セラミック多層基板とセラミック多層基板の製造方法
【課題】その製造工程の歩留まり向上する事ができるセラミック多層基板を提供する。
【解決手段】複数のセラミック製のグリーンシート（グリーンシート１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ）を焼成して形成されたセラミック基板部２と、セラミック基板部２内部に形成された内部配線部７と、セラミック基板部２の表面に設けられた凹部５と、凹部５の内部に配置され、内部配線部７と電気的に接続されたチップ型電子部品３と、セラミック基板部２上に、湿式めっき法にて形成された金属層（第１の金属層１６、第２の金属層１７から形成された外部電極部９や、電子回路パターン配線部１０）と、を有するセラミック多層基板１において、凹部５のチップ型電子部品３上から充填されたガラス部１５、を有することを特徴とするセラミック多層基板１としたので、セラミック多層基板１の製造工程の歩留まり向上する事ができる。
【解決手段】複数のセラミック製のグリーンシート（グリーンシート１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ）を焼成して形成されたセラミック基板部２と、セラミック基板部２内部に形成された内部配線部７と、セラミック基板部２の表面に設けられた凹部５と、凹部５の内部に配置され、内部配線部７と電気的に接続されたチップ型電子部品３と、セラミック基板部２上に、湿式めっき法にて形成された金属層（第１の金属層１６、第２の金属層１７から形成された外部電極部９や、電子回路パターン配線部１０）と、を有するセラミック多層基板１において、凹部５のチップ型電子部品３上から充填されたガラス部１５、を有することを特徴とするセラミック多層基板１としたので、セラミック多層基板１の製造工程の歩留まり向上する事ができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック多層基板セラミック多層基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
セラミック多層基板は、耐熱性・耐湿性に優れ、また、高周波回路において良好な周波数特性を有することから、液晶のバックライト向けＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、発光ダイオード）を用いた電子回路用の基板として用いられている。
現在、この液晶のバックライト向けＬＥＤを、より小型化するため、そのセラミック多層基板内部にチップ型電子部品が内蔵することが要求されている（例えば、これに類似する技術は下記特許文献１に記載されている）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００６／０３０５６２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のセラミック多層基板は、複数のセラミック製のグリーンシートを積層し、更にその最表面（最外層）のグリーンシートのチップ型電子部品を配置した後に、それら積層されたグリーンシートを焼成し、更にその後、その表面に湿式めっき法によって金属層を形成されていたため、その湿式めっき法によって金属層を形成する際に使用する薬液（例えばめっき溶液）によって、チップ型電子部品の電気的特性が悪化するという問題を有していた。
【０００５】
すなわち、前記従来例におけるセラミック多層基板においては、湿式めっき法によって金属層を形成する際に使用する薬液によって、チップ型電子部品の電気的特性が悪化することによるセラミック多層基板の製造工程の歩留まりの低下が生じるという課題を有していた。
【０００６】
そこで、本発明は、この課題を解決し、セラミック多層基板の製造工程の歩留まり向上する事を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そして、この目的を達成するために本発明は、複数のセラミック製のグリーンシートを焼成して形成されたセラミック基板部と、前記セラミック基板部内部に形成された内部配線部と、前記セラミック基板部の表面に設けられた凹部と、前記凹部の内部に配置され、前記内部配線部と電気的に接続されたチップ型電子部品と、前記セラミック基板部上に、湿式めっき法にて形成された金属層と、を有するセラミック多層基板において、前記凹部の前記チップ型電子部品上から充填されたガラス部、を有することを特徴とするセラミック多層基板とした。
【０００８】
これにより所期の目的を達成するものである。
【発明の効果】
【０００９】
以上のように本発明は、複数のセラミック製のグリーンシートを焼成して形成されたセラミック基板部と、前記セラミック基板部内部に形成された内部配線部と、前記セラミック基板部の表面に設けられた凹部と、前記凹部の内部に配置され、前記内部配線部と電気的に接続されたチップ型電子部品と、前記セラミック基板部上に、湿式めっき法にて形成された金属層と、を有するセラミック多層基板において、前記凹部の前記チップ型電子部品上から充填されたガラス部、を有することを特徴とするセラミック多層基板としたので、セラミック多層基板の製造工程の歩留まり向上する事ができる。
【００１０】
すなわち、本発明においては、最表面（最外層）のグリーンシートに凹部を形成し、その後、前記凹部にチップ型電子部品を配置し、その後、前記凹部の前記チップ型電子部品上からガラスペーストを充填することによりガラス部を形成することによって、このガラス部が、湿式めっき法による金属層を形成する際に使用する薬液から、前記チップ型電子部品を保護することができ、チップ型電子部品の電気的特性が悪化することを防止することができるので、その結果として、セラミック多層基板の製造工程の歩留まりを向上することができるのである。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態１におけるセラミック多層基板の断面図
【図２】本発明の実施の形態１におけるセラミック多層基板のプロセスフローを示す図
【図３】本発明の実施の形態１におけるグリーンシートの断面図を示すものであり、図３（ａ）はグリーンシート１１Ａの断面図、図３（ｂ）はグリーンシート１１Ｂの断面図、図３（ｃ）はグリーンシート１１Ｃの断面図
【図４】本発明の実施の形態１におけるチップ型電子部品−グリーンシート積層体の積層手順を示す断面図
【図５】本発明の実施の形態１における積層配置工程にて作成されるチップ型電子部品−グリーンシート積層体の断面図
【図６】本発明の実施の形態１における焼成工程にて作成されるチップ型電子部品−グリーンシート積層体の断面図
【図７】本発明の実施の形態１における拘束層除去工程にて作成されるチップ型電子部品−グリーンシート積層体の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明のセラミック基板の実施の形態を図面とともに詳細に説明する。
（実施の形態１）
まず、はじめに、本発明の実施１におけるセラミック多層基板の構成に関して説明する。
【００１３】
図１は、実施の形態１におけるセラミック多層基板の断面図を示すものである。図１に示すように、セラミック多層基板１は、複数（具体的には本実施形態では後述のように３枚）のセラミック製のグリーンシートを焼成して形成されたセラミック基板部２と、そのセラミック基板部２内部に形成された内部配線部７と、セラミック基板２の表面に設けられた凹部５と、その凹部５の内部に配置され、内部配線部７と電気的に接続されたチップ型電子部品３と、凹部５のチップ型電子部品３上から充填されたガラス部１５とを有している。また、チップ型電子部品３の両端のチップ型電子部品電極４には、内部配線部７が接続されている。
【００１４】
更に、セラミック基板部２内部のチップ型電子部品３の周辺には、ビア６、内部配線部７が形成されている。また、セラミック基板部２の表裏面には、このセラミック多層基板１に所望の電子部品（例えばＬＥＤ）を実装するための、金属膜で形成された外部電極部９や、金属膜で形成された電子回路パターン配線部１０を有している。図１に示すように、本実施形態において、外部電極部９と所望の電子回路パターン配線部１０は、第１の金属層１６、第２の金属層１７という２層の金属層から形成されている。
【００１５】
本実施形態において、セラミック基板部２は、後述で再度説明するが、何れも、アルミナ粉末を５５［ｗｔ％］、ガラス粉末を４５［ｗｔ％］の割合で配合したガラス・セラミックの組成物で、シート状の形状のグリーンシートと呼ばれるものを、複数枚（少なくとも２枚以上）積層し、その後、９００［℃］にて焼成することによって形成する。 なお、本実施形態のセラミック基板部２においては、三枚のグリーンシートを積層、焼成したものを用いた。
【００１６】
また、本実施形態において、セラミック基板部２の内部にあるビア６は、前述の焼成前のグリーンシートに、予め、例えば、ＮＣパンチプレス（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ｃｏｎｔｒｏｌパンチプレス）によって孔を形成し、その後、その孔に導体ペーストを充填し、更に前述のセラミックシートを焼成する際に同時に焼成される事によって形成する。なお、本実施形態において、銀（Ａｇ）粒子とガラス成分を含有する導体ペーストを用いた。
【００１７】
また、本実施形態において、セラミック基板部２の内部にある内部配線部７は、前述の焼成前のグリーンシートに、予め、スクリーン印刷法を用いて所望のパターンに印刷して形成後、前述のセラミックシートを焼成する際に同時に焼成される事によって形成している。なお、本実施形態においては、銀（Ａｇ）粒子とガラス成分を含有する導体ペーストを用いた。
【００１８】
また、本実施形態において、図１に示すように、セラミック基板部２の表裏面の外部電極部９、および、電子回路パターン配線部１０は、第１の金属層１６と第２の金属層１７から形成されている。
【００１９】
ここで、本実施形態においては、第１の金属層１６は、湿式めっき法の一種である無電解めっき法によって銅（Ｃｕ）を形成し、その膜厚は０．５［ｕｍ］（＝５００［ｎｍ］）とした。本実施形態においては、第１の金属層１６は、無電解めっき法によって形成された銅（Ｃｕ）を用いたが、その他に、無電解めっき法によって形成されたニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）を用いることもできる。
【００２０】
また、本実施形態においては、第２の金属層１７は、湿式めっき法の一種である電解めっき法によって銅（Ｃｕ）を形成し、その膜厚は、５０［ｕｍ］としたが、この第２の金属層１７は、５［ｕｍ］から１００［ｕｍ］の間の膜厚で、適宜決定を行うことができるが、本実施形態において、第２の金属層１７の膜厚は２５［ｕｍ］形成した。また、本実施形態においては、第２の金属層１７は、電解めっき法によって形成された銅（Ｃｕ）を用いたが、その他に、無電解めっき法によって形成された金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）を用いることもできる。
【００２１】
また、本実施形態において、チップ型電子部品３は、液晶のバックライト向けＬＥＤの駆動する電子回路にしばしば使用されるバリスタを用いた。
【００２２】
それでは、以下に、本発明の実施の形態１におけるセラミック多層基板１の製造方法について説明する。
【００２３】
図２は、本実施形態のセラミック多層基板１のプロセスフローを示す図であり、大きく分けて、ステップ１：グリーンシート準備工程と、ステップ２：積層配置工程と、ステップ３：焼成工程と、ステップ４：拘束層除去工程と、ステップ５：外部電極・電子回路パターン配線部形成工程という、５つのステップからなるものである。
【００２４】
［ステップ１：グリーンシート準備工程］
先ずは、図３を用いてステップ１について説明する。
【００２５】
図３は、本発明の実施の形態１におけるグリーンシート準備工程において作成するグリーンシートの断面図を示すものである。
【００２６】
本実施形態においては、純のグリーンシート（アルミナ粉末を５５［ｗｔ％］、ガラス粉末を４５［ｗｔ％］の割合で配合したガラス・セラミックの組成物で、シート状の形状のもの）から、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示すように、グリーンシート１１Ａ（図３（ａ））、グリーンシート１１Ｂ（図３（ｂ））、グリーンシート１１Ｃ（図３（ｃ））を作成する。
【００２７】
まず、はじめに、図３（ａ）に示すグリーンシート１１Ａに関して説明する。グリーンシート１１Ａには、例えば、ＮＣパンチプレスによって孔を形成し、その後、その孔に導体ペーストを充填することによって、ビア６を形成する。これにて、グリーンシート１１Ａが完成する。
【００２８】
次に、図３（ｂ）に示すグリーンシート１１Ｂに関して説明する。グリーンシート１１Ｂは、はじめに、グリーンシート１１Ａと同様に、ビア６を形成する。その次に、グリーンシート１１Ｂ上面に導体ペーストを、クリーン印刷法を用いて所望のパターンに印刷して形成後、内部配線部７を形成する。これにて、グリーンシート１１Ｂが完成する。
【００２９】
次に、図３（ｃ）に示すグリーンシート１１Ｃに関して説明する。グリーンシート１１Ｃは、はじめに、グリーンシート１１Ａと同様に、ビア６を形成する。その次に、レーザー加工機器によって、凹部５を形成する。本実施形態においては、後の工程で、この凹部５内に配置するチップ型電子部品３のサイズが０６０３サイズ（縦０．６［ｍｍ］ｘ横０．３［ｍｍ］ｘ高さ０．１５［ｍｍ］）であるため、縦０．６５［ｍｍ］ｘ横０．３５［ｍｍ］の凹部５を形成した。また、グリーンシート１１Ｃの厚みは、焼成後の厚さ方向の収縮率（後述の図４中のＺ軸方向）とチップ型電子部品３の高さを考慮し、０．２３５［ｍｍ］の厚さのグリーンシートを用い、凹部５は、グリーンシート１１Ｃを貫通するように形成した。これにて、グリーンシート１１Ｃが完成する。
【００３０】
［ステップ２：積層配置工程］
次に、図４、図５を用いてステップ２について説明する。
【００３１】
図４は、本発明の実施の形態１におけるチップ型電子部品−グリーンシート積層体１２の積層手順を示す断面図である。また、図５は、本発明の実施の形態１における積層配置工程にて作成されるチップ型電子部品−グリーンシート積層体１２の断面図を示すものである。
【００３２】
まず、はじめに、図４、図５、及び後述の図６中に示している拘束層１３に関して説明する。
【００３３】
一般に、アルミナ粉末とガラス粉末を配合したガラス・セラミックの組成物で、シート状の形状のグリーンシートを、高温を印加すると、アルミナ粉末とガラス粉末が焼成することによって、そのグリーンシートの体積（平面方向、および厚さ方向）に収縮する。
【００３４】
本実施形態においても、次の工程であるステップ３：焼成工程にて、チップ型電子部品−グリーンシート積層体１２に熱を印加するのであるが、その際、それらグリーンシート１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃを挟み込むように、印加する温度では焼成しない成分のセラミックからなる拘束層１３を上下面に配置しておく。
こうすることによって、グリーンシート１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃは、図４中に示す、Ｘ方向、およびＹ方向（すなわち、チップ型電子部品−グリーンシート積層体１２の平面方向）には収縮せず、Ｚ方向（すなわち、チップ型電子部品−グリーンシート積層体１２の厚さ方向）にのみ収縮する。このＸ方向、Ｙ方向に収縮させないために、この拘束層１３を使用するのである。本実施形態においては、アルミナ粉末をシート状に成形したものを拘束層１３として用いた。
【００３５】
次に、図４を用いて、グリーンシート１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、およびチップ型電子部品３を積層し、チップ型電子部品−グリーンシート積層体１２を準備する方法を説明する。
【００３６】
まず、拘束層１３上に、グリーンシート１１Ａを積層する。次に、グリーンシート１１Ａ上にグリーンシート１１Ｂを、グリーンシート１１Ａに形成されているビア７と、グリーンシート１１Ｂに形成されているビア７の位置が合うように位置合わせを実施しながら積層する。次に、グリーンシート１１Ｂ上の所望の位置に、グリーンシート１１Ｃを位置合わせを実施しながら積層する。
【００３７】
次に、グリーンシート１１Ｃ上の凹部５の位置に、チップ型電子部品３を配置する。その次に、グリーンシート１１Ｂの凹部５中にあるチップ型電子部品３上から、ガラスペースト１４を塗布する。
最後に、グリーンシート１１Ｃ上に、拘束層１３を配置する。
【００３８】
このようにして、図５に示すような、チップ型電子部品−グリーンシート積層体１２が準備されるのである。
【００３９】
ここで、本実施形態においては、ガラスペースト１４としては、アルミナ粉末を５５［ｗｔ％］、ガラス粉末を４５［ｗｔ％］の割合で配合し、それをガラスに混合したガラス・セラミック含有のガラスペーストを用いた。
【００４０】
［ステップ３：焼成工程］
次に、ステップ３の焼成工程について説明する。
【００４１】
この工程では、図５に示すチップ型電子部品−グリーンシート積層体１２をグリーンシート１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃが焼成する温度にて加熱を行う。
本実施形態では、印加した熱の温度は９００℃、印加時間１時間で行なった。
この焼成工程後、図６に示すように、チップ型電子部品−グリーンシート積層体１２は、
その厚さ方向に収縮したものになる。
【００４２】
［ステップ４：拘束層除去工程］
次に、ステップ３の拘束層除去工程について説明する。
【００４３】
この工程では、水９６ｇと平均粒径０〜１０ｕｍのアルミナ粉末４ｇの割合の混合物を、圧力０．４［ＭＰａ］の圧縮空気にて、拘束層１３上から吹き付ける。
【００４４】
こうすることによって、拘束層１３のみ除去することができ、図７に示すようなものになる。
【００４５】
［ステップ５：外部電極・電子回路パターン配線部形成工程］
次に、ステップ５の外部電極・電子回路パターン配線部形成工程について説明する。
【００４６】
ステップ３にて焼成されたチップ型電子部品−グリーンシート積層体１２の表裏面（上下面）に、図１に示すような、所望の外部電極部９や、電子回路パターン配線部１０を形成する。
【００４７】
本実施形態においては、以下のように、まず第１の金属層１６、第２の金属層１７を形成し、その後、レジスト塗布／エッチングをすることによって、所望の外部電極部９や、電子回路パターン配線部１０を形成するのである。
【００４８】
まずはじめに、前処理として、セラミック基板部２上の表面に付着している異物及び油分などを除去する。この前処理は、本発明に必須の工程ではなく、セラミック基板部２上の表面がきれいな状態であれば不要である。次に、セラミック基板部２上の表面を、金属触媒を含む水溶液に接触させる。この金属触媒としては、第１の金属層１６を形成するための触媒となり得るもの、例えばパラジウム（Ｐｄ）触媒、銅（Ｃｕ）触媒等を用いることができる。本実施形態においては、銅（Ｃｕ）触媒を用いた。また、触媒付与工程における触媒の濃度、処理時間、温度等の諸条件は、適宜変更可能である。こうして、セラミック基板部２上の表面に、これら金属触媒（本実施形態においては銅（Ｃｕ）触媒）が結合する。
【００４９】
次に、無電解めっき法によって第１の金属層１６を形成するが、このとき無電解めっき液に含まれる還元成分により、セラミック基板部２の表面の金属触媒が還元されるため、触媒作用が働き、触媒金属を核として、無電解めっき膜が形成される。本実施形態においては、前述のように、無電解めっき法によって、銅（Ｃｕ）を形成した。また、この第１の金属層１６の膜厚は、前述のように、０．５［ｕｍ］（５００［ｎｍ］）を用いた。
【００５０】
次に、この第１の金属層１６の表面に、電解めっき法によって、第２の金属層１７を形成する。本実施形態においては、上述したように、第２の金属層１７として銅（Ｃｕ）を用いた。また、この第２の金属層１７の膜厚は、前述のように、２５［ｕｍ］を用いた。
【００５１】
次に、第１の金属層１６、及び第２の金属層１７を加工し、図１に示すような、外部電極部９や、電子回路パターン配線部１０を形成する。本実施形態においては、必要な第１の金属層１６、及び第２の金属層１７上にレジストを塗布し、その後、エッチングを行うことによって、所望の外部電極部９や、電子回路パターン配線部１０を形成した。以上が、ステップ５：外部電極・電子回路パターン配線部形成工程の説明である。
【００５２】
以上のように、図２に示すステップ１からステップ５を行うことによって、本実施形態のセラミック多層基板１を製造することができる。
【００５３】
以上のように、本実施形態においては、複数のセラミック製のグリーンシート（グリーンシート１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ）を焼成して形成されたセラミック基板部２と、セラミック基板部２内部に形成された内部配線部７と、セラミック基板部２の表面に設けられた凹部５と、凹部５の内部に配置され、内部配線部７と電気的に接続されたチップ型電子部品３と、セラミック基板部２上に、湿式めっき法にて形成された金属層（第１の金属層１６、第２の金属層１７から形成された外部電極部９や、電子回路パターン配線部１０）と、を有するセラミック多層基板１において、凹部５のチップ型電子部品３上から充填されたガラス部１５、を有することを特徴とするセラミック多層基板１としたので、セラミック多層基板１の製造工程の歩留まり向上する事ができる。
【００５４】
すなわち、本発明においては、最表面（最外層）のグリーンシート（グリーンシート１１Ｃ）に凹部５を形成し、その後、凹部５にチップ型電子部品３を配置し、その後、凹部５のチップ型電子部品３上からガラスペースト１４を充填することによりガラス部１５を形成することによって、このガラス部１５が、湿式めっき法による金属層（第１の金属層１６、第２の金属層１７から形成された外部電極部９や、電子回路パターン配線部１０）を形成する際に使用する薬液から、チップ型電子部品３を保護することができ、チップ型電子部品３の電気的特性が悪化することを防止することができるので、その結果として、セラミック多層基板の製造工程の歩留まりを向上することができるのである。
実際に、従来のセラミック多層基板（ガラス部１５がない場合のセラミック多層基板）の場合、湿式めっき法による金属層形成後のチップ型電子部品３の電気的特性がほぼ１００％悪化したが、本実施形態におけるセラミック多層基板１の場合、湿式めっき法による金属層形成後のチップ型電子部品３の電気的特性の悪化は一切発生しなかった。このことからも、本実施形態におけるセラミック多層基板においては、セラミック多層基板の製造工程の歩留まりを向上することができる、ということがいえる。
【００５５】
なお、本実施形態においては、セラミック基板部２上に形成した外部電極部９や、電子回路パターン配線部１０は、湿式めっき法によって形成された第１の金属層１６と、湿式めっき法によって形成された第２の金属層１７から形成されたものを用いたが、少なくとも、セラミック基板部２上に形成した金属層のうち、少なくともその一部が湿式めっき法によって形成された場合に、本発明のセラミック多層基板、及びセラミック多層基板の製造方法は有用である。例えば、第１の金属層１６は乾式めっき法、たとえば、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）スパッタ法を用いて形成され、第２の金属層１７が湿式めっき法によって形成された場合においても、本発明のセラミック多層基板、及びセラミック多層基板の製造方法は有用である。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明にかかるセラミック多層基板は、セラミック多層基板の製造工程の歩留まり向上する事ができるので、特に、最近普及の進んでいる液晶テレビや携帯電話の液晶画面用のバックライト向けＬＥＤ用の基板として用いられることが大いに期待されるものとなる。
【符号の説明】
【００５７】
１ セラミック多層基板
２ セラミック基板部
３ チップ型電子部品
４ チップ型電子部品電極
５ 凹部
６ ビア
７ 内部配線部
９ 外部電極部
１０ 電子回路パターン配線部
１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ グリーンシート
１２ チップ型電子部品−グリーンシート積層体
１３ 拘束層
１４ ガラスペースト
１５ ガラス部
１６ 第１の金属部
１７ 第２の金属部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック多層基板セラミック多層基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
セラミック多層基板は、耐熱性・耐湿性に優れ、また、高周波回路において良好な周波数特性を有することから、液晶のバックライト向けＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、発光ダイオード）を用いた電子回路用の基板として用いられている。
現在、この液晶のバックライト向けＬＥＤを、より小型化するため、そのセラミック多層基板内部にチップ型電子部品が内蔵することが要求されている（例えば、これに類似する技術は下記特許文献１に記載されている）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００６／０３０５６２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のセラミック多層基板は、複数のセラミック製のグリーンシートを積層し、更にその最表面（最外層）のグリーンシートのチップ型電子部品を配置した後に、それら積層されたグリーンシートを焼成し、更にその後、その表面に湿式めっき法によって金属層を形成されていたため、その湿式めっき法によって金属層を形成する際に使用する薬液（例えばめっき溶液）によって、チップ型電子部品の電気的特性が悪化するという問題を有していた。
【０００５】
すなわち、前記従来例におけるセラミック多層基板においては、湿式めっき法によって金属層を形成する際に使用する薬液によって、チップ型電子部品の電気的特性が悪化することによるセラミック多層基板の製造工程の歩留まりの低下が生じるという課題を有していた。
【０００６】
そこで、本発明は、この課題を解決し、セラミック多層基板の製造工程の歩留まり向上する事を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そして、この目的を達成するために本発明は、複数のセラミック製のグリーンシートを焼成して形成されたセラミック基板部と、前記セラミック基板部内部に形成された内部配線部と、前記セラミック基板部の表面に設けられた凹部と、前記凹部の内部に配置され、前記内部配線部と電気的に接続されたチップ型電子部品と、前記セラミック基板部上に、湿式めっき法にて形成された金属層と、を有するセラミック多層基板において、前記凹部の前記チップ型電子部品上から充填されたガラス部、を有することを特徴とするセラミック多層基板とした。
【０００８】
これにより所期の目的を達成するものである。
【発明の効果】
【０００９】
以上のように本発明は、複数のセラミック製のグリーンシートを焼成して形成されたセラミック基板部と、前記セラミック基板部内部に形成された内部配線部と、前記セラミック基板部の表面に設けられた凹部と、前記凹部の内部に配置され、前記内部配線部と電気的に接続されたチップ型電子部品と、前記セラミック基板部上に、湿式めっき法にて形成された金属層と、を有するセラミック多層基板において、前記凹部の前記チップ型電子部品上から充填されたガラス部、を有することを特徴とするセラミック多層基板としたので、セラミック多層基板の製造工程の歩留まり向上する事ができる。
【００１０】
すなわち、本発明においては、最表面（最外層）のグリーンシートに凹部を形成し、その後、前記凹部にチップ型電子部品を配置し、その後、前記凹部の前記チップ型電子部品上からガラスペーストを充填することによりガラス部を形成することによって、このガラス部が、湿式めっき法による金属層を形成する際に使用する薬液から、前記チップ型電子部品を保護することができ、チップ型電子部品の電気的特性が悪化することを防止することができるので、その結果として、セラミック多層基板の製造工程の歩留まりを向上することができるのである。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態１におけるセラミック多層基板の断面図
【図２】本発明の実施の形態１におけるセラミック多層基板のプロセスフローを示す図
【図３】本発明の実施の形態１におけるグリーンシートの断面図を示すものであり、図３（ａ）はグリーンシート１１Ａの断面図、図３（ｂ）はグリーンシート１１Ｂの断面図、図３（ｃ）はグリーンシート１１Ｃの断面図
【図４】本発明の実施の形態１におけるチップ型電子部品−グリーンシート積層体の積層手順を示す断面図
【図５】本発明の実施の形態１における積層配置工程にて作成されるチップ型電子部品−グリーンシート積層体の断面図
【図６】本発明の実施の形態１における焼成工程にて作成されるチップ型電子部品−グリーンシート積層体の断面図
【図７】本発明の実施の形態１における拘束層除去工程にて作成されるチップ型電子部品−グリーンシート積層体の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明のセラミック基板の実施の形態を図面とともに詳細に説明する。
（実施の形態１）
まず、はじめに、本発明の実施１におけるセラミック多層基板の構成に関して説明する。
【００１３】
図１は、実施の形態１におけるセラミック多層基板の断面図を示すものである。図１に示すように、セラミック多層基板１は、複数（具体的には本実施形態では後述のように３枚）のセラミック製のグリーンシートを焼成して形成されたセラミック基板部２と、そのセラミック基板部２内部に形成された内部配線部７と、セラミック基板２の表面に設けられた凹部５と、その凹部５の内部に配置され、内部配線部７と電気的に接続されたチップ型電子部品３と、凹部５のチップ型電子部品３上から充填されたガラス部１５とを有している。また、チップ型電子部品３の両端のチップ型電子部品電極４には、内部配線部７が接続されている。
【００１４】
更に、セラミック基板部２内部のチップ型電子部品３の周辺には、ビア６、内部配線部７が形成されている。また、セラミック基板部２の表裏面には、このセラミック多層基板１に所望の電子部品（例えばＬＥＤ）を実装するための、金属膜で形成された外部電極部９や、金属膜で形成された電子回路パターン配線部１０を有している。図１に示すように、本実施形態において、外部電極部９と所望の電子回路パターン配線部１０は、第１の金属層１６、第２の金属層１７という２層の金属層から形成されている。
【００１５】
本実施形態において、セラミック基板部２は、後述で再度説明するが、何れも、アルミナ粉末を５５［ｗｔ％］、ガラス粉末を４５［ｗｔ％］の割合で配合したガラス・セラミックの組成物で、シート状の形状のグリーンシートと呼ばれるものを、複数枚（少なくとも２枚以上）積層し、その後、９００［℃］にて焼成することによって形成する。 なお、本実施形態のセラミック基板部２においては、三枚のグリーンシートを積層、焼成したものを用いた。
【００１６】
また、本実施形態において、セラミック基板部２の内部にあるビア６は、前述の焼成前のグリーンシートに、予め、例えば、ＮＣパンチプレス（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ｃｏｎｔｒｏｌパンチプレス）によって孔を形成し、その後、その孔に導体ペーストを充填し、更に前述のセラミックシートを焼成する際に同時に焼成される事によって形成する。なお、本実施形態において、銀（Ａｇ）粒子とガラス成分を含有する導体ペーストを用いた。
【００１７】
また、本実施形態において、セラミック基板部２の内部にある内部配線部７は、前述の焼成前のグリーンシートに、予め、スクリーン印刷法を用いて所望のパターンに印刷して形成後、前述のセラミックシートを焼成する際に同時に焼成される事によって形成している。なお、本実施形態においては、銀（Ａｇ）粒子とガラス成分を含有する導体ペーストを用いた。
【００１８】
また、本実施形態において、図１に示すように、セラミック基板部２の表裏面の外部電極部９、および、電子回路パターン配線部１０は、第１の金属層１６と第２の金属層１７から形成されている。
【００１９】
ここで、本実施形態においては、第１の金属層１６は、湿式めっき法の一種である無電解めっき法によって銅（Ｃｕ）を形成し、その膜厚は０．５［ｕｍ］（＝５００［ｎｍ］）とした。本実施形態においては、第１の金属層１６は、無電解めっき法によって形成された銅（Ｃｕ）を用いたが、その他に、無電解めっき法によって形成されたニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）を用いることもできる。
【００２０】
また、本実施形態においては、第２の金属層１７は、湿式めっき法の一種である電解めっき法によって銅（Ｃｕ）を形成し、その膜厚は、５０［ｕｍ］としたが、この第２の金属層１７は、５［ｕｍ］から１００［ｕｍ］の間の膜厚で、適宜決定を行うことができるが、本実施形態において、第２の金属層１７の膜厚は２５［ｕｍ］形成した。また、本実施形態においては、第２の金属層１７は、電解めっき法によって形成された銅（Ｃｕ）を用いたが、その他に、無電解めっき法によって形成された金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）を用いることもできる。
【００２１】
また、本実施形態において、チップ型電子部品３は、液晶のバックライト向けＬＥＤの駆動する電子回路にしばしば使用されるバリスタを用いた。
【００２２】
それでは、以下に、本発明の実施の形態１におけるセラミック多層基板１の製造方法について説明する。
【００２３】
図２は、本実施形態のセラミック多層基板１のプロセスフローを示す図であり、大きく分けて、ステップ１：グリーンシート準備工程と、ステップ２：積層配置工程と、ステップ３：焼成工程と、ステップ４：拘束層除去工程と、ステップ５：外部電極・電子回路パターン配線部形成工程という、５つのステップからなるものである。
【００２４】
［ステップ１：グリーンシート準備工程］
先ずは、図３を用いてステップ１について説明する。
【００２５】
図３は、本発明の実施の形態１におけるグリーンシート準備工程において作成するグリーンシートの断面図を示すものである。
【００２６】
本実施形態においては、純のグリーンシート（アルミナ粉末を５５［ｗｔ％］、ガラス粉末を４５［ｗｔ％］の割合で配合したガラス・セラミックの組成物で、シート状の形状のもの）から、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示すように、グリーンシート１１Ａ（図３（ａ））、グリーンシート１１Ｂ（図３（ｂ））、グリーンシート１１Ｃ（図３（ｃ））を作成する。
【００２７】
まず、はじめに、図３（ａ）に示すグリーンシート１１Ａに関して説明する。グリーンシート１１Ａには、例えば、ＮＣパンチプレスによって孔を形成し、その後、その孔に導体ペーストを充填することによって、ビア６を形成する。これにて、グリーンシート１１Ａが完成する。
【００２８】
次に、図３（ｂ）に示すグリーンシート１１Ｂに関して説明する。グリーンシート１１Ｂは、はじめに、グリーンシート１１Ａと同様に、ビア６を形成する。その次に、グリーンシート１１Ｂ上面に導体ペーストを、クリーン印刷法を用いて所望のパターンに印刷して形成後、内部配線部７を形成する。これにて、グリーンシート１１Ｂが完成する。
【００２９】
次に、図３（ｃ）に示すグリーンシート１１Ｃに関して説明する。グリーンシート１１Ｃは、はじめに、グリーンシート１１Ａと同様に、ビア６を形成する。その次に、レーザー加工機器によって、凹部５を形成する。本実施形態においては、後の工程で、この凹部５内に配置するチップ型電子部品３のサイズが０６０３サイズ（縦０．６［ｍｍ］ｘ横０．３［ｍｍ］ｘ高さ０．１５［ｍｍ］）であるため、縦０．６５［ｍｍ］ｘ横０．３５［ｍｍ］の凹部５を形成した。また、グリーンシート１１Ｃの厚みは、焼成後の厚さ方向の収縮率（後述の図４中のＺ軸方向）とチップ型電子部品３の高さを考慮し、０．２３５［ｍｍ］の厚さのグリーンシートを用い、凹部５は、グリーンシート１１Ｃを貫通するように形成した。これにて、グリーンシート１１Ｃが完成する。
【００３０】
［ステップ２：積層配置工程］
次に、図４、図５を用いてステップ２について説明する。
【００３１】
図４は、本発明の実施の形態１におけるチップ型電子部品−グリーンシート積層体１２の積層手順を示す断面図である。また、図５は、本発明の実施の形態１における積層配置工程にて作成されるチップ型電子部品−グリーンシート積層体１２の断面図を示すものである。
【００３２】
まず、はじめに、図４、図５、及び後述の図６中に示している拘束層１３に関して説明する。
【００３３】
一般に、アルミナ粉末とガラス粉末を配合したガラス・セラミックの組成物で、シート状の形状のグリーンシートを、高温を印加すると、アルミナ粉末とガラス粉末が焼成することによって、そのグリーンシートの体積（平面方向、および厚さ方向）に収縮する。
【００３４】
本実施形態においても、次の工程であるステップ３：焼成工程にて、チップ型電子部品−グリーンシート積層体１２に熱を印加するのであるが、その際、それらグリーンシート１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃを挟み込むように、印加する温度では焼成しない成分のセラミックからなる拘束層１３を上下面に配置しておく。
こうすることによって、グリーンシート１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃは、図４中に示す、Ｘ方向、およびＹ方向（すなわち、チップ型電子部品−グリーンシート積層体１２の平面方向）には収縮せず、Ｚ方向（すなわち、チップ型電子部品−グリーンシート積層体１２の厚さ方向）にのみ収縮する。このＸ方向、Ｙ方向に収縮させないために、この拘束層１３を使用するのである。本実施形態においては、アルミナ粉末をシート状に成形したものを拘束層１３として用いた。
【００３５】
次に、図４を用いて、グリーンシート１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、およびチップ型電子部品３を積層し、チップ型電子部品−グリーンシート積層体１２を準備する方法を説明する。
【００３６】
まず、拘束層１３上に、グリーンシート１１Ａを積層する。次に、グリーンシート１１Ａ上にグリーンシート１１Ｂを、グリーンシート１１Ａに形成されているビア７と、グリーンシート１１Ｂに形成されているビア７の位置が合うように位置合わせを実施しながら積層する。次に、グリーンシート１１Ｂ上の所望の位置に、グリーンシート１１Ｃを位置合わせを実施しながら積層する。
【００３７】
次に、グリーンシート１１Ｃ上の凹部５の位置に、チップ型電子部品３を配置する。その次に、グリーンシート１１Ｂの凹部５中にあるチップ型電子部品３上から、ガラスペースト１４を塗布する。
最後に、グリーンシート１１Ｃ上に、拘束層１３を配置する。
【００３８】
このようにして、図５に示すような、チップ型電子部品−グリーンシート積層体１２が準備されるのである。
【００３９】
ここで、本実施形態においては、ガラスペースト１４としては、アルミナ粉末を５５［ｗｔ％］、ガラス粉末を４５［ｗｔ％］の割合で配合し、それをガラスに混合したガラス・セラミック含有のガラスペーストを用いた。
【００４０】
［ステップ３：焼成工程］
次に、ステップ３の焼成工程について説明する。
【００４１】
この工程では、図５に示すチップ型電子部品−グリーンシート積層体１２をグリーンシート１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃが焼成する温度にて加熱を行う。
本実施形態では、印加した熱の温度は９００℃、印加時間１時間で行なった。
この焼成工程後、図６に示すように、チップ型電子部品−グリーンシート積層体１２は、
その厚さ方向に収縮したものになる。
【００４２】
［ステップ４：拘束層除去工程］
次に、ステップ３の拘束層除去工程について説明する。
【００４３】
この工程では、水９６ｇと平均粒径０〜１０ｕｍのアルミナ粉末４ｇの割合の混合物を、圧力０．４［ＭＰａ］の圧縮空気にて、拘束層１３上から吹き付ける。
【００４４】
こうすることによって、拘束層１３のみ除去することができ、図７に示すようなものになる。
【００４５】
［ステップ５：外部電極・電子回路パターン配線部形成工程］
次に、ステップ５の外部電極・電子回路パターン配線部形成工程について説明する。
【００４６】
ステップ３にて焼成されたチップ型電子部品−グリーンシート積層体１２の表裏面（上下面）に、図１に示すような、所望の外部電極部９や、電子回路パターン配線部１０を形成する。
【００４７】
本実施形態においては、以下のように、まず第１の金属層１６、第２の金属層１７を形成し、その後、レジスト塗布／エッチングをすることによって、所望の外部電極部９や、電子回路パターン配線部１０を形成するのである。
【００４８】
まずはじめに、前処理として、セラミック基板部２上の表面に付着している異物及び油分などを除去する。この前処理は、本発明に必須の工程ではなく、セラミック基板部２上の表面がきれいな状態であれば不要である。次に、セラミック基板部２上の表面を、金属触媒を含む水溶液に接触させる。この金属触媒としては、第１の金属層１６を形成するための触媒となり得るもの、例えばパラジウム（Ｐｄ）触媒、銅（Ｃｕ）触媒等を用いることができる。本実施形態においては、銅（Ｃｕ）触媒を用いた。また、触媒付与工程における触媒の濃度、処理時間、温度等の諸条件は、適宜変更可能である。こうして、セラミック基板部２上の表面に、これら金属触媒（本実施形態においては銅（Ｃｕ）触媒）が結合する。
【００４９】
次に、無電解めっき法によって第１の金属層１６を形成するが、このとき無電解めっき液に含まれる還元成分により、セラミック基板部２の表面の金属触媒が還元されるため、触媒作用が働き、触媒金属を核として、無電解めっき膜が形成される。本実施形態においては、前述のように、無電解めっき法によって、銅（Ｃｕ）を形成した。また、この第１の金属層１６の膜厚は、前述のように、０．５［ｕｍ］（５００［ｎｍ］）を用いた。
【００５０】
次に、この第１の金属層１６の表面に、電解めっき法によって、第２の金属層１７を形成する。本実施形態においては、上述したように、第２の金属層１７として銅（Ｃｕ）を用いた。また、この第２の金属層１７の膜厚は、前述のように、２５［ｕｍ］を用いた。
【００５１】
次に、第１の金属層１６、及び第２の金属層１７を加工し、図１に示すような、外部電極部９や、電子回路パターン配線部１０を形成する。本実施形態においては、必要な第１の金属層１６、及び第２の金属層１７上にレジストを塗布し、その後、エッチングを行うことによって、所望の外部電極部９や、電子回路パターン配線部１０を形成した。以上が、ステップ５：外部電極・電子回路パターン配線部形成工程の説明である。
【００５２】
以上のように、図２に示すステップ１からステップ５を行うことによって、本実施形態のセラミック多層基板１を製造することができる。
【００５３】
以上のように、本実施形態においては、複数のセラミック製のグリーンシート（グリーンシート１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ）を焼成して形成されたセラミック基板部２と、セラミック基板部２内部に形成された内部配線部７と、セラミック基板部２の表面に設けられた凹部５と、凹部５の内部に配置され、内部配線部７と電気的に接続されたチップ型電子部品３と、セラミック基板部２上に、湿式めっき法にて形成された金属層（第１の金属層１６、第２の金属層１７から形成された外部電極部９や、電子回路パターン配線部１０）と、を有するセラミック多層基板１において、凹部５のチップ型電子部品３上から充填されたガラス部１５、を有することを特徴とするセラミック多層基板１としたので、セラミック多層基板１の製造工程の歩留まり向上する事ができる。
【００５４】
すなわち、本発明においては、最表面（最外層）のグリーンシート（グリーンシート１１Ｃ）に凹部５を形成し、その後、凹部５にチップ型電子部品３を配置し、その後、凹部５のチップ型電子部品３上からガラスペースト１４を充填することによりガラス部１５を形成することによって、このガラス部１５が、湿式めっき法による金属層（第１の金属層１６、第２の金属層１７から形成された外部電極部９や、電子回路パターン配線部１０）を形成する際に使用する薬液から、チップ型電子部品３を保護することができ、チップ型電子部品３の電気的特性が悪化することを防止することができるので、その結果として、セラミック多層基板の製造工程の歩留まりを向上することができるのである。
実際に、従来のセラミック多層基板（ガラス部１５がない場合のセラミック多層基板）の場合、湿式めっき法による金属層形成後のチップ型電子部品３の電気的特性がほぼ１００％悪化したが、本実施形態におけるセラミック多層基板１の場合、湿式めっき法による金属層形成後のチップ型電子部品３の電気的特性の悪化は一切発生しなかった。このことからも、本実施形態におけるセラミック多層基板においては、セラミック多層基板の製造工程の歩留まりを向上することができる、ということがいえる。
【００５５】
なお、本実施形態においては、セラミック基板部２上に形成した外部電極部９や、電子回路パターン配線部１０は、湿式めっき法によって形成された第１の金属層１６と、湿式めっき法によって形成された第２の金属層１７から形成されたものを用いたが、少なくとも、セラミック基板部２上に形成した金属層のうち、少なくともその一部が湿式めっき法によって形成された場合に、本発明のセラミック多層基板、及びセラミック多層基板の製造方法は有用である。例えば、第１の金属層１６は乾式めっき法、たとえば、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）スパッタ法を用いて形成され、第２の金属層１７が湿式めっき法によって形成された場合においても、本発明のセラミック多層基板、及びセラミック多層基板の製造方法は有用である。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明にかかるセラミック多層基板は、セラミック多層基板の製造工程の歩留まり向上する事ができるので、特に、最近普及の進んでいる液晶テレビや携帯電話の液晶画面用のバックライト向けＬＥＤ用の基板として用いられることが大いに期待されるものとなる。
【符号の説明】
【００５７】
１ セラミック多層基板
２ セラミック基板部
３ チップ型電子部品
４ チップ型電子部品電極
５ 凹部
６ ビア
７ 内部配線部
９ 外部電極部
１０ 電子回路パターン配線部
１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ グリーンシート
１２ チップ型電子部品−グリーンシート積層体
１３ 拘束層
１４ ガラスペースト
１５ ガラス部
１６ 第１の金属部
１７ 第２の金属部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック製のグリーンシートを焼成して形成されたセラミック基板部と、
前記セラミック基板部内部に形成された内部配線部と、
前記セラミック基板部の表面に設けられた凹部と、
前記凹部の内部に配置され、前記内部配線部と電気的に接続されたチップ型電子部品と、
前記セラミック基板部上に、湿式めっき法にて形成された金属層と、
を有するセラミック多層基板において、
前記凹部の前記チップ型電子部品上から充填されたガラス部と、
を有することを特徴とするセラミック多層基板。
【請求項２】
前記ガラス部が、前記グリーンシートと同一の無機成分をペースト化したものであることを特徴とする請求項１記載のセラミック多層基板。
【請求項３】
複数のセラミック製のグリーンシートを焼成して形成されたセラミック基板部と、
前記セラミック基板部内部に形成された内部配線部と、
前記セラミック基板の表面に設けられた凹部と、
前記凹部の内部に配置され、前記内部配線部と電気的に接続されたチップ型電子部品と、
前記ガラス部上に、湿式めっき法にて形成された金属層と、
を有するセラミック多層基板の製造方法において、
少なくとも１枚の前記グリーンシートの前記チップ型電子部品を配置する部分に前記凹部を形成することを含むセラミックシート準備工程と、
前記凹部が形成されたセラミックシートを最上面に配置するように複数のセラミック製のグリーンシートを積層配置し、その後、前記凹部に前記チップ型電子部品を配置し、その後、前記凹部の前記チップ型電子部品上からガラスペーストを塗布することによって、チップ型電子部品−グリーンシート積層体を準備する積層配置工程と、
前記チップ型電子部品−グリーンシート積層体を、グリーンシートの焼成温度を印加する焼成工程と、
焼成工程後のチップ型電子部品-グリーンシート積層体の表面に湿式めっき法によって金属層を形成する金属層形成工程と、
を含むセラミック多層基板の製造方法。
【請求項４】
前記ガラスペーストの成分が、前記グリーンシートに含有する同一の無機成分をペースト化したものであること、
を特徴とする請求項３記載のセラミック多層基板の製造方法。
【請求項１】
複数のセラミック製のグリーンシートを焼成して形成されたセラミック基板部と、
前記セラミック基板部内部に形成された内部配線部と、
前記セラミック基板部の表面に設けられた凹部と、
前記凹部の内部に配置され、前記内部配線部と電気的に接続されたチップ型電子部品と、
前記セラミック基板部上に、湿式めっき法にて形成された金属層と、
を有するセラミック多層基板において、
前記凹部の前記チップ型電子部品上から充填されたガラス部と、
を有することを特徴とするセラミック多層基板。
【請求項２】
前記ガラス部が、前記グリーンシートと同一の無機成分をペースト化したものであることを特徴とする請求項１記載のセラミック多層基板。
【請求項３】
複数のセラミック製のグリーンシートを焼成して形成されたセラミック基板部と、
前記セラミック基板部内部に形成された内部配線部と、
前記セラミック基板の表面に設けられた凹部と、
前記凹部の内部に配置され、前記内部配線部と電気的に接続されたチップ型電子部品と、
前記ガラス部上に、湿式めっき法にて形成された金属層と、
を有するセラミック多層基板の製造方法において、
少なくとも１枚の前記グリーンシートの前記チップ型電子部品を配置する部分に前記凹部を形成することを含むセラミックシート準備工程と、
前記凹部が形成されたセラミックシートを最上面に配置するように複数のセラミック製のグリーンシートを積層配置し、その後、前記凹部に前記チップ型電子部品を配置し、その後、前記凹部の前記チップ型電子部品上からガラスペーストを塗布することによって、チップ型電子部品−グリーンシート積層体を準備する積層配置工程と、
前記チップ型電子部品−グリーンシート積層体を、グリーンシートの焼成温度を印加する焼成工程と、
焼成工程後のチップ型電子部品-グリーンシート積層体の表面に湿式めっき法によって金属層を形成する金属層形成工程と、
を含むセラミック多層基板の製造方法。
【請求項４】
前記ガラスペーストの成分が、前記グリーンシートに含有する同一の無機成分をペースト化したものであること、
を特徴とする請求項３記載のセラミック多層基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１２−２０４７１１（Ｐ２０１２−２０４７１１Ａ）
【公開日】平成２４年１０月２２日（２０１２．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６９２３３（Ｐ２０１１−６９２３３）
【出願日】平成２３年３月２８日（２０１１．３．２８）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月２２日（２０１２．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月２８日（２０１１．３．２８）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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