【課題】 サファイア基板等に破損が生じる前に研削加工を停止可能な研削装置を提供することである。
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を研削する研削砥石を有する研削ホイールが回転可能に装着された研削手段とを備えた研削装置であって、該研削手段は、該研削ホイールが連結されるスピンドルを回転可能に支持するスピンドルハウジングと、該スピンドルハウジングに装着された振動測定手段と、該スピンドルハウジングを支持し該チャックテーブルに対して該スピンドルハウジングを接近及び離反させる方向に移動する研削送り手段と、該振動測定手段から出力される振動情報を受信する受信部と、異常な振動情報が予め記録されている異常記録部と、該受信部が受信した振動情報と該異常記録部に登録された該異常な振動情報とに基づいて該受信部が受信した振動情報の異常を検出し、該研削送り手段を制御する制御部とを有する制御手段と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板を研磨面に押圧するためのメンブレンの特性を装置に入力することにより、メンブレンの特性に合わせた最適な研磨条件で基板を研磨することができる研磨装置および方法を提供する。
【解決手段】研磨面を有した研磨テーブル１０１と、圧力流体が供給される圧力室５，６，７を形成する弾性膜であるメンブレン４と、メンブレン４を保持するトップリング本体２とを有し、圧力室５，６，７に圧力流体を供給することで流体圧により基板を研磨面に押圧するトップリング１と、装置内の各機器を制御する制御部とを備え、制御部は、予め測定したメンブレン４の特性を入力することによりメンブレン４の特性に合わせて研磨条件を変更する。 （もっと読む）

【課題】４個の加工手段を備えた加工装置を小型に構成することができる加工装置を提供する。
【解決手段】加工装置は、中心部に開口を備え回転可能に配設されたターンテーブルと、ターンテーブルに正多角形の頂点の位置に配設され被加工物を保持する保持面を備えた少なくとも５個のチャックテーブルと、ターンテーブルの該開口を挿通して立設された支柱と、支柱に少なくとも５個のチャックテーブルのうちの４個のチャックテーブルに対応して配設された４個の加工手段と、４個の加工手段をそれぞれチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に移動せしめる４個の加工送り手段と、ターンテーブルを回動して４個のチャックテーブルを４個の加工送り手段による加工領域に位置付けた状態において余りのチャックテーブルに被加工物を搬入・搬出する搬入・搬出領域とを具備している。 （もっと読む）

【課題】支持テーブル上のワークを搬送する際の搬送手段の高さ移動量を自動的に設定すること。
【解決手段】ワークを支持する支持テーブルと、支持テーブル上のワークを吸引保持する吸引パッドを備える搬送手段とを備える研削装置１において、吸引パッドに発生した負圧の値を読み取りながら吸引パッドを降下させ（Ｓ１：降下工程）、負圧の値があらかじめ設定したしきい値を超えた際にその吸引パッドの高さ位置を記録し（Ｓ５：記録工程）、その吸引パッドの高さ位置に基づいて支持テーブルに支持されたワークを搬送手段が搬出する際の吸引パッドの高さ移動量を設定する（Ｓ６：設定工程）ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁性基板、光学基板および半導体基板から選択される基板を研磨するのに適している、ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供する。
【解決手段】アミン部分の未反応−ＮＣＯ部分に対する化学量論比が９５％未満で前記芳香族ポリアミンおよびイソシアネート末端プレポリマーポリオールが提供され、前記光安定性ポリマー終点検出窓が、１kPaの一定軸引張荷重で６０℃一定温度で１００分で測定したときに０．０２％以下の時間依存性歪みを示し、厚み１．３mmの窓について波長３８０nmにおいて、１５％以上の光学複光路透過率（ｏｐｔｉｃａｌ ｄｏｕｂｌｅ ｐａｓｓ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ）を示し、かつ研磨表面が、磁性基板、光学基板および半導体基板から選択される基板を研磨するのに適している、ケミカルメカニカルポリッシングパッド。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸を有するウェーハであっても回転する仮置きテーブルに対する位置ズレを抑制でき、ウェーハの位置を精度よく検出できる研削装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハＷを支持する支持面６４を有する仮置きテーブル３５と、支持面６４に支持されたウェーハＷの外周縁部を撮像する撮像部３６と、仮置きテーブル３５を支持面６４に直交する鉛直軸まわりに回転させ、ウェーハＷの外周縁部を順々に撮像部３６の撮像範囲に臨ませる回転部６１とを備え、仮置きテーブル３５の支持面６４は、回転によってウェーハＷに作用する力よりも大きな摩擦力をウェーハＷに付与する摩擦材６５により形成される構成とした。 （もっと読む）

【課題】作業負担を増加させることなく、上下の回転定盤によりキャリアに保持された半導体ウエハの両面を研磨する際の、研磨の進行状況を正確に推定できる半導体ウエハの研磨方法及び半導体ウエハ研磨装置を提供する。
【解決手段】上下の回転定盤２、３によりキャリア６ａに保持されたウエハＷを挟持し、該上下の回転定盤２、３を回転動作させることにより、ウエハＷの両面を同時研磨する研磨装置１を用いたウエハ研磨方法であって、ウエハＷの両面を同時研磨している際の、研磨装置１の定盤負荷電流値をモニタし、そのモニタした定盤負荷電流値を用いて一定時間内における定盤負荷電流値の標準偏差を基準時間毎に算出し、該算出した標準偏差の変化からウエハＷの研磨の進行度を推定する。 （もっと読む）

【課題】深い溝に埋め込まれる被加工層の表面に対する平坦化工程のプロセス管理を高い精度で行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング材１０の主面を選択的にエッチングして第１の溝ＳＴとこの第１の溝ＳＴよりも深い第２の溝ＤＴとを形成する工程と、第１の溝ＳＴ及び第２の溝ＤＴにそれぞれ被加工材料を堆積させて被加工層を成膜する工程と、この被加工層の表面を平坦化する平坦化工程と、平坦化工程の後または途中で第１の溝ＳＴにおける被加工層１４Ｓの厚みを測定する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの寿命を正確に決定することができ、研磨パッドの交換頻度を少なくすることができる研磨装置を提供する。
【解決手段】本研磨装置は、研磨テーブル１２を回転させるテーブル回転モータ７０と、トップリング２０を回転させるトップリング回転モータ７１と、研磨パッド２２をドレッシングするドレッサ５０と、研磨パッド２２の高さを測定するパッド高さ測定器６０と、研磨パッド２２の高さから研磨パッド２２の減耗量を算出し、研磨パッド２２の減耗量と、テーブル回転モータ７０のトルクまたは電流と、トップリング回転モータ７１のトルクまたは電流とに基づいて研磨パッド２２の寿命を決定する診断部４７とを備える。 （もっと読む）

【課題】圧力室を形成するメンブレンを用いた基板保持装置において研磨中に半導体ウエハ等の基板の温度を推定して基板の温度を制御することができる基板保持装置および該基板保持装置を備えた研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨面１０１ａを有した研磨テーブル１００と、基板Ｗを保持して研磨面１０１ａに押圧する基板保持装置１と、制御部５０とを備えた研磨装置であって、基板保持装置１は、基板に当接して基板保持面を構成する弾性膜４と、弾性膜４の上方に位置するキャリア４３と、弾性膜４とキャリア４３との間に形成された圧力室５，６，７，８と、弾性膜４からの熱エネルギを測定する赤外線検出器４５とを備え、制御部５０は、赤外線検出器４５による測定値を用いて弾性膜温度推定値を算出する。 （もっと読む）

【課題】 サイズの大きな被加工物のハンドリングを容易にする加工装置を提供することである。
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物に加工を施す加工手段と、該チャックテーブルに搬送する被加工物を収容する被加工物収容ユニットと、該チャックテーブルと該被加工物収容ユニットとの間で被加工物を搬送する搬送手段と、を備えた加工装置であって、該被加工物収容ユニットは、移動手段と載置面と連結面を有し、加工装置に取り外し可能に連結されるワゴン本体と、該ワゴン本体の該載置面上に載置され、被加工物を収容する収容部を内部に有する被加工物収容ボックスとを具備し、該移動手段で該ワゴン本体を移動して該連結面で加工装置に連結し、該被加工物収容ボックス内に収容された被加工物を該搬送手段で該チャックテーブルに搬送することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】切削ブレードを構成する環状の切れ刃が基台の外周縁から離脱して全破損したことを確実に検出することができる切削ブレード検出機構を提供する。
【解決手段】チャックテーブルに保持された被加工物を切削する環状の切れ刃を備えた切削ブレードの回転軸方向の一方の側に配設された発光手段と、切削ブレードの回転軸方向の他方の側に発光手段と対向して配設され発光手段によって照射された光を受光する受光手段と、該受光手段によって受光された光の受光量に基づいて該環状の切れ刃の状態を判定する制御手段とを具備する切削装置の切削ブレード検出機構であって、切削ブレードは円形状の基台と円形状の基台の外周部側面に装着され基台の外周縁から突出して形成された環状の切れ刃とからなり、発光手段の発光面および受光手段の受光面は円形状の基台の外周部によって一部が遮光される位置に配設されている。 （もっと読む）

【課題】埋め込み配線層を研磨加工する際の終点検出をより効果的に行うことのできる研磨加工の終点検出方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係る終点検出方法は、半導体基板上に形成された半導体デバイスの埋め込み配線層を研磨する際の終点検出方法であって、半導体基板上に形成された絶縁膜に膜厚測定用の溝をダイシングライン上に形成する工程と、溝を含む絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、研磨液を用いて、金属膜を研磨する工程と、ダイシングライン上の溝の位置に対応する窪み内に残存する金属膜の膜厚を計測するステップと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】マルチブレードの個々の切刃の状態を独立して検出可能な切削ブレード検出機構を提供する。
【解決手段】第１の切刃２８ａの状態を検出する第１ブレード検出手段と、第２の切刃２８ｂの状態を検出する第２ブレード検出手段とを具備し、第１ブレード検出手段は、第１の切刃２８ａを挟むように第１発光部７６と第１受光部８０が位置づけられるとともに、第１発光部７６と第１受光部８０を結ぶ光軸が該スピンドル２６の軸心に対して傾斜して配設されており、第２ブレード検出手段は、第２の切刃２８ｂを挟むように第２発光部８４と第２受光部８８が位置づけられるとともに、第２発光部８４と該第２受光部８８を結ぶ光軸が該スピンドル２６の軸心に対して傾斜して配設されている。 （もっと読む）

【課題】移動基台に装着された研削手段の原点位置を検出する際に、原点位置検出センサーの脱落等に起因して移動基台に装着された研削手段が暴走するのを防止する。
【解決手段】研削手段の原点位置を検出する際には、研削送り手段のサーボモータを逆転駆動し研削手段が装着された移動基台を離反規制位置検出手段に達するまで上昇移動して離反規制位置に位置付けた後、サーボモータを正転駆動して移動基台を離反規制位置から下降移動し、原点位置検出センサーが遮光信号を出力した場合には原点位置調整工程を実施し、移動基台の下降移動時において移動量検出手段からの検出信号に基づいて移動基台の移動量が離反規制位置から原点位置までの距離に達しているにも拘わらず原点位置検出センサーが遮光信号を出力しない場合には表示手段に異常表示するとともに、研削送り手段の該サーボモータを停止する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、インサイチュ終末点検出器の機能の低下なしに化学機械的研磨効率の極大化に適合する研磨パッド、化学機械的研磨効率を極大化させることができる研磨パッドを用いて化学機械的研磨工程をモニターする方法、研磨テーブルを用いて化学機械的研磨工程の終末点を検出する方法並びに、研磨パッドを製造する方法を提供する。
【解決手段】透明な支持層を備える研磨層を含み、透明な支持層に研磨層よりも薄く形成される層が隣接し、研磨層に付着したプラテン層をさらに含み、プラテン層は支持層に対応する位置で貫通ホールを有し、当該ホールの研磨層側の断面が広く形成される部位に直接的に接して支持されるとともに支持層と接する透明なプラテン窓を備え、プラテン窓の研磨層に対して前記プラテン層が位置する方向である下方の部位がプラテン層の研磨層と接する面よりも下方に位置する化学機械的研磨パッドである。 （もっと読む）

【課題】歩留まりに優れた半導体装置を製造する半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置は、ウェハ１００の載置領域が設けられている枠体１０２と、上面視において、載置領域の外側かつ載置領域の周縁部に沿って枠体１０２に設けられており、研削屑または研磨屑を吸引する吸引部（吸引孔１０４）と、ウェハ１００の上面を吸引する輸送チャックと、を備える。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの直径に数mmの誤差があっても吸引領域にウエーハを確実に吸引保持することができるチャックテーブルを提供する。
【解決手段】ウエーハを保持するチャックテーブルであって、多孔性部材によって円盤状に形成された主吸引保持部材と吸引保持部材の外周に隔壁を介して配設されウエーハの大きさの誤差を調整するための環状の補助吸引保持部材とからなる吸着チャックと、吸着チャックを嵌合する円形状の凹部を上面に備えた枠体とを具備し、枠体の底壁には主吸引保持部材に対応する位置に主吸引通路が設けられているとともに、環状の補助吸引保持部材に対応する位置に補助吸引通路が設けられており、補助吸引通路は盲栓が着脱可能に装着できるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下することなく、研磨後の膜厚の目標値からのずれ量を小さくし、高精度な研磨を行う。
【解決手段】複数の基板Ｗにおける被処理膜の初期膜厚を測定する初期膜厚測定手段６と、初期膜厚の測定結果に基づき、各基板間の被処理膜の初期膜厚差が所定値以下となるように複数の基板を並べ替えるソート手段１０と、並べ替えられた複数の基板の被処理膜を１次研磨する第１研磨手段１４と、研磨後の被処理膜の膜厚を測定する研磨後膜厚測定手段１５と、測定した初期膜厚と研磨後の被処理膜の膜厚、及びその時の研磨時間に基づき１次研磨における研磨レートを算出し、更に算出した研磨レートと次に１次研磨する基板の初期膜厚、及び研磨後の被処理膜の膜厚の目標値に基づき研磨時間を算出し、該研磨時間を次に１次研磨する基板の研磨時間としてフィードバックする制御を初期膜厚の厚さ順に逐次行う制御手段２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 切削ブレードの状態を正確に検出可能な切削方法を提供することである。
【解決手段】 切削ブレードで被加工物を切削する切削方法であって、切削ブレードを切削開始位置に位置づけて被加工物へ切り込ませつつ、該切削ブレードと被加工物とを相対的に加工送りして被加工物を一方向に切削する切削ステップと、該切削ステップを実施した後、該切削ブレードを被加工物へ切り込ませない退避位置に位置づけて該切削ブレードと被加工物とを該一方向と反対方向に相対移動させ、更に該切削ブレードを該切削開始位置に位置づける切削ブレード戻しステップと、該切削ブレード戻しステップの実行時に、該切削ブレードの外周縁を挟んで配設された発光部と受光部とを備えたブレード検出手段で該切削ブレードの状態を検出するブレード検出ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）