【課題】 面積やコストの増大を生じることなく高いＥＳＤ耐性を実現することのできるＥＳＤ保護回路を提供する。
【解決手段】 端子２０と接地端子３０の間に接続されるＥＳＤ保護回路１は、３段のダーリントン接続のトランジスタ１１〜１３と、トランジスタ１３のベースと接地端子３０間に接続されてトランジスタ１３の耐圧を向上させる抵抗１４と、トランジスタ１３の導通開始電圧調整のために端子２０とトランジスタ１１のベース間に接続されるダイオード１５〜１７を有する。端子２０へ高電位のＥＳＤが入力されるとダーリントン接続されたトランジスタ１１〜１３が急速に導通し、トランジスタ１３が端子２０の電荷を接地端子３０へ向かって大電流で引き抜く。 （もっと読む）

同心リング状のＥＳＤ構造（１０）は、半導体材料の層（２７）内に形成された第１ｐ型領域（１６）および第２ｐ型領域（１９）を含む。２つのｐ型領域（１６，１９）は、共に浮動ｎ型埋込み層（２６）に結合される。第１および第２ｐ型領域（１６，１９）は、浮動ｎ型埋込み層（２６）と共にバックツーバック・ダイオード構造を形成する。１対の短絡されたｎ型（１６７，１９７）およびｐ型（１６６，１９６）の接触領域は、第１および第２領域（１６，１９）内にそれぞれ形成される。分離領域（１７，３２）は、第１および第２ｐ型領域（１６，１９）間に形成される。
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本発明は、ＮＰＮトランジスタを通過する電流を駆動することにより、集積回路内に情報を電気的に、かつ永久的にプログラムするための集積回路に関する。この集積回路は、抵抗器を介して前記ＮＰＮトランジスタに接続された出力端、第１供給電圧に接続可能な供給ポイントおよび前記ＮＰＮトランジスタのプログラミングを制御するための制御入力端を有する第１電流供給回路を備える。更にこの集積回路は前記第１電流供給回路の供給ポイントに接続された出力端と、供給電圧に接続可能な供給ポイントと、前記ＮＰＮトランジスタのプログラミングを制御するための制御入力端を有する少なくとも１つの第２電流供給回路を備える。最後にこの集積回路は、前記ＮＰＮトランジスタをプログラムするのに必要な電圧を前記第１電流供給回路と少なくとも第２電流供給回路の両端に分割するよう設けられた第１電圧レベルコントローラを備える。
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電源制御装置システム（２５）は、電源制御装置システム（２５）のスタートアップ動作を制御するために２つの別個の電流を使用する。２つの電流は、電源制御装置システム（２５）の動作を抑止するために接地に分流され、２つの電流のうちの１つは電力消散を最小限にするためにディセーブルにされる。２つの独立した制御電流は、２つの別個の制御信号（２３、２４）に応答して、マルチ出力電流高電圧装置（１２）によって生成される。
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