【課題】被測定ＡＣ信号の損失と反射を低減する。
【解決手段】ＤＣ−ＡＣプローブ・カード２０は、プローブ・ニードル２６及び３１を有し、これらは、ＤＵＴに接触する末端を夫々有する。接続経路２４及び３０は、試験計装２２及び２８をプローブ・ニードル２６及び３１に接続するよう使用できる。接続経路２４及び３０の夫々は、夫々の対応する試験計装２２及び２８と、プローブ・ニードル２６及び３１の間に、ＡＣ測定に適した所望特性インピーダンスと、ＤＣ測定に適したガードされた経路の両方を提供する。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路装置の試験方法及び半導体集積回路装置に関し、所定の回路動作を行った状態のまま半導体集積回路装置側の操作で所望の温度に制御する。
【解決手段】 スクリーニング試験前の工程にて測定された半導体集積回路装置の回路毎の電源電流値或いは電流ランクのいずれかにより、前記半導体集積回路装置全体毎または個別の回路動作毎に、適切な周波数に周波数設定し、所望の発熱量になるよう発熱量の制御を行い、スクリーニング試験時に、所定の回路動作を行った状態のまま所望の温度に制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、テスト時に半導体の終端部での放電を防止することが可能な半導体テスト治具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による半導体テスト治具は、プローブピン３と、プローブピン３を平面視で囲むように設けられた絶縁物２とが配設された土台１と、土台１のプローブピン３および絶縁物２が配設された側の面に対向して配置され、土台１側の面上に被検体４を載置することが可能なステージ６とを備え、ステージ６に被検体４を載置して土台１とステージ６とが接近する方向に移動する際、プローブピン３が被検体４に形成された電極と接触すると共に、絶縁物２が被検体４に接触することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子の動特性と、静特性たる飽和電圧とを１台の装置で精密に検査すること。
【解決手段】パワー半導体素子たるスイッチング素子６をスイッチング動作させて電気的な動特性を検査するとともに、検査時の短絡電流の発生に伴って前記スイッチング素子６を電気的に遮断するトランジスタ５３を備えた半導体検査装置１において、前記トランジスタ５３を定電流出力動作させる定電流回路６０を構成し、前記定電流回路６０によって前記トランジスタ５３が出力する定電流を前記スイッチング素子６に与えて飽和電圧Ｖｃｅ（ｓａｔ）を検査する構成とした。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳトランジスタ集積回路中のリング発振器では、使用期間が長くなるとそれを構成しているＭＯＳトランジスタの特性に劣化が生じ、発振周期が大になって来る。従って、劣化度合を量的に把握する必要があったが、個別の集積回路につき、ＭＯＳトランジスタの劣化度合を算出するようにしたものは従来なかった。
【解決手段】リング発振器２を集積するＭＯＳトランジスタ集積回路１内に、ＮＭＯＳトランジスタの劣化のみ生ずる構成にしたリング発振器４、ＰＭＯＳトランジスタの劣化のみ生ずる構成にしたリング発振器５を作り込む。それらの現時点での発振周期もしくは製造当初の発振周期を基に、劣化による増加遅延時間や発振周期を模擬算出装置７で算出する。 （もっと読む）

【課題】検査用電極を備えるＣＭＯＳ論理ＩＣパッケージおよびその検査方法の提供。
【解決手段】パッケージ内の各接続用電極パッドに近接する位置に設けられた検査用電極とバッファゲートを備えるＣＭＯＳ論理ＩＣパッケージを提供し、プリント配線基板に実装されたＣＭＯＳ論理ＩＣパッケージの検査用電極に低電圧の検査信号を印加したときの電源電流を測定することによりパッケージ内の接続用電極パッドとプリント配線基板の電極ランド間の開放故障（断線故障および半断線故障を含む）を検査するＣＭＯＳ論理ＩＣパッケージの検査方法およびそのＣＭＯＳ論理ＩＣパッケージ。 （もっと読む）

【課題】測定時におけるスイッチング素子の破損の可能性を低くする。
【解決手段】ウエハに形成された複数のスイッチング素子のリーク電流を測定する測定装置であって、ウエハに形成された複数のスイッチング素子のそれぞれの端子と電気的に接続するプローブと、ウエハに形成された複数のスイッチング素子のそれぞれにプローブを介して互いに異なる位相で変化する変化電圧を印加する電圧印加部と、オフ状態における複数のスイッチング素子のそれぞれに流れるリーク電流を測定する電流測定部とを備える測定装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】試験コンタクト装置の台数を削減でき、試験機の構成部品や測定回路の共通化を可能にして設備コストの低減し、かつＡＣ試験条件（波形）の改善が可能とする。
【解決手段】統合試験装置は、ＡＣ試験機１６とＤＣ試験機１７が設けられ、中間電極板２０を挟んで、ＤＵＴ載置台２２とＡＣ試験回路部２４が上下方向に昇降可能に配置される。中間電極板２０はサポート板２１により固定され、ＤＵＴ載置台２２は、中間電極板２０の下部にあって、ＩＧＢＴモジュール１がその外部端子１Ｎ等を上向きの状態にして所定の位置に保持され、シリンダー２３により上下させることで各外部端子が中間電極板２０と接続・非接続の状態となる。中間電極板２０上の電極部分にＡＣ試験機１６、ＤＣ試験機１７各々との可動接触部を設けた一台のコンタクト装置で、ＤＣパラメータ、ＡＣパラメータ、および熱抵抗の各試験を切替えて行う。 （もっと読む）

【課題】直流電源装置の逆流防止用素子の検査を容易に行うこと。
【解決手段】容量素子ＣＤと抵抗素子ＲＤと整流素子Ｄとを並列接続した等価回路として表され、正弦波電圧に対する容量素子ＣＤによる虚数分電流と抵抗素子ＲＤによる実数分電流とが電流ベクトルの位相差をもって検出されるダイオード等の電流逆流防止用素子を複数並列接続した直流電源装置の逆流防止用素子オープンモード故障及びショートモード故障を検査するものであって、所定値の直流電圧と断続した正弦波交流電圧を重畳させた検査電流を電源装置１７の正負端子に供給し、検査電流の抵抗素子による実数分電流を除去することにより、電源装置１７の物理的インタフェースを変更することなく、並列接続された逆流防止用素子の故障を容易に検査することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体レーザの状態の判定精度を向上させることができる、半導体レーザの判定装置および半導体レーザの判定方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザの判定装置は、半導体レーザの動作範囲において、Ｌｏｗ側に第１周波数の交流信号が重畳されＨｉｇｈ側に前記第１周波数と異なる第２周波数の交流信号が重畳された駆動電流を前記半導体レーザに供給する駆動電流供給手段と、前記半導体レーザに印加される電圧のうち前記第１周波数の成分を抽出する第１フィルタと、前記半導体レーザに印加される電圧のうち前記第２周波数の成分を抽出する第２フィルタと、前記第１フィルタの抽出結果から求まる微分抵抗値と前記第２フィルタの抽出結果から求まる微分抵抗値とに基づいて前記半導体レーザの状態を判定する判定手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタの半導体の移動度分布をナノメートルレベルの空間分解能で測定することが可能となる技術を提供することである。
【解決手段】探針で電界効果トランジスタのチャンネル表面を走査しながら、各点において探針直下のチャンネルの表面電位およびトラップ電荷による電位を、原子間力顕微鏡を用いた電位測定により測定し求めた電位から局所的な移動度を算出し、さらに各点で算出された移動度に基づいて移動度分布を求める。 （もっと読む）

【課題】被検体の多数の回路網の電気的接続状態を高速で検査できるようにする。
【解決手段】複数の発振回路１２−１〜１２−ｎとして、回路構成が簡単で、高密度実装が可能な例えばクラップ発振回路を用いる。そして、これらクラップ発振回路１２−１〜１２−ｎを第１の基板３０上に高密度に実装することにより、多数の回路網をコンタクトプローブ１１−１〜１１−ｎによる一度のコンタクトで非常に高速に検査できるようにする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の不良箇所解析方法としては、発熱解析法、ホット・エレクトロン発光解析法、液晶法、ＩＲ−ＯＢＩＲＣＨ法などがあるが、金属層下方の不良箇所を発熱により特定する方法としては液晶法が知られているが、精度が低いため不良解析に有効活用できていない。
【解決手段】脈流状態の波形の電圧を印加しながら、半導体素子を動作させ、半導体素子を流れる電流によって生じた発熱を発熱解析装置により検出し、発熱後の半導体素子の赤外線画像より、不良箇所を特定する。脈流状態の波形の電圧であるので、間欠的に発熱させることができ、発熱の特異箇所をピンポイントで特定することができる。 （もっと読む）

【課題】ＤＵＴ上のＩＶ測定とＣＶ測定との間の切り替えに際して、ケーブルを接続変えしたりＤＵＴ又はその付近にスイッチング回路類を設けたりする問題を回避しつつ、ＤＵＴの電気的パラメーターを測定することができるようにする。
【解決手段】少なくとも３つの端子を有するＤＵＴ１１０の第１の端子Ｇに第１の交流電圧を印加し、第２及び第３の端子を仮想の第２の交流電圧にそれぞれ別々に駆動し、各仮想電圧は、それぞれの電流を必要とし、第１の交流電圧と仮想の第２の交流電圧にある第２、第３の端子とに基づいてＤＵＴ１１０の電気的パラメーターを測定する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の容量値Ｃを高精度に且つ安定して算出することが可能な容量値測定方法及び容量値測定器を提供する。
【解決手段】ＭＩＳ構造の複素インピーダンスＺの周波数依存性を測定した後、当該測定結果に基づいて、複素インピーダンスＺの虚部（反転値）測定値−Ｉｍ（Ｚ）の周波数依存性におけるピーク高さＲｐ／２を算出し、当該算出結果を用いて並列抵抗の抵抗値Ｒｐを算出する。また、前記測定結果に基づいて、複素インピーダンスＺの実部Ｒｅ（Ｚ）の低周波測定値（Ｒｐ＋Ｒｓ）を算出し、当該算出結果及び算出した抵抗値Ｒｐを用いて直列抵抗の抵抗値Ｒｓを算出する。以上の結果に基づいて、Ｒｅ（Ｚ）＝Ｒｐ／２＋Ｒｓであるときの周波数ｆを求め、当該周波数ｆ及び算出した抵抗値Ｒｐをｆ（Ｒｅ（Ｚ）＝Ｒｐ／２＋Ｒｓ）＝１／（２πＲｐＣ）の関係式に代入することによって、容量値Ｃを算出する。 （もっと読む）

【課題】 SOI MOSFETのAC動作時の実効的な寄生容量を精度良く測定可能な評価方法とMOSFET作製後のSOI基板の品質評価方法およびそれらの評価装置を提供する．
【解決手段】SOI MOSFETのゲートバイアスに交流信号を重乗し，ドレイン電流の応答から，ロックインアンプを用いて実効寄生容量を測定する．SOI MOSFETのバックゲートバイアスや試料温度が異なる条件で実効寄生容量を測定して比較するとSOI層と埋め込み酸化膜（BOX層）との界面の品質を評価できる． （もっと読む）

【課題】複数のヘッド側コネクタの劣化度を測定する。
【解決手段】パフォーマンスボードに代えてテストヘッドに対して装着され、装着時において複数のヘッド側コネクタに一対一で電気的に接続される複数の測定用コネクタを含む測定ボードと、複数のヘッド側コネクタのそれぞれについて、ヘッド側コネクタおよび測定用コネクタに測定信号を通過させる信号発生部と、複数のヘッド側コネクタを通過した複数の測定信号を検出する信号検出部と、複数のヘッド側コネクタを通過した複数の測定信号に基づき、複数のヘッド側コネクタのそれぞれの周波数特性である複数の測定周波数特性を算出する周波数特性算出部と、複数のヘッド側コネクタのそれぞれについて、基準となる周波数特性である基準周波数特性と測定周波数特性との差に基づき劣化度を算出する劣化度算出部とを有する測定装置を備える試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】複数種類の測定を切り替える際の待ち時間を減らす
【解決手段】
第一の導体と第一の導体を囲む第二の導体と第二の導体を囲む第三の導体とを具備する同軸線路の第一の導体に接続された被測定物の複数種類の電気的特性を、切替装置に接続された第一の測定装置および第二の測定装置を切り替えることにより測定する方法であって、切替装置により第一の測定装置が被測定物に電気的に接続されている場合に、第一の電気的特性を測定するための電圧を第一の測定装置により第一の導体に与えるとともに、第一の導体の電位と同じ電位を第二の導体に与えるステップと、切替装置により、第一の測定装置を被測定物から切り離し、第二の測定装置を被測定物に電気的に接続するステップと、被測定物の第二の電気的特性を第二の測定装置により測定するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】多層の配線層が形成されたＬＳＩにおいて、解析の困難な下層の配線領域におけるショート不良およびショート欠陥配線を検出・可視化することができ、また、より簡略化された解析装置にて故障解析を実施することにより、故障解析作業の簡便化を図り、かつ故障箇所の特定および解析時間の短縮化が可能なＬＳＩの故障解析技術を提供する。
【解決手段】ＬＳＩの故障解析装置において、信号発生器３からＬＳＩ２の電源電圧に交流変動成分を印加し、プローブ１および変動検出部５でＬＳＩ２内の電源電流変動、またはこの電源電流変動にて生ずる磁界強度などの電気的特性変動を検出して欠陥検出を行い、この欠陥検出結果に基づいてＬＳＩの故障解析を行う。 （もっと読む）

【課題】受光素子の交流特性の検査を高い精度で行うことで受光素子の品質を確保することが可能な受光素子の検査装置を提供する。
【解決手段】照射された光に応じた電気信号を出力する受光素子１０を検査する検査装置１において、受光素子１０を検査する交流検査信号として、データ通信規格に準拠した同期信号および検査パターン信号を発生する検査信号発生部２と、交流検査信号を交流検査光として出射する光照射部３と、受光素子１０が交流検査光を受光することで出力される出力信号を第２記憶部８２に蓄積して、同期信号で同期したタイミングで第１記憶部８１に蓄積した検査パターンデータと比較し、比較した結果から受光素子１０の良否を判定する比較判定部８３とを備えた。 （もっと読む）