと読む）

【課題】配線の導通信頼性を損なうことなく、エアギャップを形成でき、配線間容量Ｃが低減した配線膜構造を有する半導体装置を提供することである。
【解決手段】 半導体装置の製造方法において、第１絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成工程と、前記第１絶縁膜に配線膜を形成する配線膜形成工程と、前記配線膜が形成されてない箇所の前記第１絶縁膜にドライエッチングで溝を形成するドライエッチング工程と、前記ドライエッチング工程の後、前記溝が埋め尽くされることが無いよう、前記配線膜および前記溝上に第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】素子の信頼性を劣化させることなく、より比誘電率の低い絶縁膜を形成する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、下地膜１０１に、環状シロキサンをプラズマ重合させて第一の絶縁膜１０２を形成する工程と、第一の絶縁膜１０２を形成する工程の後、連続的に、第一の絶縁膜１０２上に、環状シロキサンをプラズマ重合させて第二の絶縁膜１０３を形成する工程と、を含む。第一の絶縁膜１０２の成膜速度は、第二の絶縁膜１０３の成膜速度よりも遅い。 （もっと読む）

【課題】 少ない無機フィラーの含有量であっても、より熱伝導性が高い充填層を形成することができる層間充填材組成物を提供すること。
【解決手段】 三次元集積回路用の層間充填材組成物が、微粒子状樹脂フィラー、熱伝導度が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機フィラー、及びマトリックス樹脂を含有し、かつ該層間充填材組成物１００体積％あたり、微粒子状樹脂フィラーを１体積％以上５０体積％以下、無機フィラーを１体積％以上８０体積％以下含有する。 （もっと読む）

【課題】焼結工程および浸漬処理が不要であり、優れた導電性が得られる銀超微粒子含有組成物および導電性パターン作製方法を提供する。
【解決手段】水性媒体中に、平均粒径が０．１μｍ以下の銀超微粒子、ポリマーラテックス、および水溶性ハロゲン化物を含有することを特徴とする銀超微粒子含有組成物。およびこの銀超微粒子含有組成物を基材表面に塗布・乾燥させることによりパターンを作製し、該パターンに紫外線の照射および／または水分の再付与を行う導電性パターン作製方法。 （もっと読む）

【課題】応力が加わった場合であっても、抵抗値が変動しない構造を備える半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【解決手段】半導体装置内のパッシベーション膜ＳＮ１２と最上層アルミ配線Ｍとの間の領域に、金属抵抗素子層Ｒｍを形成している。これにより、パッケージング工程以降のモールド応力による抵抗値の変動が少ない高精度抵抗素子が実現でき、高精度なアナログ回路を形成することができる。 （もっと読む）