【課題】光導波路を高速光伝送に適した長さにすることが可能で、かつモノリシックに集積することができる半導体光素子及びそれを用いた光送受信装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１上に形成した少なくとも２種類の屈折率の異なる半導体層からなる反射器７と、反射器７の上に形成した下部クラッド層３と上部クラッド層４に挟持された光導波路２と、光導波路２の少なくとも一方の端面に基板１面に対して４５°の角度をもって配置された反射鏡５と、反射鏡５に対向した位置の基板１の裏面に形成した反射防止膜６とを備える。 （もっと読む）

【課題】変調器集積型半導体レーザを用いた半導体レーザ装置に関し、従来に比べて低消費電力及び低コストで高速変調可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】温度により抵抗値の変化する温度依存終端抵抗４を、変調器集積型半導体レーザ３の変調器部３ｂに並列に接続し、温度依存終端抵抗４を介して変調器部３ｂへ変調信号を入力する構成とする。 （もっと読む）

【課題】高品質な光デバイスをシリコン基板上にモノリシックに形成する。
【解決手段】シリコンを含むベース基板と、ベース基板上に設けられた複数のシード結晶と、複数のシード結晶に格子整合または擬格子整合する複数の３−５族化合物半導体とを備え、複数の３−５族化合物半導体のうちの少なくとも１つに、供給される駆動電流に応じて光を出力する発光半導体、または光の照射を受けて光電流を発生する受光半導体を含む光電半導体が形成されており、複数の３−５族化合物半導体のうち、光電半導体を有する３−５族化合物半導体以外の少なくとも１つの３−５族化合物半導体にヘテロ接合トランジスタが形成されている光デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】１．３μｍよりも長波長側の波長帯で発光する光半導体素子及び集積素子を実現する。
【解決手段】光半導体素子を、ＩｎＡｓ量子ドット５と、ＩｎＡｓ量子ドット５の上下に接する一対のＩｎＧａＡｓバリア層４，６と、一対のＩｎＧａＡｓバリア層４，６のＩｎＡｓ量子ドット５に接する側の反対側に接し、ＩｎＧａＡｓバリア層４，６よりも直接遷移バンドギャップが狭いＳｉＧｅ層３，７とを備えるものとし、ＳｉＧｅ層３，７が接するＩｎＧａＡｓバリア層４，６の厚さを、ＩｎＡｓ量子ドット５と一対のＩｎＧａＡｓバリア層４，６とによって決まる量子準位のバンドギャップよりも量子準位のバンドギャップが狭くなるように設定する。 （もっと読む）

半導体レーザデバイスであって、集積フォトダイオードを有するレーザダイオードを有し、前記集積フォトダイオードを有するレーザダイオードのコンポーネントの１つを前記レーザダイオードの加熱にも用いる。設計が単純な波長制御された半導体レーザが得られる。
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【課題】ＩＶ族半導体埋込層の中に直接遷移型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる量子ドットが埋め込まれた構造の発光素子において、発光効率を向上させる。
【解決手段】発光素子を、Ｓｉを含む基板１と、基板１上に形成された活性層２とを備えるものとし、活性層２を、直接遷移型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料からなる量子ドット５と、量子ドット５の表面全体を覆う外殻部６と、外殻部６によって覆われた量子ドット５を埋め込むＩＶ族半導体埋込層３とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】素子間の特性ばらつきを抑制することのできる面発光レーザアレイおよびその製造方法ならびに半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかる面発光レーザアレイ１０００は、基板１０１と、第１の面発光レーザ１００と、第１の面発光レーザと隣り合う第２の面発光レーザ２００と、第２の面発光レーザと隣り合う第３の面発光レーザ３００とを含み、第１の面発光レーザ、第２の面発光レーザ、および第３の面発光レーザは、第１ミラーと、活性層と、第２ミラーと、第２ミラーの上方に形成され、レーザ光を出射するための開口部を有する電極と、を各々が有し、第２の面発光レーザの電極２０９の開口部２１９の径は、第１の面発光レーザの電極１０９の開口部１１９の径より小さく、かつ第３の面発光レーザの電極３０９の開口部３１９の径より大きい。 （もっと読む）

【課題】 ２ＤＰＣスラブ構造に代表される薄膜スラブ構造に適した電極配線を有する光デバイスの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 光デバイスの第１のコア層となるべき部位を有する第１の基板を用意し、光デバイスの第２のコア層となるべき部位、低屈折率絶縁性クラッド層となるべき部位を有する第２の基板を用意し、第２の基板の第２のコア層となるべき部位に、ｐ型、又はｎ型領域を形成するための不純物ドーピングを行い、第１の基板の第１のコア層となるべき部位と第２の基板の第２のコア層となるべき部位とを接合してコア層を形成させ、第１のコア層を形成する部位を残して第１の基板を除去し、コア層に所望の光デバイス構造を形成させ、第１のコア層を形成する部位の一部を除去し、第２のコア層を形成する部位の一部を露出させ、コア層上に低屈折率絶縁膜を形成させ、低屈折率絶縁膜の一部を除去し、第1のコア層を形成する部位、第２のコア層を形成する部位に接続する電極配線を形成する、光デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】電気部品や光部品などから出る電磁波ノイズの低減および放熱対策を図った電子デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上に配線パターン３を形成し、その配線パターン３は信号線パターン３ｓを有し、その信号線パターン３ｓにＩＣ等の半導体素子４，５を実装した電子デバイス１において、半導体素子４，５が実装される素子実装部３ｘの信号線パターン３ｘに半導体素子４，５を実装し、素子実装部の信号線パターン３ｓと半導体素子４，５とを、半導体素子４，５の少なくとも表面が露出するように樹脂層８で覆い、その樹脂層８と半導体素子４，５の露出した表面とを導電性材料からなる放熱部材９で覆ったものである。 （もっと読む）

【課題】効率の良い電流注入が可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上にＤＢＲミラー２を形成し、ＤＢＲミラー２上にｎ型の導電層４を形成し、導電層４上の一部に発光層５を形成し、導電層４上の発光層５の側面に絶縁層７を形成し、絶縁層７及び発光層５上にｐ型の導電層８を形成し、導電層８上に、発光層５の直上に位置するようにＤＢＲミラー９を形成し、導電層４と電気的に接続した電極１０を形成し、導電層８上に電極１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】面発光レーザ部およびダイオード部を含み所望の特性を有する光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る光素子の製造方法は，基板の上方に第１ミラーを形成する工程、第１ミラーの上方に活性層を形成する工程、活性層の上方に第２ミラーを形成する工程、第２ミラーの上に半導体層を形成する工程、および、半導体層の上に犠牲層を形成する工程を有する第１多層膜を形成する工程と、第１多層膜に対して反射率検査を行う第１検査工程と、第１多層膜から前記犠牲層を除去して第２多層膜を形成する工程と、第２多層膜に対して反射率検査を行う第２検査工程と、第１ミラー、活性層、および第２ミラーを有する面発光レーザ部、並びに、半導体層を有するダイオード部が形成されるように第２多層膜をパターニングする工程と、を含み，面発光レーザ部が発する光の設計波長をλとした場合に犠牲層の光学的膜厚はλ／４の奇数倍であるように形成される。 （もっと読む）

【課題】 ＥＳＤの耐圧を向上させつつ電流利用効率の低下を抑制する、面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】 ＶＣＳＥＬ１０は、基板１２上にレーザ光を出射する構造体３０と、ＥＳＤ対策用の構造体４０−１〜４０−８を含んでいる。構造体３０は、メサタイプであり、その周囲が溝３２によって半導体層が除去されており、その頂部にはｐ側上部電極層２４ａが形成されている。上部電極層２４ａにはレーザ出射用の開口部２８ａが形成されている。構造体４０−１〜４０−８は、非メサタイプであり、その周囲に離間された溝４２が形成され、その上部電極層２４ｂは配線層５０によって上部電極層２４ａに接続されている。構造体３０の上部電極層２４ａから下部ＤＢＲ１４に至る電流経路の抵抗は、構造体４０−１〜４０−８の上部電極層２４ｂから下部ＤＢＲ１４に至る電流経路の抵抗よりも小さい。 （もっと読む）

単一の半導体材料層から複数の変調された光ビームを供給する装置及び方法である。一例では、装置は、単一の半導体材料層に配置された複数の光導波路を含む。各光導波路は、光導波路に沿って画定される光共振器を含む。複数の光導波路を横切るよう単一の半導体材料層に隣接する単一の増幅媒体材料棒が含まれる。増幅媒体と半導体材料との界面が、各光導波路に沿って画定される。複数の光変調器が、単一の半導体材料層に配置される。各光変調器は、各光導波路に光結合され、光共振器から導かれる各光ビームを変調する。 （もっと読む）

【課題】電子回路の出力インターフェースの大容量化に伴い、半導体LSI上で電気信号を光信号に変換する光信号の本数が大幅に増大する。光信号を生成する手段として用いる半導体レーザの信頼性は、半導体LSIに比べて低いため、光信号が増大するに伴い、半導体レーザの数を減らさなければならないという課題がある。
【解決手段】光信号源として、半導体レーザの電流を直接変調する構成ではなく、半導体レーザからの連続光を外部光変調器によって変調し信号を生成する構成とする。半導体レーザからの連続光を分岐し、それぞれの連続光を外部光変調器により信号を生成する。例えば連続光を8分岐すると、半導体レーザの数は1/8に低減され、信頼性が高まる。 （もっと読む）

【課題】本来は非発光性である間接半導体を用いて効率よく発光する半導体発光材料を提供する。
【解決手段】構成原子が四面体結合構造をなして結合している母体半導体と、前記母体半導体の格子点サイトの構成原子と置換される不純物原子Ｓと、前記母体半導体の格子間サイトに挿入される不純物原子Ｉとを含み、前記不純物原子Ｓと前記不純物原子Ｉとの間の電荷移動により、前記不純物原子Ｓが前記母体半導体の構成原子と一致した電荷を持ち前記不純物原子Ｉが閉殻構造の電子配置をとった状態で結合している半導体物質からなり、前記半導体物質が前記四面体結合の結合方向に伸長されていることを特徴とする半導体発光材料。 （もっと読む）

【課題】 光通信用面発光レーザ光源において、その動作帯域を高めた場合でも信頼性の高い光源を提供する。
【解決手段】 少なくとも帯域５Ｇbps以上の１つの信号を発信する光通信用光源において、その光出射部が少なくとも直径１００μmの範囲内に配置される複数の垂直共振型面発光レーザにより構成され、該光源の制御機構として、光出力をモニタする手段と、レーザの劣化を判断する手段と、駆動レーザを切り替える手段を具備しており、該面発光レーザを１つずつ順次切り替えて駆動する。
【効果】 冗長性により高信頼光源が得られる。 （もっと読む）

【課題】 寄生容量及び寄生抵抗の低減を図ることにより、高周波特性の向上を図ることができる、光電子集積素子及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 光電子集積素子１００は、基板１１０と、基板１１０の上方に設けられ、第１ミラー１２０と、活性層１２２と、第２ミラー１２４と、を含む面発光型半導体レーザ１００Ｖと、面発光型半導体レーザ１００Ｖの上方に設けられ、少なくとも光吸収層１４２を含むフォトダイオード１００Ｐと、基板１１０の上方に設けられたバイポーラトランジスタ１００Ｂと、を含む。バイポーラトランジスタ１００Ｂは、第１ミラー１２０、活性層１２２、第２ミラー１２４、及び光吸収層１４２のそれぞれと同一の半導体層を含む。 （もっと読む）

共通な光軸に沿って入射光ビームを検出し、出射光ビームを送信する光トランシーバを提供する。かかる光トランシーバは、多種多様な用途に適したコンパクトな光トランシーバを提供する。
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本発明は、スイッチング機能を有する発光素子である発光型トランジスタ(LEFET)であって、十分な発光強度を得ることができ、より発光効率が高いものを提供するために成された。ドレイン電極２５の材料にアルミニウムを、ソース電極２４の材料に金を用いる。ソース電極２４−ドレイン電極２５間に電圧を印加することにより、ソース電極２４から正孔が、ドレイン電極２５から電子が、それぞれ発光体層２６に注入される。正孔と電子が再結合して、発光体層２６が発光する。発光のON/OFFはゲート電圧のON/OFFにより制御される。従来はドレイン電極にも金を用いていたのに対して、本発明では金よりも仕事関数の小さいアルミニウムを用いることにより、より低い電圧でより多くの電子を発光体層２６に注入することができる。そのため、発光強度及び発光効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】既に達した速度を潜在的に越えることさえできる極めて高速で動作できるバイポーラトランジスタとその方法を提供することである。
【解決手段】バイポーラトランジスタから制御可能な光放射を生成する方法及び素子が開示されている。また、以下の工程、つまりエミッタ、ベース、及びコレクタ領域を有するバイポーラトランジスタを提供し、電気信号とエミッタ、ベース、及びコレクタ領域を結合する電極を提供し、及び自然放射の不利益に対して誘導放射を強化するためにベース領域を適合させ、それによりベース領域のキャリア再結合寿命を削減する工程を含むバイポーラトランジスタの速度を増大させる方法も開示されている。 （もっと読む）